JPH0514432Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は基板型温度ヒユーズの改良に関するも
のである。

（従来の技術） 基板型温度ヒユーズは、耐熱性の絶縁基板上に
低融点金属のヒユーズエレメントを設け、このヒ
ユーズエレメントに対する絶縁層を基板上にモー
ルド被覆せる構成であり、保護すべき電気機器の
過電流による異常発生熱が絶縁基板を介して低融
点金属に伝達し、低融点金属の溶断により電気機
器への通電が遮断される。

（考案が解決しようとする問題点） 従来、基板型温度ヒユーズの絶縁基板にはセラ
ミツクス板を、モールド樹脂被覆にはエポキシ樹
脂をそれぞれ使用しているが、セラミツクス絶縁
基板には機械的強度上、相当に厚いものを用いて
おり、絶縁基板の熱伝達性が低く、作動迅速性に
問題がある。

本考案の目的は、上記セラミツクス基板の薄肉
化を図つて基板型温度ヒユーズの作動迅速性を向
上することにある。

（問題点を解決するための手段） 本考案に係る基板型温度ヒユーズは、低融点金
属のヒユーズエレメントをセラミツクス基板上に
設け、そのうえに硬化樹脂層をモールド被覆せる
温度ヒユーズにおいて、セラミツクス基板の厚み
を0.3〜1.5mmとし、硬化樹脂層の厚みをセラミツ
クス基板の1.5〜6.0倍としたことを特徴とする構
成である。

（実施例） 以下、図面により本考案を説明する。

第１図は本考案に係る基板型温度ヒユーズを示
す上面説明図、第２図は第１図における−断
面説明図である。

図において、１はセラミツクス絶縁基板であ
り、厚みは0.3〜1.5mmとしてある。２，２は絶縁
基板上に設けた一対の電極であり、導電性ペース
トのスクリーン印刷、金属箔積層板のエツチング
（腐食液によるエツチング、スパツタエツチン
グ）、金属蒸着等によつて形成することができる。
３，３は各電極に接続したリード導体である。４
は電極間に橋設せるヒユーズエレメントとしての
低融点金属であり、該金属と電極との接続には、
溶接、はんだ付け等を用いることができる。５は
低融点金属上に被覆せるフラツクス層である。６
はセラミツクス基板上にモールド被覆せる硬化型
樹脂、例えばエポキシ樹脂であり、その厚みはセ
ラミツクス絶縁基板１の1.5〜6.0倍としてある。

（考案の効果） 上記、基板型温度ヒユーズは、セラミツクス絶
縁基板面を保護すべき電気機器に密接して使用す
る。而るに、セラミツクス基板の厚みを0.3〜1.5
mmとし、その基板厚みを著しく薄くしてあるの
で、機器発生熱を低融点金属に迅速に伝達でき、
ヒユーズの作動迅速性をよく保証できる。このよ
うにセラミツクス基板の厚さを薄くしたにもかか
わらず、エポキシ樹脂モールド被覆層の厚みをセ
ラミツクス絶縁基板の1.5〜6.0倍としているから
エポキシ樹脂モールド層に充分な機械的強度を付
与でき、この機械的強度の秀れたエポキシ樹脂モ
ールド層によりセラミツクス絶縁基板を補強でき
るので、基板型温度ヒユーズ全体の機械的強度を
充分に保証できる。このことは、以下に述べる感
温速度試験並びに荷重試験についての実施例と比
較例との対比からも確認できる。

ただし、ヒユーズエレメントには、Pb：31重
量％、Sn：19重量％、Bi：50重量％（融点98℃）
を使用した。感温速度試験においては、電流計を
介して100ボルトAC電源に接続した基板型温度ヒ
ユーズを加熱温度100℃のシリコンオイル中に浸
漬し、浸漬時から電流計指示が零になるまでの時
間を測定した。また、荷重試験においては、基板
型温度ヒユーズをエポキシ樹脂被覆面側を裏面側
として両端支持し、表面中央に荷重を先端が球面
で直径が３mmの鉄製ピンを介して載荷し、セラミ
ツクス基板が破断する際の荷重を求めた。

比較例 １ 縦・横15mm×15mm、厚さ3.0mmのセラミツクス
基板の片面に、巾3.0mmの電極を6.0mmの間隔を隔
てて導電性ペーストの印刷・焼き付けにより形成
し、電極間に外径0.6mmのヒユーズエレメントを
橋設し、各電極に外径0.6mmのリード導体を接続
し、ヒユーズエレメント上にフラツクスを塗布
し、次いで、セラミツクス基板の片面上に厚さ
1.0mmのエポキシ樹脂層を被覆した。

この比較例品の感温試験結果（試料数20個の平
均値）は6.0秒であり、荷重試験結果（試料数20
個の平均値）は15Kgであつた。

実施例 １ 比較例１に対し、セラミツクス基板として、厚
さ1.5mmのものを使用し、エポキシ樹脂被覆層厚
さをセラミツクス基板厚さの1.5倍（2.25mm）と
した以外、比較例１に同じとした。この実施例品
の感温試験結果は2.5秒であり、荷重試験結果は
13Kgであつた。

実施例 ２ 比較例１に対し、セラミツクス基板として、厚
さ0.3mmのものを使用し、エポキシ樹脂被覆層厚
さをセラミツクス基板厚さの6.0倍（1.8mm）とし
た以外、比較例１に同じとした。この実施例品の
感温試験結果は1.0秒であり、荷重試験結果は10
Kgであつた。

比較例 ２ セラミツクス基板の厚みを0.2mmにして比較例
１と同等の荷重試験結果を得るには、エポキシ樹
脂被覆層の厚さを13.0mmにする必要があり、基板
型温度ヒユーズとしての偏平性を保持できなかつ
た。

このように本考案に係る基板型温度ヒユーズに
おいては、機械的強度を充分に保持してセラミツ
クス絶縁基板の薄肉化を可能にするものであり、
セラミツクス基板を経ての低融点金属への熱伝達
性を向上できるから、温度ヒユーズの作動迅速性
をよく高揚できる。

なお、本考案は、セラミツクス基板上に低融点
金属と共に抵抗体を付設する構成の基板型温度ヒ
ユーズにも適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る基板型温度ヒユーズを示
す説明図、第２図は第１図における−断面図
である。 図において、１はセラミツクス基板、４は低融
点金属、６は硬化樹脂層である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 低融点金属のヒユーズエレメントをセラミツク
   ス基板上に設け、そのうえに硬化樹脂層をモール
   ド被覆せる温度ヒユーズにおいて、セラミツクス
   基板の厚みを0.3〜1.5mmとし、硬化樹脂層の厚み
   をセラミツクス基板の1.5〜6.0倍としたことを特
   徴とする基板型温度ヒユーズ。