JPH0517878A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JPH0517878A JPH0517878A JP3198706A JP19870691A JPH0517878A JP H0517878 A JPH0517878 A JP H0517878A JP 3198706 A JP3198706 A JP 3198706A JP 19870691 A JP19870691 A JP 19870691A JP H0517878 A JPH0517878 A JP H0517878A
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- Japan
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- film
- gas
- transparent conductive
- conductive film
- fluorine
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- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、ＳｎＯ2：Ｆ膜の抵抗率、ヘイ
ズ率などの膜特性を良好に保ったまま、フロン規制対象
であるＣＦ3Ｂｒの使用量を減らすとともに、膜形成時
のフッ素ガスのドープ量自体も減少させることを目的と
する。 【構成】 この発明の透明導電膜の形成方法は、フッ素
ドーピングガスとしてトリフロロブロモメタン（ＣＦ3
Ｂｒ）とジフロロクロメタン（ＣＨＣｌＦ2）の２種類
のガスを混合して用い、化学気相成長法にてＳｎＯ2：
Ｆからなる透明導電膜を形成する。
ズ率などの膜特性を良好に保ったまま、フロン規制対象
であるＣＦ3Ｂｒの使用量を減らすとともに、膜形成時
のフッ素ガスのドープ量自体も減少させることを目的と
する。 【構成】 この発明の透明導電膜の形成方法は、フッ素
ドーピングガスとしてトリフロロブロモメタン（ＣＦ3
Ｂｒ）とジフロロクロメタン（ＣＨＣｌＦ2）の２種類
のガスを混合して用い、化学気相成長法にてＳｎＯ2：
Ｆからなる透明導電膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池、液晶ディス
プレイ装置などに用いられる透明導電膜の形成方法に関
する。
プレイ装置などに用いられる透明導電膜の形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】太陽光等の光エネルギーを直接電気エネ
ルギーに変換する太陽電池は、ガラス等の絶縁性透明基
板上に、酸化錫（ＳｎＯ2）等の導電性酸化物からなる
透明導電膜を被着せしめ、この上にｐｉｎの半導体接合
を有する非晶質シリコンからなる光電変換層が設けら
れ、更にこの光電変換層上にアルミニウム（Ａｌ）、銀
（Ａｇ）等の背面電極が被着されて構成されている。
ルギーに変換する太陽電池は、ガラス等の絶縁性透明基
板上に、酸化錫（ＳｎＯ2）等の導電性酸化物からなる
透明導電膜を被着せしめ、この上にｐｉｎの半導体接合
を有する非晶質シリコンからなる光電変換層が設けら
れ、更にこの光電変換層上にアルミニウム（Ａｌ）、銀
（Ａｇ）等の背面電極が被着されて構成されている。
【０００３】上記の透明導電膜は、通常熱化学気相成長
法（ＣＶＤ）により、基板上に被着形成しされている。
法（ＣＶＤ）により、基板上に被着形成しされている。
【０００４】従来、フッ素をドーピングしたＳｎＯ2：
Ｆ膜からなる透明導電膜を熱ＣＶＤ法により形成する場
合、フッ素ドーピングガスとしては、一般的にトリフロ
ロブロモメタンガス（ＣＦ3Ｂｒ）など１種類のガスを
用いている。
Ｆ膜からなる透明導電膜を熱ＣＶＤ法により形成する場
合、フッ素ドーピングガスとしては、一般的にトリフロ
ロブロモメタンガス（ＣＦ3Ｂｒ）など１種類のガスを
用いている。
【０００５】ところで、このＣＦ3Ｂｒガスだけを用い
て、低抵抗でヘイズ率の高い透明導電膜を形成するため
の条件としては、ＣＦ3Ｂｒガスが３〜４リットル／
分、四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）が０．６ｇ／分、酸素が
０．５リットル／分、形成温度が５００〜５３０℃であ
る。
て、低抵抗でヘイズ率の高い透明導電膜を形成するため
の条件としては、ＣＦ3Ｂｒガスが３〜４リットル／
分、四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）が０．６ｇ／分、酸素が
０．５リットル／分、形成温度が５００〜５３０℃であ
る。
【０００６】図３は、ＣＦ3Ｂｒガスの流量と形成され
た透明導電膜の比抵抗並びにヘイズ率との関係を示した
特性図である。
た透明導電膜の比抵抗並びにヘイズ率との関係を示した
特性図である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この図３からも判るよ
うに、良質な膜を得るためには、ＣＦ3Ｂｒガスを３リ
ットル／分以上必要とし、このガスを多量に用いないと
いけないため、コストがかかるという問題があった。
うに、良質な膜を得るためには、ＣＦ3Ｂｒガスを３リ
ットル／分以上必要とし、このガスを多量に用いないと
いけないため、コストがかかるという問題があった。
【０００８】しかもＣＦ3Ｂｒガスは、フロン規制対象
であるため、このガスを多量に使用することは、好まし
くないという問題があった。
であるため、このガスを多量に使用することは、好まし
くないという問題があった。
【０００９】本発明は、このような問題を解決するため
に、ＳｎＯ2：Ｆ膜の抵抗率、ヘイズ率などの膜特性を
良好に保ったまま、フロン規制対象であるＣＦ3Ｂｒの
使用量を減らすとともに、膜形成時のフッ素ガスのドー
プ量自体も減少させることを目的とする。
に、ＳｎＯ2：Ｆ膜の抵抗率、ヘイズ率などの膜特性を
良好に保ったまま、フロン規制対象であるＣＦ3Ｂｒの
使用量を減らすとともに、膜形成時のフッ素ガスのドー
プ量自体も減少させることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の透明導電膜の
形成方法は、ＳｎＯ2：Ｆからなる透明導電膜を化学気
相成長法にて形成する透明導電膜の形成方法であって、
フッ素ドーピングガスとしてトリフロロブロモメタン
（ＣＦ3Ｂｒ）とジフロロクロメタン（ＣＨＣｌＦ2）の
２種類のガスを混合して用いることを特徴とする。
形成方法は、ＳｎＯ2：Ｆからなる透明導電膜を化学気
相成長法にて形成する透明導電膜の形成方法であって、
フッ素ドーピングガスとしてトリフロロブロモメタン
（ＣＦ3Ｂｒ）とジフロロクロメタン（ＣＨＣｌＦ2）の
２種類のガスを混合して用いることを特徴とする。
【００１１】
【作用】ＣＦ3ＢｒとＣＨＣｌＦ2を混合してＳｎＯ2：
Ｆ膜を形成することにより、ＳｎＯ2：Ｆ膜の低抵抗
率、ヘイズ率等の膜特性を良好に保ったまま、フロン規
制対象であるＣＦ3Ｂｒの使用量を減らすことができ
る。更に、膜形成時のフッ素ガスドープ量自体も減少で
き、コスト低下の面でも有効である。
Ｆ膜を形成することにより、ＳｎＯ2：Ｆ膜の低抵抗
率、ヘイズ率等の膜特性を良好に保ったまま、フロン規
制対象であるＣＦ3Ｂｒの使用量を減らすことができ
る。更に、膜形成時のフッ素ガスドープ量自体も減少で
き、コスト低下の面でも有効である。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例について、図１及び
図２を参照してい説明する。
図２を参照してい説明する。
【００１３】図１はこの発明に用いられる熱ＣＶＤ装置
の模式図である。図１において、１は反応炉であり、こ
の反応炉１内のガスは図示していない排気ブロワにより
排気される。この反応炉１にはメインバルブ３０及びバ
ルブ２１から２５を介して各反応ガスが導入される。即
ち、バルブ２１からはＣＦ3Ｂｒガスが、バルブ２２か
らはＣＨＣｌＦ2ガスが、バルブ２３からは酸素（Ｏ2）
ガスが、バルブ２４及び２６からはキャリアガスとして
チッ素（Ｎ2）が、バルブ２５からは四塩化スズ（Ｓｎ
Ｃｌ4）が、そのガス流量が制御されて供給される。即
ち、各バルブ２１〜２６が供給ガスラインを構成する。
の模式図である。図１において、１は反応炉であり、こ
の反応炉１内のガスは図示していない排気ブロワにより
排気される。この反応炉１にはメインバルブ３０及びバ
ルブ２１から２５を介して各反応ガスが導入される。即
ち、バルブ２１からはＣＦ3Ｂｒガスが、バルブ２２か
らはＣＨＣｌＦ2ガスが、バルブ２３からは酸素（Ｏ2）
ガスが、バルブ２４及び２６からはキャリアガスとして
チッ素（Ｎ2）が、バルブ２５からは四塩化スズ（Ｓｎ
Ｃｌ4）が、そのガス流量が制御されて供給される。即
ち、各バルブ２１〜２６が供給ガスラインを構成する。
【００１４】この実施例では、形成温度を５２０℃と
し、四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）を０．６ｇ／分、酸素を
０．５リットル／分で反応炉１内に流す。そして、フッ
素ドーピングガスとして、ＣＦ3Ｂｒを１．５リットル
／分にＣＨＣｌＦ2を０〜０．４リットル／分を混合さ
せて反応炉１内に流して、熱分解酸化反応により、Ｓｎ
Ｏ2：Ｆ膜の形成を行う。
し、四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）を０．６ｇ／分、酸素を
０．５リットル／分で反応炉１内に流す。そして、フッ
素ドーピングガスとして、ＣＦ3Ｂｒを１．５リットル
／分にＣＨＣｌＦ2を０〜０．４リットル／分を混合さ
せて反応炉１内に流して、熱分解酸化反応により、Ｓｎ
Ｏ2：Ｆ膜の形成を行う。
【００１５】図２に、ＣＦ3Ｂｒを１．５リットル／分
にＣＨＣｌＦ2を０〜０．４リットル／分の範囲でその
混合比を変化させてＳｎＯ2：Ｆ膜の形成した場合の比
抵抗及びヘイズ率の膜特性を測定した結果を示す。
にＣＨＣｌＦ2を０〜０．４リットル／分の範囲でその
混合比を変化させてＳｎＯ2：Ｆ膜の形成した場合の比
抵抗及びヘイズ率の膜特性を測定した結果を示す。
【００１６】図２より明らかなように、フッ素ドーピン
グガスとして、ＣＦ3ＢｒとＣＨＣｌＦ2の２種類のガス
を混合して用いることにより、ＳｎＯ2：Ｆの抵抗率、
ヘイズ率などの膜特性を良好に保って、フロン規制対象
であるＣＦ3Ｂｒの使用量をＣＦ3Ｂｒのみを用いた場合
と比較して半分程度に減らすことができた。
グガスとして、ＣＦ3ＢｒとＣＨＣｌＦ2の２種類のガス
を混合して用いることにより、ＳｎＯ2：Ｆの抵抗率、
ヘイズ率などの膜特性を良好に保って、フロン規制対象
であるＣＦ3Ｂｒの使用量をＣＦ3Ｂｒのみを用いた場合
と比較して半分程度に減らすことができた。
【００１７】また、図２と図３のフッ素量を比較しても
判るように、混合（ＣＦ3Ｂｒ＋ＣＨＣｌＦ2）すること
で、フッ素ガス量がＣＦ3Ｂｒのみの時の約半分の量で
も抵抗率が５×１０-4（Ω・cm）以下、ヘイズ率が１０
％前後と良好な膜が得られ、コスト低下の面でも有効で
ある。
判るように、混合（ＣＦ3Ｂｒ＋ＣＨＣｌＦ2）すること
で、フッ素ガス量がＣＦ3Ｂｒのみの時の約半分の量で
も抵抗率が５×１０-4（Ω・cm）以下、ヘイズ率が１０
％前後と良好な膜が得られ、コスト低下の面でも有効で
ある。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ＳｎＯ2：Ｆ膜の形成において、フッ素ドーピング
ガスとしてＣＦ3ＢｒとＣＨＣｌＦ2の２種類のガスを混
合して用いることにより、ＳｎＯ2：Ｆ膜の抵抗率、ヘ
イズ率などの膜特性を良好に保ったまま、フロン規制対
象であるＣＦ3Ｂｒの使用量を減らすことができるとと
もに、膜形成時のフッ素ガスのドープ量自体も減少させ
ることができ、製造コストを低減することができる。
ば、ＳｎＯ2：Ｆ膜の形成において、フッ素ドーピング
ガスとしてＣＦ3ＢｒとＣＨＣｌＦ2の２種類のガスを混
合して用いることにより、ＳｎＯ2：Ｆ膜の抵抗率、ヘ
イズ率などの膜特性を良好に保ったまま、フロン規制対
象であるＣＦ3Ｂｒの使用量を減らすことができるとと
もに、膜形成時のフッ素ガスのドープ量自体も減少させ
ることができ、製造コストを低減することができる。
【図１】この発明に用いられる熱ＣＶＤ装置の模式図で
ある。
ある。
【図２】ＣＦ3Ｂｒを１．５リットル／分にＣＨＣｌＦ2
を０〜０．４リットル／分の範囲でその混合比を変化さ
せてＳｎＯ2：Ｆ膜の形成した場合の比抵抗並びにヘイ
ズ率との関係を示した特性図である。
を０〜０．４リットル／分の範囲でその混合比を変化さ
せてＳｎＯ2：Ｆ膜の形成した場合の比抵抗並びにヘイ
ズ率との関係を示した特性図である。
【図３】ＣＦ3Ｂｒガスの流量と比抵抗並びにヘイズ率
との関係を示した特性図である。
との関係を示した特性図である。
１ 反応炉 ２１ バルブ（ＣＦ3Ｂｒガスライン） ２２ バルブ（ＣＨＣｌＦ2ガスライン） ２３ バルブ（酸素ライン） ２４ バルブ（キャリアチッ素ガスライン） ２５ バルブ（四塩化スズライン） ２６ バルブ（キャリアチッ素ガスライン）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/04 // Ｈ０１Ｌ 21/28 ３０１ Ｚ 7738−4Ｍ 29/40 Ａ 7738−4Ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 フッ素をドーピングした酸化錫（以下、
ＳｎＯ2：Ｆという。）からなる透明導電膜を化学気相
成長法にて形成する透明導電膜の形成方法であって、フ
ッ素ドーピングガスとしてトリフロロブロモメタン（以
下、ＣＦ3Ｂｒという。）とジフロロクロメタン（以
下、ＣＨＣｌＦ2という。）の２種類のガスを混合して
用いることを特徴とする透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3198706A JPH0517878A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3198706A JPH0517878A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0517878A true JPH0517878A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=16395667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3198706A Pending JPH0517878A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0517878A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306747B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-10-23 | Agfa-Gevaert | Conductive metal oxide based layer |
| WO2003017378A1 (fr) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Substrat utilise dans un dispositif de conversion photoelectrique |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3198706A patent/JPH0517878A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306747B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-10-23 | Agfa-Gevaert | Conductive metal oxide based layer |
| WO2003017378A1 (fr) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Substrat utilise dans un dispositif de conversion photoelectrique |
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