JPS6055605A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6055605A JPS6055605A JP58164604A JP16460483A JPS6055605A JP S6055605 A JPS6055605 A JP S6055605A JP 58164604 A JP58164604 A JP 58164604A JP 16460483 A JP16460483 A JP 16460483A JP S6055605 A JPS6055605 A JP S6055605A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film forming
- discharge
- plasma generating
- monomer gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、オーディオ・ビデオ及びフロッピーディスク
等に使用する磁気記録媒体の磁性面保護膜を作成するた
めの薄膜作成装置に関するものである。
等に使用する磁気記録媒体の磁性面保護膜を作成するた
めの薄膜作成装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年磁気記録機器は小型・軽量化が進み、それに対応し
て磁気記録媒体も高密度記録が可能で高出力Ｏ高特性な
ものが要求され、バインダー中に磁性材料を混入して基
板に塗布する方式から、スパッタリング法・イオンブレ
ーティング法あるい２ベ−ノ は蒸着法等のペーパーデポジション法によす基板上に薄
膜状金属磁性層を設けた磁気記録媒体が検討されている
。ペーパーデポジション法により作成した磁気記録媒体
の磁性面上には保護膜が必要とされ、滑剤を溶液に混入
して塗布する湿式方式以外に有機蒸着、プラズマ重合等
の乾式方式も検討されている。
て磁気記録媒体も高密度記録が可能で高出力Ｏ高特性な
ものが要求され、バインダー中に磁性材料を混入して基
板に塗布する方式から、スパッタリング法・イオンブレ
ーティング法あるい２ベ−ノ は蒸着法等のペーパーデポジション法によす基板上に薄
膜状金属磁性層を設けた磁気記録媒体が検討されている
。ペーパーデポジション法により作成した磁気記録媒体
の磁性面上には保護膜が必要とされ、滑剤を溶液に混入
して塗布する湿式方式以外に有機蒸着、プラズマ重合等
の乾式方式も検討されている。
以下に従来の薄膜形成列置について説明する。
第１図は従来の薄膜形成装置のプラズマ発生管付近を示
す構成図で、１はプラズマ発生管、２は高周波コイルで
ある。３は薄膜が形成されるサンプルで、４はガス導入
口、５は真空引目である。
す構成図で、１はプラズマ発生管、２は高周波コイルで
ある。３は薄膜が形成されるサンプルで、４はガス導入
口、５は真空引目である。
以上のように構成された従来の薄膜形成装置について、
以下その動作を説明する。薄膜でコーティングされるサ
ンプル３は、両面接着テープ等でガラス板にはりつけら
れ、プラズマ発生管１の中に設置される。プラズマ発生
管１の圧力は真空引口５の先に取付けられた真空ポンプ
により少なくとも０．１１ｏｌＴｏｎ以下に減圧され、
その後ガス導入口４より不活性ガス（例えばアルゴン）
及びモノ３ぺ ・ マーガスを流量をチェックしながら導入する。モノマー
ガスが放電しゃすいものであれば不活性ガスは導入しな
くてもよい。モノマーガス導入後のプラズマ発生管１内
の圧力は、放電が安定する範囲であれば限定しないが、
一般には０．１〜２，０Ｔｏｎ程度である。以上のセツ
ティング後高周波電源により高周波コイル２に電力が加
えられ、プラズマ発生管１内に放電が発生する。この放
電によりモノマーガスが重合反応をおこし、重合膜がサ
ンプル３上に形成される。
以下その動作を説明する。薄膜でコーティングされるサ
ンプル３は、両面接着テープ等でガラス板にはりつけら
れ、プラズマ発生管１の中に設置される。プラズマ発生
管１の圧力は真空引口５の先に取付けられた真空ポンプ
により少なくとも０．１１ｏｌＴｏｎ以下に減圧され、
その後ガス導入口４より不活性ガス（例えばアルゴン）
及びモノ３ぺ ・ マーガスを流量をチェックしながら導入する。モノマー
ガスが放電しゃすいものであれば不活性ガスは導入しな
くてもよい。モノマーガス導入後のプラズマ発生管１内
の圧力は、放電が安定する範囲であれば限定しないが、
一般には０．１〜２，０Ｔｏｎ程度である。以上のセツ
ティング後高周波電源により高周波コイル２に電力が加
えられ、プラズマ発生管１内に放電が発生する。この放
電によりモノマーガスが重合反応をおこし、重合膜がサ
ンプル３上に形成される。
しかしながら上記の様な構成では、放電域では重合反応
以外にイオンによるエツチング作用が発生するため、プ
ラズマ発生管１の側壁部も上記エツチング作用の影響を
うけ、このため放電状態におけるプラズマ発生管１内の
状態が、モノマーガス成分に加えプラズマ発生管内壁部
成分が加わり作成される重合膜の成分も変化するという
問題点を有していた。
以外にイオンによるエツチング作用が発生するため、プ
ラズマ発生管１の側壁部も上記エツチング作用の影響を
うけ、このため放電状態におけるプラズマ発生管１内の
状態が、モノマーガス成分に加えプラズマ発生管内壁部
成分が加わり作成される重合膜の成分も変化するという
問題点を有していた。
第２図は別の従来例を示すプラズマ発生管付近の拡大図
で、６はプラズマ発生管、７は高周波コ１４開昭ＧＯ−
５５ＧＯ５（２） イル、８は不活性ガス及びモノマーガス導入口である。
で、６はプラズマ発生管、７は高周波コ１４開昭ＧＯ−
５５ＧＯ５（２） イル、８は不活性ガス及びモノマーガス導入口である。
９は供給リール、１ｏは巻取りリール、１１はテープ状
の磁気記録媒体、１２，１３，１４゜１６はガイドロー
ラー、１６はガイドポストである。
の磁気記録媒体、１２，１３，１４゜１６はガイドロー
ラー、１６はガイドポストである。
以上のように構成された従来の薄膜形成装置について、
以下その動作を説明する。
以下その動作を説明する。
プラズマ発生管６、テープ状磁気記録媒体１１を走行さ
せる供給リール９、巻取リール１０、ガイドローラー１
２．１３，１４，１５．ガイトポ１ 、ｍＸ １０−’
Ｔｏｎ以下の状態で、不活性ガス（例えばＡｒ）及び
モノマーガスをガス導入口８がらプラズマ発生管６内に
導入する。モノマーガスが放電しやすいものであれば不
活性ガスは導入しなくてもよい。不活性ガス及びモノマ
ーガス導入後のプラズマ発生管６内の圧力は放電可能で
あればいくらでもかまわないが、１ 、ＯＸ １０−’
Ｔｏｎ 〜２．０Ｔｏｎが適当である。以上のセツテ
ィング後、６ページ プラズマ発生管６に巻回された高周波コイル７に高周波
電力を供給すると、プラズマ発生管６の内部に放電が発
生する。この放電により発生するラジカル基を含んだガ
スを、プラズマ発生管６の下端より、テープ供給リール
９、テープ巻取リール１０、ガイドローラー１２．１３
，１４．１５によりガイドボストに巻回されて走行する
テープ状磁気記録媒体１１の表面に吹出させ、テープ状
磁気記録媒体１１表面に重合膜が形成される。
せる供給リール９、巻取リール１０、ガイドローラー１
２．１３，１４，１５．ガイトポ１ 、ｍＸ １０−’
Ｔｏｎ以下の状態で、不活性ガス（例えばＡｒ）及び
モノマーガスをガス導入口８がらプラズマ発生管６内に
導入する。モノマーガスが放電しやすいものであれば不
活性ガスは導入しなくてもよい。不活性ガス及びモノマ
ーガス導入後のプラズマ発生管６内の圧力は放電可能で
あればいくらでもかまわないが、１ 、ＯＸ １０−’
Ｔｏｎ 〜２．０Ｔｏｎが適当である。以上のセツテ
ィング後、６ページ プラズマ発生管６に巻回された高周波コイル７に高周波
電力を供給すると、プラズマ発生管６の内部に放電が発
生する。この放電により発生するラジカル基を含んだガ
スを、プラズマ発生管６の下端より、テープ供給リール
９、テープ巻取リール１０、ガイドローラー１２．１３
，１４．１５によりガイドボストに巻回されて走行する
テープ状磁気記録媒体１１の表面に吹出させ、テープ状
磁気記録媒体１１表面に重合膜が形成される。
しかしながら上記のような構成でも先に述べた従来例と
同様に、プラズマ発生管６の内壁部がイオンによるエツ
チング作用をうけ、微小ながら放電中の成分がモノマー
ガス以外の成分を含んだ状態となり、形成される重合膜
にも悪影響を及ぼすという問題点を有してきた。この傾
向はエツチング作用の大きなものをモノマーガスに使用
した時はど顕著で、例えば含弗素ガスをモノマーガスに
使用する場合は、オクタフルオロシクロブタン（０４Ｆ
８）よりもテトラフルオロメタン（ＣＦ４）の方が影響
が大きい。
同様に、プラズマ発生管６の内壁部がイオンによるエツ
チング作用をうけ、微小ながら放電中の成分がモノマー
ガス以外の成分を含んだ状態となり、形成される重合膜
にも悪影響を及ぼすという問題点を有してきた。この傾
向はエツチング作用の大きなものをモノマーガスに使用
した時はど顕著で、例えば含弗素ガスをモノマーガスに
使用する場合は、オクタフルオロシクロブタン（０４Ｆ
８）よりもテトラフルオロメタン（ＣＦ４）の方が影響
が大きい。
６ページ
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、放電で発
生するイオンによるエツチング作用の影響を少なくし、
均一で再現性のある重合膜を得ることが可能な薄膜形成
装置を提供することを目的とする。
生するイオンによるエツチング作用の影響を少なくし、
均一で再現性のある重合膜を得ることが可能な薄膜形成
装置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明はモノマーガスと同成分の高分子絶縁物で作成さ
れた、あるいは内壁部表面をモノマーガスと同成分の高
分子絶縁物でコーティングしたプラズマ発生管を備えた
薄膜形成装置であり、放電で発生するイオンによるエツ
チング作用の影響を少なくし、均一で再現性のある重合
膜を得ることができるものである。
れた、あるいは内壁部表面をモノマーガスと同成分の高
分子絶縁物でコーティングしたプラズマ発生管を備えた
薄膜形成装置であり、放電で発生するイオンによるエツ
チング作用の影響を少なくし、均一で再現性のある重合
膜を得ることができるものである。
実施例の説明
本発明の一実施例における薄膜形成装置は第３図に示す
ように第２図の構成と同じであり、プラズマ発生管以外
は同一番号を付しておく。第２図の装置と異る点はプラ
ズマ発生管１７をモノマーガスと同じ成分をもつ高分子
絶縁体で形成するか、７ページ あるいはプラズマ発生管１７の内壁部表面をモノマーガ
スと同じ成分の高分子絶縁体でコーティングすることに
ある。
ように第２図の構成と同じであり、プラズマ発生管以外
は同一番号を付しておく。第２図の装置と異る点はプラ
ズマ発生管１７をモノマーガスと同じ成分をもつ高分子
絶縁体で形成するか、７ページ あるいはプラズマ発生管１７の内壁部表面をモノマーガ
スと同じ成分の高分子絶縁体でコーティングすることに
ある。
この構成における薄膜形成装置について、以下その動作
について説明する。装置のセツティング及びその動作原
理については、先に述べた従来例と全く同様である。不
活性ガス（例えばＡｒ ）とモノマーガスが導入された
プラズマ発生管に、プラズマ発生管に巻回された高周波
コイルを通して高周波電力を供給し、放電を発生させる
。この放電でラジカル基が発生し重合膜を形成するが、
放電によりイオンも発生する。このイオンは、エツチン
グ作用がちシプラズマ発生管１７の内壁部（放電が発生
している所すべて）をエツチングする。プラズマ発生管
１７の内壁部をモノマーガスと同成分の高分子絶縁体で
形成すると、イオンによりプラズマ発生管１７の内壁面
がエツチングされても放電中のガス成分は変化なく、安
定した均一な重合膜を得ることができる。
について説明する。装置のセツティング及びその動作原
理については、先に述べた従来例と全く同様である。不
活性ガス（例えばＡｒ ）とモノマーガスが導入された
プラズマ発生管に、プラズマ発生管に巻回された高周波
コイルを通して高周波電力を供給し、放電を発生させる
。この放電でラジカル基が発生し重合膜を形成するが、
放電によりイオンも発生する。このイオンは、エツチン
グ作用がちシプラズマ発生管１７の内壁部（放電が発生
している所すべて）をエツチングする。プラズマ発生管
１７の内壁部をモノマーガスと同成分の高分子絶縁体で
形成すると、イオンによりプラズマ発生管１７の内壁面
がエツチングされても放電中のガス成分は変化なく、安
定した均一な重合膜を得ることができる。
以上のようにこの実施例によれば、モノマーガ特開昭Ｇ
Ｏ−５５６Ｏ５（３） スと同成分の内壁面を有するプラズマ発生管１７を設け
ることにより、放電で発生するイオンによるエツチング
作用の影響を少なくし、均一で再現性のある重合膜を得
ることができる。
Ｏ−５５６Ｏ５（３） スと同成分の内壁面を有するプラズマ発生管１７を設け
ることにより、放電で発生するイオンによるエツチング
作用の影響を少なくし、均一で再現性のある重合膜を得
ることができる。
発明の効果
以上のように本発明の薄膜形成装置は、モノマーガスと
同成分の高分子絶縁体で形成された、あるいは内壁部表
面をモノマーガスと同成分の高分子絶縁物でコーティン
グしたプラズマ発生管を設けることにより、放電で発生
するイオンによるエツチング作用の影響が少なく、均一
で再現性のある重合膜を得ることができ、その工業的効
果は大きい。
同成分の高分子絶縁体で形成された、あるいは内壁部表
面をモノマーガスと同成分の高分子絶縁物でコーティン
グしたプラズマ発生管を設けることにより、放電で発生
するイオンによるエツチング作用の影響が少なく、均一
で再現性のある重合膜を得ることができ、その工業的効
果は大きい。
第１図は従来の薄膜形成装置の局部拡大図、第２図は別
な従来の薄膜形成装置の拡大図、第３図は本発明の一実
施例における薄膜形成装置の拡大図である。 １７・・・・・・プラズマ発生管。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ！ ２図
な従来の薄膜形成装置の拡大図、第３図は本発明の一実
施例における薄膜形成装置の拡大図である。 １７・・・・・・プラズマ発生管。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ！ ２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 モノマーガスと同成分の高分子絶縁体で形成された、あ
るいは内壁部表面をモノマーガスと同成分の高分子絶縁
物でコーティングしたプラズマ発生管を設けた薄膜形成
装置。 １
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164604A JPS6055605A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164604A JPS6055605A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055605A true JPS6055605A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15796331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58164604A Pending JPS6055605A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055605A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5536399A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-13 | Heberlein Hispano Sa | Production of spun yarn having core yarn |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP58164604A patent/JPS6055605A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5536399A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-13 | Heberlein Hispano Sa | Production of spun yarn having core yarn |
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