JPH0519088B2 - - Google Patents
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- JPH0519088B2 JPH0519088B2 JP62166176A JP16617687A JPH0519088B2 JP H0519088 B2 JPH0519088 B2 JP H0519088B2 JP 62166176 A JP62166176 A JP 62166176A JP 16617687 A JP16617687 A JP 16617687A JP H0519088 B2 JPH0519088 B2 JP H0519088B2
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- pressure
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- shell
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0001—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
- G01L9/0008—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations
- G01L9/0022—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、シリコンの単結晶を用いて形成され
た中空室に配置されたシリコンの振動梁の測定圧
力に対応した歪みを周波数信号として検出する振
動形トランスデユーサの製造方法に係り、特にこ
の中空室の中を真空にして良好な共振状態を作る
ための真空状態の形成方法を改良した振動形トラ
ンスデユーサの製造方法に関する。
た中空室に配置されたシリコンの振動梁の測定圧
力に対応した歪みを周波数信号として検出する振
動形トランスデユーサの製造方法に係り、特にこ
の中空室の中を真空にして良好な共振状態を作る
ための真空状態の形成方法を改良した振動形トラ
ンスデユーサの製造方法に関する。
〈従来の技術〉
シリコンの受圧ダイアフラムの上に形成されて
両端が固定され励振手段で励振された振動梁の共
振周波数の変化から測定圧力が検出される形式の
この発明の改良のベースとなる振動形トランスデ
ユーサは、例えば特願昭59−42632号「圧力セン
サ」に開示されている。
両端が固定され励振手段で励振された振動梁の共
振周波数の変化から測定圧力が検出される形式の
この発明の改良のベースとなる振動形トランスデ
ユーサは、例えば特願昭59−42632号「圧力セン
サ」に開示されている。
この振動形トランスデユーサについて、第４図
から第６図を用いてその概要を説明する。
から第６図を用いてその概要を説明する。
第４図はこの従来の圧力センサのカバーをとつ
た構成を示す斜視図、第５図は第４図におけるＸ
−Ｘ断面におけるカバーをつけた断面図、第６図
は一部を省略した平面図である。
た構成を示す斜視図、第５図は第４図におけるＸ
−Ｘ断面におけるカバーをつけた断面図、第６図
は一部を省略した平面図である。
これ等の図において、１は円筒状のシリコン基
板であり、２はこのシリコン基板１の中央を掘つ
て薄肉部を形成して測定圧力Pmを受ける受圧部
とした受圧ダイアフラムであり、例えばシリコン
基板１をエツチングして作られる。
板であり、２はこのシリコン基板１の中央を掘つ
て薄肉部を形成して測定圧力Pmを受ける受圧部
とした受圧ダイアフラムであり、例えばシリコン
基板１をエツチングして作られる。
３，４は受圧ダイアフラム２の上に形成され、
両端がシリコン基板１に固定された振動梁であ
り、振動梁３は受圧ダイアフラム２のほぼ中央部
に、振動梁４は受圧ダイアフラム２の周辺部にそ
れぞれ位置している。
両端がシリコン基板１に固定された振動梁であ
り、振動梁３は受圧ダイアフラム２のほぼ中央部
に、振動梁４は受圧ダイアフラム２の周辺部にそ
れぞれ位置している。
これ等の振動梁３，４は、具体的には例えばｎ
形シリコン基板１の上に第１のP+形エピタキシ
ヤル層を形成し、その中央部を切込んで電気的に
左右を分離し、この上にｎ形エピタキシヤル層を
形成した後、さらにP+形エピタキシヤル層を形
成してこの上を酸化膜SiO2で保護する。そして
振動梁３の下部の空洞部５はこのｎ形エピタキシ
ヤル層をアンダーエツチングで形成する。
形シリコン基板１の上に第１のP+形エピタキシ
ヤル層を形成し、その中央部を切込んで電気的に
左右を分離し、この上にｎ形エピタキシヤル層を
形成した後、さらにP+形エピタキシヤル層を形
成してこの上を酸化膜SiO2で保護する。そして
振動梁３の下部の空洞部５はこのｎ形エピタキシ
ヤル層をアンダーエツチングで形成する。
このようにして形成された振動梁３は、例えば
長さをｌ、厚さをｈ、幅をｄとすれば、ｌ＝
100μm、ｈ＝1μm、ｄ＝5μmの程度の大きさであ
る。
長さをｌ、厚さをｈ、幅をｄとすれば、ｌ＝
100μm、ｈ＝1μm、ｄ＝5μmの程度の大きさであ
る。
受圧ダイアフラム２の上に形成された振動梁３
の周囲は、例えばシリコンのカバー６を受圧ダイ
アフラム２に陽極接合などで接合して覆い、この
内部空間７を真空状態に保持する。なお、図示し
ていないが振動梁４側も同じ様に形成する。
の周囲は、例えばシリコンのカバー６を受圧ダイ
アフラム２に陽極接合などで接合して覆い、この
内部空間７を真空状態に保持する。なお、図示し
ていないが振動梁４側も同じ様に形成する。
この振動梁３、カバー６、空洞部５、内部空間
７などで振動形トランスデユーサの検出部Ｄを形
成している。
７などで振動形トランスデユーサの検出部Ｄを形
成している。
以上の構成において、第２のP+形エピタキシ
ヤル層である振動梁３，４に対して第１の左右の
P+形エピタキシヤル層の間に発振回路を接続し
て発振を起こさせると、振動梁３，４はその固有
振動数で自励発振を起こす。
ヤル層である振動梁３，４に対して第１の左右の
P+形エピタキシヤル層の間に発振回路を接続し
て発振を起こさせると、振動梁３，４はその固有
振動数で自励発振を起こす。
この場合、カバー６の内部空間７が真空状態に
され振動梁３の真空の中に保持されるので、共振
の鋭さを示すＱ値が大きくなり、共振周波数の検
出が容易となる。
され振動梁３の真空の中に保持されるので、共振
の鋭さを示すＱ値が大きくなり、共振周波数の検
出が容易となる。
この自励発振の周波数は振動梁に印加される引
張或いは圧縮応力に対応して互いに逆方向に変化
する。第５図に示すように測定圧力Pmが受圧ダ
イアフラム２に印加されると振動梁３は引張応
力、振動梁４は圧縮応力を受ける。
張或いは圧縮応力に対応して互いに逆方向に変化
する。第５図に示すように測定圧力Pmが受圧ダ
イアフラム２に印加されると振動梁３は引張応
力、振動梁４は圧縮応力を受ける。
したがつて、振動梁３と４の固有振動数は測定
圧力に対して差動的に変化し、これ等の差を演算
することによつて、２倍の感度で測定圧力Pmを
知ることができる。
圧力に対して差動的に変化し、これ等の差を演算
することによつて、２倍の感度で測定圧力Pmを
知ることができる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、この様な従来の振動形トランス
デユーサの製造方法では、薄肉の受圧ダイアフラ
ム２の上に形成された振動梁３の上部に別に作ら
れたシリコンのカバー５を陽極接合などで接合
し、カバー５と受圧ダイアフラム２とで形成され
た内部の空間を真空に引かなければならないの
で、振動形トランスデユーサの圧力特性或いは温
度特性が悪くなり精度低下の原因をなすという問
題がある。さらに、陽極接合を行なうためには高
温に、例えば450℃以上に保持する必要があり、
このため熱膨張の問題が生じ安定な加工が出来な
いという問題がある。
デユーサの製造方法では、薄肉の受圧ダイアフラ
ム２の上に形成された振動梁３の上部に別に作ら
れたシリコンのカバー５を陽極接合などで接合
し、カバー５と受圧ダイアフラム２とで形成され
た内部の空間を真空に引かなければならないの
で、振動形トランスデユーサの圧力特性或いは温
度特性が悪くなり精度低下の原因をなすという問
題がある。さらに、陽極接合を行なうためには高
温に、例えば450℃以上に保持する必要があり、
このため熱膨張の問題が生じ安定な加工が出来な
いという問題がある。
〈問題点を解決するための手段〉
この発明は、以上の問題点を解決するために、
以下の各ステツプを踏む製造方法としてものであ
る。
以下の各ステツプを踏む製造方法としてものであ
る。
シリコン単結晶基板の上に保護膜を形成し、
この後でパターンが形成されたマスクを用いて
先の保護膜の一部に開口部を設け、次にこの開
口部に対応する凹部を先の基板に形成し、 この凹部の上に先の基板の伝導形式とは反対
の伝導形式を持つ隙間対応部の下半分をエピタ
キシヤル成長により形成し、この上に所定の濃
度に調整された振動子対応部を形成しさらにこ
の振動子対応部と先の保護膜との上に先の隙間
対応部の上半分をエピタキシヤル成長により形
成し、更にこれ等の上にシエル相当部をエピタ
キシヤル成長により一体に形成し、 次に、先の保護膜をエツチングすることによ
り先の隙間対応部に達するエツチング液の注入
口を先のシエル相当部に形成し、この後、先の
隙間対応部をエツチングにより除去して振動子
を形成し、 この後、圧力を10-6Torr以下にした状態で
特定の気体を用いて先の注入口を封じてシエル
を形成し、先の振動子の周囲が10-1〜
10-5Torr程度の圧力に保持された状態とする。
この後でパターンが形成されたマスクを用いて
先の保護膜の一部に開口部を設け、次にこの開
口部に対応する凹部を先の基板に形成し、 この凹部の上に先の基板の伝導形式とは反対
の伝導形式を持つ隙間対応部の下半分をエピタ
キシヤル成長により形成し、この上に所定の濃
度に調整された振動子対応部を形成しさらにこ
の振動子対応部と先の保護膜との上に先の隙間
対応部の上半分をエピタキシヤル成長により形
成し、更にこれ等の上にシエル相当部をエピタ
キシヤル成長により一体に形成し、 次に、先の保護膜をエツチングすることによ
り先の隙間対応部に達するエツチング液の注入
口を先のシエル相当部に形成し、この後、先の
隙間対応部をエツチングにより除去して振動子
を形成し、 この後、圧力を10-6Torr以下にした状態で
特定の気体を用いて先の注入口を封じてシエル
を形成し、先の振動子の周囲が10-1〜
10-5Torr程度の圧力に保持された状態とする。
〈作用〉
先のからの各ステツプを踏むことにより、
基板にシエルとこれに覆われた振動子が一体に固
定され、先の注入口は特定の気体を用いて封じら
れて内部が所定の真空状態に保持されるので、圧
力特性及び温度特性の優れた振動形トランスデユ
ーサとなる。
基板にシエルとこれに覆われた振動子が一体に固
定され、先の注入口は特定の気体を用いて封じら
れて内部が所定の真空状態に保持されるので、圧
力特性及び温度特性の優れた振動形トランスデユ
ーサとなる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例について図面に基づいて
説明する。第１図は本発明の振動形トランスデユ
ーサの要部である検出部の製造工程を示す工程図
である。これは第５図における検出部Ｄに対応す
る振動梁の軸方向の断面で示した検出部D′の工
程を示している。
説明する。第１図は本発明の振動形トランスデユ
ーサの要部である検出部の製造工程を示す工程図
である。これは第５図における検出部Ｄに対応す
る振動梁の軸方向の断面で示した検出部D′の工
程を示している。
第１図イは検出部D′を作るためのベースとな
るｎ形のシリコン基板８を示す。
るｎ形のシリコン基板８を示す。
次に、このシリコン基板８を熱酸化してその表
面に酸化膜（SiO2）９を形成する（第１図ロ） さらに、第１図ハの工程でこの酸化膜９の中央
部を紙面に垂直方向にフオトエツチングして、溝
１０を形成する。
面に酸化膜（SiO2）９を形成する（第１図ロ） さらに、第１図ハの工程でこの酸化膜９の中央
部を紙面に垂直方向にフオトエツチングして、溝
１０を形成する。
第１図ニの工程では、1050℃の温度で水素ガス
H2に塩酸HClを混合した雰囲気でエツチングを
することによりシリコン基板８に溝１０を介して
溝１１を形成する。
H2に塩酸HClを混合した雰囲気でエツチングを
することによりシリコン基板８に溝１０を介して
溝１１を形成する。
次に、第１図ホに示すように、溝１１の中に
1050℃の温度で水素ガスH2の雰囲気中で1018cm-3
の濃度のホウ素（Ｐ形）を選択エピタキシヤルし
て第１エピ層１２を形成する。
1050℃の温度で水素ガスH2の雰囲気中で1018cm-3
の濃度のホウ素（Ｐ形）を選択エピタキシヤルし
て第１エピ層１２を形成する。
この後、第１図ヘに示すように、第１エピ層１
２の上に1050℃の温度で水素ガスH2の雰囲気中
で1020cm-3の濃度のホウ素（Ｐ形）を選択エピタ
キシヤルして振動梁１３となる第２エピ層１４を
形成する。
２の上に1050℃の温度で水素ガスH2の雰囲気中
で1020cm-3の濃度のホウ素（Ｐ形）を選択エピタ
キシヤルして振動梁１３となる第２エピ層１４を
形成する。
振動梁１３は測定圧力Pmがゼロの状態でも初
期張力を与えておかないと測定圧力Pmの印加に
より座屈を起こして測定できない状態となる。ま
た、シリコンの共有結合半径は1.17Åであり、ホ
ウ素のそれは0.88Åであるので、ホウ素が部分的
にシリコンの中に注入されるとその部分は引張歪
を受ける。
期張力を与えておかないと測定圧力Pmの印加に
より座屈を起こして測定できない状態となる。ま
た、シリコンの共有結合半径は1.17Åであり、ホ
ウ素のそれは0.88Åであるので、ホウ素が部分的
にシリコンの中に注入されるとその部分は引張歪
を受ける。
そこで、この現象を利用して例えば第２エピ層
１４のホウ素の濃度を調整することによりここに
初期張力を与えるか、或いはｎ形のシリコン基板
８の中のリン（共有結合半径は1.10Å）濃度を調
整してシリコン基板８と第２エピ層１４との相対
歪みを考慮して初期張力を与えるようにする。
１４のホウ素の濃度を調整することによりここに
初期張力を与えるか、或いはｎ形のシリコン基板
８の中のリン（共有結合半径は1.10Å）濃度を調
整してシリコン基板８と第２エピ層１４との相対
歪みを考慮して初期張力を与えるようにする。
次に、第１図トに示すように、第２エピ層１４
の上に1050℃の温度で水素ガスH2の雰囲気中で、
1018cm-3の濃度のホウ素（Ｐ形）を選択エピタキ
シヤルして第３エピ層１５を形成する。
の上に1050℃の温度で水素ガスH2の雰囲気中で、
1018cm-3の濃度のホウ素（Ｐ形）を選択エピタキ
シヤルして第３エピ層１５を形成する。
更に、第１図チに示すように、第３エピ層１５
の上に1050℃の温度で水素ガスH2の雰囲気中で、
1017cm-3の濃度のリン（ｎ形）を選択エピタキシ
ヤルして第４エピ層１６を形成する。
の上に1050℃の温度で水素ガスH2の雰囲気中で、
1017cm-3の濃度のリン（ｎ形）を選択エピタキシ
ヤルして第４エピ層１６を形成する。
第１図リは、第１図チに示す選択エピタキシヤ
ルの工程の後にSiO2の酸化膜９を弗化水素HFで
エツチングして除去（工程は図示せず）した状態
において、第１エピ層１２と第３エピ層１５を除
去するエツチング工程を示している。
ルの工程の後にSiO2の酸化膜９を弗化水素HFで
エツチングして除去（工程は図示せず）した状態
において、第１エピ層１２と第３エピ層１５を除
去するエツチング工程を示している。
このエツチング工程では、図示していないが、
アルカリの液中に全体が浸積されており、ｎ形の
シリコン基板８と第４エピ素１６がｐ形の第２エ
ピ層１４に対してプラスの電位となるように直流
パルス電源１７からピーク値が5Vで繰返し周期
が0.04Hz程度の正のパルス電圧が印加されてい
る。この電圧印加によりｎ形のシリコン基板８と
第４エピ層１６はその表面に不溶性膜が形成され
て不働態化される結果そのエツチング速度が第１
エピ層１２と第３エピ層１５に対して大幅に遅く
なるので、これを利用して第１エピ層１２と第３
エピ層１５を除去する。さらに、第２エピ層１４
はドープされたホウ素の濃度が４×1019より大き
いときにはエツチング速度がドープされないシリ
コンの場合の通常の速度から大幅に遅れる現象を
利用して、第２エピ層１４を残して全体として第
１図ヌに示すように一部に開口部１８をもち、さ
らにシリコン基板８と第２エピ層１４との間に間
隙を持つように形成される。
アルカリの液中に全体が浸積されており、ｎ形の
シリコン基板８と第４エピ素１６がｐ形の第２エ
ピ層１４に対してプラスの電位となるように直流
パルス電源１７からピーク値が5Vで繰返し周期
が0.04Hz程度の正のパルス電圧が印加されてい
る。この電圧印加によりｎ形のシリコン基板８と
第４エピ層１６はその表面に不溶性膜が形成され
て不働態化される結果そのエツチング速度が第１
エピ層１２と第３エピ層１５に対して大幅に遅く
なるので、これを利用して第１エピ層１２と第３
エピ層１５を除去する。さらに、第２エピ層１４
はドープされたホウ素の濃度が４×1019より大き
いときにはエツチング速度がドープされないシリ
コンの場合の通常の速度から大幅に遅れる現象を
利用して、第２エピ層１４を残して全体として第
１図ヌに示すように一部に開口部１８をもち、さ
らにシリコン基板８と第２エピ層１４との間に間
隙を持つように形成される。
第１図ルは、開口部１８を封じる封止工程を示
す。全体をスパツタ装置１９の中に入れ、その内
部を10-6Torr程度の真空状態にした後、アルゴ
ン（Ar）、ヘリウム（He）、或いはネオン（Ne）
などを10-3Torr程度スパツタ装置１９の中に入
れ、シリコン（Si）或いは２酸化珪素（SiO2）
などをスパツタして、開口部１８を埋める。
す。全体をスパツタ装置１９の中に入れ、その内
部を10-6Torr程度の真空状態にした後、アルゴ
ン（Ar）、ヘリウム（He）、或いはネオン（Ne）
などを10-3Torr程度スパツタ装置１９の中に入
れ、シリコン（Si）或いは２酸化珪素（SiO2）
などをスパツタして、開口部１８を埋める。
第１図オは、開口部１８を封止した結果を示
す。第２エピ層１４は振動梁１３としてその両端
がシリコン基板８に一体に固定され、それ以外は
所定の間隙を保持して形成されている。振動梁１
３の上部はシエル２０で覆われ、内部に中空室２
１が形成されている。この中空室２１は真空状態
で形成されたので、真空になつている。
す。第２エピ層１４は振動梁１３としてその両端
がシリコン基板８に一体に固定され、それ以外は
所定の間隙を保持して形成されている。振動梁１
３の上部はシエル２０で覆われ、内部に中空室２
１が形成されている。この中空室２１は真空状態
で形成されたので、真空になつている。
第２図は第１図に示す工程の一部を変更した工
程図である。
程図である。
第１図イ〜ヌまでの工程は同一であり、この後
に第２図イの工程に移る。
に第２図イの工程に移る。
第３図イの工程は第１図ヌの工程で、エツチン
グにより開口部１８を形成したが、この開口部１
８を封じる他の封止工程である。第１図ヌで得ら
れたものをプラズマCVD装置２２の中に入れ、
その内部を10-6Torr程度の真空状態にした後、
水素（H2）とシラン（SiH4）を入れてプラズマ
励起によりシランを分解して開口部１８をアモル
フアス、多結晶、或いは単結晶のシリコンで埋め
て10-2〜10-3Torrの真空に封止する。
グにより開口部１８を形成したが、この開口部１
８を封じる他の封止工程である。第１図ヌで得ら
れたものをプラズマCVD装置２２の中に入れ、
その内部を10-6Torr程度の真空状態にした後、
水素（H2）とシラン（SiH4）を入れてプラズマ
励起によりシランを分解して開口部１８をアモル
フアス、多結晶、或いは単結晶のシリコンで埋め
て10-2〜10-3Torrの真空に封止する。
第２図ロはこのようにして封止された結果を示
す。第２エピ層１４は振動梁１３としてその両端
がシリコン基板８に一体に固定され、それ以外は
所定の間隙を保持して形成されている。振動梁１
３の上部はシエル２３で覆われ、内部に中空室２
１が形成されている。この中空室２１は真空状態
で形成されたので、真空状態になつている。
す。第２エピ層１４は振動梁１３としてその両端
がシリコン基板８に一体に固定され、それ以外は
所定の間隙を保持して形成されている。振動梁１
３の上部はシエル２３で覆われ、内部に中空室２
１が形成されている。この中空室２１は真空状態
で形成されたので、真空状態になつている。
第３図イの工程は第１図ヌの工程で、エツチン
グにより開口部１８を形成したが、この開口部１
８を封じる第３の封止工程である。第１図ヌで得
られたものを分子線エピタキシヤル装置２４の中
に入れ、その内部を超高真空状態にした後、蒸発
源から蒸発させたシリコンをシリコン基板８など
にビーム状にして放射させてエピタキシヤル成長
させて開口部１８を封止する。
グにより開口部１８を形成したが、この開口部１
８を封じる第３の封止工程である。第１図ヌで得
られたものを分子線エピタキシヤル装置２４の中
に入れ、その内部を超高真空状態にした後、蒸発
源から蒸発させたシリコンをシリコン基板８など
にビーム状にして放射させてエピタキシヤル成長
させて開口部１８を封止する。
第３図ロはこのようにして封止された結果を示
す。第２エピ層１４は振動梁１３としてその両端
がシリコン基板８に一体に固定され、それ以外は
所定の間隙を保持して形成されている。振動梁１
３の上部はシエル２５で覆われ、内部に中空室２
１が形成されている。この中空室２１は超高真空
状態で形成されたので、超高真空になつている。
す。第２エピ層１４は振動梁１３としてその両端
がシリコン基板８に一体に固定され、それ以外は
所定の間隙を保持して形成されている。振動梁１
３の上部はシエル２５で覆われ、内部に中空室２
１が形成されている。この中空室２１は超高真空
状態で形成されたので、超高真空になつている。
〈発明の効果〉
以上、実施例と共に具体的に説明したように本
発明による製造方法によれば、シリコン基板に対
して所定の間隙を保持して振動梁を一体に形成し
た後、圧力を10-6Torr以下にした状態で特定の
気体を用いて注入口を封じてシエルを形成し、振
動梁の周囲が10-1〜10-5Torr程度の圧力に保持
された状態とするようにしたので、圧力特性及び
温度特性の優れた振動形トランスデユーサを実現
することができる。さらに、特定の気体を用いて
注入口を封じる工程を経ることにより200℃以下
の低温での加工ができるので、熱膨張による特性
変化も少ない。
発明による製造方法によれば、シリコン基板に対
して所定の間隙を保持して振動梁を一体に形成し
た後、圧力を10-6Torr以下にした状態で特定の
気体を用いて注入口を封じてシエルを形成し、振
動梁の周囲が10-1〜10-5Torr程度の圧力に保持
された状態とするようにしたので、圧力特性及び
温度特性の優れた振動形トランスデユーサを実現
することができる。さらに、特定の気体を用いて
注入口を封じる工程を経ることにより200℃以下
の低温での加工ができるので、熱膨張による特性
変化も少ない。
第１図は本発明の要部の製造工程を示す工程
図、第２図は第１図における工程の１部を変更し
た製造工程を示す工程図、第３図は第１図の工程
の更に他の一部を変更した製造工程を示す工程
図、第４図は従来の圧力センサの検出部のカバー
をとつた構成を示す斜視図、第５図は第４図にお
けるＸ−Ｘ断面におけるカバーをつけた断面図、
第６図は一部を省略した平面図である。 １…シリコン基板、２…受圧ダイアフラム、
３，４…振動梁、５…空洞部、６…カバー、７…
内部空間、８…シリコン基板、１２…第１エピ
層、１３…振動梁、１４…第２エピ層、１５…第
３エピ層、１６…第４エピ層、１８…開口部、１
９…スパツタ装置、２０，２３，２５…シエル、
２１…中空室、２２…プラズマCVD装置、２４
…分子線エピタキシヤル装置。
図、第２図は第１図における工程の１部を変更し
た製造工程を示す工程図、第３図は第１図の工程
の更に他の一部を変更した製造工程を示す工程
図、第４図は従来の圧力センサの検出部のカバー
をとつた構成を示す斜視図、第５図は第４図にお
けるＸ−Ｘ断面におけるカバーをつけた断面図、
第６図は一部を省略した平面図である。 １…シリコン基板、２…受圧ダイアフラム、
３，４…振動梁、５…空洞部、６…カバー、７…
内部空間、８…シリコン基板、１２…第１エピ
層、１３…振動梁、１４…第２エピ層、１５…第
３エピ層、１６…第４エピ層、１８…開口部、１
９…スパツタ装置、２０，２３，２５…シエル、
２１…中空室、２２…プラズマCVD装置、２４
…分子線エピタキシヤル装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコン単結晶基板の上に保護膜を形成し、
この後でパターンが形成されたマスクを用いて前
記保護膜の一部に開口部を設け、次にこの開口部
に対応する凹部を前記基板に形成し、 ２ この凹部の上に前記基板の伝導形式とは反対
の伝導形式を持つ隙間対応部の下半分をエピタキ
シヤル成長により形成し、この上に所定の濃度に
調整された振動子対応部を形成しさらにこの振動
子対応部と前記保護膜との上に前記隙間対応部の
上半分をエピタキシヤル成長により形成し、更に
これ等の上にシエル相当部をエピタキシヤル成長
により一体に形成し、 ３ 次に、前記保護膜をエツチングすることによ
り前記隙間対応部に達するエツチング液の注入口
を前記シエル相当部に形成し、この後、前記隙間
対応部をエツチングにより除去して振動子を形成
し、 ４ この後、圧力を10-6Torr以下にした状態で
特定の気体を用いて前記注入口を封じてシエルを
形成し、前記振動子の周囲が10-1〜10-5Torr程
度の圧力に保持された状態とする、 各ステツプからなることを特徴とするトランス
デユーサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16617687A JPS6410139A (en) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | Manufacture of vibration type transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16617687A JPS6410139A (en) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | Manufacture of vibration type transducer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6410139A JPS6410139A (en) | 1989-01-13 |
| JPH0519088B2 true JPH0519088B2 (ja) | 1993-03-15 |
Family
ID=15826487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16617687A Granted JPS6410139A (en) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | Manufacture of vibration type transducer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6410139A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03226637A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Yokogawa Electric Corp | 振動子形半導体圧力計 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186725A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 圧力センサ |
| FI75426C (fi) * | 1984-10-11 | 1988-06-09 | Vaisala Oy | Absoluttryckgivare. |
-
1987
- 1987-07-02 JP JP16617687A patent/JPS6410139A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6410139A (en) | 1989-01-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |