JPH0531902B2 - - Google Patents

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JPH0531902B2
JPH0531902B2 JP61000100A JP10086A JPH0531902B2 JP H0531902 B2 JPH0531902 B2 JP H0531902B2 JP 61000100 A JP61000100 A JP 61000100A JP 10086 A JP10086 A JP 10086A JP H0531902 B2 JPH0531902 B2 JP H0531902B2
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Japan
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recording
solution
infrared
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light
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Yoshiaki Suzuki
Masaaki Tsuboi
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野) 本発明は、新規な赤外線吸収性組成物に関し、
さらに詳しくは、波長700〜1500nmの遠赤色光
ないし近赤外光を吸収する赤外線吸収性組成物に
関する。 (従来の技術) 700〜1500nmの波長の遠赤色光を選択的に吸
収する赤外線吸収剤の用途としては光学フイルタ
ー材のほかに次のような各種の用途がある。光→
熱変換作用を利用して光デイスク記録層レー
ザによる感熱発色記録体光デイスク用有機皮膜
に使用する、光吸収作用を利用してインクジエ
ツトプリンタ用インクバーコードインク感光
材料のアンチハレーシヨン剤サウンドトラツク
用赤外線吸収色素を形成する赤外カプラーフオ
トセンサーのモールドなどに使用することなどが
あげられる。 この中で、レーザ記録フイルムの光吸収剤とし
ては、特開昭58−16888号、同57−11090号に第四
級アンモニウム塩を有する芳香族ジチオール系ニ
ツケル錯体を用いることが開示されている。 また、インクジエツトプリンタ用インクにはエ
チルセロソルブのような溶媒と、赤外線吸収剤と
してこの有機溶媒に溶ける色素が用いられる。こ
の場合、この赤外線吸収剤は波長740〜900nmの
赤外線の光源を用いる光学的読取装置で読み取る
際に有用な化学物であり、従来このようなインク
ジエツトプリンタ用赤外線吸収剤としてはニグロ
シン、クロム錯塩など特開昭56−135568号に開示
されている化合物が用いられている。 次に、従来のカメラなどの光検出装置、あるい
は光画像受光素子などの光センサーなどには主に
シリコンが使用されており、フオトダイオード
MOSイメージセンサ、CCDイメージセンサ、
CIDイメージセンサーなどの形で使われている。
シリコンの分光感度は赤外域の700〜1100nmの
光に対してかなり大きく、分光感度曲線を比視感
度曲線に相似させるには赤外域の光をカツトしな
いとノイズが大きくなる。 従来この種の光検出装置には無機系のガラス、
あるいは有機系近赤外吸収剤(特開昭58−9378号
参照)が用いられていた。 (発明が解決しようとする問題点) しかし、第四級アンモニウム塩を有する芳香族
ジチオール系ニツケル錯体は有機媒体に対する溶
解性が低く、基板上に塗布する際の組成物中の赤
外線吸収剤の濃度を高くできない、使用しうる媒
体が制限されるなどの難点があつた。また、ジエ
ツトプリンタ用インクに用いられたニグロシンは
初期に可溶化しても長期間放置で析出物が生じ、
クロム錯塩は有機溶剤のみでは微少分散あるいは
溶解しないためさらに水を含有させるか窒素を含
む溶解補助剤を加える必要があつた。さらに光検
出装置に用いられた、特開昭58−9378号記載の有
機系近赤外吸収剤は有機溶剤への溶解性が低い、
耐光性が十分高くないという欠点があり、満足し
うるものではなかつた。 本発明の目的はこれらの赤外線吸収剤の組成物
の欠点を克服し、有機溶媒への溶解度が高くかつ
バインダーなどとの相溶性のよい赤外線吸収性組
成物を提供することであり、第二に、近赤外光の
吸収能力が大きく、熱および光に対して堅牢な赤
外線吸収性組成物を提供することである。 (問題点を解決するための手段) 本発明者らは、上記目的を達成するため種々検
討を重ねた結果、芳香族ジチオール系ニツケル錯
体の第四級ホスホニウム塩のある種のものが有機
溶楳に対する溶解性が格段に良く、かつ、近赤外
光の吸収能力がきわめて大きくことを見出し、こ
の知見に基づき本発明をなすに至つた。 すなわち本発明は、 一般式 (式中、R1〜R4はアルキル基またはアリール基
を示し、Rは水素原子またはメチル基を示し、n
は1〜4の整数を示す。)で表わされる四級ホス
ホニウムビス(1,2−ベンゼンジチオラト)ニ
ツケレート誘導体及び結合剤を含有することを特
徴とする赤外線吸収性組成物(ただし光学フイル
ター材を除く。)を提供するものである。 上記一般式〔〕で表わされる化合物において
R1ないしR4は、好ましくは炭素数1ないし20の
アルキル基を示しこのアルキル基として、たとえ
ばメチル基、エチル基、n−ブチル基、iso−ア
ミル基、n−ドデシル基、n−オクタデシル基な
どをあげることができる。 この場合、アルキル基はさらにフエニル基で置
換されていてもよい。 上記一般式〔〕においてR1〜R4で表わされ
るアリール基としては、フエニル基、p−トリル
基などをあげることができる。 また、R1〜R4は、アルキル基とアリール基が
混合していてもよい。 R1〜R4においては、アルキル基が1個以上、
アリール基が3個以下が好ましい。 上記一般式〔〕においてR1〜R4は特に好ま
しくは炭素数4〜16のアルキル基である。アルキ
ル基としては、低級アルキルが長鎖のものより好
ましく、直鎖アルキル基が枝分れのものより好ま
しく、無置換アルキル基が置換されたものより好
ましい。 前記一般式〔〕で表わされる四級ホスホニウ
ムビス(1,2−ベンゼンジチオラト)ニツケレ
ート誘導体の製造は次のようにして行うことがで
きる。 無水エタノールに1,2−ベンゼンジチオール
誘導体を溶かし、これをKOHで中和する。この
溶液にニツケル塩のエタノール溶液を加え、次に
第四級ホスホニウム塩の溶液を加え、空気中(又
は、酸素を吹き込みつつ)かくはんし、生成した
沈澱をろ過する。副生する無機塩(カリウム塩)
を除くため、アセトンなどの有機溶楳で抽出した
後、溶楳を留去すれば、粗結晶が得られる。これ
を例えばアセトン−アルコールなどから再結晶す
る。 前記一般式〔〕で表わされる化合物のうち好
ましいものを例示すれば次の通りであるが、本発
明はこれらの例示化合物に限定されるものではな
いことはもちろんである。 なお、下記式中nCxH2x+1は直鎖状の炭素数xの
アルキル基を意味する。 これらの化合物の吸収極大(λmax)とモル吸
光係数(εmax、l・mol-1・cm-1単位)は次の
通りである。
【表】 本発明の赤外線吸収性組成物は、前記一般式
〔〕で表わされる化合物を、適宜に結合剤中に
含有させてなる組成物である。 結合剤としては、特に制限はなく、組成物とし
て赤外線吸収性を発揮させるものであれば有機、
無機の区別なく用いることができる。そのような
結合剤としては、プラスチツクスのような高分子
材料、ガラスのような無機材料などがあげられ
る。 またこの結合剤中には必要により溶楳を使用で
きる。好ましい溶楳としてはアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、クロロホ
ルム、塩化メチレン、メタノール、エタノール、
トルエン、酢酸エチル、酢酸イソアミル、アセト
ニトリル、エチルセロソルブ、ジメチルホルムア
ミドなどの有機溶楳があげられる。 次に本発明の赤外線吸収性組成物を光記録媒体
に用いる場合の実施態様を説明する。 光記録媒体は基本的には基板と記録層とから構
成されるものであるが、さらに目的に応じて基板
上に下引き層をまた記録層上に保護層を設けるこ
とができる。 基板としては使用レーザに対して透明であれば
既知のものを任意に使用することができる。その
代表的な例にはガラスまたはプラスチツクがあ
り、プラスチツクとしてはアクリル、ポリカーボ
ネート、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエステ
ルなどが用いられる。その形状はデイスク状、カ
ード状、シート状、ロールフイルム状など種々の
ものが可能である。 ガラスまたはプラスチツク基板には記録時のト
ラツキングを容易にするために案内溝を形成させ
てもよい。またガラスまたはプラスチツク基板に
はプラスチツクバインダーまたは無機酸化物、無
機硫化物などの下引き層を設けてもよい。基板よ
りも熱伝導率の低い下引き層が好ましい。 記録層は、赤外線吸収剤単独またはそれと他の
材料との組合せそれ自体により構成されるもの、
あるいは反射層と前記赤外線吸収剤を含有する光
吸収層によつて構成されるものに分けられる。こ
の赤外線吸収剤単独またはそれと他の材料との組
合せによつて構成される記録層は該赤外線吸収剤
を溶剤に溶解させ、塗布する方式や基板に蒸着す
る方式、樹脂溶液と混合して塗布する方式、他の
色素との混合溶液を塗布する方式、他の色素とと
もに樹脂溶液に溶解させて塗布する方式などによ
つて形成される。 樹脂としては、PVA、PVP、ポリビニルブチ
ラール、ポリカーボネート、ニトロセルロース、
ポリビニルホルマール、メチルビニルエーテル、
無水マレイン酸共重合体、スチレン−ブタジエン
共重合体等既知のものが用いられ、赤外線吸収性
組成物中における樹脂に対する前記一般式[]
で表わされる赤外線吸収剤の重量比は0.01以上で
あることが望ましい。他の色素、例えばトリアリ
ールメタン系色素、メロシアニン色素、シアニン
色素、アゾ色素、アントラキノン色素など半導体
レーザの波長域以外に吸収をもつものを用いる
と、半導体レーザだけでなく、He−Neレーザな
どでも記録できるので好適である。 この記録層は1層又は2層以上設ける。 記録層の膜厚は、通常0.01μm〜1μm、好まし
くは0.08〜0.8μmの範囲である。反射読出しの場
合は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長
の1/4の奇数倍である。 半導体レーザまたはHe−Neレーザなどの反射
層を設ける場合は、基板に反射層を設け次の二の
反射層の上に前述したような方式によつて記録層
を設けることによるか、あるいは基板に記録層を
設け、次いでこの上に反射層を設けるかのいずれ
かの方法がある。 反射層は蒸着法、スパツタリング法、イオンプ
レーテイング法などの他の次のような方法によつ
ても作ることができる。 例えば水溶性樹脂(PVP、PVPなど)に金属
塩または、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤
を加えた溶液を基板に塗布し、50℃〜150℃好ま
しくは60℃〜100℃で加熱乾燥させることによつ
て形成される。 樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量
比で0.1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、
記録層の膜厚は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。 金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シア
ン化銀カリウム、シアン化金カリウム、銀アンミ
ン錯体、銀シアン錯体、金塩または金シアン錯体
などを使用できる。還元剤としてはホルマリン、
酒石酸、酒石酸塩、還元剤、次亜隣酸塩、水素化
硼素ナトリウム、ジメチルアミンボランなどを使
用できる。還元剤は金属塩または金属錯塩1モル
に対し0.2〜10モル好ましくは0.5〜4モルの範囲
で使用できる。 光記録媒体において、情報の記録はレーザなど
のスポツト状の高エネルギービームを基板を通し
てあるいは基板と反対側より記録層に照射するこ
とにより行われ、記録層に吸収された光が熱に変
換され、記録層にピツト(穴)が形成される。 また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾
値エネルギー以下の低出力で照射し、ピツト部と
ピツトが形成されていない部分の反射光量の変化
により検出する。 また、本発明の赤外線吸収性組成物をセンサー
モールドなどに用いる場合には、例えば特開昭57
−22209号公報の記録を参考にして実施すること
が出来る。本発明の赤外線吸収剤の少なくとも一
つを使用して、アクリル系またはメタアクリル系
樹脂、フエノール樹脂、変性フエノール樹脂、ケ
トン樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン系樹脂、
シリコン系樹脂の一種または二種以上の樹脂中に
溶解させ、これを塗布することによりセンサーモ
ールドを形成することが出来る。 赤外線吸収剤と樹脂の含有重量比は樹脂1部に
0.001〜0.5部より好ましくは0.01〜0.2部である
が、この重量比は赤外線吸収剤の赤外域の分子吸
光係数および赤外線吸収剤と樹脂との相溶性、塗
布厚またはモールデイングの厚さにより決定され
る。 溶剤としては赤外線吸収剤および樹脂の少なく
とも一つを溶解するものが用いられる。これらは
ジクロルメタン、クロロホルムのような塩素系溶
剤、酢酸エチル、酢酸イソアミルなどのエステル
系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトンなどのエステル系溶剤、エチル
アルコール、ブチルアルコールなどのアルコー
ル、ピリジン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミドなどの含窒素溶剤などである。 次に本発明の赤外線吸収性組成物をインクジエ
ツトインクに用いる場合の実施態様について述べ
る。 有機溶剤を溶媒に用いるインクジエツトインク
は主に静電加速型、静電空気流式などに用いら
れ、いずれもインクに高圧パルスを印加してイン
ク流またはインク小滴の形成を可能にさせねばな
らない。これにはインクの電気的性質のみなら
ず、表面張力、粘度などの流動性に関係する物性
値も問題となり、特開昭49−50935号や特開昭56
−135568号公報に記載されている方法に準じて実
施することができる。 インクジエツトインクとしては、赤外線吸収剤
を用い、溶剤としてはエチルセロソルブ、トルエ
ン、エタノール、n−ブタノール、エチルメチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、ジクロルメタ
ン、トリエタノールアミン、ジメチルホルムアミ
ド、イソアミルアセテートなどに代表される有機
溶剤を用い、これに粘度調節のためにグリセリ
ン、金属石鹸などを加える。 含有量は粘度が常温で10cp.以下、比抵抗が1
×104〜1×1011Ω・cmになるように有機溶剤と粘
度調節剤の組成比を選ぶ。 溶剤に対する赤外線吸収剤の含有比は溶剤1重
量部に対し、赤外線吸収剤0.01〜0.8部であり、
常温において好ましくは溶解し、あるいは少なく
とも平均粒径0.8μm以下に微分散していなければ
ならない。場合によつては該インク中に可視光線
を吸収する色素も加えてよい。 (発明の効果) 本発明において四級ホスホニウムビス(1,2
−ベンゼンジチオラト)ニツケレート誘導体は有
機溶媒への溶解性が高く、印刷用ビヒクル中へも
良好に微少分散あるいは溶解し、近赤外光の吸収
能力が大きいという優れた性質を有する。 また、本発明の赤外線吸収性組成物は、耐熱
性、耐光性に優れる。さらに本発明の四級ホスホ
ニウムビス(1,2−ベンゼンジチオラト)ニツ
ケレート誘導体は合成が容易であり、低コストで
製造できるという実用上優れた利点を有する。 従つて本発明の赤外線吸収性組成物は、インク
ジエツトプリンタ用インクなどの外、光→熱交換
を利用したレーザによる感熱発色、感熱記録、光
デイスク記録材料として使用される。 (実施例) 次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明
する。なお、以下において「部」は特に記載のな
い限り「重量部」を意味する。 参考例 1 <例示化合物(2)の合成> 水酸化カリウム16gを無水エタノール200mlに
溶かし、この溶液にベンゼンジチオール20gを加
え、10分間室温でかくはんした。次いで、これに
塩化ニツケル、六水和物17gを無水エタノール
200mlに溶かした溶液を加えたのち室温でさらに
30分間かくはんした。この溶液にテトラ−n−ブ
チルホスホニウムブロミド50gを無水エタノール
200mlに溶かした溶液を室温で加える。加え終つ
てから、更に室温で2時間かくはん後、析出した
暗緑色結晶をろ過し、初めに水、次にエタノール
で洗つて風乾した。 これを熱アセトン−エタノールから再結晶させ
て、例示化合物(2)を得た。収量27g。融点145〜
148℃。 参考例 2 <例示化合物(3)の合成> 水酸化化カリウム36gを無水エタノール600ml
に溶かし、この溶液にトルエン−3,4−ジチオ
ール50gを加え、10分間室温で撹拌した。次いで
これに、塩化ニツケル・六水和物36.8gを無水エ
タノール400mlに溶かした溶液を加えたのち室温
でさらに30分間撹拌した。この溶液に、テトラ−
n−ブチルホスホニウムブロミド111gを無水エ
タノール300mlに溶かした溶液を室温で加える。
加え終つてから、さらに室温で2時間撹拌後、析
出した暗緑色結晶を濾過し、初めに水、次にエタ
ノールで洗つて風乾した。これを熱アセトン−エ
タノールから再結晶させて例示化合物(3)を得た。
収量50g。融点142〜144℃。 参考例 3 <例示化合物(6)の合成> 水酸化カリウム36gを無水エタノール600mlに
溶かし、この溶液にトルエン−3,4−ジチオー
ル50gを加え、10分間室温で撹拌した。次いでこ
れに、塩化ニツケル・六水和物36.8gを無水エタ
ノール400mlに溶かした溶液を加えたのち室温で
さらに30分間撹拌した。この溶液に、ヘキサデシ
ルトリブチルホスホニウムブロミド230gを50℃
の無水エタノール300mlに溶かした溶液を加える。
加え終つてから、さらに室温で2時間撹拌後、析
出した暗緑色結晶を濾過し、初めに水、次にエタ
ノールで洗つて風乾した。これを熱エタノールか
ら再結晶させて、例示化合物(6)を得た。収量43
g。融点56〜60℃。 参考例 4 <例示化合物(7)の合成> 水酸化カリウム36gを無水エタノール600mlに
溶かし、この溶液にトレエン−3,4−ジチオー
ル50gを加え、10分間室温で撹拌した。次いでこ
れに、塩化ニツケル・六水和物36.8gを無水エタ
ノール400mlに溶かした溶液を加えたのち、室温
でさらに30分間撹拌した。この溶液にベンジルト
リブチルホスホニウムブロミド127gを無水エタ
ノール360mlに溶かした溶液を室温で加える。加
え終つてから、さらに室温で2時間撹拌後、析出
した暗緑色結晶を濾過し、初めに水、次にエタノ
ールで洗つて風乾した。これを熱アセトンから再
結晶させて例示化合物(7)を得た。収量63g。融点
213〜215℃。 本発明に用いられる他の例示化合物も参考例1
から4と同様の方法で合成できた。 実施例 1 例示化合物(2) 1部 油溶性青色染料 0.7部 エチルセロソルブ 5部 1,2−ベンツイソチアゾロン(防カビ剤)
0.001部 グリセリン 3部 上記成分を均質に混合し、得られた組成物は、
比抵抗103Ω・cm粘度4cp.である。このインク組成
物をインクジエツト記録装置にかけ、良好な画像
が得られ、これは半導体レーザ(830nm)を光
源とする読取装置で読取りが可能であつた。 実施例 2 イソアミルアセテート 7部 例示化合物(2) 0.5部 油溶性染料(オイルブラツクHBB) 0.5部 金属セツケン 0.05部 上記成分を均質に混合し、得られたインク組成
物は、比抵抗107Ω・cm粘度5cp.でインクジエツト
記録装置にかけ良好な画像が得られ、これは半導
体レーザ(830nm)を光源とする読取装置で読
取りが可能であつた。 実施例 3 例示化合物(3) 1g ニトロセルロース 0.6g ジクロルメタン 7ml 上記組成の溶液をガラス板に回転塗布し、40℃
で乾燥し、厚さ0.40μmの記録層を得た。波長
780nmにおける反射率および吸収率はそれぞれ
14%および25%であつた。 こうして得られた記録媒体に波長780nm、照
射面で4mW、ビーム径1.6μmの半導体レーザで
1MHzで信号を記録したところ、0.4μ秒の照射
(1.6nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。この記録媒体を温度60℃、室内光中、湿度90
%で1ケ月保存したが、記録および読み出しの特
性の変化はなかつた。 実施例 4 例示化合物(3) 1g ポリカーボネート樹脂 1.0g C.I.アシツドブルー83(C.I.42630) 1.2g 1,2−ジクロルエタン 20ml 上記組成の溶液を表面硬化したアクリル板に回
転塗布し、60℃で乾燥し厚さ0.4μmの記録層を得
た。波長800nmにおける反射率および吸収率は
それぞれ15%および19%であつた。また波長
630nmにおける吸収率はそれぞれ13%および60
%であつた。この記録媒体を照射面で6mW、ビ
ーム径1.6μmの波長800nmの半導体レーザビーム
で0.4MHzで信号を記録したところ1.0μ秒の照射
(6.0nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。またこの記録媒体にHe−Neレーザを用いて
ビーム径1.6μm記録面でのエネルギー5mWで、
4MHzの信号を記録したところ0.4μ秒の照射
(1.6nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。 実施例3と同様にして保存テストを行つたが特
性の変化はなかつた。 実施例 5 例示化合物(2) 1g ニトロセルロース 0.7g ジクロルメタン 20ml 上記組成の塗布液をガラス板に回転塗布し、40
℃で乾燥し、厚さ0.40μmの記録層を得た。波長
830nmにおける反射率および吸収率はそれぞれ
15%および65%であつた。 こうして得られた記録媒体に波長830nm、照
射面で4mW、ビーム径1.6μmの半導体レーザで
1MHzで信号を記録したところ、0.3μ秒の照射
(1.6nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。この記録媒体を温度60℃、室内光中、湿度90
%で1ケ月保存したが、記録および読み出しの特
性の変化はなかつた。 実施例 6 例示化合物(2) 1g ポリカーボネート樹脂 0.7g C.I.アシツドブルー83(C.I.42630) 1.2g 1,2−ジクロルエタン 12ml 上記組成の溶液を表面硬化したアクリル板に回
転塗布し、60℃で乾燥し厚さ0.4μmの記録層を得
た。波長800nmにおける反射率および吸収率は
それぞれ16%および56%であつた。また波長
630nmにおける吸収率はそれぞれ13%および68
%であつた。この記録媒体を照射面で6mW、ビ
ーム径1.6μmの波長830nmの半導体レーザビーム
で0.4MHzで信号を記録したところ0.3μ秒の照射
(1.8nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。またこの記録媒体にHe−Neレーザを用いて
ビーム径1.6μm記録面でのエネルギー5mWで、
4MHzの信号を記録したところ0.4μ秒の照射
(1.6nJ/pit)で直径1.0μmのピツトが形成され
た。 実施例5と同様にして保存テストを行つたが特
性の変化はなかつた。 実施例 7 次の組成の液をポリカーボネート円板に回転塗
布して、厚さ0.1μmの乾燥膜厚の下引層を得た。 セルロースアセテートブチレート 0.8g アセトン 32ml これに例示化合物(2)を含む次の組成の液 例示化合物(2) 1g ポリビニルホルマール 0.7g ジクロルメタン 10g を回転塗布して厚さ0.4μの乾燥膜厚の記録層を得
た。さらにこの上に銀を厚さ0.1μに真空蒸着し、
記録媒体をつくり、銀の面を向い合せにして、ス
ペーサーを円板の中心部と周囲に入れて二つの円
板状の記録媒体をサンドイツチにして接合した記
録媒体を得た。 これに、ポリカーボネート板側より波長830n
mのビーム径1.6μmの半導体レーザビームを照射
面で6mWで照射し0.7μ秒の照射(4.2nJ/sec)
で直径0.9μmのピツトが形成された。 この記録媒体を室内光中80℃、90%で2ケ月保
存したが記録および読み出しの特性の劣化は殆ど
なかつた。 実施例 8 例示化合物(2) 1.0g ポリビニルホルマール 0.7g ジクロルメタン 12ml 上記組成の溶液をアルミニウムを0.08μmの厚
さに蒸着したポリカーボネート樹脂板に回転塗布
し、厚さ0.6μmの光吸収層を得た。波長830nmに
おける反射率および吸収率は16%および64%であ
つた。この記録媒体に波長830nmの半導体レー
ザを用い照射面エネルギー6mW、ビーム径1.6μ
mで基板側より2MHzの信号を記録したところ
0.5μsecの照射時間で(3.0nJ/pit)で直径0.8μm
のピツトが形成された。この記録媒体を60℃、湿
度90%で1ケ月保存後も記録特性および記録され
たピツトの再生特性が劣化しなかつた。 実施例 9 ニトロセルロース 0.4g ジクロルメタン 10ml 上記組成の液をアクリル板に回転塗布し下引き
層をつくり、これに例示化合物(2)を真空蒸着し
て、厚さ0.2μmの層を得た。これにゼラチン0.5
gを水10mlに溶かした液を回転塗布して厚さ0.5μ
mの保護層をつけた。基板側より830nmの波長
のレーザビームを実施例5と同様に照射し、0.5μ
秒の照射(2.0nJ/pit)で直径0.9μmのピツトが
形成された。この記録媒体を室内光中で、温度60
℃、湿度90%で1ケ月保存したが特性には変化が
なかつた。 実施例 10 2−アニリノ−3−メチル−6−N−シクロヘ
キシル−N−メチルアミノフルオラン2.4部、2
−アニリノ−3−クロロ−6−ジエチルアミノフ
ルオラン2.4部(発色剤:ロイコ染料)、例示化合
物(3)0.2部をジイソプロピルナフタレン24部に溶
解し、芯物質となる溶液を調製した。 さらにキシリレンジイソシアネート・トリメチ
ロールプロパン(3:1)付加物18部とメチレン
クロライド17部を添加し、溶解した。 この発色剤の溶液を、ポリビニルアルコール
3.5部、ゼラチン1.7部および1,4−ジ(ヒドロ
キシエトキシ)ベンゼン2.4部が水58部に溶解し
ている水溶液に添加して20℃の温度で乳化分散さ
せ、平均粒径3μmの乳化液を得た。乳化液に水
100部を加えて撹拌しながら60℃に加温し、2時
間後に発色剤、着色防止剤および紫外線吸収剤を
芯物質に含有するマイクロカプセル液を得た。 別に、顕色剤としてビスフエノールA20部を5
%ポリビニルアルコール水溶液100部に加えてサ
ンドミルで約24時間分散し、平均3μmのビスフ
エノールAの分散液を得た。 得られたマイクロカプセル液5部およびビスフ
エノールA分散液3部を混合して塗布液とした。
この塗布液を平滑な上質紙(50g/m2)の表面に
塗布し、40℃の温度で30分間乾燥して、乾燥重量
が7g/m2の感熱記録層を設けた。 このようにして、マイクロカプセルに含有され
てなる感熱記録シートAを製造した。 また別に例示化合物(3)を添加しない感熱記録シ
ートBを作製した。 次に、得られた各感熱記録シートを用いて感熱
記録を行なつた。 感熱記録シートをGモード感熱プリンター
(パナフアツクス7200、日立製作所(株)製)に装填
し、サーマルヘツドを作動させて記録シート上に
熱記録したところ下記のようにいずれの感熱記録
シートにも黒色の鮮明な画像が得られた。 感熱記録 感熱記録 シートA シートB (例示化合物有) (例示化合物無) 発色濃度 1.20 1.09 着色(カブ リ)濃度 0.11 1.10

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、R1〜R4はアルキル基またはアリール基
    を示し、Rは水素原子またはメチル基を示し、n
    は1〜4の整数を示す。)で表わされる四級ホス
    ホニウムビス(1,2−ベンゼンジチオラト)ニ
    ツケレート誘導体及び結合剤を含有することを特
    徴とする赤外線吸収性組成物(ただし光学フイル
    ター材を除く。)。
JP61000100A 1986-01-04 1986-01-04 赤外線吸収性組成物 Granted JPS62158779A (ja)

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US4942141A (en) * 1989-06-16 1990-07-17 Eastman Kodak Company Infrared absorbing squarylium dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
US5036040A (en) * 1989-06-20 1991-07-30 Eastman Kodak Company Infrared absorbing nickel-dithiolene dye complexes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer
JP4826636B2 (ja) * 2009-01-19 2011-11-30 ソニー株式会社 光情報記録媒体

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