JPH0520806B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0520806B2 JPH0520806B2 JP58015659A JP1565983A JPH0520806B2 JP H0520806 B2 JPH0520806 B2 JP H0520806B2 JP 58015659 A JP58015659 A JP 58015659A JP 1565983 A JP1565983 A JP 1565983A JP H0520806 B2 JPH0520806 B2 JP H0520806B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- substrate
- film
- thin film
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は磁気記憶装置に用いられる磁気デイス
クに関するものである。 磁気記録装置における記録密度の向上は斯界の
変らぬ趨勢であり、これを実現する為には磁気記
録体の薄層化、薄膜化が不可欠である。 従来、磁気デイスクとしては酸化鉄微粒子とバ
インダーとの混合物を基板上に塗布したいわゆる
コーテイング媒体が広く用いられてきており記録
密度の増加に伴ないコーテイング媒体の薄膜化が
なされている。しかしコーテイング媒体において
は、厚さを数千Å以下にし、しかも均一な記録再
生特性を実現することはきわめて困難である。 そこでコーテイング媒体に代る高性能磁気記録
媒体として、薄膜化が容易な連続薄膜媒体が注目
されている。連続薄膜媒体として金属メツキ膜を
用いたメツキ磁気デイスクが開発されているが、
近年になつてγ−Fe2O3を主成分とする酸化物磁
気薄膜が注目され、これも金属メツキ膜と同様薄
膜化が可能で磁気特性及び機械的強度、耐食性に
優れている。 この様な酸化物磁性薄膜媒体を用いた磁気記録
体の製造は基板形成工程と媒体形成工程に大別さ
れ、基板形成工程には以下に述べる問題があつ
た。 酸化物磁性薄膜媒体用基板としては、媒体の薄
膜化を可能とし低浮上量における安定したヘツド
浮揚を確保するため平坦性および平滑性が要求さ
れ、また記録体のビツトエラーの観点から基板欠
陥の著しい低減が必要とされる。更に機械的な強
度、加工性、研磨性、軽量性、低価格性、大量生
産などの諸特性と媒体形成工程での熱処理後も非
磁性を保つことが必要とされた。基体材料として
は安価で加工性も良いアルミニウム合金が一般に
広く使用されているが、アルミニウム合金だけで
は基板面の硬さ及び研磨性が不十分であるのでア
ルミニウム合金の表面を陽極酸化処理し研磨加工
したもの、またアルミニウム合金上にSiO2もし
くはガラスを被覆した基板(特開昭57−8921)が
提案されている。これらの基板は前記諸特性の各
項目をほぼ満足するが、基板欠陥の点で問題点を
有している。このような磁気デイスク基板の欠陥
を低減するために特開昭57−18029公報に見られ
る如く、アルミニウム合金基体上に形成したニツ
ケル・リン合金皮膜表面を研磨した基板を用いて
酸化物磁性薄膜媒体を形成する方法が提案されて
いる。 しかしながら、このような方法では一旦Fe3O4
を主成分とする磁性酸化鉄薄膜で基板を被覆し、
その後酸化性雰囲気で熱酸化し酸化鉄薄膜をγ−
Fe2O3化しようとした場合、酸化物磁性膜が基板
界面において下地ニツケル・リン合金と反応し磁
気特性がガラスやアルマイト被覆したアルミニウ
ム合金基板上のそれより劣化し、高密度記録に適
した電磁変換特性を得ることが難かしかつた。 本発明は上述した従来技術の欠点を改善して磁
気特性が良好で且つ基板欠陥によるドロツプアウ
トの少ない高密度記録に適した磁気記録体を提供
することにある。 本発明によれば、金属基体をNiP合金メツキ
層、非磁性非金属硬質膜、酸化物磁性薄膜の順に
被覆した構成をもつことを特徴とする磁気記録体
が提供される。 ここで使用される金属基体は、アルミニウム合
金が好ましく、ニツケル合金メツキ層は電気メツ
キ法または無電解メツキ法により形成出来る。非
磁性非金属硬質膜は一般に活性な金属表面と酸化
物磁性媒体とを分離することを目的とするもの
で、記録媒体の電磁特性に支障がなく、基板の硬
さを損なわないものが好ましく、化学的な安定な
酸化物であるAl2O3、SiO2、ガラス、また窒化物
である窒化シリコンなどが適当である。また酸化
物磁性薄膜としては、Co、Cu、Ti、Zn、Mn等
の添加物を含有するγ−Fe2O3を主成分とする、
もしくはγ−Fe2O3とFe3O4の中間組成物を主成
分とする酸化鉄磁性薄膜が挙げられる。 以下、本発明による磁気記録体の特長を比較例
および実施例により説明する。 比較例 1 機械加工により表面を平坦かつ平滑に仕上げた
アルミ合金円板(直径210mm、厚さ1.9mm)を熱矯
正、熱処理などにより平坦性を更に向上させた
後、酸洗浄、亜鉛置換など施したアルミ合金上に
無電解ニツケル合金メツキ浴(日本カニゼン社製
無電解ニツケル・リン・メツキ液シユーマーB0)
を用い膜厚20μmのニツケル・リン・メツキ膜を
形成した。これを更に研磨により鏡面仕上げし、
無電解ニツケル合金メツキ基板を得た。こうして
得られた基板はいずれも直径1.0μm以上の欠陥お
よび高さ0.1μ以上の突起がなく高密度記録に適し
た表面精度を満していた。この基板上に重量パー
セントでCo1.5%、Cu2.2%を含有するFe3O4焼結
体をターゲツトとし、Arガス雰囲気中でスパツ
クに関するものである。 磁気記録装置における記録密度の向上は斯界の
変らぬ趨勢であり、これを実現する為には磁気記
録体の薄層化、薄膜化が不可欠である。 従来、磁気デイスクとしては酸化鉄微粒子とバ
インダーとの混合物を基板上に塗布したいわゆる
コーテイング媒体が広く用いられてきており記録
密度の増加に伴ないコーテイング媒体の薄膜化が
なされている。しかしコーテイング媒体において
は、厚さを数千Å以下にし、しかも均一な記録再
生特性を実現することはきわめて困難である。 そこでコーテイング媒体に代る高性能磁気記録
媒体として、薄膜化が容易な連続薄膜媒体が注目
されている。連続薄膜媒体として金属メツキ膜を
用いたメツキ磁気デイスクが開発されているが、
近年になつてγ−Fe2O3を主成分とする酸化物磁
気薄膜が注目され、これも金属メツキ膜と同様薄
膜化が可能で磁気特性及び機械的強度、耐食性に
優れている。 この様な酸化物磁性薄膜媒体を用いた磁気記録
体の製造は基板形成工程と媒体形成工程に大別さ
れ、基板形成工程には以下に述べる問題があつ
た。 酸化物磁性薄膜媒体用基板としては、媒体の薄
膜化を可能とし低浮上量における安定したヘツド
浮揚を確保するため平坦性および平滑性が要求さ
れ、また記録体のビツトエラーの観点から基板欠
陥の著しい低減が必要とされる。更に機械的な強
度、加工性、研磨性、軽量性、低価格性、大量生
産などの諸特性と媒体形成工程での熱処理後も非
磁性を保つことが必要とされた。基体材料として
は安価で加工性も良いアルミニウム合金が一般に
広く使用されているが、アルミニウム合金だけで
は基板面の硬さ及び研磨性が不十分であるのでア
ルミニウム合金の表面を陽極酸化処理し研磨加工
したもの、またアルミニウム合金上にSiO2もし
くはガラスを被覆した基板(特開昭57−8921)が
提案されている。これらの基板は前記諸特性の各
項目をほぼ満足するが、基板欠陥の点で問題点を
有している。このような磁気デイスク基板の欠陥
を低減するために特開昭57−18029公報に見られ
る如く、アルミニウム合金基体上に形成したニツ
ケル・リン合金皮膜表面を研磨した基板を用いて
酸化物磁性薄膜媒体を形成する方法が提案されて
いる。 しかしながら、このような方法では一旦Fe3O4
を主成分とする磁性酸化鉄薄膜で基板を被覆し、
その後酸化性雰囲気で熱酸化し酸化鉄薄膜をγ−
Fe2O3化しようとした場合、酸化物磁性膜が基板
界面において下地ニツケル・リン合金と反応し磁
気特性がガラスやアルマイト被覆したアルミニウ
ム合金基板上のそれより劣化し、高密度記録に適
した電磁変換特性を得ることが難かしかつた。 本発明は上述した従来技術の欠点を改善して磁
気特性が良好で且つ基板欠陥によるドロツプアウ
トの少ない高密度記録に適した磁気記録体を提供
することにある。 本発明によれば、金属基体をNiP合金メツキ
層、非磁性非金属硬質膜、酸化物磁性薄膜の順に
被覆した構成をもつことを特徴とする磁気記録体
が提供される。 ここで使用される金属基体は、アルミニウム合
金が好ましく、ニツケル合金メツキ層は電気メツ
キ法または無電解メツキ法により形成出来る。非
磁性非金属硬質膜は一般に活性な金属表面と酸化
物磁性媒体とを分離することを目的とするもの
で、記録媒体の電磁特性に支障がなく、基板の硬
さを損なわないものが好ましく、化学的な安定な
酸化物であるAl2O3、SiO2、ガラス、また窒化物
である窒化シリコンなどが適当である。また酸化
物磁性薄膜としては、Co、Cu、Ti、Zn、Mn等
の添加物を含有するγ−Fe2O3を主成分とする、
もしくはγ−Fe2O3とFe3O4の中間組成物を主成
分とする酸化鉄磁性薄膜が挙げられる。 以下、本発明による磁気記録体の特長を比較例
および実施例により説明する。 比較例 1 機械加工により表面を平坦かつ平滑に仕上げた
アルミ合金円板(直径210mm、厚さ1.9mm)を熱矯
正、熱処理などにより平坦性を更に向上させた
後、酸洗浄、亜鉛置換など施したアルミ合金上に
無電解ニツケル合金メツキ浴(日本カニゼン社製
無電解ニツケル・リン・メツキ液シユーマーB0)
を用い膜厚20μmのニツケル・リン・メツキ膜を
形成した。これを更に研磨により鏡面仕上げし、
無電解ニツケル合金メツキ基板を得た。こうして
得られた基板はいずれも直径1.0μm以上の欠陥お
よび高さ0.1μ以上の突起がなく高密度記録に適し
た表面精度を満していた。この基板上に重量パー
セントでCo1.5%、Cu2.2%を含有するFe3O4焼結
体をターゲツトとし、Arガス雰囲気中でスパツ
【表】
このデイスクの記録周波数特性を測定した結
果、孤立波出力の1/2となる周波数における記録
密度D50は26000FRPIであり孤立波出力は0.68m
Vであつた。 実施例 1 比較例と同様に仕上げた無電解ニツケル合金メ
ツキ基板上に、SiO2をターゲツトとし、Arガス
雰囲気中でスパツタ圧力2×10-3Torr、スパツ
タパワー2KW、基板回転10rpmの条件で、非磁
性非金属であるSiO2を100Å、400Å、1000Åの
厚さに形成した基板を作製した。SiO2膜を形成
した各基板上に比較例と同様のスパツタ条件で
0.18μのFe3O4を主成分とする酸化鉄磁性薄膜を
形成した。これらを大気中で275℃1時間の熱処
理を行なつたところ各基板とも磁性膜は縁がかつ
た黄色となり電気抵抗の測定の結果p−Fe2O3化
しており、これらの磁気特性は第2表のようにな
つた。
果、孤立波出力の1/2となる周波数における記録
密度D50は26000FRPIであり孤立波出力は0.68m
Vであつた。 実施例 1 比較例と同様に仕上げた無電解ニツケル合金メ
ツキ基板上に、SiO2をターゲツトとし、Arガス
雰囲気中でスパツタ圧力2×10-3Torr、スパツ
タパワー2KW、基板回転10rpmの条件で、非磁
性非金属であるSiO2を100Å、400Å、1000Åの
厚さに形成した基板を作製した。SiO2膜を形成
した各基板上に比較例と同様のスパツタ条件で
0.18μのFe3O4を主成分とする酸化鉄磁性薄膜を
形成した。これらを大気中で275℃1時間の熱処
理を行なつたところ各基板とも磁性膜は縁がかつ
た黄色となり電気抵抗の測定の結果p−Fe2O3化
しており、これらの磁気特性は第2表のようにな
つた。
【表】
これらのデイスクを比較例の第1表と同様の条
件で各デイスクの記録周波数特性を測定した結
果、第3表の如く、周期数特性及び比較例の場合
よりも優れていた。
件で各デイスクの記録周波数特性を測定した結
果、第3表の如く、周期数特性及び比較例の場合
よりも優れていた。
【表】
実施例 2
比較例と同様に仕上げた無電解ニツケル合金メ
ツキ基板上にAl2O3をターゲツトとし、Arガス雰
囲気中でスパツタ圧力3×10-3Torr、スパツタ
パワー2KW、基板回転10rpmの条件で、非磁性
硬質膜であるAl2O3を300Åの厚さに形成した。
これを基板として比較例と同様のスパツタ条件で
0.17μmのFe3O4を主成分とする酸化鉄磁性薄膜
を形成した。これらを大気中で275℃1時間の熱
処理をし、膜の電気抵抗の測定からγ−Fe2O3を
主成分とする酸化鉄磁性薄膜が得られた。この磁
気特性は、Bs3020G、Hc7000e、S0.78であつた。
これを比較例の第1表と同様の条件でデイスクの
記録周波数特性を調べた結果、D50は31000FRPI
が得られた。 実施例 3 比較例と同様に仕上げた無電解ニツケル合金メ
ツキ基板上に、ターゲツトとしてSi3N4を用いAr
ガス雰囲気中でスパツタ圧力5×10-3Torrスパ
ツタパワー2KW、基板回転10rpmの条件で非磁
性非金属硬質膜であるSi3N4を200Åの厚さに形
成した。これを基板として比較例と同様のスパツ
タ条件で0.17μmのFe3O4を主成分とする酸化鉄
を形成した。これらを大気中で275℃1時間の熱
処理を行なつた結果、膜の電気抵抗の測定からγ
−Fe2O3を主成分とする酸化鉄磁性薄膜であつ
た。この磁気特性はBs3000G、HC710Oe、S0.8
であつた。これをギヤツプ長0.6μm、ターン数13
+13のMn−Znフエライトヘツドでヘツド浮上量
0.15μmの条件で記録周波数特性を測定した結果、
D50が38KFRPIであつた。 以上、比較例で示したように鏡面研磨されたニ
ツケル合金上に直接Fe3O4を形成し、これをγ−
Fe2O3化処理を行なつた場合、下地金属との反応
の影響により良好な磁気特性が得られなかつた
が、本発明によればニツケル合金基板上に化学的
に安定な非磁性非金属硬質膜を形成することによ
つてFe3O4からγ−Fe2O3への熱処理によつても
下地金属との反応がなくγ−Fe2O3化が正常に進
行し高密度記録に適した良好な磁気特性が得られ
る。このように非磁性非金属硬質膜を形成するこ
とによつて優れた磁気特性が得られるが、非磁性
非金属硬質膜の厚さは極く薄い100Å前後でも十
分その目的とするところが達せられることからプ
ロセスの増加によるデイスクの生産性の低下もさ
ほど支障とはならない。
ツキ基板上にAl2O3をターゲツトとし、Arガス雰
囲気中でスパツタ圧力3×10-3Torr、スパツタ
パワー2KW、基板回転10rpmの条件で、非磁性
硬質膜であるAl2O3を300Åの厚さに形成した。
これを基板として比較例と同様のスパツタ条件で
0.17μmのFe3O4を主成分とする酸化鉄磁性薄膜
を形成した。これらを大気中で275℃1時間の熱
処理をし、膜の電気抵抗の測定からγ−Fe2O3を
主成分とする酸化鉄磁性薄膜が得られた。この磁
気特性は、Bs3020G、Hc7000e、S0.78であつた。
これを比較例の第1表と同様の条件でデイスクの
記録周波数特性を調べた結果、D50は31000FRPI
が得られた。 実施例 3 比較例と同様に仕上げた無電解ニツケル合金メ
ツキ基板上に、ターゲツトとしてSi3N4を用いAr
ガス雰囲気中でスパツタ圧力5×10-3Torrスパ
ツタパワー2KW、基板回転10rpmの条件で非磁
性非金属硬質膜であるSi3N4を200Åの厚さに形
成した。これを基板として比較例と同様のスパツ
タ条件で0.17μmのFe3O4を主成分とする酸化鉄
を形成した。これらを大気中で275℃1時間の熱
処理を行なつた結果、膜の電気抵抗の測定からγ
−Fe2O3を主成分とする酸化鉄磁性薄膜であつ
た。この磁気特性はBs3000G、HC710Oe、S0.8
であつた。これをギヤツプ長0.6μm、ターン数13
+13のMn−Znフエライトヘツドでヘツド浮上量
0.15μmの条件で記録周波数特性を測定した結果、
D50が38KFRPIであつた。 以上、比較例で示したように鏡面研磨されたニ
ツケル合金上に直接Fe3O4を形成し、これをγ−
Fe2O3化処理を行なつた場合、下地金属との反応
の影響により良好な磁気特性が得られなかつた
が、本発明によればニツケル合金基板上に化学的
に安定な非磁性非金属硬質膜を形成することによ
つてFe3O4からγ−Fe2O3への熱処理によつても
下地金属との反応がなくγ−Fe2O3化が正常に進
行し高密度記録に適した良好な磁気特性が得られ
る。このように非磁性非金属硬質膜を形成するこ
とによつて優れた磁気特性が得られるが、非磁性
非金属硬質膜の厚さは極く薄い100Å前後でも十
分その目的とするところが達せられることからプ
ロセスの増加によるデイスクの生産性の低下もさ
ほど支障とはならない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 金属基体をNiP合金メツキ層、非磁性非金属
硬質膜、酸化物磁性薄膜の順に被覆した構成を有
し、前記酸化物磁性薄膜がγ−Fe2O3を主成分と
する膜であることを特徴とする磁気記録体。 2 非磁性非金属硬質膜の厚さが100〜1000Åで
ある特許請求の範囲第1項記載の磁気記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015659A JPS59142735A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015659A JPS59142735A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59142735A JPS59142735A (ja) | 1984-08-16 |
| JPH0520806B2 true JPH0520806B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=11894858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58015659A Granted JPS59142735A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59142735A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60231913A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気デイスク |
| US5774783A (en) | 1995-03-17 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
| CN104607253A (zh) * | 2015-01-17 | 2015-05-13 | 东北农业大学 | 一种新型磁性复合氢化催化剂的制备方法 |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP58015659A patent/JPS59142735A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59142735A (ja) | 1984-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61267929A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US5091225A (en) | Magnetic disc member and process for manufacturing the same | |
| JPH0520806B2 (ja) | ||
| JPS61142525A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS61260420A (ja) | 磁気記録体 | |
| JPS61199224A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS61276116A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0421930B2 (ja) | ||
| JPS5961107A (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPS613317A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62117143A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0451885B2 (ja) | ||
| JPS59180829A (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPS6379230A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0315254B2 (ja) | ||
| JPS61184725A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS61188734A (ja) | 磁気デイスク | |
| JPS6035332A (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPH0450646B2 (ja) | ||
| JPH03142708A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60113320A (ja) | 記録体基板およびその製造方法 | |
| JPS6085432A (ja) | 磁気記録体 | |
| JPS6113425A (ja) | 磁気記憶体およびその製造方法 | |
| JPS6085433A (ja) | 磁気記録体 | |
| JPS61199232A (ja) | 磁気記録媒体 |