JPH05152259A - 半導体ウエハの面取方法 - Google Patents
半導体ウエハの面取方法Info
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- JPH05152259A JPH05152259A JP31475591A JP31475591A JPH05152259A JP H05152259 A JPH05152259 A JP H05152259A JP 31475591 A JP31475591 A JP 31475591A JP 31475591 A JP31475591 A JP 31475591A JP H05152259 A JPH05152259 A JP H05152259A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- grindstone
- chamfering
- wafer
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの面取加工面の面精度を向上さ
せる。 【構成】 半導体ウエハ２０の回転軸Ｐ−Ｐに対して、
砥石２２の回転軸Ｏ−Ｏは半導体ウエハ２０の接線方向
にθだけ傾いている。従って砥石２２の砥粒運動方向
は、研削方向分力Ａ1 と直角方向分力Ａ2 とに分けら
れ、これらの分力が作用砥粒数を増大させ、面取形状の
精度及び面粗さの向上が図れる。
せる。 【構成】 半導体ウエハ２０の回転軸Ｐ−Ｐに対して、
砥石２２の回転軸Ｏ−Ｏは半導体ウエハ２０の接線方向
にθだけ傾いている。従って砥石２２の砥粒運動方向
は、研削方向分力Ａ1 と直角方向分力Ａ2 とに分けら
れ、これらの分力が作用砥粒数を増大させ、面取形状の
精度及び面粗さの向上が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの面取方
法に係り、特に回転する半導体ウエハの周縁に回転する
砥石を当接して半導体ウエハの周縁を研磨する半導体ウ
エハの面取方法に関する。
法に係り、特に回転する半導体ウエハの周縁に回転する
砥石を当接して半導体ウエハの周縁を研磨する半導体ウ
エハの面取方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スライシングによって切断された半導体
ウエハはその表面はラップ加工されると共に、半導体ウ
エハの周縁もクラック防止及び塵埃の付着並びに発生を
防ぐ為に面取加工がなされる。即ち、図４に示すよう
に、回転している半導体ウエハ１０に、回転する溝付砥
石１２の傾斜面１４を押し当て、半導体ウエハ１０の周
縁１６を面取加工する。
ウエハはその表面はラップ加工されると共に、半導体ウ
エハの周縁もクラック防止及び塵埃の付着並びに発生を
防ぐ為に面取加工がなされる。即ち、図４に示すよう
に、回転している半導体ウエハ１０に、回転する溝付砥
石１２の傾斜面１４を押し当て、半導体ウエハ１０の周
縁１６を面取加工する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウエハの面取方法は図５に示すように、砥粒の運
動方向Ａがウエハの周方向のみであるので砥石の部分的
切刃により面取面に筋Ａ′が付き、面取面の粗さ精度が
充分でない。このような面取面の粗さ精度が不充分であ
ると、周縁表面の部分的な割れによるチップが発生し、
周縁表面に塵埃が付着し、及びクラックの間に微粉がか
み込む等の塵埃の発生要因があるためウエハの後処理工
程に悪影響を及ぼす。この欠点を解消する為に砥石の番
手を上げたり、切込み量を小さくしたり、ドレッシング
回数を上げたり砥石を数個（２段、３段等）取り換えて
研磨面の粗さ精度を高めようとしているが、このような
対策は研削効率が低下する欠点がある。
半導体ウエハの面取方法は図５に示すように、砥粒の運
動方向Ａがウエハの周方向のみであるので砥石の部分的
切刃により面取面に筋Ａ′が付き、面取面の粗さ精度が
充分でない。このような面取面の粗さ精度が不充分であ
ると、周縁表面の部分的な割れによるチップが発生し、
周縁表面に塵埃が付着し、及びクラックの間に微粉がか
み込む等の塵埃の発生要因があるためウエハの後処理工
程に悪影響を及ぼす。この欠点を解消する為に砥石の番
手を上げたり、切込み量を小さくしたり、ドレッシング
回数を上げたり砥石を数個（２段、３段等）取り換えて
研磨面の粗さ精度を高めようとしているが、このような
対策は研削効率が低下する欠点がある。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、面取面の粗さ精度を改善すると共に研摩効率
を低下させない半導体ウエハの面取方法を提案すること
を目的とする。
たもので、面取面の粗さ精度を改善すると共に研摩効率
を低下させない半導体ウエハの面取方法を提案すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成する為に、回転する半導体ウエハの周縁に回転する砥
石を当接して半導体ウエハの周縁を研磨する半導体ウエ
ハの面取方法に於いて、前記砥石の回転軸を半導体ウエ
ハの接線方向に傾けて半導体ウエハの周縁を研磨するこ
とを特徴とする。
成する為に、回転する半導体ウエハの周縁に回転する砥
石を当接して半導体ウエハの周縁を研磨する半導体ウエ
ハの面取方法に於いて、前記砥石の回転軸を半導体ウエ
ハの接線方向に傾けて半導体ウエハの周縁を研磨するこ
とを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明は、半導体ウエハの回転軸に対して砥石
の回転軸を半導体ウエハの接線方向に傾けて半導体ウエ
ハの周縁を研磨するので、ウエハの半径方向にも砥石の
動きが加わり、半導体ウエハ周縁の研磨面は滑らかな面
となり、また砥石自体も研磨面の型くずれが少なくなっ
て砥石の寿命が延びる。
の回転軸を半導体ウエハの接線方向に傾けて半導体ウエ
ハの周縁を研磨するので、ウエハの半径方向にも砥石の
動きが加わり、半導体ウエハ周縁の研磨面は滑らかな面
となり、また砥石自体も研磨面の型くずれが少なくなっ
て砥石の寿命が延びる。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面に従って本発明に係る半導体
ウエハの面取方法の好ましい実施例を詳説する。図１に
示すウエハ２０は、図示しない公知の挟持機構又は吸着
機構により保持され、例えば１〜２r.p.m で回転されて
いる。一方、砥石２２は溝付き砥石として形成され、傾
斜面２４は研磨面として構成される。この砥石２２は、
ウエハ２０と同方向又は逆方向に例えば2500r.p.m で回
転される。
ウエハの面取方法の好ましい実施例を詳説する。図１に
示すウエハ２０は、図示しない公知の挟持機構又は吸着
機構により保持され、例えば１〜２r.p.m で回転されて
いる。一方、砥石２２は溝付き砥石として形成され、傾
斜面２４は研磨面として構成される。この砥石２２は、
ウエハ２０と同方向又は逆方向に例えば2500r.p.m で回
転される。
【０００８】図２に示すように、砥石２２の回転軸Ｏ−
Ｏは、ウエハ２０の回転軸Ｐ−Ｐに対してθだけ傾けら
れている。即ち、砥石２２は、ウエハ２０の接線方向に
θだけ傾けられ、この状態でウエハの周縁２６を面取加
工する。このような状態で面取加工すると、砥石２２の
砥粒運動方向Ａは図３に示すように回転軸Ｏ−Ｏに対し
て直角方向になり、ウエハ２０の面取面に対しては傾斜
している。従って砥粒運動方向のＡは、研削方向分力Ａ
1 と直角方向分力Ａ2 とに分けられ、これらが半導体ウ
エハの面取面の研磨に作用する。本発明では回転する丸
い材料において面取りという特殊作業に対し傾斜角度θ
及び砥石角度αを決め定められた角度の面取りを行って
いる。即ち、ウエハの面取り加工に対し砥石を傾斜する
ことにより一般の傾斜研削法と同様の動きが提供できる
ことにある。このような状態で研磨すると作用砥粒数が
増大し、作用砥粒の平均化効果により研磨面の面精度が
向上する。
Ｏは、ウエハ２０の回転軸Ｐ−Ｐに対してθだけ傾けら
れている。即ち、砥石２２は、ウエハ２０の接線方向に
θだけ傾けられ、この状態でウエハの周縁２６を面取加
工する。このような状態で面取加工すると、砥石２２の
砥粒運動方向Ａは図３に示すように回転軸Ｏ−Ｏに対し
て直角方向になり、ウエハ２０の面取面に対しては傾斜
している。従って砥粒運動方向のＡは、研削方向分力Ａ
1 と直角方向分力Ａ2 とに分けられ、これらが半導体ウ
エハの面取面の研磨に作用する。本発明では回転する丸
い材料において面取りという特殊作業に対し傾斜角度θ
及び砥石角度αを決め定められた角度の面取りを行って
いる。即ち、ウエハの面取り加工に対し砥石を傾斜する
ことにより一般の傾斜研削法と同様の動きが提供できる
ことにある。このような状態で研磨すると作用砥粒数が
増大し、作用砥粒の平均化効果により研磨面の面精度が
向上する。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウエハの面取方法によれば、半導体ウエハの回転軸に対
して砥石軸を傾斜して研磨することにより精度の良い研
磨面が得られ、また砥石の寿命も延びる。
ウエハの面取方法によれば、半導体ウエハの回転軸に対
して砥石軸を傾斜して研磨することにより精度の良い研
磨面が得られ、また砥石の寿命も延びる。
【図１】図１は本発明に係る面取加工方法を示す正面図
【図２】図２は図１の２−２線の矢視図
【図３】図３は本発明に於いて砥粒の運動方向を示す説
明図
明図
【図４】図４は従来の半導体ウエハの面取加工方法を示
す説明図
す説明図
【図５】図５は従来の半導体ウエハの面取加工方法の砥
粒の運動方向を示す説明図
粒の運動方向を示す説明図
２０…半導体ウエハ ２２…砥石 ２４…傾斜面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】スライシングによって切断された半導体
ウエハはその表面はラップ加工されると共に、半導体ウ
エハの周縁もクラック防止及び塵埃の付着並びに発生を
防ぐ為に面取加工がなされる。即ち、図４に示すよう
に、回転している半導体ウエハ１０に、回転する溝付砥
石１２の傾斜面１４を押し当て、半導体ウエハ１０の周
縁１６及び１７を面取加工する。
ウエハはその表面はラップ加工されると共に、半導体ウ
エハの周縁もクラック防止及び塵埃の付着並びに発生を
防ぐ為に面取加工がなされる。即ち、図４に示すよう
に、回転している半導体ウエハ１０に、回転する溝付砥
石１２の傾斜面１４を押し当て、半導体ウエハ１０の周
縁１６及び１７を面取加工する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウエハの面取方法はウエハ周縁１６あるいは１７
を展開した図５に示すように、砥粒の運動方向Ａがウエ
ハの周方向のみであるので砥石の部分的切刃により面取
面に筋Ａ´が付き、面取面の粗さ精度が充分でない。こ
のような面取面の粗さ精度が不充分であると、周縁表面
の部分的な割れによるチップが発生し、周縁表面に塵埃
が付着し、及びクラックの間に微粉がかみ込む等の塵埃
の発生要因があるためウエハの後処理工程に悪影響を及
ぼす。この欠点を解消する為に砥石の番手を上げたり、
切込み量を小さくしたり、ドレッシング回数を上げたり
砥石を数個（２段、３段等）取り換えて研磨面の粗さ精
度を高めようとしているが、このような対策は研削効率
が低下する欠点がある。
半導体ウエハの面取方法はウエハ周縁１６あるいは１７
を展開した図５に示すように、砥粒の運動方向Ａがウエ
ハの周方向のみであるので砥石の部分的切刃により面取
面に筋Ａ´が付き、面取面の粗さ精度が充分でない。こ
のような面取面の粗さ精度が不充分であると、周縁表面
の部分的な割れによるチップが発生し、周縁表面に塵埃
が付着し、及びクラックの間に微粉がかみ込む等の塵埃
の発生要因があるためウエハの後処理工程に悪影響を及
ぼす。この欠点を解消する為に砥石の番手を上げたり、
切込み量を小さくしたり、ドレッシング回数を上げたり
砥石を数個（２段、３段等）取り換えて研磨面の粗さ精
度を高めようとしているが、このような対策は研削効率
が低下する欠点がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【作用】本発明は、半導体ウエハの回転軸に対して砥石
の回転軸を半導体ウエハの接線方向に傾けて半導体ウエ
ハの周縁を研磨するので、傾斜面においてはウエハの半
径方向にも砥石の動きが加わり、同時に外周面において
はウエハ回転軸方向にも砥石の動きが加わり、半導体ウ
エハ周縁の研磨面は滑らかな面となり、また砥石自体も
研磨面の型くずれが少なくなって砥石の寿命が延びる。 ─────────────────────────────────────────────────────
の回転軸を半導体ウエハの接線方向に傾けて半導体ウエ
ハの周縁を研磨するので、傾斜面においてはウエハの半
径方向にも砥石の動きが加わり、同時に外周面において
はウエハ回転軸方向にも砥石の動きが加わり、半導体ウ
エハ周縁の研磨面は滑らかな面となり、また砥石自体も
研磨面の型くずれが少なくなって砥石の寿命が延びる。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
Claims (2)
- 【請求項１】 回転する半導体ウエハの周縁に回転する
砥石を当接して半導体ウエハの周縁を研磨する半導体ウ
エハの面取方法に於いて、 前記砥石の回転軸を半導体ウエハ外周の接線方向に傾け
て半導体ウエハの周縁を研磨することを特徴とする半導
体ウエハの面取方法。 - 【請求項２】 前記砥石の研磨面は、溝付砥石の傾斜面
及び軸外周である請求項１の半導体ウエハの面取方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31475591A JP2876572B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体ウエハの面取方法 |
| KR1019920021023A KR0185234B1 (ko) | 1991-11-28 | 1992-11-10 | 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법 |
| US07/977,889 US5295331A (en) | 1991-11-28 | 1992-11-18 | Method of chamfering semiconductor wafer |
| EP92120089A EP0544256B1 (en) | 1991-11-28 | 1992-11-25 | Method of chamfering semiconductor wafer |
| DE69208050T DE69208050T2 (de) | 1991-11-28 | 1992-11-25 | Verfahren zum Abkanten einer Halbleiterscheibe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31475591A JP2876572B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体ウエハの面取方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152259A true JPH05152259A (ja) | 1993-06-18 |
| JP2876572B2 JP2876572B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=18057198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31475591A Expired - Lifetime JP2876572B2 (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体ウエハの面取方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2876572B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002018684A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-22 | Nippei Toyama Corp | 半導体ウェーハのノッチ研削装置及び半導体ウェーハ |
| US6913526B2 (en) | 2000-08-18 | 2005-07-05 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Polishing machine for polishing periphery of sheet |
| US8038511B2 (en) | 2005-12-15 | 2011-10-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for machining chamfer portion of semiconductor wafer and method for correcting groove shape of grinding stone |
| US20170221697A1 (en) * | 2014-07-28 | 2017-08-03 | Showa Denko K.K. | Method for manufacturing sic epitaxial wafer and sic epitaxial wafer |
| CN109366286A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-22 | 武汉优光科技有限责任公司 | 一种具有倾斜倒角模的自动倒边机 |
| JP2023126661A (ja) * | 2023-07-21 | 2023-09-07 | 一郎 片山 | ワーク加工装置、砥石、およびワーク加工方法 |
| KR20240006007A (ko) | 2021-06-24 | 2024-01-12 | 이치로 가타야마 | 워크 가공 장치, 지석, 및 워크 가공 방법 |
| CN119458049A (zh) * | 2024-12-02 | 2025-02-18 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 倒角加工装置和倒角加工方法 |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP31475591A patent/JP2876572B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002018684A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-22 | Nippei Toyama Corp | 半導体ウェーハのノッチ研削装置及び半導体ウェーハ |
| US6913526B2 (en) | 2000-08-18 | 2005-07-05 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Polishing machine for polishing periphery of sheet |
| US8038511B2 (en) | 2005-12-15 | 2011-10-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for machining chamfer portion of semiconductor wafer and method for correcting groove shape of grinding stone |
| US20170221697A1 (en) * | 2014-07-28 | 2017-08-03 | Showa Denko K.K. | Method for manufacturing sic epitaxial wafer and sic epitaxial wafer |
| US10269554B2 (en) | 2014-07-28 | 2019-04-23 | Showa Denko K.K. | Method for manufacturing SiC epitaxial wafer and SiC epitaxial wafer |
| CN109366286A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-22 | 武汉优光科技有限责任公司 | 一种具有倾斜倒角模的自动倒边机 |
| KR20240006007A (ko) | 2021-06-24 | 2024-01-12 | 이치로 가타야마 | 워크 가공 장치, 지석, 및 워크 가공 방법 |
| JP2023126661A (ja) * | 2023-07-21 | 2023-09-07 | 一郎 片山 | ワーク加工装置、砥石、およびワーク加工方法 |
| WO2025022848A1 (ja) * | 2023-07-21 | 2025-01-30 | 一郎 片山 | ワーク加工装置、砥石、およびワーク加工方法 |
| TWI888221B (zh) * | 2023-07-21 | 2025-06-21 | 片山一郎 | 工件加工裝置、磨石及工件加工方法 |
| KR20260017490A (ko) | 2023-07-21 | 2026-02-05 | 이치로 가타야마 | 워크 가공 장치, 지석, 및 워크 가공 방법 |
| CN119458049A (zh) * | 2024-12-02 | 2025-02-18 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 倒角加工装置和倒角加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2876572B2 (ja) | 1999-03-31 |
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