JPH05136108A - Ｓｏｉ基板の製造方法 - Google Patents
Ｓｏｉ基板の製造方法Info
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- JPH05136108A JPH05136108A JP32115891A JP32115891A JPH05136108A JP H05136108 A JPH05136108 A JP H05136108A JP 32115891 A JP32115891 A JP 32115891A JP 32115891 A JP32115891 A JP 32115891A JP H05136108 A JPH05136108 A JP H05136108A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 拡散により高濃度層を形成したシリコン基板
と、支持体のシリコン基板とをシリコン酸化膜を介して
結合する場合に、確実に高い結合強度で結合することが
でき、結合後の研削、研磨の工程やダイシングの工程等
で剥離現象を起こすことがなく、集積回路に利用する面
積の損失をなくすことができる。 【構成】 拡散により高濃度層を形成したシリコン基板
と、支持体のシリコン基板とをシリコン酸化膜を介して
結合する際に、該シリコン酸化膜の形成を、支持体の基
板に限定して行うことにより、拡散による高濃度埋め込
み層を有するＳＯＩ基板を得る。
と、支持体のシリコン基板とをシリコン酸化膜を介して
結合する場合に、確実に高い結合強度で結合することが
でき、結合後の研削、研磨の工程やダイシングの工程等
で剥離現象を起こすことがなく、集積回路に利用する面
積の損失をなくすことができる。 【構成】 拡散により高濃度層を形成したシリコン基板
と、支持体のシリコン基板とをシリコン酸化膜を介して
結合する際に、該シリコン酸化膜の形成を、支持体の基
板に限定して行うことにより、拡散による高濃度埋め込
み層を有するＳＯＩ基板を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路用のＳ
ＯＩ基板の製造方法に関し、より詳しくは、高濃度埋め
込み拡散層を有するＳＯＩ基板の製造方法に関する。
ＯＩ基板の製造方法に関し、より詳しくは、高濃度埋め
込み拡散層を有するＳＯＩ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、バイポーラＩＣ等の半導体装置を
製造する際、一つの半導体基板に多数の素子を形成する
方法がとられていた。この方法においては、低抵抗化技
術と素子分離技術が用いられ、低抵抗化のために半導体
基板中に高濃度不純物拡散層を埋め込ませる技術が、ま
た、素子分離のためにＰＮ接合を利用する技術が知られ
ていた。しかし、上記ＰＮ接合を利用する場合にはＰＮ
接合に起因する寄生容量が大きく、寄生トランジスタ動
作が生じる、といった問題があった。
製造する際、一つの半導体基板に多数の素子を形成する
方法がとられていた。この方法においては、低抵抗化技
術と素子分離技術が用いられ、低抵抗化のために半導体
基板中に高濃度不純物拡散層を埋め込ませる技術が、ま
た、素子分離のためにＰＮ接合を利用する技術が知られ
ていた。しかし、上記ＰＮ接合を利用する場合にはＰＮ
接合に起因する寄生容量が大きく、寄生トランジスタ動
作が生じる、といった問題があった。
【０００３】これを解決し、さらには、半導体構造の三
次元構造化、高耐圧化を図るものとして、高濃度埋め込
み拡散層を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ＯｎＩｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）構造のウェーハが特に注目されており、
これは例えば低濃度層と高濃度層から成る２層の単結晶
シリコン層が絶縁膜としての酸化膜上に形成された構造
である。
次元構造化、高耐圧化を図るものとして、高濃度埋め込
み拡散層を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ＯｎＩｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）構造のウェーハが特に注目されており、
これは例えば低濃度層と高濃度層から成る２層の単結晶
シリコン層が絶縁膜としての酸化膜上に形成された構造
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記Ｓ
ＯＩ構造を、結合（貼り合わせ）により形成する方法に
ついて、種々の検討を行っている過程において、多数の
技術的な知見を得ているが、特に、結合させる一方のシ
リコン単結晶基板が、拡散により高濃度層を形成したも
のである場合、結合強度が非常に弱くなる場合が存在
し、その場合には結合後の研削、研磨の工程で剥離が生
じてしまうという現象が発生することを発見した。
ＯＩ構造を、結合（貼り合わせ）により形成する方法に
ついて、種々の検討を行っている過程において、多数の
技術的な知見を得ているが、特に、結合させる一方のシ
リコン単結晶基板が、拡散により高濃度層を形成したも
のである場合、結合強度が非常に弱くなる場合が存在
し、その場合には結合後の研削、研磨の工程で剥離が生
じてしまうという現象が発生することを発見した。
【０００５】本発明は上記の点を解決しようとするもの
で、その目的は表面に熱拡散により活性不純物の高濃度
層を形成したシリコン単結晶基板と、支持体となる通常
のシリコン単結晶基板とをシリコン酸化膜を介して直接
結合する場合に、確実に高い結合強度で結合することが
でき、結合後の研削、研磨の工程やダイシングの工程等
で剥離現象を起こすことがなく、集積回路に利用する面
積の損失をなくすことができる拡散による高濃度埋め込
み拡散層を有するＳＯＩ基板を製造する方法を提供する
ことにある。
で、その目的は表面に熱拡散により活性不純物の高濃度
層を形成したシリコン単結晶基板と、支持体となる通常
のシリコン単結晶基板とをシリコン酸化膜を介して直接
結合する場合に、確実に高い結合強度で結合することが
でき、結合後の研削、研磨の工程やダイシングの工程等
で剥離現象を起こすことがなく、集積回路に利用する面
積の損失をなくすことができる拡散による高濃度埋め込
み拡散層を有するＳＯＩ基板を製造する方法を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面に熱拡散
により活性不純物の高濃度層を形成したシリコン単結晶
基板と、拡散を行わないシリコン単結晶基板とを、シリ
コン酸化膜を介して直接結合するに際し、該シリコン酸
化膜の形成を、拡散を行わない基板に限定して行うこと
により、該高濃度埋め込み拡散層を該酸化膜に接して有
するＳＯＩ基板を得ることを特徴とする。
により活性不純物の高濃度層を形成したシリコン単結晶
基板と、拡散を行わないシリコン単結晶基板とを、シリ
コン酸化膜を介して直接結合するに際し、該シリコン酸
化膜の形成を、拡散を行わない基板に限定して行うこと
により、該高濃度埋め込み拡散層を該酸化膜に接して有
するＳＯＩ基板を得ることを特徴とする。
【０００７】２枚のシリコン基板を結合することにより
ＳＯＩ基板を作製する場合、いずれか一方の基板にシリ
コン酸化膜を形成して結合するか、あるいは両方とも酸
化膜を形成して結合することが考えられる。
ＳＯＩ基板を作製する場合、いずれか一方の基板にシリ
コン酸化膜を形成して結合するか、あるいは両方とも酸
化膜を形成して結合することが考えられる。
【０００８】この場合、結合界面には、上記ＳＯＩ基板
の作業工程中にどうしても汚染の機会があり、この汚染
が活性領域に形成される半導体電子装置の特性を劣化さ
せることが考えられるので、活性領域を含むＳＯＩ基板
の一方の単結晶ウエーハであった単結晶層の上に熱酸化
膜を形成し、結合作業工程の汚染から該単結晶層結合表
面を保護すると同時に、結合のための酸化膜として、そ
の酸化膜を利用するのが従来技術の常識である。そのた
めには、図２に示されるように、一方の基板Ａに不純物
を高濃度に拡散し（図２Ａ−２）、次に拡散後のシリコ
ン単結晶基板Ａの表面を酸化し（図２Ａ−３）、次に支
持体となる通常のシリコン単結晶基板Ｂとシリコン単結
晶基板Ａとを酸化膜３を介して結合すればよい。すなわ
ち、このようにすれば、結合面Ｓは活性領域Ａｃからみ
ると、酸化膜３の厚みだけ離れた位置に形成されるから
である。
の作業工程中にどうしても汚染の機会があり、この汚染
が活性領域に形成される半導体電子装置の特性を劣化さ
せることが考えられるので、活性領域を含むＳＯＩ基板
の一方の単結晶ウエーハであった単結晶層の上に熱酸化
膜を形成し、結合作業工程の汚染から該単結晶層結合表
面を保護すると同時に、結合のための酸化膜として、そ
の酸化膜を利用するのが従来技術の常識である。そのた
めには、図２に示されるように、一方の基板Ａに不純物
を高濃度に拡散し（図２Ａ−２）、次に拡散後のシリコ
ン単結晶基板Ａの表面を酸化し（図２Ａ−３）、次に支
持体となる通常のシリコン単結晶基板Ｂとシリコン単結
晶基板Ａとを酸化膜３を介して結合すればよい。すなわ
ち、このようにすれば、結合面Ｓは活性領域Ａｃからみ
ると、酸化膜３の厚みだけ離れた位置に形成されるから
である。
【０００９】ところが、上記のように図２の方法に従っ
て結合させると、結合強度が著しく小さいものとなり、
結合後の素子活性領域を作る薄膜化工程で研削、研磨を
行った場合には、剥離が生じることが判明した。この剥
離が生じると集積回路に使用できる基板面積が非常に小
さくなるか、あるいは全くなくなってしまう。
て結合させると、結合強度が著しく小さいものとなり、
結合後の素子活性領域を作る薄膜化工程で研削、研磨を
行った場合には、剥離が生じることが判明した。この剥
離が生じると集積回路に使用できる基板面積が非常に小
さくなるか、あるいは全くなくなってしまう。
【００１０】さらに、より詳細に調べると、その剥離面
は結合面Ｓのところではなく、高濃度埋め込み拡散層２
と酸化膜３との界面Ｓｃのところであることが判明し
た。また、結合面における不純物も汚染に十分注意すれ
ば問題にならないことがわかった。
は結合面Ｓのところではなく、高濃度埋め込み拡散層２
と酸化膜３との界面Ｓｃのところであることが判明し
た。また、結合面における不純物も汚染に十分注意すれ
ば問題にならないことがわかった。
【００１１】図１は、本発明の製造方法を説明するため
のもので、まず、片方のシリコン単結晶基板Ａに不純物
を高濃度に拡散させて、高濃度拡散層２を形成させる
（図１Ａ−２）。また、他方の支持体のシリコン単結晶
基板Ｂには不純物拡散を行わず、酸化を行うことにより
酸化膜３を形成させる（図１Ｂ−２）。
のもので、まず、片方のシリコン単結晶基板Ａに不純物
を高濃度に拡散させて、高濃度拡散層２を形成させる
（図１Ａ−２）。また、他方の支持体のシリコン単結晶
基板Ｂには不純物拡散を行わず、酸化を行うことにより
酸化膜３を形成させる（図１Ｂ−２）。
【００１２】次に、図１Ａ−２の高濃度埋め込み拡散層
２を有するシリコン単結晶基板Ａと図１Ｂ−２酸化膜３
を有するシリコン単結晶基板とを結合させる（図１Ａ−
３）。次いで、研削、研磨することにより単結晶シリコ
ンの薄膜を形成する（図１Ａ−４）。
２を有するシリコン単結晶基板Ａと図１Ｂ−２酸化膜３
を有するシリコン単結晶基板とを結合させる（図１Ａ−
３）。次いで、研削、研磨することにより単結晶シリコ
ンの薄膜を形成する（図１Ａ−４）。
【００１３】本発明のＳＯＩ基板の製造方法によれば、
研削、研磨の際に剥離が起こらず、高い歩留りで高濃度
埋込み拡散層を有するＳＯＩ基板を得ることができる。
研削、研磨の際に剥離が起こらず、高い歩留りで高濃度
埋込み拡散層を有するＳＯＩ基板を得ることができる。
【００１４】
【作用】不純物を拡散していない支持体のシリコン単結
晶基板側にシリコン酸化膜を形成して、結合することに
より、高濃度埋込み拡散層と酸化膜との界面の剥離は全
く発生せず、集積回路に使用できる面積に損失のない高
濃度埋め込み拡散層を有するＳＯＩ基板を製造すること
ができる。このようにシリコン酸化膜の形成をどちら側
にするかによって結合強度が異なる理由は現段階では不
明だが、拡散により高濃度層を形成したシリコン基板の
拡散面は異常に高い不純物の濃度を示すため、高温にお
けるその不純物との作用で酸化に際して形成された酸化
層のシリコン単結晶層との境界の結合力が低下するもの
と考えている。これに対し本発明の場合には、その処理
温度は高々８００℃であり、しかも高温処理の時間が数
十分から１時間程度であるので、例えば高濃度不純物の
酸化など、望ましくない現象が起こらず、シリコン単結
晶と酸化膜の本来の結合力が発揮できるものと思われ
る。
晶基板側にシリコン酸化膜を形成して、結合することに
より、高濃度埋込み拡散層と酸化膜との界面の剥離は全
く発生せず、集積回路に使用できる面積に損失のない高
濃度埋め込み拡散層を有するＳＯＩ基板を製造すること
ができる。このようにシリコン酸化膜の形成をどちら側
にするかによって結合強度が異なる理由は現段階では不
明だが、拡散により高濃度層を形成したシリコン基板の
拡散面は異常に高い不純物の濃度を示すため、高温にお
けるその不純物との作用で酸化に際して形成された酸化
層のシリコン単結晶層との境界の結合力が低下するもの
と考えている。これに対し本発明の場合には、その処理
温度は高々８００℃であり、しかも高温処理の時間が数
十分から１時間程度であるので、例えば高濃度不純物の
酸化など、望ましくない現象が起こらず、シリコン単結
晶と酸化膜の本来の結合力が発揮できるものと思われ
る。
【００１５】
【実施例】次に実施例を挙げて更に詳細に本発明を説明
する。 実施例１ 厚さ６２５μｍ、直径１５０ｍｍ、面方位（１００）の
鏡面研磨された２枚のＮ型シリコン単結晶基板を用意し
た。一方のシリコン単結晶基板ＡにＳｂを常法に従い高
濃度拡散させて高濃度埋め込み拡散層（Ｎ+ 層）２を形
成した（図１Ａ−２）。この高濃度埋め込み拡散層を有
するシリコン単結晶基板のシート抵抗ρs は、３０Ω／
□、拡散深さｘj は３μｍであった。
する。 実施例１ 厚さ６２５μｍ、直径１５０ｍｍ、面方位（１００）の
鏡面研磨された２枚のＮ型シリコン単結晶基板を用意し
た。一方のシリコン単結晶基板ＡにＳｂを常法に従い高
濃度拡散させて高濃度埋め込み拡散層（Ｎ+ 層）２を形
成した（図１Ａ−２）。この高濃度埋め込み拡散層を有
するシリコン単結晶基板のシート抵抗ρs は、３０Ω／
□、拡散深さｘj は３μｍであった。
【００１６】他方の支持体のシリコン単結晶基板Ｂ上に
熱酸化により膜厚約１μｍの酸化膜３を形成した（図１
Ｂ−２）。次に、２枚のシリコン単結晶基板ＡとＢを酸
化膜３を挾むように密着させて、２００℃以上の温度で
熱処理することにより結合させた。
熱酸化により膜厚約１μｍの酸化膜３を形成した（図１
Ｂ−２）。次に、２枚のシリコン単結晶基板ＡとＢを酸
化膜３を挾むように密着させて、２００℃以上の温度で
熱処理することにより結合させた。
【００１７】次いで、結合されたウェーハの基板Ａ側を
３０μｍの厚さになるまで平面研削した。その後、１０
ｍｍ角にダイシングを行った。平面研削時にもダイシン
グ時にも、全く剥離は見られなかった。
３０μｍの厚さになるまで平面研削した。その後、１０
ｍｍ角にダイシングを行った。平面研削時にもダイシン
グ時にも、全く剥離は見られなかった。
【００１８】実施例２ Ｓｂの高濃度拡散をシート抵抗ρs ＝２０Ω／□、拡散
深さｘj＝３μｍとなるように行った以外は実施例１と
同様にして結合ウェーハを作製し、平面研削、１０ｍｍ
角へのダイシングを行ったところ、実施例１と同様、平
面研削、ダイシングのいずれの場合にも剥離は見られな
かった。
深さｘj＝３μｍとなるように行った以外は実施例１と
同様にして結合ウェーハを作製し、平面研削、１０ｍｍ
角へのダイシングを行ったところ、実施例１と同様、平
面研削、ダイシングのいずれの場合にも剥離は見られな
かった。
【００１９】比較例１ 厚さ６２５μｍ，直径１５０ｍｍ，面方位（１００）の
鏡面研磨された２枚のＮ型シリコン単結晶基板を用意し
た。一方のシリコン単結晶基板ＡにＳｂを常法に従い高
濃度拡散させて高濃度埋め込み拡散層（Ｎ+ 層）２を形
成した（図２Ａ−２）。この高濃度拡散層を有するシリ
コン単結晶基板Ａのシート抵抗ρs は２０Ω／□、拡散
深さｘj は３μｍであった。次に、この高濃度埋め込み
拡散層を有するシリコン単結晶基板Ａを熱酸化処理する
ことにより膜厚約１μｍの酸化膜３を形成した（図２Ａ
−３）。次いで、２枚のシリコン単結晶基板ＡとＢを酸
化膜３を挾むように密着させて、２００℃以上の温度で
熱処理することにより結合させた。
鏡面研磨された２枚のＮ型シリコン単結晶基板を用意し
た。一方のシリコン単結晶基板ＡにＳｂを常法に従い高
濃度拡散させて高濃度埋め込み拡散層（Ｎ+ 層）２を形
成した（図２Ａ−２）。この高濃度拡散層を有するシリ
コン単結晶基板Ａのシート抵抗ρs は２０Ω／□、拡散
深さｘj は３μｍであった。次に、この高濃度埋め込み
拡散層を有するシリコン単結晶基板Ａを熱酸化処理する
ことにより膜厚約１μｍの酸化膜３を形成した（図２Ａ
−３）。次いで、２枚のシリコン単結晶基板ＡとＢを酸
化膜３を挾むように密着させて、２００℃以上の温度で
熱処理することにより結合させた。
【００２０】次に、結合されたウェーハの基板Ａ側を３
０μｍの厚さになるまで平面研削した。この平面研削の
際に全面積の９％が剥離しているのが確かめられた。ま
た、この剥離の様子を詳しく調べると図２Ａ−５に示す
ように、酸化膜３と高濃度埋め込み拡散層２との界面Ｓ
ｃで剥離していることが判明した。
０μｍの厚さになるまで平面研削した。この平面研削の
際に全面積の９％が剥離しているのが確かめられた。ま
た、この剥離の様子を詳しく調べると図２Ａ−５に示す
ように、酸化膜３と高濃度埋め込み拡散層２との界面Ｓ
ｃで剥離していることが判明した。
【００２１】上記平面研削したウェーハを、更に１０ｍ
ｍ角にダイシングした。このダイシングにより、全面の
４８％が更に剥離し、平面研削のときの剥離とダイシン
グのときの剥離とを合わせると合計５７％の剥離が生じ
たことになる。
ｍ角にダイシングした。このダイシングにより、全面の
４８％が更に剥離し、平面研削のときの剥離とダイシン
グのときの剥離とを合わせると合計５７％の剥離が生じ
たことになる。
【００２２】比較例２ Ｓｂの高濃度拡散を、シート抵抗ρs ＝３０Ω／□、拡
散深さｘj ＝３μｍとなるように行った以外は比較例１
と同様にして結合ウェーハを作製し、平面研削、１０ｍ
ｍ角へのダイジングを行ったところ、平面研削時には全
面積の３％が剥離し、ダイシング時にこれに追加して２
６％が剥離し、平面研削時の剥離とダイシング時の剥離
とを合わせると合計２９％の剥離が生じたことになる。
散深さｘj ＝３μｍとなるように行った以外は比較例１
と同様にして結合ウェーハを作製し、平面研削、１０ｍ
ｍ角へのダイジングを行ったところ、平面研削時には全
面積の３％が剥離し、ダイシング時にこれに追加して２
６％が剥離し、平面研削時の剥離とダイシング時の剥離
とを合わせると合計２９％の剥離が生じたことになる。
【００２３】以上の実施例及び比較例から下記のことが
わかる。 不純物を拡散していないシリコン単結晶基板に酸化
膜を形成した場合には、結合相手の高濃度拡散層を有す
るシリコン単結晶基板の不純物拡散濃度の高低に関わら
ず、高濃度に結合し、平面研削やダイシングによっても
剥離を生じることがない。 高濃度拡散層を有するシリコン単結晶基板に熱酸化
膜を形成した場合には必ず剥離が生じ、その剥離面は酸
化膜３と高濃度埋め込み拡散層２との界面Ｓｃである。 上記の剥離面積の割合は、不純物拡散濃度が高い
程（すなわち、シート抵抗が低い程）大きくなる。 上記から、不純物が結合力を弱める作用をしてい
ること、さらにこのとから、高濃度拡散層を有する
シリコン単結晶基板に熱酸化膜を形成して支持体のシリ
コン単結晶基板と結合させた場合には、結合後に酸化膜
３と高濃度埋め込み拡散層２との界面に多量の不純物が
存在するような分布になっていることが予想される。
わかる。 不純物を拡散していないシリコン単結晶基板に酸化
膜を形成した場合には、結合相手の高濃度拡散層を有す
るシリコン単結晶基板の不純物拡散濃度の高低に関わら
ず、高濃度に結合し、平面研削やダイシングによっても
剥離を生じることがない。 高濃度拡散層を有するシリコン単結晶基板に熱酸化
膜を形成した場合には必ず剥離が生じ、その剥離面は酸
化膜３と高濃度埋め込み拡散層２との界面Ｓｃである。 上記の剥離面積の割合は、不純物拡散濃度が高い
程（すなわち、シート抵抗が低い程）大きくなる。 上記から、不純物が結合力を弱める作用をしてい
ること、さらにこのとから、高濃度拡散層を有する
シリコン単結晶基板に熱酸化膜を形成して支持体のシリ
コン単結晶基板と結合させた場合には、結合後に酸化膜
３と高濃度埋め込み拡散層２との界面に多量の不純物が
存在するような分布になっていることが予想される。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、拡散により高濃度層を形成したシリコン単結晶
基板と、支持体のシリコン単結晶基板とをシリコン酸化
膜を介して結合する場合に、確実に高い結合強度で結合
させることができ、結合後の研削、研磨の工程やダイシ
ングの工程等で剥離現象を起こすことがなく、集積回路
に利用する面積の損失をなくすことができる。
よれば、拡散により高濃度層を形成したシリコン単結晶
基板と、支持体のシリコン単結晶基板とをシリコン酸化
膜を介して結合する場合に、確実に高い結合強度で結合
させることができ、結合後の研削、研磨の工程やダイシ
ングの工程等で剥離現象を起こすことがなく、集積回路
に利用する面積の損失をなくすことができる。
【図１】本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法の工程を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】比較例のＳＯＩ基板の製造方法の工程を示す説
明図である。
明図である。
１ シリコン単結晶基板 ２ 高濃度埋め込み拡散層 ３ 酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に熱拡散により活性不純物の高濃度
層を形成したシリコン単結晶基板と、拡散を行わないシ
リコン単結晶基板とを、シリコン酸化膜を介して直接結
合するに際し、該シリコン酸化膜の形成を、拡散を行わ
ない基板に限定して行うことにより、該高濃度埋め込み
拡散層を該酸化膜に接して有するＳＯＩ基板を得ること
を特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP3321158A JP2976080B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
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| JP3321158A JP2976080B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
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| JPH05136108A true JPH05136108A (ja) | 1993-06-01 |
| JP2976080B2 JP2976080B2 (ja) | 1999-11-10 |
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| JP3321158A Expired - Fee Related JP2976080B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
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| JP (1) | JP2976080B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016100566A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | トヨタ自動車株式会社 | Ｓｏｉウエハの製造方法及びｓｏｉウエハ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04199608A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Fujitsu Ltd | Ｓｏｉウエハの製造方法 |
| JPH05129258A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH05129170A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP3321158A patent/JP2976080B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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| JPH05129258A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
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