JPH0516215Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は高周波スパツタ装置のうち、特にバツ
キングプレート下方にマグネツトを配置したマグ
ネトロンスパツタ装置に関する。

（従来の技術） 高周波電圧を印加することでターゲツトの構成
分子を叩き出し、この分子を基板表面に付着せし
めるスパツタ装置として、第４図に示すように、
バツキングプレート１００とカソードボツクス１
０１間に空間Ｓを形成し、この空間内にマグネツ
ト１０２を配設し、このマグネツト１０２により
バツキングプレート１００上にボンデイング剤１
０４を介して接着したターゲツト１０３と、この
上方にある基板との間の放電密度を大とし、効率
よくスパツタリングを行なうようにしたのが知ら
れている。

（考案が解決しようとする問題点） 上述した従来装置にあつては、マグネツト１０
２が固定されているため磁界が一定となり、ター
ゲツト１０３の一部（15〜30％）のみが図示する
ように大きく消耗してしまい、他の部分がそれ程
消耗していないのに新たなターゲツトと交換しな
ければならず、材料の利用効率が低下する。ま
た、ターゲツトを交換する場合には、新たなター
ゲツトを再度バツキングプレート１００に接着し
なければならず手間がかかる。

そこでマグネツトを移動可能とすることが考え
られるが、マグネツト１０２が配設されている空
間は冷却水を通している空間であるため、移動機
構が極めて複雑となり、移動のための余分なスペ
ースも必要となる。

（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決すべく本考案は、ターゲツト
をボンデイングプレートに接着し、このボンデイ
ングプレートを長孔等を介してバツキングプレー
ト上に、固着手段解除時にバツキングプレートに
対して水平方向に移動可能に取付けるようにし
た。

（作用） ボンデイングプレートの位置を変えることで、
ターゲツトとマグネツトの位置関係も変わるの
で、ターゲツトの一部のみが消耗することはな
い。

（実施例） 以下に本考案の実施例を添付図面に基づいて説
明する。

第１図は本考案に係るターゲツト取付け構造を
適用したスパツタ装置の全体図、第２図は同装置
の要部拡大図であり、アースされた金属製チヤン
バー１にはスパツタガス導入口２及び排気口３が
形成され、チヤンバー１内には基板ホルダー４を
移動可能に配設し、この基板ホルダー４にてガラ
ス板等の基板５を保持した状態でターゲツト６上
に通過せしめるようにしている。

一方、チヤンバー１底部に開口７を形成し、こ
の開口７下方にはカソードボツクス８を設け、こ
のカソードボツクス８上面に高周波電源９と容量
性結合をしたバツキングプレート１０を固設し、
これらカソードボツクス８とバツキングプレート
１０とによつて形成される空間Ｓ内にマグネツト
１１を配設し、更に空間Ｓには冷却水の導入パイ
プ１２及び排出パイプ１３を介して冷却水を循環
せしめ、マグネツト１１を冷却するようにしてい
る。

また、バツキングプレート１０上にはボンデイ
ングプレート１４を取付け、このボンデイングプ
レート１４上に金属インジウム等のボンデイング
剤１５を介して前記ターゲツト６を接着してい
る。ここでターゲツト６はITO（インジウム・ス
ズ・オキサイド）を板状に焼結したもの等とし、
ターゲツト６を接着するには、ボンデイングプレ
ート１４上にボンデイング剤１５を薄くコーテイ
ングし、このボンデイング剤１５上にターゲツト
６を重ね、ボンデイングプレート１４ごとボンデ
イング剤１５を加熱し、ボンデイング剤１５を溶
融しながらターゲツト６を接着する。更にボンデ
イングプレート１４には第３図に示すように長孔
１７が形成され、この長孔１７にボルト１８を通
してボンデイングプレート１４がバツキングプレ
ート１０に固定されている。したがつてボルト１
８を緩めることで、バツキングプレート１０に対
しボンデイングプレート１４、つまり、ターゲツ
ト６を移動せしめることができる。

尚、バツキングプレート１０の周縁はカソード
シールド１９にて覆い、異常放電を防止してい
る。

以上においてチヤンバー１内を減圧してスパツ
タガスを導入し、高周波電圧を印加すると、チヤ
ンバー１内で放電が生じ、スパツタガスの正イオ
ンがターゲツト６に衝突し、この衝突によつてタ
ーゲツト６の構成分子を叩き出し、叩き出された
分子が基板５表面に薄膜状に付着する。そして、
所定時間経過したならば、ボルト１８を緩めてボ
ンデイングプレート１４及びターゲツト６を動か
し、ターゲツト６が均一に消耗するようにする。

（考案の効果） 以上に説明した如く本考案によれば、ターゲツ
トとマグネツトとの位置関係を調整できるので、
ターゲツトを均一に消耗せしめることができ、タ
ーゲツトを無駄なく利用できる。

またマグネツトを移動する構造でないため機構
が複雑とならず、更にターゲツトを接着する場合
にも薄く軽量なボンデイングプレートに接着すれ
ば良いので作業性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る取付け構造を適用したス
パツタ装置の全体図、第２図は同装置の要部拡大
図、第３図はボンデイングプレートの取付け部を
示す斜視図、第４図は従来のスパツタ装置の要部
拡大図である。 尚、図面中１はチヤンバー、５は基板、６はタ
ーゲツト、８はカソードボツクス、１０はバツキ
ングプレート、１１はマグネツト、１４はボンデ
イングプレートである。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. バツキングプレート下方にプラズマ収束用磁界
   発生コイルを配置したマグネトロンスパツタ装置
   において、前記バツキングプレート上にボンデイ
   ングプレートを、固着手段解除時にバツキングプ
   レートに対して水平方向に移動可能に取付け、こ
   のボンデイングプレート上にボンデイング剤を介
   してターゲツトを接着したことを特徴とするマグ
   ネトロンスパツタ装置。