JPH05198722A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH05198722A JPH05198722A JP4008310A JP831092A JPH05198722A JP H05198722 A JPH05198722 A JP H05198722A JP 4008310 A JP4008310 A JP 4008310A JP 831092 A JP831092 A JP 831092A JP H05198722 A JPH05198722 A JP H05198722A
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、はんだ接合部に生じる熱応力及び
変位を低減して、はんだにクラックが発生するのを防止
し、これにより信頼性を向上させることを目的とするも
のである。 【構成】 実装基板からの高さが封止樹脂６の中央より
高い位置からリード11を封止樹脂６外に突出させ、装置
全体の高さ寸法を大きくすることなく、外部リードの高
さ寸法を大きくした。
変位を低減して、はんだにクラックが発生するのを防止
し、これにより信頼性を向上させることを目的とするも
のである。 【構成】 実装基板からの高さが封止樹脂６の中央より
高い位置からリード11を封止樹脂６外に突出させ、装置
全体の高さ寸法を大きくすることなく、外部リードの高
さ寸法を大きくした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、表面実装形の半導体
装置に関し、特にそのリードの改善に関するものであ
る。
装置に関し、特にそのリードの改善に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図２９は従来の表面実装形の半導体装置
（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の一
例の実装状態を示す断面図、図３０は図２９の半導体装
置の側面図である。図において、ダイパッド１上には、
ダイボンド材２を介して半導体素子３が搭載されてい
る。この半導体素子３の電極には、それぞれ金線４を介
してガルウイング形のリード５が電気的に接続されてい
る。
（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の一
例の実装状態を示す断面図、図３０は図２９の半導体装
置の側面図である。図において、ダイパッド１上には、
ダイボンド材２を介して半導体素子３が搭載されてい
る。この半導体素子３の電極には、それぞれ金線４を介
してガルウイング形のリード５が電気的に接続されてい
る。
【０００３】これらダイパッド１，半導体素子３，金線
４及びリード５の一部は、封止樹脂６により樹脂封止さ
れている。リード５は、封止樹脂内に位置する内部リー
ドと、封止樹脂外の外部リードとからなっており、外部
リードの先端部には、はんだ付部５ａが設けられてい
る。この半導体装置は、はんだ付部５ａをはんだ７によ
り実装基板８にボールボンド接合することによって、実
装基板８上に実装されている。
４及びリード５の一部は、封止樹脂６により樹脂封止さ
れている。リード５は、封止樹脂内に位置する内部リー
ドと、封止樹脂外の外部リードとからなっており、外部
リードの先端部には、はんだ付部５ａが設けられてい
る。この半導体装置は、はんだ付部５ａをはんだ７によ
り実装基板８にボールボンド接合することによって、実
装基板８上に実装されている。
【０００４】上記のような従来の半導体装置において
は、全体の高さ寸法Ｈと、リード５が封止樹脂（外装モ
ールド）６から突出する位置の高さ、即ち外部リードの
高さ寸法ｈとの関係が、Ｈ＞（Ｈ1＋Ｈ2＋Ｈ3）＞ｈと
なっている。また、半導体素子３の上下の封止樹脂６の
厚さであるＨ1とＨ3の差が大きいとパッケージ本体（樹
脂封止部分）に変形（反り）が生じるため、必然的にＨ
1≒Ｈ3とされている。さらに、ダイパッド沈め寸法Ｈ4
を調整することにより、ｈ≒（Ｈ1＋Ｈ2＋Ｈ3）／２と
されている。
は、全体の高さ寸法Ｈと、リード５が封止樹脂（外装モ
ールド）６から突出する位置の高さ、即ち外部リードの
高さ寸法ｈとの関係が、Ｈ＞（Ｈ1＋Ｈ2＋Ｈ3）＞ｈと
なっている。また、半導体素子３の上下の封止樹脂６の
厚さであるＨ1とＨ3の差が大きいとパッケージ本体（樹
脂封止部分）に変形（反り）が生じるため、必然的にＨ
1≒Ｈ3とされている。さらに、ダイパッド沈め寸法Ｈ4
を調整することにより、ｈ≒（Ｈ1＋Ｈ2＋Ｈ3）／２と
されている。
【０００５】次に、図３１は従来の半導体装置の他の例
（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ ｗｉ
ｔｈ Ｉ Ｌｅａｄ）を示す側面図、図３２はさらに他
の例（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ
ｗｉｔｈ Ｊ Ｌｅａｄ）を示す側面図であり、それぞ
れＩ形，Ｊ形のリード９，10を有している。そして、各
リード９，10の先端部には、はんだ付部９ａ，10ａが設
けられている。
（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ ｗｉ
ｔｈ Ｉ Ｌｅａｄ）を示す側面図、図３２はさらに他
の例（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ
ｗｉｔｈ Ｊ Ｌｅａｄ）を示す側面図であり、それぞ
れＩ形，Ｊ形のリード９，10を有している。そして、各
リード９，10の先端部には、はんだ付部９ａ，10ａが設
けられている。
【０００６】ところで、半導体装置の多様化によりパッ
ケージ本体寸法が増大すると、パッケージ本体の熱膨張
係数も変化して、実装基板８の熱膨張係数との差が大き
くなり、はんだ接合部に過大な熱応力が生じる。このよ
うなはんだ接合部の熱応力σ（ｋｇｆ／ｍｍ2）及び変
位は、与える温度差をΔＴとすると、パッケージ本体寸
法Ｌ1（ｍｍ）と、パッケージ本体の熱膨張係数α1（１
／℃）及び実装基板８の熱膨張係数α2の差（α2−
α1）とを変数にとり、Ｌ1×（α2−α1）×ΔＴに比例
して大きくなる。
ケージ本体寸法が増大すると、パッケージ本体の熱膨張
係数も変化して、実装基板８の熱膨張係数との差が大き
くなり、はんだ接合部に過大な熱応力が生じる。このよ
うなはんだ接合部の熱応力σ（ｋｇｆ／ｍｍ2）及び変
位は、与える温度差をΔＴとすると、パッケージ本体寸
法Ｌ1（ｍｍ）と、パッケージ本体の熱膨張係数α1（１
／℃）及び実装基板８の熱膨張係数α2の差（α2−
α1）とを変数にとり、Ｌ1×（α2−α1）×ΔＴに比例
して大きくなる。
【０００７】また、熱応力σ及び変位は、外部リードの
高さ寸法ｈ，形状Ｉ及び弾性係数Ｅに関係しており、熱
応力σ及び変位を緩和するためには、ｈ3／（Ｅ×Ｉ）
を小さくする必要がある。
高さ寸法ｈ，形状Ｉ及び弾性係数Ｅに関係しており、熱
応力σ及び変位を緩和するためには、ｈ3／（Ｅ×Ｉ）
を小さくする必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の半導体装置においては、ダイパッド１の沈め寸
法Ｈ4を、リード５，９，10の板厚分又は半導体素子３
の厚さの半分である約０．２〜０．２５ｍｍと決めてい
たので、外部リードの高さ寸法ｈは（Ｈ1＋Ｈ2＋Ｈ3）
／２でほぼ決まってしまう。従って、寸法ｈを十分にと
ることができず、パッケージ本体寸法Ｌ1が増大する
と、はんだ接合部に生じる熱応力σ及び変位が大きくな
ってしまい、はんだ７にクラックが発生してしまうとい
う問題点があった。また、従来の装置で単に寸法ｈを大
きくすると、装置全体の高さ寸法Ｈも大きくなってしま
うという問題点もあった。
た従来の半導体装置においては、ダイパッド１の沈め寸
法Ｈ4を、リード５，９，10の板厚分又は半導体素子３
の厚さの半分である約０．２〜０．２５ｍｍと決めてい
たので、外部リードの高さ寸法ｈは（Ｈ1＋Ｈ2＋Ｈ3）
／２でほぼ決まってしまう。従って、寸法ｈを十分にと
ることができず、パッケージ本体寸法Ｌ1が増大する
と、はんだ接合部に生じる熱応力σ及び変位が大きくな
ってしまい、はんだ７にクラックが発生してしまうとい
う問題点があった。また、従来の装置で単に寸法ｈを大
きくすると、装置全体の高さ寸法Ｈも大きくなってしま
うという問題点もあった。
【０００９】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、装置全体の高
さ寸法を大きくすることなく、外部リードの高さ寸法を
大きくすることにより、はんだ接合部に生じる熱応力及
び変位を低減することができ、はんだにクラックが発生
するのを防止することができ、この結果信頼性を向上さ
せることができる半導体装置を得ることを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、装置全体の高
さ寸法を大きくすることなく、外部リードの高さ寸法を
大きくすることにより、はんだ接合部に生じる熱応力及
び変位を低減することができ、はんだにクラックが発生
するのを防止することができ、この結果信頼性を向上さ
せることができる半導体装置を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る半
導体装置は、実装基板からの高さが封止樹脂の中央より
高い位置からリードを封止樹脂外に突出させたものであ
る。
導体装置は、実装基板からの高さが封止樹脂の中央より
高い位置からリードを封止樹脂外に突出させたものであ
る。
【００１１】請求項２の発明に係る半導体装置は、実装
基板からの高さが封止樹脂の中央より高い位置からリー
ドを封止樹脂外に突出させ、かつはんだ付部を封止樹脂
側に折り曲げたものである。
基板からの高さが封止樹脂の中央より高い位置からリー
ドを封止樹脂外に突出させ、かつはんだ付部を封止樹脂
側に折り曲げたものである。
【００１２】請求項３の発明に係る半導体装置は、実装
基板からの高さが封止樹脂の中央より低い位置からリー
ドを封止樹脂外に突出させ、突出した外部リードを実装
基板から離れる方向に折り曲げてから実装基板側に折り
曲げ、かつはんだ付部を封止樹脂側に折り曲げたもので
ある。
基板からの高さが封止樹脂の中央より低い位置からリー
ドを封止樹脂外に突出させ、突出した外部リードを実装
基板から離れる方向に折り曲げてから実装基板側に折り
曲げ、かつはんだ付部を封止樹脂側に折り曲げたもので
ある。
【００１３】
【作用】請求項１の発明においては、リードを封止樹脂
の高い位置から突出させることにより、外部リードの高
さ寸法を大きくして、はんだ接合部に生じる熱応力を低
減する。
の高い位置から突出させることにより、外部リードの高
さ寸法を大きくして、はんだ接合部に生じる熱応力を低
減する。
【００１４】請求項２の発明においては、リードを封止
樹脂の高い位置から突出させることにより、外部リード
の高さ寸法を大きくし、またはんだ付部を封止樹脂側に
折り曲げることにより、はんだ接合部間隔を小さくし、
これらによりはんだ接合部に生じる熱応力を低減する。
樹脂の高い位置から突出させることにより、外部リード
の高さ寸法を大きくし、またはんだ付部を封止樹脂側に
折り曲げることにより、はんだ接合部間隔を小さくし、
これらによりはんだ接合部に生じる熱応力を低減する。
【００１５】請求項３の発明においては、リードを実装
基板から離れる方向に折り曲げてから実装基板側に折り
曲げることにより、外部リードの高さ寸法を大きくし、
はんだ付部を封止樹脂側に折り曲げることにより、はん
だ接合部間隔を小さくし、これらによりはんだ接合部に
生じる熱応力を低減する。
基板から離れる方向に折り曲げてから実装基板側に折り
曲げることにより、外部リードの高さ寸法を大きくし、
はんだ付部を封止樹脂側に折り曲げることにより、はん
だ接合部間隔を小さくし、これらによりはんだ接合部に
生じる熱応力を低減する。
【００１６】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。なお、各図中、図２９と同一又は相当部分には同一
符号を付し、その説明を省略する。 実施例１．図１は請求項１及び請求項２の発明に係る実
施例１の半導体装置の断面図である。図において、半導
体装置３の電極には、金線４を介してリード11が電気的
に接続されている。リード11は、封止樹脂６内（内部リ
ード）でクランク状に折り曲げられており、これにより
実装基板８（図２９）からの高さ方向の最も高い位置か
ら封止樹脂６外に突出している。また、リード11の封止
樹脂６外に突出した部分、即ち外部リードの先端部に
は、封止樹脂６側に向けて折り曲げられたはんだ付部11
ａが設けられている。
る。なお、各図中、図２９と同一又は相当部分には同一
符号を付し、その説明を省略する。 実施例１．図１は請求項１及び請求項２の発明に係る実
施例１の半導体装置の断面図である。図において、半導
体装置３の電極には、金線４を介してリード11が電気的
に接続されている。リード11は、封止樹脂６内（内部リ
ード）でクランク状に折り曲げられており、これにより
実装基板８（図２９）からの高さ方向の最も高い位置か
ら封止樹脂６外に突出している。また、リード11の封止
樹脂６外に突出した部分、即ち外部リードの先端部に
は、封止樹脂６側に向けて折り曲げられたはんだ付部11
ａが設けられている。
【００１７】図２は図１のリード11及び従来例のリード
５に生じる熱応力の違いを説明するための説明図であ
る。図において、従来例の外部リードの高さ寸法を
ｈ1、実施例１の外部リードの高さ寸法をｈ2とすると、
突出位置の高さの違いによりｈ1＜ｈ2となっている。ま
た、ｈ2は装置全体の高さ寸法Ｈ（図２９）よりリード1
1の厚さの半分だけ小さくなっている。
５に生じる熱応力の違いを説明するための説明図であ
る。図において、従来例の外部リードの高さ寸法を
ｈ1、実施例１の外部リードの高さ寸法をｈ2とすると、
突出位置の高さの違いによりｈ1＜ｈ2となっている。ま
た、ｈ2は装置全体の高さ寸法Ｈ（図２９）よりリード1
1の厚さの半分だけ小さくなっている。
【００１８】図２において、熱膨張係数の差によりリー
ド５のａ点がＬ1×（α2−α1）×ΔＴの分だけ矢印方
向に変位すると、リード５のｂ点はδ1だけ変位する。
このとき、荷重Ｐ＝３ＥＩδ1／ｈ1 3がｂ点に負荷され
たときと等価の荷重がはんだ接合部ｃに生じる。
ド５のａ点がＬ1×（α2−α1）×ΔＴの分だけ矢印方
向に変位すると、リード５のｂ点はδ1だけ変位する。
このとき、荷重Ｐ＝３ＥＩδ1／ｈ1 3がｂ点に負荷され
たときと等価の荷重がはんだ接合部ｃに生じる。
【００１９】これに対して、実施例１のリード11では、
同じ荷重Ｐによりｄ点が矢印方向に変位したとすると、
このときのｅ点の変位量δ2は、δ2＝Ｐｈ2 3／３ＥＩで
表され、ｈの差の３乗に比例してδ1より大きくなる。
逆に、リード５のｄ点及びリード11のｅ点をδだけ撓ま
せるためには、荷重Ｐ＝３ＥＩδ／ｈ3が必要となる。
従って、ｈが大きくなると、同じδだけ撓ませるために
必要な荷重Ｐがｈ3に反比例して小さくなり、荷重Ｐの
反作用であるはんだ接合部の荷重が小さくなる。
同じ荷重Ｐによりｄ点が矢印方向に変位したとすると、
このときのｅ点の変位量δ2は、δ2＝Ｐｈ2 3／３ＥＩで
表され、ｈの差の３乗に比例してδ1より大きくなる。
逆に、リード５のｄ点及びリード11のｅ点をδだけ撓ま
せるためには、荷重Ｐ＝３ＥＩδ／ｈ3が必要となる。
従って、ｈが大きくなると、同じδだけ撓ませるために
必要な荷重Ｐがｈ3に反比例して小さくなり、荷重Ｐの
反作用であるはんだ接合部の荷重が小さくなる。
【００２０】また、図２において、ｃ点で固定された一
端固定梁を第一次近似モデルとして考えると、外力Ｐに
よるｅ点の変位量δは、梁の寸法，形状Ｉと材質Ｅによ
り、δ＝Ｐｈ3／３ＥＩで与えられるが、この式はＰ＝
（３ＥＩ／ｈ3）δと変形できる。従って、３ＥＩ／ｈ3
は、一端固定梁のばね定数を与える。このばね定数は、
ｈ3に反比例して小さくなる。
端固定梁を第一次近似モデルとして考えると、外力Ｐに
よるｅ点の変位量δは、梁の寸法，形状Ｉと材質Ｅによ
り、δ＝Ｐｈ3／３ＥＩで与えられるが、この式はＰ＝
（３ＥＩ／ｈ3）δと変形できる。従って、３ＥＩ／ｈ3
は、一端固定梁のばね定数を与える。このばね定数は、
ｈ3に反比例して小さくなる。
【００２１】従来の半導体装置は、装置全体の高さ寸法
Ｈを小さくするためにｈを小さくしていたので、上記の
ばね定数は大きくなるが、請求項１の発明では、図２の
ようにｈ1＜ｈ2としたので、ばね定数が小さくなる。こ
こで、ｈ2≒２ｈ1とすると、改良後のばね定数は、従来
の約１／８にまで小さくすることが可能である。ばね定
数ｋと変位量δと荷重Ｐとの関係はＰ＝ｋδであるた
め、パッケージ本体と実装基板の熱膨張率の差によって
生じる変位量δが同様であるとすれば、ばね定数ｋが大
きくなるほど荷重Ｐが小さくなる。そして、はんだ接合
部に生じる荷重Ｐの反作用も小さくなる。
Ｈを小さくするためにｈを小さくしていたので、上記の
ばね定数は大きくなるが、請求項１の発明では、図２の
ようにｈ1＜ｈ2としたので、ばね定数が小さくなる。こ
こで、ｈ2≒２ｈ1とすると、改良後のばね定数は、従来
の約１／８にまで小さくすることが可能である。ばね定
数ｋと変位量δと荷重Ｐとの関係はＰ＝ｋδであるた
め、パッケージ本体と実装基板の熱膨張率の差によって
生じる変位量δが同様であるとすれば、ばね定数ｋが大
きくなるほど荷重Ｐが小さくなる。そして、はんだ接合
部に生じる荷重Ｐの反作用も小さくなる。
【００２２】上記のように、図１の半導体装置では外部
リードの高さ寸法ｈが従来例のものより大きくなってい
るので、リード11の封止樹脂６からの突出部が変位した
ときにはんだ接合部にかかる荷重が小さくなる。この結
果、はんだ接合部に生じる熱応力及び変位が低減し、は
んだ７（図２９）のクラックが防止される。しかも、こ
のような効果を得るためにスタンドオフを高くすると装
置全体の高さ寸法Ｈが高くなってしまうが、実施例１の
ものでは高さ寸法Ｈが高くならない。
リードの高さ寸法ｈが従来例のものより大きくなってい
るので、リード11の封止樹脂６からの突出部が変位した
ときにはんだ接合部にかかる荷重が小さくなる。この結
果、はんだ接合部に生じる熱応力及び変位が低減し、は
んだ７（図２９）のクラックが防止される。しかも、こ
のような効果を得るためにスタンドオフを高くすると装
置全体の高さ寸法Ｈが高くなってしまうが、実施例１の
ものでは高さ寸法Ｈが高くならない。
【００２３】また、実装基板８に実装されたときのパッ
ケージ本体と実装基板８との線膨張係数の差による伸び
量の差は、図２９のようにはんだ付部間隔をＬ2とする
と、Ｌ2×（α2−α1）×ΔＴに比例する。これに対し
て、上記実施例１の半導体装置は、はんだ付部11ａを封
止樹脂６側に折り曲げているので、図２９のものよりＬ
2が小さくなっている。従って、はんだ接合部の熱応力
及び変位がさらに低減されている。
ケージ本体と実装基板８との線膨張係数の差による伸び
量の差は、図２９のようにはんだ付部間隔をＬ2とする
と、Ｌ2×（α2−α1）×ΔＴに比例する。これに対し
て、上記実施例１の半導体装置は、はんだ付部11ａを封
止樹脂６側に折り曲げているので、図２９のものよりＬ
2が小さくなっている。従って、はんだ接合部の熱応力
及び変位がさらに低減されている。
【００２４】実施例２．図３は請求項１及び請求項２の
発明に係る実施例２の半導体装置の断面図である。この
図のように、ダイパッド沈めを行ったリードフレームを
用いた場合も実施例１と同様の効果が得られる。
発明に係る実施例２の半導体装置の断面図である。この
図のように、ダイパッド沈めを行ったリードフレームを
用いた場合も実施例１と同様の効果が得られる。
【００２５】実施例３．図４は請求項１の発明に係る実
施例３の半導体装置の断面図であり、リード11の先端部
は、必ずしも封止樹脂６側に折り曲げなくてもよい。図
４に示すように、実装基板８に直角に伸びるＩ形のはん
だ付部11ｂであっても、封止樹脂６の側面の高い位置か
らリード11を突出させることにより、はんだ接合部の熱
応力や変形は十分に低減できる。
施例３の半導体装置の断面図であり、リード11の先端部
は、必ずしも封止樹脂６側に折り曲げなくてもよい。図
４に示すように、実装基板８に直角に伸びるＩ形のはん
だ付部11ｂであっても、封止樹脂６の側面の高い位置か
らリード11を突出させることにより、はんだ接合部の熱
応力や変形は十分に低減できる。
【００２６】実施例４．図５は請求項１及び請求項２の
発明に係る実施例４の半導体装置の断面図である。この
図のように、リード11の先端部に、Ｊ形を変形したはん
だ付部11ｃを設けてもよい。
発明に係る実施例４の半導体装置の断面図である。この
図のように、リード11の先端部に、Ｊ形を変形したはん
だ付部11ｃを設けてもよい。
【００２７】実施例５．図６は請求項１及び請求項２の
発明に係る実施例５の半導体装置の断面図であり、リー
ド11の先端部に、封止樹脂６の下方にまで達するＪ形の
はんだ付部11ｄを設けてもよい。これら実施例４及び実
施例５のように、リード11をＪ形にすることにより、図
１のものより装置全体の高さ寸法はある程度大きくなる
が、はんだ接合部の熱応力は従来のＪ形のものよりかな
り低減できる。
発明に係る実施例５の半導体装置の断面図であり、リー
ド11の先端部に、封止樹脂６の下方にまで達するＪ形の
はんだ付部11ｄを設けてもよい。これら実施例４及び実
施例５のように、リード11をＪ形にすることにより、図
１のものより装置全体の高さ寸法はある程度大きくなる
が、はんだ接合部の熱応力は従来のＪ形のものよりかな
り低減できる。
【００２８】実施例６．図７は請求項１及び請求項２の
発明に係る実施例６の半導体装置の断面図である。図の
ように、ダイパッド１及びリード11の一端部を封止樹脂
６の底面近傍に位置させるようにモールドしたものであ
ってもよく、装置全体の高さ寸法を低減できる。
発明に係る実施例６の半導体装置の断面図である。図の
ように、ダイパッド１及びリード11の一端部を封止樹脂
６の底面近傍に位置させるようにモールドしたものであ
ってもよく、装置全体の高さ寸法を低減できる。
【００２９】実施例７．図８は請求項１及び請求項２の
発明に係る実施例７の半導体装置の断面図である。この
図の装置は、リード11の内部リードを封止樹脂６の底面
近傍及び側面近傍に位置させるようにモールドしたもの
であり、装置全体の高さ寸法だけでなく、長さ寸法も低
減できる。
発明に係る実施例７の半導体装置の断面図である。この
図の装置は、リード11の内部リードを封止樹脂６の底面
近傍及び側面近傍に位置させるようにモールドしたもの
であり、装置全体の高さ寸法だけでなく、長さ寸法も低
減できる。
【００３０】実施例８．図９は請求項１の発明に係る実
施例８の半導体装置の断面図である。図において、リー
ド12は、従来例とほぼ同様のガルウイング形のものであ
り、内部リードに折曲部を有していない。しかし、この
リード12は、ダイパッド１の沈み量Ｈ4を大きくするこ
とにより、封止樹脂６の側面の高い位置から封止樹脂６
外に突出している。リード12の一端部は封止樹脂６内で
金線４を介して半導体阻止３の電極に接続されており、
リード12の他端部にははんだ付部12ａが設けられてい
る。
施例８の半導体装置の断面図である。図において、リー
ド12は、従来例とほぼ同様のガルウイング形のものであ
り、内部リードに折曲部を有していない。しかし、この
リード12は、ダイパッド１の沈み量Ｈ4を大きくするこ
とにより、封止樹脂６の側面の高い位置から封止樹脂６
外に突出している。リード12の一端部は封止樹脂６内で
金線４を介して半導体阻止３の電極に接続されており、
リード12の他端部にははんだ付部12ａが設けられてい
る。
【００３１】このような半導体装置においても、外部リ
ードの高さ寸法が図２９のものに比べて大きくなってい
るので、はんだ接合部の熱応力及び変位が低減され、は
んだ７にクラックが生じるのが防止される。
ードの高さ寸法が図２９のものに比べて大きくなってい
るので、はんだ接合部の熱応力及び変位が低減され、は
んだ７にクラックが生じるのが防止される。
【００３２】実施例９．図１０は請求項１及び請求項２
の発明に係る実施例９の半導体装置の断面図である。こ
の図のように、リード12の他端部を封止樹脂６側に折り
曲げてはんだ付部12ｂを形成してもよく、上述したよう
に、はんだ接合部の応力がさらに低減される。
の発明に係る実施例９の半導体装置の断面図である。こ
の図のように、リード12の他端部を封止樹脂６側に折り
曲げてはんだ付部12ｂを形成してもよく、上述したよう
に、はんだ接合部の応力がさらに低減される。
【００３３】実施例１０．図１１は請求項１の発明に係
る実施例１０の半導体装置の断面図であり、図９と同様
に内部リードが直線状であるリード12に、図４と同様に
Ｉ形のはんだ付部12ｃを設けてもよい。
る実施例１０の半導体装置の断面図であり、図９と同様
に内部リードが直線状であるリード12に、図４と同様に
Ｉ形のはんだ付部12ｃを設けてもよい。
【００３４】実施例１１．図１２は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例１１の半導体装置の断面図であ
り、内部リードが直線状であるリード12に、図５と同様
のＪ形を変形したはんだ付部12ｄを設けてもよい。
２の発明に係る実施例１１の半導体装置の断面図であ
り、内部リードが直線状であるリード12に、図５と同様
のＪ形を変形したはんだ付部12ｄを設けてもよい。
【００３５】実施例１２．図１３は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例１２の半導体装置の断面図であ
り、内部リードが直線状であるリード12に、図６と同様
に、封止樹脂６の下方に回り込むＪ形のはんだ付部12ｅ
を設けてもよい。
２の発明に係る実施例１２の半導体装置の断面図であ
り、内部リードが直線状であるリード12に、図６と同様
に、封止樹脂６の下方に回り込むＪ形のはんだ付部12ｅ
を設けてもよい。
【００３６】実施例１３．図１４は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例１３の半導体装置の断面図であ
る。この実施例１３では、リード12は図１０のものと同
様に配置されているが、ダイパッド１及び半導体素子３
が上下逆に配置されている。このような半導体装置で
も、外部リードの高さ寸法が従来例より大きく、はんだ
付部12ｂが封止樹脂６側に曲げられているので、はんだ
接合部の熱応力が低減される。
２の発明に係る実施例１３の半導体装置の断面図であ
る。この実施例１３では、リード12は図１０のものと同
様に配置されているが、ダイパッド１及び半導体素子３
が上下逆に配置されている。このような半導体装置で
も、外部リードの高さ寸法が従来例より大きく、はんだ
付部12ｂが封止樹脂６側に曲げられているので、はんだ
接合部の熱応力が低減される。
【００３７】実施例１４．図１５は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例１４の半導体装置の断面図であ
る。この装置は、外部リードの高さ寸法をさらに大きく
するために、ダイパッド１及びリード12を封止樹脂６の
最上部に配置したものであり、図１４のものよりも熱応
力を低減できる。
２の発明に係る実施例１４の半導体装置の断面図であ
る。この装置は、外部リードの高さ寸法をさらに大きく
するために、ダイパッド１及びリード12を封止樹脂６の
最上部に配置したものであり、図１４のものよりも熱応
力を低減できる。
【００３８】実施例１５．図１６は請求項１の発明に係
る実施例１５の半導体装置の断面図である。図のよう
に、ダイパッド１，半導体素子３及びリード12の配置を
図１４と同様にして、リード12に図１１と同様のＩ形の
はんだ付部12ｃを設けてもよい。
る実施例１５の半導体装置の断面図である。図のよう
に、ダイパッド１，半導体素子３及びリード12の配置を
図１４と同様にして、リード12に図１１と同様のＩ形の
はんだ付部12ｃを設けてもよい。
【００３９】実施例１６．図１７は請求項１の発明に係
る実施例１６の半導体装置の断面図である。図のよう
に、ダイパッド１，半導体素子３及びリード12の配置を
図１５と同様にして、リード12に図１１と同様のＩ形の
はんだ付部12ｃを設けてもよい。
る実施例１６の半導体装置の断面図である。図のよう
に、ダイパッド１，半導体素子３及びリード12の配置を
図１５と同様にして、リード12に図１１と同様のＩ形の
はんだ付部12ｃを設けてもよい。
【００４０】実施例１７．図１８は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例１７の半導体装置の断面図であ
り、図１４の配置で図１３と同様のＪ形のはんだ付部12
ｅとしてもよい。
２の発明に係る実施例１７の半導体装置の断面図であ
り、図１４の配置で図１３と同様のＪ形のはんだ付部12
ｅとしてもよい。
【００４１】実施例１８．図１９は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例１８の半導体装置の断面図であ
り、図１５の配置で図１３と同様のＪ形のはんだ付部12
ｅとしてもよい。
２の発明に係る実施例１８の半導体装置の断面図であ
り、図１５の配置で図１３と同様のＪ形のはんだ付部12
ｅとしてもよい。
【００４２】実施例１９．図２０は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例１９の半導体装置の断面図であ
り、図１４の配置で図１２と同様のＪ形を変形したはん
だ付部12ｄとしてもよい。
２の発明に係る実施例１９の半導体装置の断面図であ
り、図１４の配置で図１２と同様のＪ形を変形したはん
だ付部12ｄとしてもよい。
【００４３】実施例２０．図２１は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例２０の半導体装置の断面図であ
り、図１５の配置で図１２と同様のＪ形を変形したはん
だ付部12ｄとしてもよい。
２の発明に係る実施例２０の半導体装置の断面図であ
り、図１５の配置で図１２と同様のＪ形を変形したはん
だ付部12ｄとしてもよい。
【００４４】実施例２１．図２２は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例２１の半導体装置の断面図であ
る。上記各実施例では半導体素子３とリード11，12とを
金線４を用いて熱圧着や超音波熱圧着で電気的に接続す
るものを示したが、図２２に示すように、ＴＡＢリード
13を用いたＴＡＢ方式により接続してもよい。
２の発明に係る実施例２１の半導体装置の断面図であ
る。上記各実施例では半導体素子３とリード11，12とを
金線４を用いて熱圧着や超音波熱圧着で電気的に接続す
るものを示したが、図２２に示すように、ＴＡＢリード
13を用いたＴＡＢ方式により接続してもよい。
【００４５】実施例２２．図２３は請求項１の発明に係
る実施例２２の半導体装置の断面図である。ＴＡＢ方式
を用いた場合、この図に示すように、内部リードを折り
曲げて封止樹脂６の高い位置から封止樹脂６外に突出し
たリード14を用いてもよい。
る実施例２２の半導体装置の断面図である。ＴＡＢ方式
を用いた場合、この図に示すように、内部リードを折り
曲げて封止樹脂６の高い位置から封止樹脂６外に突出し
たリード14を用いてもよい。
【００４６】なお、図２２では封止樹脂６側に折り曲げ
られたはんだ付部12ａを、図２３ではガルウイング形の
はんだ付部14ａをそれぞれ示したが、ＴＡＢ方式の場合
もはんだ付部の形状は限定されず、Ｉ形やＪ形などにし
てもよい。
られたはんだ付部12ａを、図２３ではガルウイング形の
はんだ付部14ａをそれぞれ示したが、ＴＡＢ方式の場合
もはんだ付部の形状は限定されず、Ｉ形やＪ形などにし
てもよい。
【００４７】実施例２３．図２４は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例２３の半導体装置の断面図であ
る。この図のように、リード12の内部リードの端部を、
ボールボンド接合15により半導体素子３の電極（接続パ
ッド部）に接続するものでもよく、リード12が封止樹脂
６から突出する位置を高くできれば同様の効果が得られ
る。
２の発明に係る実施例２３の半導体装置の断面図であ
る。この図のように、リード12の内部リードの端部を、
ボールボンド接合15により半導体素子３の電極（接続パ
ッド部）に接続するものでもよく、リード12が封止樹脂
６から突出する位置を高くできれば同様の効果が得られ
る。
【００４８】実施例２４．図２５は請求項１及び請求項
２の発明に係る実施例２４の半導体装置の断面図であ
り、半導体素子３及びリード12の位置を図２４よりも高
くして、外部リードの高さ寸法をさらに大きくしてもよ
い。
２の発明に係る実施例２４の半導体装置の断面図であ
り、半導体素子３及びリード12の位置を図２４よりも高
くして、外部リードの高さ寸法をさらに大きくしてもよ
い。
【００４９】なお、図２４及び図２５に示したような装
置の場合も、はんだ付部形状は特に限定されない。
置の場合も、はんだ付部形状は特に限定されない。
【００５０】実施例２５．図２６は請求項３の発明に係
る実施例２５の半導体装置の断面図である。図におい
て、リード21は、従来例と同様に封止樹脂６の低い位置
から封止樹脂６外に突出しているが、外部リードが実装
基板８（図２９）から離れる方向に折り曲げられてから
実装基板８側に折り曲げられており、かつはんだ付部21
ａが封止樹脂６側に折り曲げられている。
る実施例２５の半導体装置の断面図である。図におい
て、リード21は、従来例と同様に封止樹脂６の低い位置
から封止樹脂６外に突出しているが、外部リードが実装
基板８（図２９）から離れる方向に折り曲げられてから
実装基板８側に折り曲げられており、かつはんだ付部21
ａが封止樹脂６側に折り曲げられている。
【００５１】このような半導体装置は、外装モールドす
る工程までは従来と同様の方法で製造するが、リード21
の外部リードの長さを長くとっておき、図のような形状
に折り曲げる。これにより、外部リードの高さ寸法を概
ね（ｈ3＋ｈ4）に構成したのと同様の効果が得られる。
加えて、はんだ付部21ａを封止樹脂６側に折り曲げるこ
とにより、はんだ接合部間隔が小さくなっている。これ
らにより、はんだ接合部の熱応力及び変位が低減され、
はんだ７（図２９）にクラックが生じるのが防止され
る。
る工程までは従来と同様の方法で製造するが、リード21
の外部リードの長さを長くとっておき、図のような形状
に折り曲げる。これにより、外部リードの高さ寸法を概
ね（ｈ3＋ｈ4）に構成したのと同様の効果が得られる。
加えて、はんだ付部21ａを封止樹脂６側に折り曲げるこ
とにより、はんだ接合部間隔が小さくなっている。これ
らにより、はんだ接合部の熱応力及び変位が低減され、
はんだ７（図２９）にクラックが生じるのが防止され
る。
【００５２】図２７は図２６のリード21の作用を説明す
るためのモデル化した説明図である。リード21は、図の
ようなコ形ラーメンに近似することができ、変位δはほ
ぼ（Ｐｈ3 2／ＥＩ）×（２ｈ3／３＋２ａ）となる。ば
ね定数は、ほぼＥＩ／｛ｈ3 2（２ｈ3／３＋２ａ）｝と
なり、図１のものより小さくすることができる。
るためのモデル化した説明図である。リード21は、図の
ようなコ形ラーメンに近似することができ、変位δはほ
ぼ（Ｐｈ3 2／ＥＩ）×（２ｈ3／３＋２ａ）となる。ば
ね定数は、ほぼＥＩ／｛ｈ3 2（２ｈ3／３＋２ａ）｝と
なり、図１のものより小さくすることができる。
【００５３】実施例２６．図２８は請求項３の発明に係
る実施例２６の半導体装置の断面図である。この図のよ
うに、図２６と同様形状のリード21を用いて、ダイパッ
ド１及びリード21を封止樹脂６内の最下部に配置しても
よい。
る実施例２６の半導体装置の断面図である。この図のよ
うに、図２６と同様形状のリード21を用いて、ダイパッ
ド１及びリード21を封止樹脂６内の最下部に配置しても
よい。
【００５４】なお、ダイパッド沈め量Ｈ4を大きくする
場合は、例えば米国特許５０２１８６５号の明細書に示
されているようなペアノ曲線ダイパッドとペアノ曲線リ
ードとを有するリードフレームを用いることにより実現
可能である。ペアノ曲線については、例えば『フラクタ
ル』（１９８７年朝倉書店発行）第８頁，『解析概論
（改訂第三版）』（１９６９年岩波書店発行）付録II及
び『岩波数学辞典第三版』（１９８５年岩波書店発行）
第２４１頁等にも説明が記載されている。
場合は、例えば米国特許５０２１８６５号の明細書に示
されているようなペアノ曲線ダイパッドとペアノ曲線リ
ードとを有するリードフレームを用いることにより実現
可能である。ペアノ曲線については、例えば『フラクタ
ル』（１９８７年朝倉書店発行）第８頁，『解析概論
（改訂第三版）』（１９６９年岩波書店発行）付録II及
び『岩波数学辞典第三版』（１９８５年岩波書店発行）
第２４１頁等にも説明が記載されている。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明の
半導体装置は、実装基板からの高さが封止樹脂の中央よ
り高い位置からリードを封止樹脂外に突出させたので、
装置全体の高さ寸法を大きくすることなく、外部リード
の高さ寸法を大きくすることができ、これによりはんだ
接合部に生じる熱応力及び変位を低減することができ、
はんだにクラックが発生するのを防止することができ、
この結果信頼性を向上させることができるという効果を
奏する。
半導体装置は、実装基板からの高さが封止樹脂の中央よ
り高い位置からリードを封止樹脂外に突出させたので、
装置全体の高さ寸法を大きくすることなく、外部リード
の高さ寸法を大きくすることができ、これによりはんだ
接合部に生じる熱応力及び変位を低減することができ、
はんだにクラックが発生するのを防止することができ、
この結果信頼性を向上させることができるという効果を
奏する。
【００５６】また、請求項２の発明の半導体装置は、実
装基板からの高さが封止樹脂の中央より高い位置からリ
ードを封止樹脂外に突出させ、かつはんだ付部を封止樹
脂側に折り曲げたので、はんだ接合部に生じる熱応力及
び変位を請求項１の発明よりもさらに低減することがで
き、信頼性をより高くすることができるという効果を奏
する。
装基板からの高さが封止樹脂の中央より高い位置からリ
ードを封止樹脂外に突出させ、かつはんだ付部を封止樹
脂側に折り曲げたので、はんだ接合部に生じる熱応力及
び変位を請求項１の発明よりもさらに低減することがで
き、信頼性をより高くすることができるという効果を奏
する。
【００５７】さらに、請求項３の発明の半導体装置は、
実装基板からの高さが封止樹脂の中央より低い位置から
リードを封止樹脂外に突出させ、突出した外部リードを
実装基板から離れる方向に折り曲げてから実装基板側に
折り曲げ、かつはんだ付部を封止樹脂側に折り曲げたの
で、はんだ接合部に生じる熱応力及び変位を請求項２の
発明よりもさらに低減することができ、信頼性をより一
層高くすることができるという効果を奏する。
実装基板からの高さが封止樹脂の中央より低い位置から
リードを封止樹脂外に突出させ、突出した外部リードを
実装基板から離れる方向に折り曲げてから実装基板側に
折り曲げ、かつはんだ付部を封止樹脂側に折り曲げたの
で、はんだ接合部に生じる熱応力及び変位を請求項２の
発明よりもさらに低減することができ、信頼性をより一
層高くすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例１の
半導体装置の断面図である。
半導体装置の断面図である。
【図２】図１及び従来例のリードに生じる熱応力の違い
を説明するための説明図である。
を説明するための説明図である。
【図３】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例２の
半導体装置の断面図である。
半導体装置の断面図である。
【図４】請求項１の発明に係る実施例３の半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図５】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例４の
半導体装置の断面図である。
半導体装置の断面図である。
【図６】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例５の
半導体装置の断面図である。
半導体装置の断面図である。
【図７】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例６の
半導体装置の断面図である。
半導体装置の断面図である。
【図８】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例７の
半導体装置の断面図である。
半導体装置の断面図である。
【図９】請求項１の発明に係る実施例８の半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図１０】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例９
の半導体装置の断面図である。
の半導体装置の断面図である。
【図１１】請求項１の発明に係る実施例１０の半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１２】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例１
１の半導体装置の断面図である。
１の半導体装置の断面図である。
【図１３】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例１
２の半導体装置の断面図である。
２の半導体装置の断面図である。
【図１４】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例１
３の半導体装置の断面図である。
３の半導体装置の断面図である。
【図１５】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例１
４の半導体装置の断面図である。
４の半導体装置の断面図である。
【図１６】請求項１の発明に係る実施例１５の半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１７】請求項１の発明に係る実施例１６の半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１８】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例１
７の半導体装置の断面図である。
７の半導体装置の断面図である。
【図１９】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例１
８の半導体装置の断面図である。
８の半導体装置の断面図である。
【図２０】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例１
９の半導体装置の断面図である。
９の半導体装置の断面図である。
【図２１】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例２
０の半導体装置の断面図である。
０の半導体装置の断面図である。
【図２２】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例２
１の半導体装置の断面図である。
１の半導体装置の断面図である。
【図２３】請求項１の発明に係る実施例２２の半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２４】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例２
３の半導体装置の断面図である。
３の半導体装置の断面図である。
【図２５】請求項１及び請求項２の発明に係る実施例２
４の半導体装置の断面図である。
４の半導体装置の断面図である。
【図２６】請求項３の発明に係る実施例２５の半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２７】図２６のリードの作用を説明するためのモデ
ル化した説明図である。
ル化した説明図である。
【図２８】請求項３の発明に係る実施例２６の半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２９】従来の半導体装置の一例の実装状態を示す断
面図である。
面図である。
【図３０】図２９の装置の側面図である。
【図３１】従来の半導体装置の他の例を示す側面図であ
る。
る。
【図３２】従来の半導体装置のさらに他の例を示す側面
図である。
図である。
３ 半導体素子 ６ 封止樹脂 ８ 実装基板 １１ リード １１ａ はんだ付部 １１ｃ はんだ付部 １１ｄ はんだ付部 １２ リード １２ｂ はんだ付部 １２ｄ はんだ付部 １２ｅ はんだ付部 １４ リード ２１ リード ２１ａ はんだ付部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年７月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】また、熱応力σ及び変位は、外部リードの
高さ寸法ｈ，断面二次モーメントＩ（ｍｍ4）及び弾性
係数Ｅに関係しており、熱応力σ及び変位を緩和するた
めには、ｈ3／（Ｅ×Ｉ）を小さくする必要がある。
高さ寸法ｈ，断面二次モーメントＩ（ｍｍ4）及び弾性
係数Ｅに関係しており、熱応力σ及び変位を緩和するた
めには、ｈ3／（Ｅ×Ｉ）を小さくする必要がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】また、図２において、ｃ点で固定された一
端固定梁を第一次近似モデルとして考えると、外力Ｐに
よるｅ点の変位量δは、梁の寸法，断面二次モーメント
Ｉと材質Ｅにより、δ＝Ｐｈ3／３ＥＩで与えられる
が、この式はＰ＝（３ＥＩ／ｈ3）δと変形できる。従
って、３ＥＩ／ｈ3は、一端固定梁のばね定数を与え
る。このばね定数は、ｈ3に反比例して小さくなる。
端固定梁を第一次近似モデルとして考えると、外力Ｐに
よるｅ点の変位量δは、梁の寸法，断面二次モーメント
Ｉと材質Ｅにより、δ＝Ｐｈ3／３ＥＩで与えられる
が、この式はＰ＝（３ＥＩ／ｈ3）δと変形できる。従
って、３ＥＩ／ｈ3は、一端固定梁のばね定数を与え
る。このばね定数は、ｈ3に反比例して小さくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】従来の半導体装置は、装置全体の高さ寸法
Ｈを小さくするためにｈを小さくしていたので、上記の
ばね定数は大きくなるが、請求項１の発明では、図２の
ようにｈ1＜ｈ2としたので、ばね定数が小さくなる。こ
こで、ｈ2≒２ｈ1とすると、改良後のばね定数は、従来
の約１／８にまで小さくすることが可能である。ばね定
数ｋと変位量δと荷重Ｐとの関係はＰ＝ｋδであるた
め、パッケージ本体と実装基板の熱膨張率の差によって
生じる変位量δが同様であるとすれば、ばね定数ｋが小
さくなるほど荷重Ｐが小さくなる。そして、はんだ接合
部に生じる荷重Ｐの反作用も小さくなる。
Ｈを小さくするためにｈを小さくしていたので、上記の
ばね定数は大きくなるが、請求項１の発明では、図２の
ようにｈ1＜ｈ2としたので、ばね定数が小さくなる。こ
こで、ｈ2≒２ｈ1とすると、改良後のばね定数は、従来
の約１／８にまで小さくすることが可能である。ばね定
数ｋと変位量δと荷重Ｐとの関係はＰ＝ｋδであるた
め、パッケージ本体と実装基板の熱膨張率の差によって
生じる変位量δが同様であるとすれば、ばね定数ｋが小
さくなるほど荷重Ｐが小さくなる。そして、はんだ接合
部に生じる荷重Ｐの反作用も小さくなる。
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂封止されている半導体素子と、一端
部が前記半導体素子に電気的に接続され、他端部が封止
樹脂の側部から突出して実装基板上にはんだ付けされる
リードとを備えている表面実装形の半導体装置におい
て、前記リードは、前記実装基板からの高さが前記封止
樹脂の中央より高い位置から前記封止樹脂外に突出して
いることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 樹脂封止されている半導体素子と、一端
部が前記半導体素子に電気的に接続され、他端部が封止
樹脂の側部から突出して実装基板上にはんだ付けされる
リードとを備えている表面実装形の半導体装置におい
て、前記リードは、前記実装基板からの高さが前記封止
樹脂の中央より高い位置から前記封止樹脂外に突出して
おり、かつ前記他端部のはんだ付部が前記封止樹脂側に
折り曲げられていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 樹脂封止されている半導体素子と、一端
部が前記半導体素子に電気的に接続され、他端部が封止
樹脂の側部から突出して実装基板上にはんだ付けされる
リードとを備えている表面実装形の半導体装置におい
て、前記リードは、前記実装基板からの高さが前記封止
樹脂の中央より低い位置から前記封止樹脂外に突出し、
前記実装基板から離れる方向に折り曲げられてから前記
実装基板側に折り曲げられており、かつ前記他端部のは
んだ付部が前記封止樹脂側に折り曲げられていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4008310A JPH05198722A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4008310A JPH05198722A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198722A true JPH05198722A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11689584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4008310A Pending JPH05198722A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198722A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5924191A (en) * | 1996-04-13 | 1999-07-20 | Curamik Electronics Gmbh | Process for producing a ceramic-metal substrate |
| US6114759A (en) * | 1998-04-23 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Semiconductor package |
| JP2004319530A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
| WO2013044566A1 (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 山东华芯半导体有限公司 | 一种芯片的封装方法及其封装结构 |
| JP2016149441A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| CN110931438A (zh) * | 2014-03-13 | 2020-03-27 | 瑞萨电子株式会社 | 电子装置 |
-
1992
- 1992-01-21 JP JP4008310A patent/JPH05198722A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5924191A (en) * | 1996-04-13 | 1999-07-20 | Curamik Electronics Gmbh | Process for producing a ceramic-metal substrate |
| US6114759A (en) * | 1998-04-23 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Semiconductor package |
| JP2004319530A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
| WO2013044566A1 (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 山东华芯半导体有限公司 | 一种芯片的封装方法及其封装结构 |
| CN110931438A (zh) * | 2014-03-13 | 2020-03-27 | 瑞萨电子株式会社 | 电子装置 |
| JP2016149441A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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