JPH0514519Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0514519Y2 JPH0514519Y2 JP1988114737U JP11473788U JPH0514519Y2 JP H0514519 Y2 JPH0514519 Y2 JP H0514519Y2 JP 1988114737 U JP1988114737 U JP 1988114737U JP 11473788 U JP11473788 U JP 11473788U JP H0514519 Y2 JPH0514519 Y2 JP H0514519Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- ceramic substrate
- gate electrode
- semiconductor
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
イ 考案の目的
〔産業上の利用分野〕
本考案は、電力用半導体モジユールの構造に関
するものである。
するものである。
従来、この種の複数個の半導体素子を組合せ、
電力用半導体モールドモジユールを構成するとき
は、第２図に示すように、金属製基台８の上に、
複数の高熱伝導特性を持つセラミツクス基板を置
き、セラミツクス基板に半導体素子５と、外部導
体へ接続するドレーン電極２、ソース電極３、ゲ
ート電極４と、ソース電極ワイヤ６、ゲート電極
ワイヤ７により電極間を接続し、モールド樹脂９
の封止材より全体を封止し構成されている。第２
図に示す従来の技術では、半導体素子が平板状に
配置されているためソース電極３と半導体素子５
のソース側はソース電極ワイヤ６により接続され
ており、ワイヤの太さによりソース電流容量、即
ちドレーン電流が制限されてしまう。又、電流容
量を増すためにワイヤの数を増やすためワイヤボ
ンデイングの数を増やす必要があり、ワイヤボン
デイングは半導体素子に衝撃を与え、半導体素子
に欠陥を生ずる原因となる欠点があつた。
電力用半導体モールドモジユールを構成するとき
は、第２図に示すように、金属製基台８の上に、
複数の高熱伝導特性を持つセラミツクス基板を置
き、セラミツクス基板に半導体素子５と、外部導
体へ接続するドレーン電極２、ソース電極３、ゲ
ート電極４と、ソース電極ワイヤ６、ゲート電極
ワイヤ７により電極間を接続し、モールド樹脂９
の封止材より全体を封止し構成されている。第２
図に示す従来の技術では、半導体素子が平板状に
配置されているためソース電極３と半導体素子５
のソース側はソース電極ワイヤ６により接続され
ており、ワイヤの太さによりソース電流容量、即
ちドレーン電流が制限されてしまう。又、電流容
量を増すためにワイヤの数を増やすためワイヤボ
ンデイングの数を増やす必要があり、ワイヤボン
デイングは半導体素子に衝撃を与え、半導体素子
に欠陥を生ずる原因となる欠点があつた。
本考案は、外部導体へ接続する電極と電流容量
の大きい半導体素子との接続に、半導体素子のソ
ースとドレーンと外部接続電極との間にワイヤボ
ンデイングを使用せず、電極と半導体素子とを面
接続となるよう配置し、実装密度が大きく、モジ
ユール組み立て作業の省略化を計り、電流容量の
大きい、高信頼性、高密度実装の大電力モジユー
ルとする。
の大きい半導体素子との接続に、半導体素子のソ
ースとドレーンと外部接続電極との間にワイヤボ
ンデイングを使用せず、電極と半導体素子とを面
接続となるよう配置し、実装密度が大きく、モジ
ユール組み立て作業の省略化を計り、電流容量の
大きい、高信頼性、高密度実装の大電力モジユー
ルとする。
ロ 考案の構成
〔課題を解決するための手段〕
半導体素子と外部導体へ導出する電極を立体的
に配置し、電流容量の大きいソース電極、ドレー
ン電極と半導体素子との間は、面接続構造で半田
接続とし、ワイヤボンデイングはゲート電極と半
導体素子の間のみとした。
に配置し、電流容量の大きいソース電極、ドレー
ン電極と半導体素子との間は、面接続構造で半田
接続とし、ワイヤボンデイングはゲート電極と半
導体素子の間のみとした。
即ち本考案は、複数の偶数個の半導体素子を組
合せ構成する電力用半導体モールドモジユールに
おいて半導体素子のドレーン・ソース面に外部導
出のため電極を半田接続し、ドレーン電極とゲー
ト電極とは金属製基台に裏張りされた熱伝導セラ
ミツクス基板に半田接続し、ゲート電極は半導体
素子とワイヤボンデイングにより接続し、ソース
電極を熱伝導セラミツクス基板を介し対向して配
置し、外部と接続する導出電極部分を除き一体に
樹脂モールドしたことを特徴とする電力用半導体
モールドモジユールである。
合せ構成する電力用半導体モールドモジユールに
おいて半導体素子のドレーン・ソース面に外部導
出のため電極を半田接続し、ドレーン電極とゲー
ト電極とは金属製基台に裏張りされた熱伝導セラ
ミツクス基板に半田接続し、ゲート電極は半導体
素子とワイヤボンデイングにより接続し、ソース
電極を熱伝導セラミツクス基板を介し対向して配
置し、外部と接続する導出電極部分を除き一体に
樹脂モールドしたことを特徴とする電力用半導体
モールドモジユールである。
外側両側に半導体素子を搭載した熱伝導体のセ
ラミツクス基板を取り付けた金属製基台８を半導
体素子を向き合わせ、中央に熱伝導性のある、又
電気絶縁性のセラミツクス基板を置き配置し、半
導体素子に接続するソース・ドレーン側外部導出
用電極は、半導体素子のソース・ドレーン電極と
は半田接続としてあるため電流容量は従来の技術
のワイヤボンデイングの際のように制限を受ける
ことはなく、また半導体素子、電極が立体的に配
置されるため電力用半導体モールドモジユールは
小形に実装される。
ラミツクス基板を取り付けた金属製基台８を半導
体素子を向き合わせ、中央に熱伝導性のある、又
電気絶縁性のセラミツクス基板を置き配置し、半
導体素子に接続するソース・ドレーン側外部導出
用電極は、半導体素子のソース・ドレーン電極と
は半田接続としてあるため電流容量は従来の技術
のワイヤボンデイングの際のように制限を受ける
ことはなく、また半導体素子、電極が立体的に配
置されるため電力用半導体モールドモジユールは
小形に実装される。
本考案は、高熱伝導セラミツクス基板を用い、
その両面に金属板を半田接続し、それぞれの面に
半導体素子を取り付けた構造に組合せ樹脂モール
ドしたもので、半導体素子に直接接続した金属板
をそのまま供電用端子として使用することを特徴
とする。
その両面に金属板を半田接続し、それぞれの面に
半導体素子を取り付けた構造に組合せ樹脂モール
ドしたもので、半導体素子に直接接続した金属板
をそのまま供電用端子として使用することを特徴
とする。
第１図は本考案による大電力モールドモジユー
ルを示す。第１図ｂはその平面図を示すが、外側
両側には銅、又はアルミニウムからなる金属製基
台８と、金属製基台８上にはアルミナ等の高熱伝
導セラミツクス基板１、高熱伝導セラミツクス基
板上には表面に半田メツキした銅板、又は銅合金
板よりなるドレーン電極２、ゲート電極４を、ド
レーン電極２上には半導体素子５が搭載されてお
り、半導体素子のソース側にはソース電極を面接
続し、半導体素子とゲート電極との間はワイヤに
より接続する。これらの電力用半導体モジユール
は、中央に高熱伝導セラミツクス基板１１（以下
セラミツクス基板と称す）を置き、セラミツクス
基板１１をはさんで左右対称に配置され、セラミ
ツクス基板１１とソース電極間は半田接続され
る。第１図ｃは側面図を示すが、ドレーン電極
２、ゲート電極４、ソース電極３は上方に延ばさ
れ、金属製基台８とセラミツクス基板１１との間
はモールド樹脂９によりモールドし、金属製基台
８の外側は外枠１０により保持され、また本考案
の構成によつて半導体素子５の高密度実装が可能
となる。本考案の実施例では半導体素子を４個実
装して、20mm×37mm×84mmの容積の大電力モール
ドモジユールが作製出来る。従来の技術では半導
体を２個実装して、15mm×37mm×84mmの容積であ
る。
ルを示す。第１図ｂはその平面図を示すが、外側
両側には銅、又はアルミニウムからなる金属製基
台８と、金属製基台８上にはアルミナ等の高熱伝
導セラミツクス基板１、高熱伝導セラミツクス基
板上には表面に半田メツキした銅板、又は銅合金
板よりなるドレーン電極２、ゲート電極４を、ド
レーン電極２上には半導体素子５が搭載されてお
り、半導体素子のソース側にはソース電極を面接
続し、半導体素子とゲート電極との間はワイヤに
より接続する。これらの電力用半導体モジユール
は、中央に高熱伝導セラミツクス基板１１（以下
セラミツクス基板と称す）を置き、セラミツクス
基板１１をはさんで左右対称に配置され、セラミ
ツクス基板１１とソース電極間は半田接続され
る。第１図ｃは側面図を示すが、ドレーン電極
２、ゲート電極４、ソース電極３は上方に延ばさ
れ、金属製基台８とセラミツクス基板１１との間
はモールド樹脂９によりモールドし、金属製基台
８の外側は外枠１０により保持され、また本考案
の構成によつて半導体素子５の高密度実装が可能
となる。本考案の実施例では半導体素子を４個実
装して、20mm×37mm×84mmの容積の大電力モール
ドモジユールが作製出来る。従来の技術では半導
体を２個実装して、15mm×37mm×84mmの容積であ
る。
ハ 考案の効果
以上述べたごとく、本考案によれば、半導体素
子と電極の接続に関して高信頼性を有し、従来の
ものよりも高密度実装が可能な電力用半導体モー
ルドモジユールの提供が可能となつた。
子と電極の接続に関して高信頼性を有し、従来の
ものよりも高密度実装が可能な電力用半導体モー
ルドモジユールの提供が可能となつた。
第１図は本考案による電力用モールドモジユー
ルの構造を示す図で、ａは正面図、ｂは平面図、
ｃは側面図。第２図は従来の電力用モールドモジ
ユールの構造を示す図でａは正面図、ｂは平面
図、ｃは側面図。 １，１１……高熱伝導セラミツクス基板、２…
…ドレーン電極、３……ソース電極、４……ゲー
ト電極、５……半導体素子、６……ソース電極ワ
イヤ、７……ゲート電極ワイヤ、８……金属製基
台、９……モールド樹脂、１０……外枠。
ルの構造を示す図で、ａは正面図、ｂは平面図、
ｃは側面図。第２図は従来の電力用モールドモジ
ユールの構造を示す図でａは正面図、ｂは平面
図、ｃは側面図。 １，１１……高熱伝導セラミツクス基板、２…
…ドレーン電極、３……ソース電極、４……ゲー
ト電極、５……半導体素子、６……ソース電極ワ
イヤ、７……ゲート電極ワイヤ、８……金属製基
台、９……モールド樹脂、１０……外枠。
Claims (1)
- 複数の偶数個の半導体素子を組合せ構成する電
力用半導体モールドモジユールにおいて半導体素
子のドレーン・ソース面に外部導出のための電極
を半田接続し、ドレーン電極とゲート電極とは金
属製基台に裏張りされた熱伝導セラミツクス基板
に半田接続し、ゲート電極は半導体素子とワイヤ
ボンデイングにより接続し、ソース電極を熱伝導
セラミツクス基板を介し対向して配置し、外部と
接続する導出電極部分を除き一体に樹脂モールド
したことを特徴とする電力用半導体モールドモジ
ユール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988114737U JPH0514519Y2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988114737U JPH0514519Y2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0235453U JPH0235453U (ja) | 1990-03-07 |
| JPH0514519Y2 true JPH0514519Y2 (ja) | 1993-04-19 |
Family
ID=31355761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988114737U Expired - Lifetime JPH0514519Y2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514519Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19950026B4 (de) * | 1999-10-09 | 2010-11-11 | Robert Bosch Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
| JP4626445B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2011-02-09 | ソニー株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP5239736B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2013-07-17 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| US9706643B2 (en) * | 2014-06-19 | 2017-07-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electronic device and method for manufacturing the same |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP1988114737U patent/JPH0514519Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0235453U (ja) | 1990-03-07 |
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