JPH0519975B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0519975B2 JPH0519975B2 JP61265788A JP26578886A JPH0519975B2 JP H0519975 B2 JPH0519975 B2 JP H0519975B2 JP 61265788 A JP61265788 A JP 61265788A JP 26578886 A JP26578886 A JP 26578886A JP H0519975 B2 JPH0519975 B2 JP H0519975B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- film
- mask
- heavy metal
- stress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は半導体製造技術におけるリソグラフイ
ー技術、特にＸ線リソグラフイー用マスクである
Ｘ線マスクの形成方法に関するものである。
ー技術、特にＸ線リソグラフイー用マスクである
Ｘ線マスクの形成方法に関するものである。
＜従来の技術＞
過去十数年間ICの集積度はおよそ３年で４倍
ペースで向上してきている。この集積度の向上を
支えてきたのは、微細技術の発達であり、とりわ
け15年で1/10という線幅縮小を可能にしたフオト
リソグラフイー技術の発達であつた。現在1.2μm
ルールの1Mb DRAMの生産が始まつており、
0.8μmルールによる4Mb DRAMの研究発表が相
次いでいる。
ペースで向上してきている。この集積度の向上を
支えてきたのは、微細技術の発達であり、とりわ
け15年で1/10という線幅縮小を可能にしたフオト
リソグラフイー技術の発達であつた。現在1.2μm
ルールの1Mb DRAMの生産が始まつており、
0.8μmルールによる4Mb DRAMの研究発表が相
次いでいる。
現在のLSI生産用リソグラフイー技術の主流は
縮小投影露光装置、いわゆる（フオト）ステツパ
である。現在のステツパは水銀ランプを光源とし
て436nmの水銀原子の発光輝線（ｇ線）を用いて
いる。将来は、365nmのｉ線が用いられると予想
されるが、紫外光による露光装置の、解像度限界
は間近にせまつている。また、ステツパの限界は
0.5μmルール前後、デバイスでは16Mb DRAM
クラスの集積度と考えられる。過去の集積度の向
上傾向から考えて約10年後にはこの限界に達し、
次世代のリソグラフイー技術にとつて変わられる
と予想されている。
縮小投影露光装置、いわゆる（フオト）ステツパ
である。現在のステツパは水銀ランプを光源とし
て436nmの水銀原子の発光輝線（ｇ線）を用いて
いる。将来は、365nmのｉ線が用いられると予想
されるが、紫外光による露光装置の、解像度限界
は間近にせまつている。また、ステツパの限界は
0.5μmルール前後、デバイスでは16Mb DRAM
クラスの集積度と考えられる。過去の集積度の向
上傾向から考えて約10年後にはこの限界に達し、
次世代のリソグラフイー技術にとつて変わられる
と予想されている。
最小線幅1/4μm、デバイスとしては
64MbDRAMクラスのLSI量産用リソグラフイー
技術として最も有力視されているのがＸ線リソグ
ラフイー技術である。特に輝度が高く半影ぼけの
少ないシンクロトロン放射光（SOR）をＸ線源
して用いるSORリソグラフイー技術が注目され
ている。Ｘ線リソグラフイーではＸ線用レンズが
ないためにプロキシミテイー方式の露光装置が利
用されている。プロキシミテイ方式ではマスクパ
ターンのウエハ上への投影が１：１の比で行なわ
れるために非常に精度の高いパターニング技術及
び位置合せ技術が必要である。マスクはＸ線の透
過を防げるＸ線吸収体（金、タンタル、タングス
テン等の重金属）パターンとそれを保持するＸ線
透過膜（メンブレン）からなる。メンブレンはＸ
線を吸収しにくい軽元素からなる2μm前後の厚さ
の膜であり、材料としてSi，SiNH，BNH，ポ
リイミド等が利用されており現在既に直径10cm程
度のマスクが形成されている。
64MbDRAMクラスのLSI量産用リソグラフイー
技術として最も有力視されているのがＸ線リソグ
ラフイー技術である。特に輝度が高く半影ぼけの
少ないシンクロトロン放射光（SOR）をＸ線源
して用いるSORリソグラフイー技術が注目され
ている。Ｘ線リソグラフイーではＸ線用レンズが
ないためにプロキシミテイー方式の露光装置が利
用されている。プロキシミテイ方式ではマスクパ
ターンのウエハ上への投影が１：１の比で行なわ
れるために非常に精度の高いパターニング技術及
び位置合せ技術が必要である。マスクはＸ線の透
過を防げるＸ線吸収体（金、タンタル、タングス
テン等の重金属）パターンとそれを保持するＸ線
透過膜（メンブレン）からなる。メンブレンはＸ
線を吸収しにくい軽元素からなる2μm前後の厚さ
の膜であり、材料としてSi，SiNH，BNH，ポ
リイミド等が利用されており現在既に直径10cm程
度のマスクが形成されている。
＜発明が解決しようとする問題点＞
Ｘ線露光は１：１投影露光であるためマスク上
のＸ線吸収体の線幅は厳密に制御する必要があ
る。Ｘ線露光は1/4μm以下の最小線幅を有する超
LSIに対して適用されると予想されることから吸
収体のパターン幅は0.025μm以上の高精度で制御
する必要がある。又、波長10Å程度のＸ線に対し
10以上のコントラスト比を達成するためには5000
Å以上の膜厚の重金属パターンが必要となる。さ
らにパターン周辺でのマスクの変形を防ぐため
109dyn／cm2以下の低応力の吸収体が必要となる。
Ｘ線吸収体材料としてパターン形成がドライプロ
セスでできるタングステン（Ｗ）、タンタル
（Ta）等の利用が注目されている。上記金属膜の
成膜法としてはスパツタリング蒸着法やCVD法
が用いられている。しかしスパツタリング蒸着法
で形成された上記金属膜は一般に柱状構造をなし
ており、結晶粒サイズが0.2μm程度と大きく線幅
0.25μm以下での安定した線幅制御は困難である。
さらにスパツタリング法で金属膜の内部応力を制
御しようとする場合、スパツタ時のアルゴンガス
圧の最適化が考えられるが、第４図に示すように
ガス圧の変化に対し急激に応力が変化し、再現性
よく応力制御が非常に困難である。又応力を比較
的弱くできる比較的高圧力条件では金属膜表面が
荒れる場合がある。またCVD法では、400℃以上
の高温プロセスが必要であり、粒径もスパツタリ
ング法の場合よりさらに大きくなり線幅の制御が
困難になる。従つて柱状構造をもたない低応力の
重金属膜を形成できる方法が求められている。
のＸ線吸収体の線幅は厳密に制御する必要があ
る。Ｘ線露光は1/4μm以下の最小線幅を有する超
LSIに対して適用されると予想されることから吸
収体のパターン幅は0.025μm以上の高精度で制御
する必要がある。又、波長10Å程度のＸ線に対し
10以上のコントラスト比を達成するためには5000
Å以上の膜厚の重金属パターンが必要となる。さ
らにパターン周辺でのマスクの変形を防ぐため
109dyn／cm2以下の低応力の吸収体が必要となる。
Ｘ線吸収体材料としてパターン形成がドライプロ
セスでできるタングステン（Ｗ）、タンタル
（Ta）等の利用が注目されている。上記金属膜の
成膜法としてはスパツタリング蒸着法やCVD法
が用いられている。しかしスパツタリング蒸着法
で形成された上記金属膜は一般に柱状構造をなし
ており、結晶粒サイズが0.2μm程度と大きく線幅
0.25μm以下での安定した線幅制御は困難である。
さらにスパツタリング法で金属膜の内部応力を制
御しようとする場合、スパツタ時のアルゴンガス
圧の最適化が考えられるが、第４図に示すように
ガス圧の変化に対し急激に応力が変化し、再現性
よく応力制御が非常に困難である。又応力を比較
的弱くできる比較的高圧力条件では金属膜表面が
荒れる場合がある。またCVD法では、400℃以上
の高温プロセスが必要であり、粒径もスパツタリ
ング法の場合よりさらに大きくなり線幅の制御が
困難になる。従つて柱状構造をもたない低応力の
重金属膜を形成できる方法が求められている。
本発明は上記の点に鑑みて創案されたものであ
り、柱状構造を有しない低応力Ｘ線吸収体を備え
たＸ線マスクの形成方法を提供することを目的と
している。
り、柱状構造を有しない低応力Ｘ線吸収体を備え
たＸ線マスクの形成方法を提供することを目的と
している。
＜問題点を解決するための手段＞
上記の目的を達成するため、本発明のＸ線マス
クの形成方法は、Ｘ線の透過を防げる重金属を主
構成元素とするパターン化されたＸ線吸収体を保
持し、Ｘ線に対して透過率の高いＸ線透過膜及び
この透過膜を保持する支持枠を備えたＸ線マスク
の作製工程において、上記のＸ線吸収体の作製工
程が、タングステンまたはタンタルを含有する第
１のガスと、水素、ボロン、炭素、窒素、酸素、
シリコン、リンを主構成元素とする第２のガスを
原料とする気相成長法よりなり、かつ上記の第１
及び第２のガスの少なくとも一方の気体が気体放
電により部分的に励起、分解されているように構
成している。
クの形成方法は、Ｘ線の透過を防げる重金属を主
構成元素とするパターン化されたＸ線吸収体を保
持し、Ｘ線に対して透過率の高いＸ線透過膜及び
この透過膜を保持する支持枠を備えたＸ線マスク
の作製工程において、上記のＸ線吸収体の作製工
程が、タングステンまたはタンタルを含有する第
１のガスと、水素、ボロン、炭素、窒素、酸素、
シリコン、リンを主構成元素とする第２のガスを
原料とする気相成長法よりなり、かつ上記の第１
及び第２のガスの少なくとも一方の気体が気体放
電により部分的に励起、分解されているように構
成している。
また、上記Ｘ線吸収体用重金属あるいは重金属
化合物の成膜後の応力は１×109dyn／cm2以下で
あることが好ましい。
化合物の成膜後の応力は１×109dyn／cm2以下で
あることが好ましい。
また、上記Ｘ線吸収体用重金属あるいは重金属
化合物が非晶質状態、あるいは結晶粒の平均的な
大きさが300Å以下の結晶粒よりなる多結晶状態
よりなることが望ましい。
化合物が非晶質状態、あるいは結晶粒の平均的な
大きさが300Å以下の結晶粒よりなる多結晶状態
よりなることが望ましい。
＜作用＞
本発明のＸ線マスクの作製方法は、プラズマ励
起CVD法（PCVD）を用いて重金属化合物を作
製することを特徴とするものであり、上記金属膜
の例としては、窒化タングステン（WNx）、タン
グステンシリサイド（WSix）等がある。上記化
合物はスパツタ蒸着法により成膜した金属膜のよ
うな柱状構造をもたず、粒構造を解消することが
できる。また成膜条件を変えることにより容易に
膜質を制御することができるため、化合物膜の内
部応力を制御することが可能である。
起CVD法（PCVD）を用いて重金属化合物を作
製することを特徴とするものであり、上記金属膜
の例としては、窒化タングステン（WNx）、タン
グステンシリサイド（WSix）等がある。上記化
合物はスパツタ蒸着法により成膜した金属膜のよ
うな柱状構造をもたず、粒構造を解消することが
できる。また成膜条件を変えることにより容易に
膜質を制御することができるため、化合物膜の内
部応力を制御することが可能である。
＜実施例＞
以下図面を参照して本発明の一実施例を詳細に
説明する。
説明する。
窒化タングステン膜を成膜する際のPCVD装置
の模式的構造例を第２図に示している。第２図に
おいて、１はPF電源部、２は基板、３は加熱ヒ
ータ、４は真空排気部、５１〜５３はマスフロー
メータ、６は六弗化タングステンボンベ、７はア
ンモニアボンベ、８は水素ボンベであり、導入ガ
スは、六弗化タングステン（WF6）ガスと水素
（H2）希釈50％アンモニア（NH3）ガスを用い、
それぞれマスクフローコントローラ５１〜５３に
より流量を制御し、下部電極側より反応室内に導
入する。またRF電源部１より周波数13.56MHzの
高周波出力をマツチングボツクスを介して下部電
極側に供給して電界を印加している。基板２を取
り付ける上部電極にはヒータ３が内蔵されてお
り、400℃までの加熱が可能である。成膜前に反
応室は液体窒素トラツプ付の油拡散ポンプで１×
10-6Torr以下まで排気し、反応ガスを導入した。
反応ガスはコンダクタンスバルブを通してメカニ
カルブースタとロータリーポンプによつて排気し
た。反応室の圧力は0.5Torrから2Torrの範囲で
コンダクタンスバルブによつて制御できる。
の模式的構造例を第２図に示している。第２図に
おいて、１はPF電源部、２は基板、３は加熱ヒ
ータ、４は真空排気部、５１〜５３はマスフロー
メータ、６は六弗化タングステンボンベ、７はア
ンモニアボンベ、８は水素ボンベであり、導入ガ
スは、六弗化タングステン（WF6）ガスと水素
（H2）希釈50％アンモニア（NH3）ガスを用い、
それぞれマスクフローコントローラ５１〜５３に
より流量を制御し、下部電極側より反応室内に導
入する。またRF電源部１より周波数13.56MHzの
高周波出力をマツチングボツクスを介して下部電
極側に供給して電界を印加している。基板２を取
り付ける上部電極にはヒータ３が内蔵されてお
り、400℃までの加熱が可能である。成膜前に反
応室は液体窒素トラツプ付の油拡散ポンプで１×
10-6Torr以下まで排気し、反応ガスを導入した。
反応ガスはコンダクタンスバルブを通してメカニ
カルブースタとロータリーポンプによつて排気し
た。反応室の圧力は0.5Torrから2Torrの範囲で
コンダクタンスバルブによつて制御できる。
次に本発明による窒化タングステン膜の応力制
御について述べる。本例では、ガス比をWF6：
NH3：H2＝５：１：１、ガス圧を1.0Torr基板温
度300℃に固定し、RFパワーを100Wから350Wま
で変化させた。この結果を第３図に示す。本例で
の成膜速度は約100Å／分であつた。第３図に示
すように、成膜した窒化タングステン膜はRFパ
ワーが低い時は引つ張り応力を示すがRFパワー
が上がるに従つて圧縮応力に変化する。RFパワ
ーが200Wの時窒化タングステン膜の内部応力は
0.5×108dyn／cm2となつた。この応力はＸ線吸収
体として使用するのに適当な値である。また上記
窒化タングステン膜の断面を走査電子顕微
（SEM）で観察した結果柱状構造はなく粒は観察
できなかつた。この結果、上記方法で作製した低
内部応力かつ粒のない窒化タングステン膜をＸ線
吸収体に用いることによつて0.25μm以下の微細
パターニングが可能になる。
御について述べる。本例では、ガス比をWF6：
NH3：H2＝５：１：１、ガス圧を1.0Torr基板温
度300℃に固定し、RFパワーを100Wから350Wま
で変化させた。この結果を第３図に示す。本例で
の成膜速度は約100Å／分であつた。第３図に示
すように、成膜した窒化タングステン膜はRFパ
ワーが低い時は引つ張り応力を示すがRFパワー
が上がるに従つて圧縮応力に変化する。RFパワ
ーが200Wの時窒化タングステン膜の内部応力は
0.5×108dyn／cm2となつた。この応力はＸ線吸収
体として使用するのに適当な値である。また上記
窒化タングステン膜の断面を走査電子顕微
（SEM）で観察した結果柱状構造はなく粒は観察
できなかつた。この結果、上記方法で作製した低
内部応力かつ粒のない窒化タングステン膜をＸ線
吸収体に用いることによつて0.25μm以下の微細
パターニングが可能になる。
上記の実施例では六弗化タングステンと水素希
釈アンモニアを用いたが本発明はこれに限定され
るものではなく、原料ガスとしては、多様な組み
合わせが可能である。また成膜条件も上記の実施
例の値に限定されるものではない。
釈アンモニアを用いたが本発明はこれに限定され
るものではなく、原料ガスとしては、多様な組み
合わせが可能である。また成膜条件も上記の実施
例の値に限定されるものではない。
さらに上記の実施例では全原料ガスを一度に反
応室に導入し気体放電を発生させたがアンモニア
系のみを気体放電により分解し、六弗化タングス
テンは直接放電にさらさないで基板付近に導入
し、両原料ガスを基板上で反応させることも可能
である。
応室に導入し気体放電を発生させたがアンモニア
系のみを気体放電により分解し、六弗化タングス
テンは直接放電にさらさないで基板付近に導入
し、両原料ガスを基板上で反応させることも可能
である。
次に前記Ｘ線吸収体を用いたＸ線露光用マスク
の製造方法の一例を第１図ａ〜ｆに示す製造工程
図に従つて説明する。
の製造方法の一例を第１図ａ〜ｆに示す製造工程
図に従つて説明する。
まずメンブレン１３の支持枠となるシリコン
（Si）基板１１の両面にLPCVD法で窒化ケイ素
膜（Si3N4）１２，１２′を堆積する（第１図
ａ）。このSi3N4膜１２，１２′の膜厚は約1000Å
である。次いでメンブレン１３となる水素化窒化
ケイ素（SiNxHy）をプラズマCVD法で基板表
面に堆積する（第１図ｂ）。このSiNxHy膜１３
の膜厚は約3μmであり、膜内部応力は約５×108
dyn／cm2の引つ張り応力である。次に第１図ｃに
示すマスク領域となるメンブレン部のシリコン基
板１１を取り除く工程に移る。
（Si）基板１１の両面にLPCVD法で窒化ケイ素
膜（Si3N4）１２，１２′を堆積する（第１図
ａ）。このSi3N4膜１２，１２′の膜厚は約1000Å
である。次いでメンブレン１３となる水素化窒化
ケイ素（SiNxHy）をプラズマCVD法で基板表
面に堆積する（第１図ｂ）。このSiNxHy膜１３
の膜厚は約3μmであり、膜内部応力は約５×108
dyn／cm2の引つ張り応力である。次に第１図ｃに
示すマスク領域となるメンブレン部のシリコン基
板１１を取り除く工程に移る。
単結晶シリコンはSi3N4に比べ、約１万倍も速
く水酸化ナトリウム溶液に溶けるため、マスク領
域裏面のSi3N4膜１２′の一部分を取り除き、こ
の部分のシリコン（Si）のみを溶解することがで
きる。Si3N4膜１２′のマスク領域裏面に対応し
た領域の除去はフオトリソグラフイー法によつて
マスク領域外にのみレジストを残し、反応性イオ
ンエツチング法を利用して行なう。次いで約25％
水酸化ナトリウム溶液を80℃に加熱し、シリコン
基板１１のエツチングを行う。エツチング速度は
1.5μm／分程度であり、0.5μm厚のシリコン基板
１１をエツチングして窓部１４を形成するのに約
６時間を要した。
く水酸化ナトリウム溶液に溶けるため、マスク領
域裏面のSi3N4膜１２′の一部分を取り除き、こ
の部分のシリコン（Si）のみを溶解することがで
きる。Si3N4膜１２′のマスク領域裏面に対応し
た領域の除去はフオトリソグラフイー法によつて
マスク領域外にのみレジストを残し、反応性イオ
ンエツチング法を利用して行なう。次いで約25％
水酸化ナトリウム溶液を80℃に加熱し、シリコン
基板１１のエツチングを行う。エツチング速度は
1.5μm／分程度であり、0.5μm厚のシリコン基板
１１をエツチングして窓部１４を形成するのに約
６時間を要した。
次に第１図ｄに示すようにメンブレン１３上に
Ｘ線吸収体となる前記窒化タングステン１５を上
記した方法により堆積する。窒化タングステン膜
１５の膜厚は約6000Åである。更に窒化タングス
テン膜１５をパターニングするため電子線レジス
ト膜を塗布し、電子ビーム描画装置を用いてパタ
ーンを描画、現像し、線幅0.25μmルールのレジ
ストパターン１６を形成する（第１図ｅ）。次に
レジストパターンをマスクとしてタングステン膜
１５をエツチングガスとして六フツ化硫黄
（SF6）を用いて反応性イオンエツチング法でエ
ツチングする。この際上記窒化タングステン膜１
５は低応力で、かつ粒構造がないため、パターン
歪みがなくかつ線幅の安定したＸ線吸収体パター
ンが得られる。エツチング後レジスト膜１６を除
去しＸ線マスクを完成する（第１図ｆ）。
Ｘ線吸収体となる前記窒化タングステン１５を上
記した方法により堆積する。窒化タングステン膜
１５の膜厚は約6000Åである。更に窒化タングス
テン膜１５をパターニングするため電子線レジス
ト膜を塗布し、電子ビーム描画装置を用いてパタ
ーンを描画、現像し、線幅0.25μmルールのレジ
ストパターン１６を形成する（第１図ｅ）。次に
レジストパターンをマスクとしてタングステン膜
１５をエツチングガスとして六フツ化硫黄
（SF6）を用いて反応性イオンエツチング法でエ
ツチングする。この際上記窒化タングステン膜１
５は低応力で、かつ粒構造がないため、パターン
歪みがなくかつ線幅の安定したＸ線吸収体パター
ンが得られる。エツチング後レジスト膜１６を除
去しＸ線マスクを完成する（第１図ｆ）。
＜発明の効果＞
以上のように本発明によれば、柱状構造を有し
ない低応力WNx膜の作製が容易となり、この
WNx膜をＸ線マスクの吸収体として用いること
により低歪みかつ線幅制御性の高いＸ線マスク製
作が可能になる。従つて本発明はＸ線マスク開発
および生産において不可欠でありＸ線リソグラフ
イーの実用化を通して社会におよぼす波及的効果
は大きく工業的価値は非常に大きいものである。
ない低応力WNx膜の作製が容易となり、この
WNx膜をＸ線マスクの吸収体として用いること
により低歪みかつ線幅制御性の高いＸ線マスク製
作が可能になる。従つて本発明はＸ線マスク開発
および生産において不可欠でありＸ線リソグラフ
イーの実用化を通して社会におよぼす波及的効果
は大きく工業的価値は非常に大きいものである。
第１図ａ乃至ｆはそれぞれ本発明のＸ線マスク
の形成方法の一実施例の製造工程を説明するため
の工程図、第２図は本発明を実施する際に用いた
プラズマ励起CVD装置の構造を示す模式図、第
３図は第２図に示す装置により窒化タングステン
膜を成膜した場合のRFパワーによる応力の変化
を示す図、第４図はスパツタリング蒸着法により
タングステン膜を成膜した場合の圧力による応力
の変化を示す図である。 １１……枠材となるシリコン基板、１２……シ
リコン基板エツチング用マスク、１３……メンブ
レン、１４……窓部、１５……窒化タングステン
製吸収体パターン。
の形成方法の一実施例の製造工程を説明するため
の工程図、第２図は本発明を実施する際に用いた
プラズマ励起CVD装置の構造を示す模式図、第
３図は第２図に示す装置により窒化タングステン
膜を成膜した場合のRFパワーによる応力の変化
を示す図、第４図はスパツタリング蒸着法により
タングステン膜を成膜した場合の圧力による応力
の変化を示す図である。 １１……枠材となるシリコン基板、１２……シ
リコン基板エツチング用マスク、１３……メンブ
レン、１４……窓部、１５……窒化タングステン
製吸収体パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｘ線の透過を妨げるタングステン、または、
タンタルの重金属を主構成元素とするパターン化
されたＸ線吸収体を保持し、Ｘ線に対して透過率
の高い軽元素からなるＸ線透過膜、及び該透過膜
を保持する支持枠を備えたＸ線マスクの形成方法
において、 前記Ｘ線吸収体の作製工程では、タングステ
ン、またはタンタルを含有する第１のガス、水
素、窒素、シリコンを主構成元素として含有する
第２のガスの、少なくともどちらか一方の気体が
気体放電により励起または分解された気相成長方
法を用いることを特徴とするＸ線マスクの形成方
法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のＸ線吸収体の作
製工程において、 Ｘ線吸収体用の重金属、もしくは重金属化合物
の成膜後の応力が１×109dyn／cm3以下であるこ
とを特徴とするＸ線マスクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61265788A JPS63252428A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | Ｘ線マスクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61265788A JPS63252428A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | Ｘ線マスクの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63252428A JPS63252428A (ja) | 1988-10-19 |
| JPH0519975B2 true JPH0519975B2 (ja) | 1993-03-18 |
Family
ID=17422052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61265788A Granted JPS63252428A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | Ｘ線マスクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63252428A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065191B2 (ja) * | 1988-10-05 | 1994-01-19 | アイエムブイ株式会社 | 振動制御装置 |
| US5464711A (en) * | 1994-08-01 | 1995-11-07 | Motorola Inc. | Process for fabricating an X-ray absorbing mask |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172725U (ja) * | 1986-04-21 | 1987-11-02 |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP61265788A patent/JPS63252428A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63252428A (ja) | 1988-10-19 |
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