JPH05209256A - リードフレーム材料及びその製造方法 - Google Patents
リードフレーム材料及びその製造方法Info
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- JPH05209256A JPH05209256A JP4013919A JP1391992A JPH05209256A JP H05209256 A JPH05209256 A JP H05209256A JP 4013919 A JP4013919 A JP 4013919A JP 1391992 A JP1391992 A JP 1391992A JP H05209256 A JPH05209256 A JP H05209256A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、大気中でのワイヤボンディ
ングが可能であり、安価な表面処理を施したリードフレ
ーム材料を得ることにある。 【構成】 本発明に係るトランジスタやＩＣ等に使用さ
れるリードフレーム材料は、母材の最表面に設けた銀層
が、被覆された後熱処理を施されることによる再結晶組
織であるか、または被覆された後圧延処理されたことに
よる圧延組織であることを特徴とし、このようなリード
フレーム材料は、母材の表面に銀を０.３μｍ以上被覆
し、不活性ガス雰囲気中あるいは還元雰囲気中で２００
℃以上母材軟化点以下の温度で熱処理を５秒以上施す
か、または最終圧延工程前に母材の表面に銀を０.３μ
ｍ以上被覆し、不活性ガス雰囲気中あるいは還元雰囲気
中で４００〜８００℃の焼鈍を５秒以上行い、最終圧延
を行うことにより得ることができる。
ングが可能であり、安価な表面処理を施したリードフレ
ーム材料を得ることにある。 【構成】 本発明に係るトランジスタやＩＣ等に使用さ
れるリードフレーム材料は、母材の最表面に設けた銀層
が、被覆された後熱処理を施されることによる再結晶組
織であるか、または被覆された後圧延処理されたことに
よる圧延組織であることを特徴とし、このようなリード
フレーム材料は、母材の表面に銀を０.３μｍ以上被覆
し、不活性ガス雰囲気中あるいは還元雰囲気中で２００
℃以上母材軟化点以下の温度で熱処理を５秒以上施す
か、または最終圧延工程前に母材の表面に銀を０.３μ
ｍ以上被覆し、不活性ガス雰囲気中あるいは還元雰囲気
中で４００〜８００℃の焼鈍を５秒以上行い、最終圧延
を行うことにより得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタやＩＣ等
に使用されるリードフレーム材料とその製造方法に関す
るものである。
に使用されるリードフレーム材料とその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】多くのトランジスタやＩＣには、その電
気信号の伝達等の目的で、銅合金や鉄合金からなるリー
ドフレームと称される金属部材が用いられている。図７
はＩＣの断面を示す図である。図７において、(4)はＩ
Ｃチップ、(5)はＩＣチップ(4)を搭載するダイパッド、
(6)はＩＣチップ(4)上の電極とリードフレームを配線す
る金属細線である。この金属細線(6)はボンディングワ
イヤと称され、金線が主流となっており、一部にはアル
ミニウム線や銅線も用いられている。(7)はリードであ
り、モールド樹脂(8)で封止される部分をインナーリー
ド(9)、外部に露出した部分をアウターリード(10)とい
う。以上の中でダイパッド(5)とリード(7)がリードフレ
ームに相当する。
気信号の伝達等の目的で、銅合金や鉄合金からなるリー
ドフレームと称される金属部材が用いられている。図７
はＩＣの断面を示す図である。図７において、(4)はＩ
Ｃチップ、(5)はＩＣチップ(4)を搭載するダイパッド、
(6)はＩＣチップ(4)上の電極とリードフレームを配線す
る金属細線である。この金属細線(6)はボンディングワ
イヤと称され、金線が主流となっており、一部にはアル
ミニウム線や銅線も用いられている。(7)はリードであ
り、モールド樹脂(8)で封止される部分をインナーリー
ド(9)、外部に露出した部分をアウターリード(10)とい
う。以上の中でダイパッド(5)とリード(7)がリードフレ
ームに相当する。
【０００３】従来、リードフレームは素材のまま用いら
れることはほとんどなく、通常は表面に金属被覆を設け
る必要があった。インナーリード(9)には、ボンディン
グワイヤ(6)を確実に接続するために、銀めっきが３μ
ｍ以上施され、アウターリード(10)には基板とのはんだ
付けのために錫めっきあるいははんだめっきが施されて
いた。銀めっきを銅合金あるいは鉄合金上に施すときに
は、銀の密着性向上のため、かつ拡散防止のため、ニッ
ケルや銅の下地めっきが施される。リードフレーム材料
の場合も同様であり、一例として鉄−ニッケル合金を母
材とする、あるリードフレームの場合、プレスによって
打抜き加工された後、全面に下地めっきを行い、インナ
ーリード(9)のボンディングワイヤ(6)接続面とダイパッ
ド(5)のＩＣチップ(4)搭載側に、部分的に４μｍの銀め
っきを行っている。更に、ＩＣチップ(4)をはんだによ
ってダイパッド(5)に接着し、ＩＣチップ(4)の電極とイ
ンナーリード(9)のボンディングワイヤ(6)で配線し、モ
ールド樹脂(8)で封止した後、アウターリード(10)部の
ニッケルめっき層を剥がし、はんだめっきを行う。ニッ
ケルは一度酸化すると、その酸化膜は強固であり、酸化
膜があるとはんだめっきの密着性が悪いため、上記の例
ではやむなく剥離工程を加えている。
れることはほとんどなく、通常は表面に金属被覆を設け
る必要があった。インナーリード(9)には、ボンディン
グワイヤ(6)を確実に接続するために、銀めっきが３μ
ｍ以上施され、アウターリード(10)には基板とのはんだ
付けのために錫めっきあるいははんだめっきが施されて
いた。銀めっきを銅合金あるいは鉄合金上に施すときに
は、銀の密着性向上のため、かつ拡散防止のため、ニッ
ケルや銅の下地めっきが施される。リードフレーム材料
の場合も同様であり、一例として鉄−ニッケル合金を母
材とする、あるリードフレームの場合、プレスによって
打抜き加工された後、全面に下地めっきを行い、インナ
ーリード(9)のボンディングワイヤ(6)接続面とダイパッ
ド(5)のＩＣチップ(4)搭載側に、部分的に４μｍの銀め
っきを行っている。更に、ＩＣチップ(4)をはんだによ
ってダイパッド(5)に接着し、ＩＣチップ(4)の電極とイ
ンナーリード(9)のボンディングワイヤ(6)で配線し、モ
ールド樹脂(8)で封止した後、アウターリード(10)部の
ニッケルめっき層を剥がし、はんだめっきを行う。ニッ
ケルは一度酸化すると、その酸化膜は強固であり、酸化
膜があるとはんだめっきの密着性が悪いため、上記の例
ではやむなく剥離工程を加えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のリ
ードフレームの表面処理は、大変コストが掛かる工程に
なっている。特に、銀めっきの使用量を減らすために行
っている銀の部分めっきのコストが大きい。低コスト化
を図るために最も有効である手段は、銀めっきを薄く、
リードフレーム全面に施すことであるが、銀めっき厚は
薄くすればするほどワイヤボンディング性が悪くなる。
母材表面のごく小さい領域に凹凸や汚れがある場合、銀
粒子が付着しにくく、その部分だけが露出してしまうピ
ンホール現象が生ずる。徐々にめっき厚を厚くしていく
と露出部が埋められていくが、めっき厚が薄いと母材の
露出部が完全に埋められない。そしてその母材露出部分
は時間の経過と共に、また加熱により、酸化してしま
う。表面が酸化すると、ボンディングワイヤ(6)が付か
なくなったり、簡単に剥がれたりしてしまうわけであ
る。更に、ボンディングワイヤ(6)を接続する工程(以
下、ワイヤボンディングという)では、リードフレーム
を通常３００℃前後まで加熱するため、リードフレーム
材料の表面の酸化が促進される。その中に少しでも銅が
含まれると酸化し易くなる。一方、鉄合金の場合は、普
通４２アロイと称されるニッケル４２％を含む鉄合金が
用いられるが、この表面には加熱する前から極薄い酸化
膜が存在している。
ードフレームの表面処理は、大変コストが掛かる工程に
なっている。特に、銀めっきの使用量を減らすために行
っている銀の部分めっきのコストが大きい。低コスト化
を図るために最も有効である手段は、銀めっきを薄く、
リードフレーム全面に施すことであるが、銀めっき厚は
薄くすればするほどワイヤボンディング性が悪くなる。
母材表面のごく小さい領域に凹凸や汚れがある場合、銀
粒子が付着しにくく、その部分だけが露出してしまうピ
ンホール現象が生ずる。徐々にめっき厚を厚くしていく
と露出部が埋められていくが、めっき厚が薄いと母材の
露出部が完全に埋められない。そしてその母材露出部分
は時間の経過と共に、また加熱により、酸化してしま
う。表面が酸化すると、ボンディングワイヤ(6)が付か
なくなったり、簡単に剥がれたりしてしまうわけであ
る。更に、ボンディングワイヤ(6)を接続する工程(以
下、ワイヤボンディングという)では、リードフレーム
を通常３００℃前後まで加熱するため、リードフレーム
材料の表面の酸化が促進される。その中に少しでも銅が
含まれると酸化し易くなる。一方、鉄合金の場合は、普
通４２アロイと称されるニッケル４２％を含む鉄合金が
用いられるが、この表面には加熱する前から極薄い酸化
膜が存在している。
【０００５】そのため、銀めっきを薄くしたり、その代
わりに銅めっき処理をした材料を、窒素等の不活性ガス
または窒素に水素を混合した還元ガス雰囲気中でワイヤ
ボンドを行うことが試みられている。例えば特願平２−
97626号では、母材である銅合金の表面に０.００５〜
０.５μｍの銀めっきを施した後、熱処理を加えて当該
銀めっき層を母材中に拡散させることにより最表面に銀
層が残らないようにし、均一な表面層を得るものである
が、最表面が純粋な銀ではなく、母材中の銅が含まれる
ため、大気中でワイヤボンディングを行おうとすると簡
単に酸化するためボンディングが不可能である。従っ
て、このリードフレーム材料のワイヤボンディングに
は、窒素等の不活性ガスまたは窒素に水素を混合した還
元ガス雰囲気が必要不可欠であった。以上のような方法
では、信頼性の面で問題を残している上、装置やガスの
コストが余計に掛かるため、ほとんど実用化されていな
いのが現状である。
わりに銅めっき処理をした材料を、窒素等の不活性ガス
または窒素に水素を混合した還元ガス雰囲気中でワイヤ
ボンドを行うことが試みられている。例えば特願平２−
97626号では、母材である銅合金の表面に０.００５〜
０.５μｍの銀めっきを施した後、熱処理を加えて当該
銀めっき層を母材中に拡散させることにより最表面に銀
層が残らないようにし、均一な表面層を得るものである
が、最表面が純粋な銀ではなく、母材中の銅が含まれる
ため、大気中でワイヤボンディングを行おうとすると簡
単に酸化するためボンディングが不可能である。従っ
て、このリードフレーム材料のワイヤボンディングに
は、窒素等の不活性ガスまたは窒素に水素を混合した還
元ガス雰囲気が必要不可欠であった。以上のような方法
では、信頼性の面で問題を残している上、装置やガスの
コストが余計に掛かるため、ほとんど実用化されていな
いのが現状である。
【０００６】本発明は係る問題点を克服するためになさ
れたもので、大気中でのワイヤボンディングが可能であ
り、安価な表面処理を施したリードフレーム材料を得る
ことを目的とする。
れたもので、大気中でのワイヤボンディングが可能であ
り、安価な表面処理を施したリードフレーム材料を得る
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るトランジス
タやＩＣ等に使用されるリードフレーム材料は、母材の
最表面に設けた銀層が被覆された後熱処理を施されるこ
とによる再結晶組織であることを特徴とする。
タやＩＣ等に使用されるリードフレーム材料は、母材の
最表面に設けた銀層が被覆された後熱処理を施されるこ
とによる再結晶組織であることを特徴とする。
【０００８】更に、本発明に係るトランジスタやＩＣ等
に使用されるリードフレーム材料は、母材の最表面に設
けた銀層の構造が被覆された後圧延処理されたことによ
る圧延組織であることを特徴とする。
に使用されるリードフレーム材料は、母材の最表面に設
けた銀層の構造が被覆された後圧延処理されたことによ
る圧延組織であることを特徴とする。
【０００９】また、本発明に係るトランジスタやＩＣ等
に使用されるリードフレーム材料の製造方法は、母材の
表面に銀を０.３μｍ以上被覆し、不活性ガス雰囲気中
あるいは還元雰囲気中で２００℃以上母材軟化点以下の
温度で熱処理を５秒以上施すことを特徴とする。
に使用されるリードフレーム材料の製造方法は、母材の
表面に銀を０.３μｍ以上被覆し、不活性ガス雰囲気中
あるいは還元雰囲気中で２００℃以上母材軟化点以下の
温度で熱処理を５秒以上施すことを特徴とする。
【００１０】更に、本発明に係るトランジスタやＩＣ等
に使用されるリードフレーム材料の製造方法は、最終圧
延工程前に母材の表面に銀を０.３μｍ以上被覆し、不
活性ガス雰囲気中あるいは還元雰囲気中で４００〜８０
０℃の焼鈍を５秒以上行い、最終圧延を行うことを特徴
とする。
に使用されるリードフレーム材料の製造方法は、最終圧
延工程前に母材の表面に銀を０.３μｍ以上被覆し、不
活性ガス雰囲気中あるいは還元雰囲気中で４００〜８０
０℃の焼鈍を５秒以上行い、最終圧延を行うことを特徴
とする。
【００１１】
【作用】一般的に、０.３〜３μｍ程度の極薄い銀めっ
き処理を施すと、銀めっき層(11)には、図１の断面図に
示すようなピンホール(12)と称される銀粒子(13)間の隙
間が現れる。この材料に熱処理を施すと、まず表面の銀
めっき層(11)の銀粒子(13)が再結晶現象により徐々に成
長し、ゆがて図２のようにピンホール(12)を埋めつくし
てしまう。また、同時に銀めっき層(11)と母材(14)成分
は互いに拡散が進み、更に熱処理を加え続けると、最表
面まで母材(14)の成分の拡散が到達する。本発明のリー
ドフレーム材料では、以上のような熱処理を、再結晶銀
粒子(15)がピンホール(11)を埋めた時点で熱処理を終了
させ、銀めっき層(11)と母材(14)の拡散を最小限に抑え
て、最表面にほぼ純粋が残るようにするものである。
き処理を施すと、銀めっき層(11)には、図１の断面図に
示すようなピンホール(12)と称される銀粒子(13)間の隙
間が現れる。この材料に熱処理を施すと、まず表面の銀
めっき層(11)の銀粒子(13)が再結晶現象により徐々に成
長し、ゆがて図２のようにピンホール(12)を埋めつくし
てしまう。また、同時に銀めっき層(11)と母材(14)成分
は互いに拡散が進み、更に熱処理を加え続けると、最表
面まで母材(14)の成分の拡散が到達する。本発明のリー
ドフレーム材料では、以上のような熱処理を、再結晶銀
粒子(15)がピンホール(11)を埋めた時点で熱処理を終了
させ、銀めっき層(11)と母材(14)の拡散を最小限に抑え
て、最表面にほぼ純粋が残るようにするものである。
【００１２】なお、熱処理時の雰囲気は窒素等の不活性
ガスもしくは水素と窒素の混合ガス等の還元ガスにしな
ければならない。仮に大気中で熱処理を施すと、銀粒子
(13)が再結晶する前にピンホール(12)が酸化してしま
い、その後銀粒子(13)が再結晶してもピンホール(12)は
埋めることができない。従って、本発明の効果をもたら
すには以上のような酸化を抑える雰囲気中での熱処理を
行う必要がある。
ガスもしくは水素と窒素の混合ガス等の還元ガスにしな
ければならない。仮に大気中で熱処理を施すと、銀粒子
(13)が再結晶する前にピンホール(12)が酸化してしま
い、その後銀粒子(13)が再結晶してもピンホール(12)は
埋めることができない。従って、本発明の効果をもたら
すには以上のような酸化を抑える雰囲気中での熱処理を
行う必要がある。
【００１３】以上のようにして得られるリードフレーム
材料は、再結晶した極薄い銀層があるため母材が外気か
ら遮断され、酸化を防止することができる。厳密には、
銀層中に母材成分が拡散するため、加熱すると時間の経
過と共に酸化し易くなるが、ダイパット上にＩＣチップ
を接着するダイレクトボンド工程や、ワイヤボンディン
グ工程程度の加熱では、ワイヤボンディング性を左右す
るような程度の酸化はしない。
材料は、再結晶した極薄い銀層があるため母材が外気か
ら遮断され、酸化を防止することができる。厳密には、
銀層中に母材成分が拡散するため、加熱すると時間の経
過と共に酸化し易くなるが、ダイパット上にＩＣチップ
を接着するダイレクトボンド工程や、ワイヤボンディン
グ工程程度の加熱では、ワイヤボンディング性を左右す
るような程度の酸化はしない。
【００１４】
実施例１．本発明の実施例及び比較例として、リードフ
レーム材料として広く用いられている、ＭＦ２０２合金
(２.０％Ｓｎ、０.２％Ｎｉ、残部不可避不純物及びＣ
ｕ)を母材として、本発明の実施例としては銀めっき
後、Ｎ2−Ｈ2雰囲気中で２５０℃で５時間及び７００℃
で１分の２通りの熱処理を行った試料を用いた。なお、
後者は、熱処理後に仕上圧延を行った。また、比較例
は、実施例と全く同様の条件で銀めっきを施した材料を
そのまま用いたものである。
レーム材料として広く用いられている、ＭＦ２０２合金
(２.０％Ｓｎ、０.２％Ｎｉ、残部不可避不純物及びＣ
ｕ)を母材として、本発明の実施例としては銀めっき
後、Ｎ2−Ｈ2雰囲気中で２５０℃で５時間及び７００℃
で１分の２通りの熱処理を行った試料を用いた。なお、
後者は、熱処理後に仕上圧延を行った。また、比較例
は、実施例と全く同様の条件で銀めっきを施した材料を
そのまま用いたものである。
【００１５】本発明の効果を確認するための試験方法
は、ボンディングワイヤの引っ張り試験を採用した。上
記試料片(1)上に大気中でワイヤボンディングを行い、
引っ張り試験機で図３に示すようにボンディングワイヤ
(2)にフック(3)を引っ掛けて引っ張り、ワイヤが破断す
るか、試料との界面で剥離するか調べ、破断した割合を
求めた。
は、ボンディングワイヤの引っ張り試験を採用した。上
記試料片(1)上に大気中でワイヤボンディングを行い、
引っ張り試験機で図３に示すようにボンディングワイヤ
(2)にフック(3)を引っ掛けて引っ張り、ワイヤが破断す
るか、試料との界面で剥離するか調べ、破断した割合を
求めた。
【００１６】ワイヤボンディング条件は以下の通りであ
り、引っ張り試験結果を図４のグラフに、また、代表的
なものを表１に示す。 ＜ワイヤボンディング条件＞ 接合荷重：５０ｇｆ 温度：２８０℃ 超音波出力：０.２Ｗ 超音波印加時間：５０ｍｓｅｃ. ワイヤ：φ２５μｍ金線
り、引っ張り試験結果を図４のグラフに、また、代表的
なものを表１に示す。 ＜ワイヤボンディング条件＞ 接合荷重：５０ｇｆ 温度：２８０℃ 超音波出力：０.２Ｗ 超音波印加時間：５０ｍｓｅｃ. ワイヤ：φ２５μｍ金線
【００１７】図４のグラフにおいて、ワイヤ破断率と
は、ボンディングワイヤ(2)が図５のように荷重に耐え
きれずに切断されてしまう割合であり、正常であれば１
００％となる。リードフレーム材表面が酸化されている
等、清浄でない場合は、ボンディングワイヤ(2)は破断
されるより小さい荷重において図６(ａ)もしくは図６
(ｂ)のようにリードフレーム材との界面で剥離してしま
う。ＩＣやトランジスタ等の電子部品の信頼性を確保す
るためには、ワイヤの破断率が完全に１００％であるこ
とが必要であり、図４のグラフにおいて１００％に満た
ないものはリードフレーム材料として不適格である。
は、ボンディングワイヤ(2)が図５のように荷重に耐え
きれずに切断されてしまう割合であり、正常であれば１
００％となる。リードフレーム材表面が酸化されている
等、清浄でない場合は、ボンディングワイヤ(2)は破断
されるより小さい荷重において図６(ａ)もしくは図６
(ｂ)のようにリードフレーム材との界面で剥離してしま
う。ＩＣやトランジスタ等の電子部品の信頼性を確保す
るためには、ワイヤの破断率が完全に１００％であるこ
とが必要であり、図４のグラフにおいて１００％に満た
ないものはリードフレーム材料として不適格である。
【００１８】以上のように、本発明のリードフレーム材
は、熱処理前に表面に設けた銀被覆層が０.３μｍ以上
であれば良好なボンディングワイヤ接合性を示し、従来
の銀めっきを３μｍ設けたリードフレーム(材)に優ると
も劣らない。
は、熱処理前に表面に設けた銀被覆層が０.３μｍ以上
であれば良好なボンディングワイヤ接合性を示し、従来
の銀めっきを３μｍ設けたリードフレーム(材)に優ると
も劣らない。
【００１９】銀を再結晶させるためには時間よりも温度
の影響の方がはるかに大きいため温度を高くすれば同じ
効果を非常に短時間で得ることができる。そのため本実
施例では２通りの熱処理条件を試みたが、本実施例に用
いた母材は、３００℃以上の熱処理を施すと軟化が起こ
ってしまうので、７００℃の温度条件で焼鈍した方の試
料については、その後に圧延加工を行うことによって加
工硬化させた。加工率は本実施例では４０％、すなわち
板厚を０.６倍に加工する圧延を行ったが、本発明の効
果は、この加工率によらない。なぜならば加工率に比例
して表面銀層も薄くなるが、予めその分を考慮して銀め
っきを厚く施しておけば良いからである。圧延加工する
前は表面の面積が小さいので、使用する銀の量は圧延加
工する場合もしない場合も同じであるのでコスト的にも
大差ない。
の影響の方がはるかに大きいため温度を高くすれば同じ
効果を非常に短時間で得ることができる。そのため本実
施例では２通りの熱処理条件を試みたが、本実施例に用
いた母材は、３００℃以上の熱処理を施すと軟化が起こ
ってしまうので、７００℃の温度条件で焼鈍した方の試
料については、その後に圧延加工を行うことによって加
工硬化させた。加工率は本実施例では４０％、すなわち
板厚を０.６倍に加工する圧延を行ったが、本発明の効
果は、この加工率によらない。なぜならば加工率に比例
して表面銀層も薄くなるが、予めその分を考慮して銀め
っきを厚く施しておけば良いからである。圧延加工する
前は表面の面積が小さいので、使用する銀の量は圧延加
工する場合もしない場合も同じであるのでコスト的にも
大差ない。
【００２０】次に、上記実施例と同じ要領で製造した本
発明のリードフレーム材料を、通常のリードフレーム加
工方法で加工することを試みたところ、プレス加工・エ
ッチング加工いずれも母材であるＭＦ２０２合金と比較
しても加工性は劣っておらず、加工後のワイヤボンディ
ング性も加工前と全く変わらなかった。また、リードフ
レームに加工した後に本発明の表面処理を施した場合で
も、全く同様のボンディングワイヤ接合強度を示した。
発明のリードフレーム材料を、通常のリードフレーム加
工方法で加工することを試みたところ、プレス加工・エ
ッチング加工いずれも母材であるＭＦ２０２合金と比較
しても加工性は劣っておらず、加工後のワイヤボンディ
ング性も加工前と全く変わらなかった。また、リードフ
レームに加工した後に本発明の表面処理を施した場合で
も、全く同様のボンディングワイヤ接合強度を示した。
【００２１】本実施例では、実施例及び比較例の試料の
母材としてＭＦ２０２合金(２.０％Ｓｎ、０.２％Ｎ
ｉ、残部不可避不純物及びＣｕ)を用いたが、本発明の
リードフレーム材料の母材としては、最表面に銀被覆層
を設けることができればどのような金属材料であっても
採用可能であり、リードフレーム材料として良く用いら
れる他の銅合金や鉄−ニッケル合金であっても、同様の
効果が期待できることは言うまでもない。
母材としてＭＦ２０２合金(２.０％Ｓｎ、０.２％Ｎ
ｉ、残部不可避不純物及びＣｕ)を用いたが、本発明の
リードフレーム材料の母材としては、最表面に銀被覆層
を設けることができればどのような金属材料であっても
採用可能であり、リードフレーム材料として良く用いら
れる他の銅合金や鉄−ニッケル合金であっても、同様の
効果が期待できることは言うまでもない。
【００２２】また、熱処理前の表面の銀被覆層が厚くな
ることは一向に構わないが、コストの面を考慮すると薄
ければ薄い程好ましく、３μｍを超えて銀被覆層を設け
ることは無意味であろう。
ることは一向に構わないが、コストの面を考慮すると薄
ければ薄い程好ましく、３μｍを超えて銀被覆層を設け
ることは無意味であろう。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るリー
ドフレーム材料は、母材の最表面に設けた銀層が、被覆
された後熱処理を施されることによる再結晶組織である
か、もしくは被服された後圧延処理されることによる圧
延組織であるので、ワイヤボンディング工程程度の加熱
ではワイヤボンディング性を左右するような程度の酸化
を生ずることなく、低コストでワイヤボンド信頼性の高
いリードフレームを得ることができる。
ドフレーム材料は、母材の最表面に設けた銀層が、被覆
された後熱処理を施されることによる再結晶組織である
か、もしくは被服された後圧延処理されることによる圧
延組織であるので、ワイヤボンディング工程程度の加熱
ではワイヤボンディング性を左右するような程度の酸化
を生ずることなく、低コストでワイヤボンド信頼性の高
いリードフレームを得ることができる。
【図１】銀めっきを施した金属材料の断面の模式図であ
る。
る。
【図２】銀めっきを施した金属材料に熱処理を加えて銀
を再結晶させたものの断面の模式図である。
を再結晶させたものの断面の模式図である。
【図３】本発明の実施例の引っ張り試験方法を示す概略
図である。
図である。
【図４】本発明の実施例の引っ張り試験結果を示すグラ
フである。
フである。
【図５】本発明の実施例において行った引っ張り試験に
よるワイヤの断線を示す概略図である。
よるワイヤの断線を示す概略図である。
【図６】(ａ)及び(ｂ)は本発明の実施例において行った
引っ張り試験によるワイヤの剥離を示す概略図である。
引っ張り試験によるワイヤの剥離を示す概略図である。
【図７】本発明の実施例において行った引っ張り試験に
よるワイヤの剥離を示す概略図である。
よるワイヤの剥離を示す概略図である。
１ 試料片 ２ ボンディングワイヤ ３ フック ４ ＩＣチップ ５ ダイパッド ６ ボンディングワイヤ ７ リード ８ モールド樹脂 ９ インナーリード １０ アウターリード １１ 銀層 １２ ピンホール １３ 銀粒子 １４ 母材 １５ 再結晶銀粒子
Claims (4)
- 【請求項１】 トランジスタやＩＣ等に使用されるリー
ドフレーム材料において、母材の最表面に設けた銀層
が、被覆された後熱処理を施されることによる再結晶組
織であることを特徴とするリードフレーム材料。 - 【請求項２】 トランジスタやＩＣ等に使用されるリー
ドフレーム材料において、母材の最表面に設けた銀層の
構造が、被覆された後圧延処理されたことによる圧延組
織であることを特徴とするリードフレーム材料。 - 【請求項３】 トランジスタやＩＣ等に使用されるリー
ドフレーム材料の製造方法において、母材の表面に銀を
０.３μｍ以上被覆し、不活性ガス雰囲気中あるいは還
元雰囲気中で２００℃以上母材軟化点以下の温度で熱処
理を５秒以上施すことを特徴とするリードフレーム材の
製造方法。 - 【請求項４】 トランジスタやＩＣ等に使用されるリー
ドフレーム材料の製造方法において、最終圧延工程前に
母材の表面に銀を０.３μｍ以上被覆し、不活性ガス雰
囲気中あるいは還元雰囲気中で４００〜８００℃の焼鈍
を５秒以上行い、最終圧延を行うことを特徴とするリー
ドフレーム材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013919A JPH05209256A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | リードフレーム材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4013919A JPH05209256A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | リードフレーム材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05209256A true JPH05209256A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11846585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4013919A Pending JPH05209256A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | リードフレーム材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05209256A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016106423A (ja) * | 2016-02-15 | 2016-06-16 | 大日本印刷株式会社 | Ｌｅｄ用リードフレームの製造方法 |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP4013919A patent/JPH05209256A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016106423A (ja) * | 2016-02-15 | 2016-06-16 | 大日本印刷株式会社 | Ｌｅｄ用リードフレームの製造方法 |
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