JPH0519768B2

JPH0519768B2 -

Info

Publication number: JPH0519768B2
Application number: JP14751686A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Toki
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1986-06-23
Filing date: 1986-06-23
Publication date: 1993-03-17
Also published as: JPS634425A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、フロツピーデイスクや磁気デイスク
の量産を指向したスパツタ装置や蒸着装置などの
成膜装置に用いられる磁界印加装置に関するもの
である。

（従来の技術）垂直磁気記録方式は、記録媒体面に垂直方向の
磁化状態として情報を記録するものであり、従来
の面内記録方式に比べて原理的に短波長特性がす
ぐれ、高密度記録が可能という点で注目されてい
る。

この方式に用いる磁気記録体としては、基体上
に形成した垂直方向（厚さ方向）に磁化容易軸を
持つCoCr合金、バリウムフエライトなどの磁気
記録層（以下垂直磁化膜）、もしくは、この垂直
磁化膜と基体との間に、NiFe合金等の高透磁率
磁性層を有する２層膜が知られている。

又、磁気ヘツドとしては、高透磁率磁性膜から
成る短冊状の否磁極と、記録再生用巻線を有し、
かつ主磁極より十分厚い磁性体から成る補助磁極
とを、記録体を挾んで配置したもの、もしくは、
記録体の片面側だけで、記録再生ができる様に、
短冊状の主磁極に記録再生用巻線を施したもの等
が用いられる。そして、これらの磁気ヘツドを用
いる場合には、先述した２層膜を用いることによ
つて記録再生効率が向上することが知られてお
り、基体と垂直磁化膜との間に設けた高透磁率磁
性層の効果が注目されている。

これは、高透磁率磁性層が、記録体の構成要素
でありながら、磁気ヘツツドの一部分と見なすこ
とができ、それが、垂直磁化膜に近接して設けら
れた効果と考えることができるからである。従つ
て、２層膜を用いた場合の記録再生効率は、この
高透磁率磁性層の特性によつても、影響を受ける
ので、媒体作製に当つて新たなな問題を生じてい
る。

従来、フロツピーデイスク用に、２層膜を量産
する場合には、第４図に示す様な連続スパツタ装
置もしくは、同様構成の連続蒸着装置が用いられ
る。基板ホルダー８に沿つた長尺状の基体１をロ
ール２，３で巻き取ることによつて、ホルダー
５，７上のそれぞれFeNi合金４とCoCr合金６の
ターゲツトもしくは、ルツボ上を、成膜しながら
平行移動させることによつて、２層膜が形成され
る。フロツピーデイスクは、この長尺状に形成さ
れた２層膜をドーナツ状に打ち抜くことによつ
て、得られる。

（発明が解決しようとする問題点）この様にして得られたフロツピデイスクの高透
磁率磁性層は、スパツタリングや蒸着等による成
膜時に、誘導磁気異方性によつて、通常第５図に
示す様に一軸方向（ｙ軸方向）に磁化容易軸を有
する異方性を生じたり、あるいは、分散的な磁気
特性を呈する。前者の場合ドーナツ円板上の場所
によつて記録再生効率の違いを生じる。つまり、
記録位置における高透磁率磁性層の異方性が、第
５図のＡやＣに示す様に、磁気ヘツド走向方向に
対して垂直方向の場合、すなわち高透磁率磁性層
の困難軸方向が磁気ヘツドと平行の場合、その透
磁率は、広い周波数領域で高いので、記録再生効
率の向上も顕著であるが第５図のＢやＤに示す様
に、高透磁率磁性層の磁化容易軸方向が磁気ヘツ
ド走行方向に対する垂直方向から傾くにつれて透
磁率が低下するので、記録再生効率もあまり向上
しなくなる。また、高透磁率磁性層の磁気特性が
分散的な場合にも、その透過率はあまり高くでき
ないので、記録再生効率の向上も十分ではない。

さらにドーナツ円板の場所によつて高透磁率磁
性層の磁気特性が変化している場合には、たとえ
垂直磁化膜の特性が均一であつても、ドーナツ円
板一周における再生出力の変動を生じる。

本発明の目的は、以上の様な問題点を解決し、
ドーナツ状円板全面において、記録再生効率が向
上した２層膜から成る垂直磁気記録体を量産でき
る様に、成膜装置を改良することにある。

（問題点を解決するための手段）本発明はベルトと、ベルト駆動部と、ベルトに
形成される第１の永久磁石と、同じくベルトに形
成され第１の永久磁石を中心にリング状に配置さ
れ第１の永久磁石を中心に放射状の磁界を発生さ
せる第２の永久磁石とを備えたことを特徴とする
磁界印加装置である。

（作用）高透磁率磁性層成膜時に、一定間隔おきに発生
している放射状磁界が印加されるため、この高透
磁率磁性層は、長尺状基体の一定間隔おきに、磁
化容易軸を、放射状に有する様にできる。従つ
て、この間隔にそつてドーーナツ状円板に打ち抜
けば、ドーナツ円板状の基体上に高透磁率磁性
層、次いで膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有す
る磁性層の順に形成して成る垂直磁気記録体にお
いて、前記高透磁率磁性層は、磁化容易軸をドー
ナツ状円板の半径方向に放射状に有する様にでき
る。この結果、磁気ヘツドの位置がドーナツ状円
板のどの位置にあつても、一様に高い記録再生効
率が得られ、全体として該動作の少ない、フロツ
ピーデイスクや磁気デイスクが得られる。

（実施例）第１図は、本発明による磁界印加装置１１を用
いた連続スパツタ装置の構成を模式的に示したも
のである。この図では繁雑さを避けるためにスパ
ツタチヤンバの中身の主なものだけを示してあ
る。これによればNiFe合金の様な高透磁率磁性
体から成るターゲツト１４とCoCr合金やバリウ
ムフエライト等のターゲツト１６とがそれぞれタ
ーゲツトホルダ１５及び１７に固定されて、互い
にほぼ平行に配設されれている。各々のターゲツ
トは、図には示していないが、マツチングボツク
スを介して高周波電源に接続されている。一方、
この両ターゲツトに対向する様に、所定の距離隔
てて、もう一方の電極となる基板ホルダ１８が配
設され、これにそつて長尺状の基体１９が送り出
しロール１２と巻き取りロール１３の間にセツト
されている。そして、この基体ホルダ裏面で、し
かも前記高透磁率磁性体から成るターゲツトの真
上に相当する位置に、本発明になる磁界印加装置
１１が配設されている。磁界印加装置１１は一定
間隔で円柱状の永久磁石２１とリング状の永久磁
石２０がうめこまれたベルト２２と、このベルト
を基体の走向と同じ速度で走向させる駆動ロール
２３，２４とより成る。第２図は磁界印加装置の
磁界発生部分を拡大したものであり、ベルト２２
の幅の中央部に、垂直方向に着磁した円柱状永久
磁石２１と、この中心から半径Ｒの位置に、前記
円柱状永久磁石２１と逆向きに着磁した永久磁石
２０が、リング状に埋めてまれている。これらの
永久磁石によつて、基体１９には、数十エルステ
ツド以上の放射状直流磁界２５が一定間隔Ｌで印
加されている。

この様な構成によつて、基体１９上には、送り
出しロール１２から前記基板ホルダ１８にそつ
て、一定速度で送り出され、巻き取りロール１３
に巻き取られながら、高透磁率磁性層及び垂直磁
化膜のスパツタリングが行われる。例えば高透磁
率磁性層として0.5〓ｍ厚のNiFe合金、垂直磁化
膜として0.5〓ｍのCoCr合金膜を順次形成する場
合には前記基体１９及びベルト２２を、約５cm／
mmで移動させながら、次の条件でスパツタリング
が行われる。

バツクグラウンドガス圧 10^-6Torr以下スパツタパワー密度 0.05w／cm² アルゴンガス圧４×10^-3Torr 電極間隔 40mm 基体移動速度５cm／min ベルト移動速度５cm／min 長尺状の基体１９としては、厚さ数十ミクロン
のポリエステルやポリイミドやポリアミド等が用
いられる。永久磁石２０，２１としては、アルニ
コ磁石が用いられる。永久磁石のベルトへの埋め
込み間隔Ｌ及び半径Ｒは、デイスクサイズにより
選ばれる。例えば５インチデイスクサイズの時
は、間隔Ｌは６〜９インチに、半径Ｒは、３〜４
インチに設定される。

この様にして形成されたNiFe合金層は、磁界
印加手段１１より発生している、基体走向方向一
定間隔で分布した放射磁界によつて、基体上一定
間隔で、放射状に磁化容易軸を有している。次
に、放射状の中心を基準にして、一定間隔で、ド
ーナツ状に打ち抜くことによつて、第３図に示す
様にドーナツ状媒体２６の高透磁率磁性層の磁化
容易軸２７を、ドーナツ状円板の半径方向に放射
状に有する良好な２層膜が得られる。以上の説明
では、基体の平面だけの成膜について述べたが、
裏面への成膜も同様に行われる。

また、第１図に示したスパツタリングターゲツ
ト１４及び１６のかわりに蒸着用のソースを配没
すれば、連続蒸着装置にも同様に、本発明の磁界
印加装置を適用できる。

（発明の効果）本発明によれば、ドーナツ状円板上の全面にお
いて記録再生効率の向上した、２層膜から成る垂
直磁気記録媒体の量産の効率を向上できる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図は本発明の実施例を説
明するための図、第４図、第５図は、従来例を説
明するための図である。図において、１，１９……基体、２，１２……
送り出しロール、３，１３……巻き取りロール、
４，１４………スパツタターゲツト（高透磁率磁
性体）、５，７，１５，１７……ターゲツトホル
ダ、６，１６……スパツタターゲツト（CoCr合
金等）、８，１８……基板ホルダ、９，２６……
ドーナツ円板状媒体、１０，２７……磁化容易軸
方向、１１……磁界印加装置、２０，２１……永
久磁石、２２……ベルト、２３，２４……ベルト
駆動部、２５……磁界である。

Claims

【特許請求の範囲】

１ベルトと、ベルト駆動部と、ベルトに形成さ
れる第１の永久磁石と、同じくベルトに形成され
第１の永久磁石を中心にリング状に配置され第１
の永久磁石を中心に放射状の磁界を発生させる第
２の永久磁石とを備えたことを特徴とする磁界印
加装置。