JPH0521403A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0521403A JPH0521403A JP16856891A JP16856891A JPH0521403A JP H0521403 A JPH0521403 A JP H0521403A JP 16856891 A JP16856891 A JP 16856891A JP 16856891 A JP16856891 A JP 16856891A JP H0521403 A JPH0521403 A JP H0521403A
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- synchrotron radiation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板上の酸化膜の除去方法に関し，処
理速度の増加と処理温度の低温化を目的とする。 【構成】 １）真空または水素雰囲気中で，シリコン基
板上に被着されたシリコンの酸化膜にシンクロトロン放
射光を照射する第一工程と，次いで，該酸化膜を除去す
る第二工程とを有するように構成する。２）前記第二工
程がウエットエッチングあるいはプラズマエッチングあ
るいは還元雰囲気中での加熱処理であるように構成す
る。
理速度の増加と処理温度の低温化を目的とする。 【構成】 １）真空または水素雰囲気中で，シリコン基
板上に被着されたシリコンの酸化膜にシンクロトロン放
射光を照射する第一工程と，次いで，該酸化膜を除去す
る第二工程とを有するように構成する。２）前記第二工
程がウエットエッチングあるいはプラズマエッチングあ
るいは還元雰囲気中での加熱処理であるように構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り, 特に半導体基板上の酸化膜の除去方法に関する。
係り, 特に半導体基板上の酸化膜の除去方法に関する。
【０００２】半導体装置の製造プロセスにおいて，半導
体基板上の酸化膜を除去する工程は非常に多い。この工
程も他の工程と同様に, デバイスの微細化に対応して信
頼性および製造歩留あるいは処理のスループットの向上
のために, 低温で処理速度が速いことが要望されてい
る。
体基板上の酸化膜を除去する工程は非常に多い。この工
程も他の工程と同様に, デバイスの微細化に対応して信
頼性および製造歩留あるいは処理のスループットの向上
のために, 低温で処理速度が速いことが要望されてい
る。
【０００３】本発明はこの要望に対処した処理方法とし
て利用できる。
て利用できる。
【０００４】
【従来の技術】従来の酸化膜〔二酸化シリコン(SiO2)
膜〕除去の一般的な方法は, フッ酸の水溶液中にシリコ
ン(Si)基板を浸漬して, その表面に被着された酸化膜を
除去するウエットエッチング法と，酸化膜を除去できる
ラジカルを発生するガスプラズマ中に基板を置くドライ
エッチング（プラズマエッチング）法とがある。
膜〕除去の一般的な方法は, フッ酸の水溶液中にシリコ
ン(Si)基板を浸漬して, その表面に被着された酸化膜を
除去するウエットエッチング法と，酸化膜を除去できる
ラジカルを発生するガスプラズマ中に基板を置くドライ
エッチング（プラズマエッチング）法とがある。
【０００５】また，結晶成長前の半導体基板上に生成し
ている自然酸化膜を除去して基板表面を清浄化すること
は，結晶性の良い膜の成長には必須の工程である。この
場合は，真空中やハロゲンを含んだガス(HCl,Cl2) 中
で, 基板を 900℃程度に加熱して酸化膜を除去してい
た。
ている自然酸化膜を除去して基板表面を清浄化すること
は，結晶性の良い膜の成長には必須の工程である。この
場合は，真空中やハロゲンを含んだガス(HCl,Cl2) 中
で, 基板を 900℃程度に加熱して酸化膜を除去してい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これらの酸化膜除去方
法は, 下地のエッチングや損傷を防ぐために除去速度の
向上が望まれている。また, 微細な構造を精度良く製造
するために処理温度の低温化と低温での除去速度の向上
も望まれている。
法は, 下地のエッチングや損傷を防ぐために除去速度の
向上が望まれている。また, 微細な構造を精度良く製造
するために処理温度の低温化と低温での除去速度の向上
も望まれている。
【０００７】本発明は基板上に被着された酸化膜の除去
に際し, 処理速度の増加と処理温度の低温化を目的とす
る。
に際し, 処理速度の増加と処理温度の低温化を目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
真空または水素雰囲気中で，シリコン基板上に被着され
たシリコンの酸化膜にシンクロトロン放射光を照射する
第一工程と，次いで，該酸化膜を除去する第二工程とを
有する半導体装置の製造方法，あるいは２）前記第二工
程がウエットエッチングあるいはプラズマエッチングあ
るいは還元雰囲気中での加熱処理である前記１）記載の
半導体装置の製造方法により達成される。
真空または水素雰囲気中で，シリコン基板上に被着され
たシリコンの酸化膜にシンクロトロン放射光を照射する
第一工程と，次いで，該酸化膜を除去する第二工程とを
有する半導体装置の製造方法，あるいは２）前記第二工
程がウエットエッチングあるいはプラズマエッチングあ
るいは還元雰囲気中での加熱処理である前記１）記載の
半導体装置の製造方法により達成される。
【０００９】
【作用】本発明は酸化膜のウエットエッチング工程前
に，酸化膜にシンクロトロン放射(SOR) 光を照射するこ
とにより，酸化膜中のシリコンと酸素の結合が弱めら
れ,その結果酸化膜の除去速度が増加することを利用し
たものである。
に，酸化膜にシンクロトロン放射(SOR) 光を照射するこ
とにより，酸化膜中のシリコンと酸素の結合が弱めら
れ,その結果酸化膜の除去速度が増加することを利用し
たものである。
【００１０】また，シンクロトロン放射光の照射により
酸化膜中のシリコンと酸素の結合が弱くなるということ
は, 酸化膜の蒸発温度も低下されることになり, エピタ
キシャル成長前の間を処理である前記加熱による表面清
浄化処理においても従来より低温で充分な除去速度が得
られることを意味している。
酸化膜中のシリコンと酸素の結合が弱くなるということ
は, 酸化膜の蒸発温度も低下されることになり, エピタ
キシャル成長前の間を処理である前記加熱による表面清
浄化処理においても従来より低温で充分な除去速度が得
られることを意味している。
【００１１】
【実施例】シンクロトロン放射光照射装置を用いて, シ
ンクロトロン放射光を次の照射条件でシリコン基板上に
被着された酸化膜を照射した。 照射光：１〜100 nmの波長を含む白色光（SOR 光) 照射光の強度：約1016 photons/cm2/s 基板温度：室温 真空および水素(H2)雰囲気(0.1〜1 Torr) 照射時間：30分および60分 基板：熱酸化により表面に約 130 nm の酸化膜が形
成されたシリコン基板図１, 図２は本発明の一実施例の
説明図である。
ンクロトロン放射光を次の照射条件でシリコン基板上に
被着された酸化膜を照射した。 照射光：１〜100 nmの波長を含む白色光（SOR 光) 照射光の強度：約1016 photons/cm2/s 基板温度：室温 真空および水素(H2)雰囲気(0.1〜1 Torr) 照射時間：30分および60分 基板：熱酸化により表面に約 130 nm の酸化膜が形
成されたシリコン基板図１, 図２は本発明の一実施例の
説明図である。
【００１２】図は照射後の酸化膜のフッ酸によるウエッ
トエッチングの様子を示している。エッチャントは10％
に希釈されたフッ酸水溶液を用いた。図１は照射時の雰
囲気を導入ガスのない真空としたもので，図２は0.1 To
rrの水素(H2)中としたものである。
トエッチングの様子を示している。エッチャントは10％
に希釈されたフッ酸水溶液を用いた。図１は照射時の雰
囲気を導入ガスのない真空としたもので，図２は0.1 To
rrの水素(H2)中としたものである。
【００１３】いずれの図も，照射のない場合と照射時間
を30分, 60分とした場合とを比較している。図から分か
るように, シンクロトロン放射光を照射することによ
り, 酸化膜のフッ酸による除去速度が増加し，照射なし
の場合の約2.7 倍となる。
を30分, 60分とした場合とを比較している。図から分か
るように, シンクロトロン放射光を照射することによ
り, 酸化膜のフッ酸による除去速度が増加し，照射なし
の場合の約2.7 倍となる。
【００１４】また，照射の効果は30分で飽和しているこ
とが分かる。これらの結果は，シンクロトロン放射光の
照射により酸化膜が脆弱化され，エッチングされやすい
膜質に変化していることを示している。
とが分かる。これらの結果は，シンクロトロン放射光の
照射により酸化膜が脆弱化され，エッチングされやすい
膜質に変化していることを示している。
【００１５】したがって, シンクロトロン放射光の照射
後に従来の酸化膜エッチング工程を行えば, ウエットエ
ッチングやプラズマエッチングの除去速度が大きくな
り，下地のエッチングや損傷を防ぐことが可能となる。
後に従来の酸化膜エッチング工程を行えば, ウエットエ
ッチングやプラズマエッチングの除去速度が大きくな
り，下地のエッチングや損傷を防ぐことが可能となる。
【００１６】また, シンクロトロン放射光の照射後に従
来の結晶成長前の表面清浄化工程を行えば, その処理温
度の低減が可能となり（例えば,900℃→ 500℃),微細構
造を精度よく製造することができる。
来の結晶成長前の表面清浄化工程を行えば, その処理温
度の低減が可能となり（例えば,900℃→ 500℃),微細構
造を精度よく製造することができる。
【００１７】ここで, 自然酸化膜の除去の確認は以下の
ように行った。シンクロトロン放射光を照射した基板上
では，高速電子線回折(RHEED) 像にシリコン基板特有の
スポットが現れた。
ように行った。シンクロトロン放射光を照射した基板上
では，高速電子線回折(RHEED) 像にシリコン基板特有の
スポットが現れた。
【００１８】図２は実施例に使用したシンクロトロン放
射光照射装置の構成図である。図において，１は差動排
気装置，２〜４はゲートバルブ，５は反応室，６はSOR
光, ７は基板加熱ヒータ，８は水素ガス供給装置，９は
可変リークバルブ，Ｗは基板である。
射光照射装置の構成図である。図において，１は差動排
気装置，２〜４はゲートバルブ，５は反応室，６はSOR
光, ７は基板加熱ヒータ，８は水素ガス供給装置，９は
可変リークバルブ，Ｗは基板である。
【００１９】電子蓄積リングから出射したSOR 光は装置
の左側より反応室５に導入されて，基板Ｗの表面に照射
される。反応室５は差動排気装置１で電子蓄積リングと
隔離されている。
の左側より反応室５に導入されて，基板Ｗの表面に照射
される。反応室５は差動排気装置１で電子蓄積リングと
隔離されている。
【００２０】
【発明の効果】基板上に被着された酸化膜の除去に際
し, 処理速度の増加と処理温度の低温化が可能となっ
た。
し, 処理速度の増加と処理温度の低温化が可能となっ
た。
【００２１】この結果，半導体デバイスの効率的でかつ
高精度の製造ができるようになった。
高精度の製造ができるようになった。
【図１】 本発明の実施例の説明図(1)
【図２】 本発明の実施例の説明図(2)
【図３】 実施例に使用したシンクロトロン放射光照射
装置の構成図
装置の構成図
１ 差動排気装置
２〜４ ゲートバルブ
５ 反応室
６ SOR 光
７ 基板加熱ヒータ
８ 水素ガス供給装置
９ 可変リークバルブ
Ｗ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 真空または水素雰囲気中で，シリコン基
板上に被着されたシリコンの酸化膜にシンクロトロン放
射光を照射する第一工程と， 次いで，該酸化膜を除去する第二工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第二工程がウエットエッチングある
いはプラズマエッチングあるいは還元雰囲気中での加熱
処理であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16856891A JPH0521403A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16856891A JPH0521403A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521403A true JPH0521403A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15870455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16856891A Withdrawn JPH0521403A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521403A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7051289B1 (en) | 1997-03-21 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Window display device and method, and a recording medium recording a window display control program |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP16856891A patent/JPH0521403A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7051289B1 (en) | 1997-03-21 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Window display device and method, and a recording medium recording a window display control program |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |