JPH0517870Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0517870Y2 JPH0517870Y2 JP1990081531U JP8153190U JPH0517870Y2 JP H0517870 Y2 JPH0517870 Y2 JP H0517870Y2 JP 1990081531 U JP1990081531 U JP 1990081531U JP 8153190 U JP8153190 U JP 8153190U JP H0517870 Y2 JPH0517870 Y2 JP H0517870Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating
- electrodes
- ceramic
- lead terminals
- ceramic body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Description
本考案は、セラミツク素体の周りが絶縁外装体
で覆われた電子部品に関する。
で覆われた電子部品に関する。
従来において、この種の電子部品として、セラ
ミツク素体の対向する両主面上に電極を形成し、
該電極に板状のリード端子の一端側を接続し、該
セラミツク素体の周りに耐湿性、絶縁性を有する
樹脂からなる絶縁外装体をモールド成形し、この
絶縁外装体から、上記リード端子の他端を導出し
たものが知られている。 第4図により、このような絶縁外装電子部品の
構造を説明すると、誘電体セラミツク等からなる
セラミツク素体8の両主面に、印刷によつて電極
7,7が形成されている。これら電極7,7に
は、リード端子2,3の一端が半田等で導電固着
され、このリード端子2,3の他端側は、互いに
反対方向に導出されている。そして、上記セラミ
ツク素体8の周りがモールド成形等の手段で形成
された絶縁外装体9で覆われると共に、該絶縁外
装体9の端面10,10から上記リード端子2,
3の他端が導出され、同他端が絶縁外装体9の端
面10,10及び底面11に亙つて添えられるよ
うに屈曲されている。この場合に、リード端子線
2,3の絶縁外装体9から導出された部分(以
下、「電極パツド4,5」と称す。)が互いに対称
形となり、且つ電極パツド4,5の基部が絶縁外
装体4の対向する端面10,10において同位置
から導出されるよう、一方のリード端子3を絶縁
外装体9の内部で適宜屈曲させて、その絶縁外装
体4から導出される位置を調整している。 ここで、2つの電極パツド4,5が絶縁外装体
9の両端面10,10側で対称形としなければな
らない理由の一つは、絶縁外装体9の樹脂成形す
るモールドの製作を容易にするためであり、二つ
には、当該絶縁外装電子部品を印刷基板上に搭載
して、半田付けを行うとき、2つの電極パツドに
生じる半田の表面張力を互い均衡させることで、
同電子部品の搭載位置のずれ、あるいは一端側の
起立を防止するためである。
ミツク素体の対向する両主面上に電極を形成し、
該電極に板状のリード端子の一端側を接続し、該
セラミツク素体の周りに耐湿性、絶縁性を有する
樹脂からなる絶縁外装体をモールド成形し、この
絶縁外装体から、上記リード端子の他端を導出し
たものが知られている。 第4図により、このような絶縁外装電子部品の
構造を説明すると、誘電体セラミツク等からなる
セラミツク素体8の両主面に、印刷によつて電極
7,7が形成されている。これら電極7,7に
は、リード端子2,3の一端が半田等で導電固着
され、このリード端子2,3の他端側は、互いに
反対方向に導出されている。そして、上記セラミ
ツク素体8の周りがモールド成形等の手段で形成
された絶縁外装体9で覆われると共に、該絶縁外
装体9の端面10,10から上記リード端子2,
3の他端が導出され、同他端が絶縁外装体9の端
面10,10及び底面11に亙つて添えられるよ
うに屈曲されている。この場合に、リード端子線
2,3の絶縁外装体9から導出された部分(以
下、「電極パツド4,5」と称す。)が互いに対称
形となり、且つ電極パツド4,5の基部が絶縁外
装体4の対向する端面10,10において同位置
から導出されるよう、一方のリード端子3を絶縁
外装体9の内部で適宜屈曲させて、その絶縁外装
体4から導出される位置を調整している。 ここで、2つの電極パツド4,5が絶縁外装体
9の両端面10,10側で対称形としなければな
らない理由の一つは、絶縁外装体9の樹脂成形す
るモールドの製作を容易にするためであり、二つ
には、当該絶縁外装電子部品を印刷基板上に搭載
して、半田付けを行うとき、2つの電極パツドに
生じる半田の表面張力を互い均衡させることで、
同電子部品の搭載位置のずれ、あるいは一端側の
起立を防止するためである。
ところが、上記の構造の絶縁外装電子部品にお
いて、上記電極パツド4,5の絶縁外装体9の両
面10,10からの導出位置を、対応する同位置
とするためには、一方のリード端子2を他方のリ
ード端子3より長くし、各々異なる形状に屈曲さ
せなければならない。そのため、各々のリード端
子2,3について、異なるプレス型を用いて別に
屈曲工程を行わなければならない。 また、リード端子2を絶縁外装体9の中で複雑
に曲げることにより、電子部品のインダクタンス
成分が増加し、該絶縁外装電子部品を高周波回路
に用いる場合に所望の回路特性が得られないとい
う問題があつた。 本発明の目的は上記の課題を解決することので
きる絶縁外装電子部品を提供することにある。
いて、上記電極パツド4,5の絶縁外装体9の両
面10,10からの導出位置を、対応する同位置
とするためには、一方のリード端子2を他方のリ
ード端子3より長くし、各々異なる形状に屈曲さ
せなければならない。そのため、各々のリード端
子2,3について、異なるプレス型を用いて別に
屈曲工程を行わなければならない。 また、リード端子2を絶縁外装体9の中で複雑
に曲げることにより、電子部品のインダクタンス
成分が増加し、該絶縁外装電子部品を高周波回路
に用いる場合に所望の回路特性が得られないとい
う問題があつた。 本発明の目的は上記の課題を解決することので
きる絶縁外装電子部品を提供することにある。
本考案は上記の課題に対して以下の手段を提案
する。すなわち、両主面上に電極7,7を有する
セラミツク素体8と、該セラミツク素体8の周り
を被覆するよう形成された絶縁外装体9と、一端
側が上記セラミツク素体8の上記電極7,7に
各々固着され、他端側が上記絶縁外装体9の端面
10,10から導出されると共に、同絶縁外装体
9の端面10,10から底面11に添うように屈
曲された一対の板状のリード端子2,3とを備え
る絶縁外装電子部品において、上記セラミツク素
体8の電極7,7が形成された主面が絶縁外装体
9の端面10,10に対して斜になるよう、同セ
ラミツク素体8が絶縁外装体9に埋装されている
ことを特徴とする絶縁外装電子部品である。 さらに、このような、縁外装電子部品におい
て、上記リード端子2,3が上記電極7,7に固
着された基部側においてセラミツク素体8の主面
に対して鋭角的に屈曲されて互いに平行となり、
且つ同基部側が絶縁外装体9に埋設されているこ
とを特徴とする絶縁外装電子部品を提案する。
する。すなわち、両主面上に電極7,7を有する
セラミツク素体8と、該セラミツク素体8の周り
を被覆するよう形成された絶縁外装体9と、一端
側が上記セラミツク素体8の上記電極7,7に
各々固着され、他端側が上記絶縁外装体9の端面
10,10から導出されると共に、同絶縁外装体
9の端面10,10から底面11に添うように屈
曲された一対の板状のリード端子2,3とを備え
る絶縁外装電子部品において、上記セラミツク素
体8の電極7,7が形成された主面が絶縁外装体
9の端面10,10に対して斜になるよう、同セ
ラミツク素体8が絶縁外装体9に埋装されている
ことを特徴とする絶縁外装電子部品である。 さらに、このような、縁外装電子部品におい
て、上記リード端子2,3が上記電極7,7に固
着された基部側においてセラミツク素体8の主面
に対して鋭角的に屈曲されて互いに平行となり、
且つ同基部側が絶縁外装体9に埋設されているこ
とを特徴とする絶縁外装電子部品を提案する。
上記本考案の絶縁外装電子部品では、絶縁外装
体9の端面10,10に対して斜めに向いたセラ
ミツク素体8の両面に接続されたリード端子2,
3を、絶縁外装体9の両端面10,10に垂直な
方向であつて、且つ互いの延長上に導出させるこ
とができる。このため、、一方或は双方のリード
端子2,3を絶縁外装体9の中で曲げて、絶縁外
装体9の端面10,10からの電極パツド4,5
の導出位置を調整する必要がない。よつて、両方
のリード端子2,3の長さを等しくし、且つ何れ
も同じように屈曲させて電極パツド4,5を形成
することができる。これにより、リード端子2,
3の屈曲工程の低減とインダクタンス成分の抑制
が可能とする。 また、リード端子2,3の上記電極7,7に固
着された基部側を、セラミツク素体8の主面に対
して鋭角的に屈曲した絶縁外装電子部品では、ヒ
ートサイクル試験等の加熱冷却を繰り返した場合
に、絶縁外装体9とセラミツク素体8との熱膨張
の差により生じる熱応力がリード端子2,3の基
部側の弾力で緩和され、絶縁外装体9の内部でセ
ラミツク素体8及びリード端子2,3と絶縁外装
体9とが剥離し、位置ずれすることが無くなる。
体9の端面10,10に対して斜めに向いたセラ
ミツク素体8の両面に接続されたリード端子2,
3を、絶縁外装体9の両端面10,10に垂直な
方向であつて、且つ互いの延長上に導出させるこ
とができる。このため、、一方或は双方のリード
端子2,3を絶縁外装体9の中で曲げて、絶縁外
装体9の端面10,10からの電極パツド4,5
の導出位置を調整する必要がない。よつて、両方
のリード端子2,3の長さを等しくし、且つ何れ
も同じように屈曲させて電極パツド4,5を形成
することができる。これにより、リード端子2,
3の屈曲工程の低減とインダクタンス成分の抑制
が可能とする。 また、リード端子2,3の上記電極7,7に固
着された基部側を、セラミツク素体8の主面に対
して鋭角的に屈曲した絶縁外装電子部品では、ヒ
ートサイクル試験等の加熱冷却を繰り返した場合
に、絶縁外装体9とセラミツク素体8との熱膨張
の差により生じる熱応力がリード端子2,3の基
部側の弾力で緩和され、絶縁外装体9の内部でセ
ラミツク素体8及びリード端子2,3と絶縁外装
体9とが剥離し、位置ずれすることが無くなる。
次に、図面を参照しながら、本考案の一実施例
について以下に説明する。 第1図及び第2図は本考案をセラミツクコンデ
ンサに適用した一実施例を示す図面である。これ
らの図面において、8は円板状のコンデンサ用セ
ラミツク誘導体等で形成されたセラミツク素体で
ある。図示のセラミツク素体8の形状は、円板状
であるが、角板状、柱状、あるいは筒状等でも差
し支えないのはいうもでもない。このセラミツク
素体8の両主面上に対向する電極7,7が形成さ
れ、これら電極7,7には、金属薄板材を打抜い
て形成した一対のリード端子2,3の一端側が半
田付けにより接続されている。 ここで上記リード端子2,3は、上記電極7,
7に半田付けされた一端側がセラミツク素体8の
主面に対して斜めに鈍角に屈曲され、互いに延長
上に導出されている。この状態で、上記セラミツ
ク素体8の周りに樹脂がモールド成形され、絶縁
外装体9が形成される。この場合、絶縁外装体9
は、その両端面10,10がセラミツク素体8の
両主面から導出されたリード端子2,3には対し
てほぼ直交するこよう角形或は円柱形に形成され
る。従つて、セラミツク素体8は、その主面が絶
縁外装体9の端面10,10に対して斜めになる
よう埋装される。この状態で、リード端子2,3
は、絶縁外装体4の端面10,10からその外側
に導出されるが、この導出された部分は、絶縁外
装体9の端面10,10及び底面11に添うよう
屈曲され、電極パツド4,5とされる。両リード
端子2,3は、互いに長さが等しく、その絶縁外
装体9から導出された電極パツド4,5は、絶縁
外装体9に対して対称形である。 第1図及び第2図で示すような構造の面実装対
応のセラミツクコンデンサを基板上の回路に組み
込んだところ、高周波帯においても、インダクタ
ンス成分による回路特性の変動は認められなかつ
た。また、上記リード端子の屈曲個所を減らした
ため、製造工程が従来に比べて簡素化された。 第3図は、本考案の他の実施例を示す図面で、
ここでは、一端がセラミツク素体8の電極7,7
に半田付けされたリード端子2,3の基部側がセ
ラミツク素体8の主面に対して鋭角的に、且つ互
いに平行に導出されている。その他の構成は上記
実施例と同様であり、このような場合も、上記実
施例と同様の作用、効果が得られる。さらに、リ
ード端子2,3の上記電極7,7に固着された基
部側を、セラミツク素体8の主面に対して鋭角的
に屈曲しているので、ヒートサイクル試験等の加
熱冷却を繰り返した場合に、絶縁外装体9とセラ
ミツク素体8との熱膨張の差により生じる熱応力
が緩和され、絶縁外装体9の内部でセラミツク素
体8及びリード端子2,3と絶縁外装体9とが剥
離し、位置ずれすることが無くなる。また、リー
ド端子2,3の上記電極7,7に固着された基部
側の屈曲部分がセラミツク素体8の中心軸に対し
て対称な位置にあるので、リード端子2,3を上
記電極7,7に固着する際、リード端子2,3の
夫々の屈曲部分の曲げ角度に多少のバラツキがあ
つても、セラミツク素体8を斜にさせた状態でリ
ード端子2,3を上記電極7,7を密着性良く固
着できる。 以上の実施例では、本考案がセラミツクコンデ
ンサについて適用されているが、本考案を他の種
類の絶縁外装電子部品、例えば、バリスタ、ある
いはサーミスタ等に適用した場合でも、上記と同
様の効果を得ることができる。
について以下に説明する。 第1図及び第2図は本考案をセラミツクコンデ
ンサに適用した一実施例を示す図面である。これ
らの図面において、8は円板状のコンデンサ用セ
ラミツク誘導体等で形成されたセラミツク素体で
ある。図示のセラミツク素体8の形状は、円板状
であるが、角板状、柱状、あるいは筒状等でも差
し支えないのはいうもでもない。このセラミツク
素体8の両主面上に対向する電極7,7が形成さ
れ、これら電極7,7には、金属薄板材を打抜い
て形成した一対のリード端子2,3の一端側が半
田付けにより接続されている。 ここで上記リード端子2,3は、上記電極7,
7に半田付けされた一端側がセラミツク素体8の
主面に対して斜めに鈍角に屈曲され、互いに延長
上に導出されている。この状態で、上記セラミツ
ク素体8の周りに樹脂がモールド成形され、絶縁
外装体9が形成される。この場合、絶縁外装体9
は、その両端面10,10がセラミツク素体8の
両主面から導出されたリード端子2,3には対し
てほぼ直交するこよう角形或は円柱形に形成され
る。従つて、セラミツク素体8は、その主面が絶
縁外装体9の端面10,10に対して斜めになる
よう埋装される。この状態で、リード端子2,3
は、絶縁外装体4の端面10,10からその外側
に導出されるが、この導出された部分は、絶縁外
装体9の端面10,10及び底面11に添うよう
屈曲され、電極パツド4,5とされる。両リード
端子2,3は、互いに長さが等しく、その絶縁外
装体9から導出された電極パツド4,5は、絶縁
外装体9に対して対称形である。 第1図及び第2図で示すような構造の面実装対
応のセラミツクコンデンサを基板上の回路に組み
込んだところ、高周波帯においても、インダクタ
ンス成分による回路特性の変動は認められなかつ
た。また、上記リード端子の屈曲個所を減らした
ため、製造工程が従来に比べて簡素化された。 第3図は、本考案の他の実施例を示す図面で、
ここでは、一端がセラミツク素体8の電極7,7
に半田付けされたリード端子2,3の基部側がセ
ラミツク素体8の主面に対して鋭角的に、且つ互
いに平行に導出されている。その他の構成は上記
実施例と同様であり、このような場合も、上記実
施例と同様の作用、効果が得られる。さらに、リ
ード端子2,3の上記電極7,7に固着された基
部側を、セラミツク素体8の主面に対して鋭角的
に屈曲しているので、ヒートサイクル試験等の加
熱冷却を繰り返した場合に、絶縁外装体9とセラ
ミツク素体8との熱膨張の差により生じる熱応力
が緩和され、絶縁外装体9の内部でセラミツク素
体8及びリード端子2,3と絶縁外装体9とが剥
離し、位置ずれすることが無くなる。また、リー
ド端子2,3の上記電極7,7に固着された基部
側の屈曲部分がセラミツク素体8の中心軸に対し
て対称な位置にあるので、リード端子2,3を上
記電極7,7に固着する際、リード端子2,3の
夫々の屈曲部分の曲げ角度に多少のバラツキがあ
つても、セラミツク素体8を斜にさせた状態でリ
ード端子2,3を上記電極7,7を密着性良く固
着できる。 以上の実施例では、本考案がセラミツクコンデ
ンサについて適用されているが、本考案を他の種
類の絶縁外装電子部品、例えば、バリスタ、ある
いはサーミスタ等に適用した場合でも、上記と同
様の効果を得ることができる。
上記説明からも明らかな通り、本考案によれ
ば、従来の絶縁外装電子部品に対して、上記リー
ド端子の屈曲工程が低減されることにより、製造
が簡易であり、しかもリード端子の曲げによるイ
ンダクタンス成分を減少させることが可能な絶縁
外装電子部品を得ることができる。 さらに、請求項2に記載の絶縁外装電子部品で
は、熱応力による絶縁外装体9の内部でセラミツ
ク素体8及びリード端子2,3と絶縁外装体9と
の剥離や位置ずれが無く、信頼性の高い絶縁外装
電子部品を得ることができる。
ば、従来の絶縁外装電子部品に対して、上記リー
ド端子の屈曲工程が低減されることにより、製造
が簡易であり、しかもリード端子の曲げによるイ
ンダクタンス成分を減少させることが可能な絶縁
外装電子部品を得ることができる。 さらに、請求項2に記載の絶縁外装電子部品で
は、熱応力による絶縁外装体9の内部でセラミツ
ク素体8及びリード端子2,3と絶縁外装体9と
の剥離や位置ずれが無く、信頼性の高い絶縁外装
電子部品を得ることができる。
第1図は、本考案の実施例を示す絶縁外装体を
透視した絶縁外装電子部品の斜視図、第2図は、
同絶縁外装電子部品の縦断側面図、第3図は、他
の実施例を示す絶縁外装電子部品の縦断側面図、
第4図は、従来例を示す絶縁外装電子部品の縦断
側面図である。 1,2……リード端子、7……電極、8……セ
ラミツク素体、9……絶縁外装体、10……絶縁
外装体の端面、11……絶縁外装体の底面。
透視した絶縁外装電子部品の斜視図、第2図は、
同絶縁外装電子部品の縦断側面図、第3図は、他
の実施例を示す絶縁外装電子部品の縦断側面図、
第4図は、従来例を示す絶縁外装電子部品の縦断
側面図である。 1,2……リード端子、7……電極、8……セ
ラミツク素体、9……絶縁外装体、10……絶縁
外装体の端面、11……絶縁外装体の底面。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 両主面上に電極7,7を有するセラミツク素
体8と、 該セラミツク素体8の周りを被覆するよう形
成された絶縁外装体9と、 一端側が上記セラミツク素体8の上記電極
7,7に各々固着され、他端側が上記絶縁外装
体9の端面10,10から導出されると共に、
同絶縁外装体9の端面10,10から底面11
に添うように屈曲された一対の板状のリード端
子2,3とを備える絶縁外装電子部品におい
て、 上記セラミツク素体8の電極7,7が形成さ
れた主面が絶縁外装体9の端面10,10に対
して斜になるよう、同セラミツク素体8が絶縁
外装体9に埋装されていることを特徴とする絶
縁外装電子部品。 (2) 両主面上に電極7,7を有するセラミツク素
体8と、 該セラミツク素体8の周りを被覆するよう形
成された絶縁外装体9と、 一端側が上記セラミツク素体8の上記電極
7,7に各々固着され、他端側が上記絶縁外装
体9の端面10,10から導出されると共に、
同絶縁外装体9の端面10,10から底面11
に添うように屈曲された一対の板状のリード端
子2,3とを備える絶縁外装電子部品におい
て、 上記セラミツク素体8の電極7,7が形成さ
れた主面が絶縁外装体9の端面10,10に対
して斜になるよう、同セラミツク素体8が絶縁
外装体9に埋装され、上記リード端子2,3
は、上記電極7,7に固着された基部側におい
てセラミツク素体8の主面に対して鋭角的に屈
曲されて互いに平行となり、且つ同基部側が絶
縁外装体9に埋設されていることを特徴とする
絶縁外装電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990081531U JPH0517870Y2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990081531U JPH0517870Y2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440525U JPH0440525U (ja) | 1992-04-07 |
| JPH0517870Y2 true JPH0517870Y2 (ja) | 1993-05-13 |
Family
ID=31627566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990081531U Expired - Lifetime JPH0517870Y2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0517870Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043166A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2640825B1 (fr) * | 1988-12-20 | 1991-01-25 | Europ Composants Electron | Composant electrique a report direct |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP1990081531U patent/JPH0517870Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0440525U (ja) | 1992-04-07 |
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