JPH0521753B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0521753B2 JPH0521753B2 JP57232197A JP23219782A JPH0521753B2 JP H0521753 B2 JPH0521753 B2 JP H0521753B2 JP 57232197 A JP57232197 A JP 57232197A JP 23219782 A JP23219782 A JP 23219782A JP H0521753 B2 JPH0521753 B2 JP H0521753B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording layer
- recording
- cmhg
- sec
- less
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
技術分野
本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光
記録媒体に関する。 先行技術 光記録媒体は、媒体と書込みないし読み出しヘ
ツドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化し
ないという特徴をもち、このため、種々の光記録
媒体の開発研究が行われている。 このような光記録媒体のうち、暗室により画像
処理が不要である等の点で、ヒートモード光記録
媒体の開発が活発になつている。 このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱
として利用する光記録媒体であり、その1例とし
て、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除
去等して、ピツトと称される小穴を形成して書き
込みを行い、このピツトにより情報を記録し、こ
のピツトを読み出し光で検出して読み出しを行う
ものがある。 そして、このようなピツト形成型の媒体の1例
として、基体上に、光吸収色素からなる記録層を
設置して、色素を融解してピツトを形成するもの
や、ニトロセルロース等の自己酸化性化合物と光
吸収色素とを含む記録層を設層し、ニトロセルロ
ース等を分解させてピツトを形成するものや、熱
可塑性樹脂と光吸収色素とからなる記録層を塗設
し、樹脂および色素を融解してピツトを形成する
ものなどが知られている。 このような記録層中に、特に半導体レーザー等
の長波長光用の色素、例えばシアニン色素等を用
いるときには、室内光中の特に赤色〜近赤外光に
よつて、色素が劣化して、書き込み感度および読
み出し信号のS/N比ないしC/N比が低下(保
存劣化)したり、読み出し光のくりかえし照射に
よつて、書き込み後の読み出し信号のS/N比等
が劣化(再生劣化)したりする不都合がある。 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたもの
であつて、その主たる目的は、再生のC/N比が
高く、室内光等の下での保存劣化と再生劣化の少
ない光記録媒体を提供することにある。 本発明者らは、このような目的につき検討を行
つた結果、上記のような保存劣化と再生劣化は、
赤色〜近赤外光等によつて色素が励起されたと
き、エネルギー移動によつて一重項酸素が生じ、
この一重項酸素が色素を酸化劣化させることによ
るものであるとの知見を得、このような知見か
ら、本発明を完成するに至つた。 すなわち、第1の発明は、芳香族環が縮合して
もよいインドレニン環を有するシアニン色素とク
エンチヤーとを含む記録層を、35℃での酸素透過
量が5×10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の樹
脂製の基体上に設層してなることを特徴とする光
記録媒体である。 また、第2の発明は、芳香族環が縮合してもよ
いインドレニン環を有するシアニン色素とクエン
チヤーとを含む記録層を、35℃での酸素透過量が
5×10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の樹脂製
の基体上に設層してなり、記録層上に、35℃での
酸素透過量5×10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以
下の被覆体を密着してなることを特徴とする光記
録媒体である。 そして、第3の発明は、芳香族環が縮合しても
よいインドレニン環を有するシアニン色素とクエ
ンチヤーとを含む記録層を、酸素透過量が5×
10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の樹脂製の基
体上に設層してなる記憶部分を有し、この記録部
分に記録層を被包するように、35℃での酸素透過
量5×10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の蓋体
を連結し、蓋体内部の空〓の酸素分圧を100mmHg
以下としたことを特徴とする光記録媒体である。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明の光記録媒体の記録層中には、色素が含
有される。 用いる色素には、特に制限はなく、シアニン
系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、コ
リンないしコロール系、アントラキノン系、アゾ
系、トリフエニルメタン系、ピリリウムないしチ
アピリリルム塩系等の色素はいずれも使用可能で
ある。 ただ、このような中で、本発明による効果が大
きいのはインドレニン系のシアニンであるので、
本発明ではこのものを用いる。 このようなシアニン色素の中では下記式[]
で示されるものが好ましい。 式[] Φ−L=Ψ (X-)n 上記式[]において、ΨおよびΦは、芳香族
環、例えばベンゼン環、ナフタレン環、フエナン
トレン環等が縮合してもよいインドレニン環をあ
らわす。 これらΦおよびΨは、通常は同一のものである
が、縮合状態が異なつていたり、一方がチアゾー
ル環、オキサゾール環、セレナゾール環、イミダ
ゾール環、ピリジン環等であつたり、互いに異な
つていてもよい。これらの環には、種々の置換基
が結合していてもよい。 なお、Φは、環中の窒素原子が+電荷をもち、
Ψは、環中の窒素原子が中性のものである。 これらΦおよびΨの骨格環としては、下記の式
[Φ]〜[Φ]で示されるものであることが
好ましい。 なお、下記においては、構造はΦの形で示され
る。 このような各種環において、環中の窒素原子に
結合する基R1は、置換または非置換のアルキル
基またはアリール基である。 このような環中の窒素原子に結合する基R1の
炭素原子数には特に制限はない。また、この基が
さらに置換基を有するものである場合、置換基と
しては、スルホン酸基、アルキルカルボニルオキ
シ基、アルキルアミド基、アルキルスルホンアミ
ド基、アルコシキオキシ基、アルキルアミノ基、
アルキルカルバモイル基、アルキルスルフアモイ
ル基、水酸基、ハロゲン原子などいずれであつて
もよい。 なお、後述のmが0である場合、Φ中の窒素原
子に結合する基R1は、置換アルキルまたはアリ
ール基であり、かつ一電荷をもつ。 さらに、縮合ないし非縮合のインドレニン環
(式[Φ]〜[Φ]の3位には、2つの置換
基R2、R3が結合することが好ましい。この場合、
3位に結合する2つの置換基R2、R3としてはア
ルキル基またはアリール基であることが好まし
い。そして、これらのうちでは、炭素原子数1ま
たは2、特に1の非置換アルキル基であることが
好ましい。 一方、ΦおよびΨで表わされる環中の所定の位
置には、さらに他の置換基R4が結合していても
よい。このような置換基としては、アルキル基、
アリール基、複素環残基、ハロゲン原子、アルコ
キシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシカルボ
ニル基、アルキルカルボニルオキシ基、カルボン
酸基など種々の置換基であつてよい。そして、こ
れらの置換基の数(p、q、r、s、t)は通
常、0または1〜4程度とされる。なおp、q、
r、s、tが2以上であるとき、複数のR4は互
いに異なるものであつてよい。 なお、式[Φ]〜[Φ]の縮合ないし非縮
合のインドール環を有するものは、他のシアニン
色素と比較して、塗膜性、安定性にすぐれ、きわ
めて高い反射率を示し、読み出しのC/N比がき
わめて高くなる。 他方、Lはモノ・ジ・トリまたはテトラカルボ
シアニン色素を形成するための連結基を表わす
が、特に式[L]〜[L]のいずれかである
ことが好ましい。 式[L] 式[L] 式[L] 式[L] 式[L] 式[L] 式[L] ここに、Yは、水素原子または1価の基を表わ
す。この場合、1価の基としては、メチル基等の
低級アルキル基、メトキシ基等の低級アルコキシ
基、ジメチルアミノ基、ジフエニルアミノ基、メ
チルフエニルアミル基、モルホリノ基、イミダゾ
リジン基、エトキシカルボニルピペラジン基等の
ジ置換アミノ基、アセトキシ基等のアルキルカル
ボニルオキシ基、メチルチオ基等のアルキルチオ
基、シアノ基、ニトロ基、Br、Cl等のハロゲン
原子などであることが好ましい。 さらに、X-は陰イオンであり、その好ましい
例としては、I-、Br-、ClO4 -、BF4 -、 等を挙げることができる。 なお、mは0または1であるが、mが0である
ときには、通常、ΦのR1が一電荷をもち、分子
内塩となる。 次に、本発明の光吸収色素の具体例を挙げる
が、本発明はこれらのみに限定されるものではな
い。
記録媒体に関する。 先行技術 光記録媒体は、媒体と書込みないし読み出しヘ
ツドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化し
ないという特徴をもち、このため、種々の光記録
媒体の開発研究が行われている。 このような光記録媒体のうち、暗室により画像
処理が不要である等の点で、ヒートモード光記録
媒体の開発が活発になつている。 このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱
として利用する光記録媒体であり、その1例とし
て、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除
去等して、ピツトと称される小穴を形成して書き
込みを行い、このピツトにより情報を記録し、こ
のピツトを読み出し光で検出して読み出しを行う
ものがある。 そして、このようなピツト形成型の媒体の1例
として、基体上に、光吸収色素からなる記録層を
設置して、色素を融解してピツトを形成するもの
や、ニトロセルロース等の自己酸化性化合物と光
吸収色素とを含む記録層を設層し、ニトロセルロ
ース等を分解させてピツトを形成するものや、熱
可塑性樹脂と光吸収色素とからなる記録層を塗設
し、樹脂および色素を融解してピツトを形成する
ものなどが知られている。 このような記録層中に、特に半導体レーザー等
の長波長光用の色素、例えばシアニン色素等を用
いるときには、室内光中の特に赤色〜近赤外光に
よつて、色素が劣化して、書き込み感度および読
み出し信号のS/N比ないしC/N比が低下(保
存劣化)したり、読み出し光のくりかえし照射に
よつて、書き込み後の読み出し信号のS/N比等
が劣化(再生劣化)したりする不都合がある。 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたもの
であつて、その主たる目的は、再生のC/N比が
高く、室内光等の下での保存劣化と再生劣化の少
ない光記録媒体を提供することにある。 本発明者らは、このような目的につき検討を行
つた結果、上記のような保存劣化と再生劣化は、
赤色〜近赤外光等によつて色素が励起されたと
き、エネルギー移動によつて一重項酸素が生じ、
この一重項酸素が色素を酸化劣化させることによ
るものであるとの知見を得、このような知見か
ら、本発明を完成するに至つた。 すなわち、第1の発明は、芳香族環が縮合して
もよいインドレニン環を有するシアニン色素とク
エンチヤーとを含む記録層を、35℃での酸素透過
量が5×10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の樹
脂製の基体上に設層してなることを特徴とする光
記録媒体である。 また、第2の発明は、芳香族環が縮合してもよ
いインドレニン環を有するシアニン色素とクエン
チヤーとを含む記録層を、35℃での酸素透過量が
5×10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の樹脂製
の基体上に設層してなり、記録層上に、35℃での
酸素透過量5×10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以
下の被覆体を密着してなることを特徴とする光記
録媒体である。 そして、第3の発明は、芳香族環が縮合しても
よいインドレニン環を有するシアニン色素とクエ
ンチヤーとを含む記録層を、酸素透過量が5×
10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の樹脂製の基
体上に設層してなる記憶部分を有し、この記録部
分に記録層を被包するように、35℃での酸素透過
量5×10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の蓋体
を連結し、蓋体内部の空〓の酸素分圧を100mmHg
以下としたことを特徴とする光記録媒体である。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明の光記録媒体の記録層中には、色素が含
有される。 用いる色素には、特に制限はなく、シアニン
系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、コ
リンないしコロール系、アントラキノン系、アゾ
系、トリフエニルメタン系、ピリリウムないしチ
アピリリルム塩系等の色素はいずれも使用可能で
ある。 ただ、このような中で、本発明による効果が大
きいのはインドレニン系のシアニンであるので、
本発明ではこのものを用いる。 このようなシアニン色素の中では下記式[]
で示されるものが好ましい。 式[] Φ−L=Ψ (X-)n 上記式[]において、ΨおよびΦは、芳香族
環、例えばベンゼン環、ナフタレン環、フエナン
トレン環等が縮合してもよいインドレニン環をあ
らわす。 これらΦおよびΨは、通常は同一のものである
が、縮合状態が異なつていたり、一方がチアゾー
ル環、オキサゾール環、セレナゾール環、イミダ
ゾール環、ピリジン環等であつたり、互いに異な
つていてもよい。これらの環には、種々の置換基
が結合していてもよい。 なお、Φは、環中の窒素原子が+電荷をもち、
Ψは、環中の窒素原子が中性のものである。 これらΦおよびΨの骨格環としては、下記の式
[Φ]〜[Φ]で示されるものであることが
好ましい。 なお、下記においては、構造はΦの形で示され
る。 このような各種環において、環中の窒素原子に
結合する基R1は、置換または非置換のアルキル
基またはアリール基である。 このような環中の窒素原子に結合する基R1の
炭素原子数には特に制限はない。また、この基が
さらに置換基を有するものである場合、置換基と
しては、スルホン酸基、アルキルカルボニルオキ
シ基、アルキルアミド基、アルキルスルホンアミ
ド基、アルコシキオキシ基、アルキルアミノ基、
アルキルカルバモイル基、アルキルスルフアモイ
ル基、水酸基、ハロゲン原子などいずれであつて
もよい。 なお、後述のmが0である場合、Φ中の窒素原
子に結合する基R1は、置換アルキルまたはアリ
ール基であり、かつ一電荷をもつ。 さらに、縮合ないし非縮合のインドレニン環
(式[Φ]〜[Φ]の3位には、2つの置換
基R2、R3が結合することが好ましい。この場合、
3位に結合する2つの置換基R2、R3としてはア
ルキル基またはアリール基であることが好まし
い。そして、これらのうちでは、炭素原子数1ま
たは2、特に1の非置換アルキル基であることが
好ましい。 一方、ΦおよびΨで表わされる環中の所定の位
置には、さらに他の置換基R4が結合していても
よい。このような置換基としては、アルキル基、
アリール基、複素環残基、ハロゲン原子、アルコ
キシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシカルボ
ニル基、アルキルカルボニルオキシ基、カルボン
酸基など種々の置換基であつてよい。そして、こ
れらの置換基の数(p、q、r、s、t)は通
常、0または1〜4程度とされる。なおp、q、
r、s、tが2以上であるとき、複数のR4は互
いに異なるものであつてよい。 なお、式[Φ]〜[Φ]の縮合ないし非縮
合のインドール環を有するものは、他のシアニン
色素と比較して、塗膜性、安定性にすぐれ、きわ
めて高い反射率を示し、読み出しのC/N比がき
わめて高くなる。 他方、Lはモノ・ジ・トリまたはテトラカルボ
シアニン色素を形成するための連結基を表わす
が、特に式[L]〜[L]のいずれかである
ことが好ましい。 式[L] 式[L] 式[L] 式[L] 式[L] 式[L] 式[L] ここに、Yは、水素原子または1価の基を表わ
す。この場合、1価の基としては、メチル基等の
低級アルキル基、メトキシ基等の低級アルコキシ
基、ジメチルアミノ基、ジフエニルアミノ基、メ
チルフエニルアミル基、モルホリノ基、イミダゾ
リジン基、エトキシカルボニルピペラジン基等の
ジ置換アミノ基、アセトキシ基等のアルキルカル
ボニルオキシ基、メチルチオ基等のアルキルチオ
基、シアノ基、ニトロ基、Br、Cl等のハロゲン
原子などであることが好ましい。 さらに、X-は陰イオンであり、その好ましい
例としては、I-、Br-、ClO4 -、BF4 -、 等を挙げることができる。 なお、mは0または1であるが、mが0である
ときには、通常、ΦのR1が一電荷をもち、分子
内塩となる。 次に、本発明の光吸収色素の具体例を挙げる
が、本発明はこれらのみに限定されるものではな
い。
【表】
【表】
【表】
このような色素は、大有機化学(朝倉書店)含
窒素複素環化合物I 432ページ等に記載された
方法に準じて容易に合成することができる。 すなわち、まず、対応するΦ′−CH3(Φ′は前記
Φに対応する環を表わす。)を過剰のR1I(R1はア
ルキル基またはアリール基)とともに加熱して、
R1をΦ′中の窒素原子に導入してΦ′−CH3I-を得
る。次いで、これを不飽和ジアルデヒドとアルカ
リ触媒を用いて脱水縮合すればよい。 このような色素は、単独で記録層を形成するこ
ともできる。 あるいは、樹脂とともに記録層を形成する。 用いる樹脂としては、自己酸化性のもの、ある
いは熱可塑性樹脂が好適である。 記録層に含有される自己酸化性の樹脂は、昇温
したとき、酸化的な分解を生じるものであるが、
これらのうち、特にニトロセルロースが好適であ
る。 また、熱可塑性樹脂は、記録光を吸収した色素
の昇温により、軟化するものであり、熱可塑性樹
脂としては、公知の種々のものを用いることがで
きる。 これらのうち、特に好適に用いることができる
熱可塑性樹脂には、以下のようなものがある。 (i) ポリオレフイン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ4−メ
チルペンテン−1など。 (ii) ポリオレフイン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エ
チレン−アクリレート酸共重合体、エチレン−
アクリル酸共重合体、エチレン−プロピレン共
重合体、エチレン−ブテン−1共重合体、エチ
レン−無水マレイン酸共重合体、エチレンプロ
ピレンターポリマー(EPT)など。 この場合、コモリマーの重合比は任意のもの
とすることができる。 (iii) 塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、
塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビ
ニル−無水マレイン酸共重合体、アクリル酸エ
ステルないしメタクリル酸エステルと塩化ビニ
ルとの共重合体、アクリルニトリル−塩化ビニ
ル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体、エ
チレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合
体、エチレン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニ
ルをグラフト重合したものなど。 この場合、共重合比は任意のものとすること
ができる。 (iv) 塩化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化
ビニリデン−塩化ビニル−アクリルニトリル共
重合体、塩化ビニリデン−ブタジエン−ハロゲ
ン化ビニル共重合体など。 この場合、共重合比は任意のものとすること
かできる。 (v) ポリスリレン (vi) スチレン共重合体 例えば、スチレン−アクリルニトリル共重合
体(AS樹脂)、スチレン−アクリルニトリル−
ブタジエン共重合体(ABS樹脂)、スチレン−
無水マレイン酸共重合体(SMA樹脂)、、スチ
レン−アクリルエステル−アクリルアミド共重
合体、スチレン−ブタジエン共重合体
(SBR)、スチレン−塩化ビニリデン共重合体、
スチレン−メチルメタアクリレート共重合体な
ど。 この場合、共重合比は任意のものとすること
ができる。 (vii) スチレン型重合体 例えば、α−メチルスチレン、p−メチルス
チレン、2,5−ジクロルスチレン、α,β−
ビニルナフタレン、α−ビニルピリジン、アセ
ナフテン、ビニルアントラセンなど、あるいは
これらの共重合体、例えば、α−メチルスチレ
ンとメタクリル酸エステルとの共重合体。 (viii) クマロン−インデン樹脂 クマロン−インデン−スチレンの単独または
共重合体。 (ix) テルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの
重合体であるテルペン樹脂やβ−ピネンから得
られるピコライト。 (x) アクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好
ましい。 式 上記式において、R10は、水素原子またはア
ルキル基を表わし、R20は、置換または非置換
のアルキル基を表わす。この場合、上記式にお
いて、R10は、水素原子または炭素原子数1〜
4の低級アルキル基、特に水素原子またはメチ
ル基であることが好ましい、また、R20は、置
換、非置換いずれのアルキル基であつてもよい
が、アルキル基の炭素原子数は1〜4であるこ
とが好ましく、またR20が置換アルキル基であ
るときには、アルキル基を置換する置換基は、
水酸基、ハロゲン原子またはアミノ基(特にジ
アルキルアミノ基)あることが好ましい。 このような上記式で示される原子団は、他の
くりかえし原子団とともに、共重合体を形成し
て各種アクリル樹脂を構成してもよいが、通常
は、上記式で示される原子団の1種または2種
以上をくりかえし単位とする単独重合体または
共重合体を形成してアクリル樹脂を構成するこ
とになる。 () ポリアクリルニトリル () アクリルニトリル共重合体 例えば、アクリルニトリル−酢酸ビニル共重
合体、アクリルニトリ−塩化ビニル共重合体、
アクリルニトリル−スチレン共重合体、アクリ
ルニトリル−塩化ビニリデン共重合体、アクリ
ルニトリル−ビニルピリジン共重合体、アクリ
ルニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、ア
クリルニトリル−ブタジエン共重合体、アクリ
ルニトリル−アクリル酸ブチル共重合体など。 この場合、共重合比は任意のものとすること
ができる。 () ダイアセトンアクリルアミドポリマーア
クリルニトリルにアセトンを作用させたダイア
セトンアクリルアミドポリマー。 () ポリ酢酸ビニル () 酢酸ビニル共重合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテ
ル、エチレン、塩化ビニル等との共重合体な
ど。 共重合比は任意のものであつてよい。 () ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビ
ニルエーテル、ポリビニルブチルエーテルな
ど。 () ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン
6、ナイロン66、ナイロン610、ナイロン612、
ナイロン9、ナイロン11、ナイロン12、ナイロ
ン13等の通常のホモナイロン他、ナイロン6/
66/610、ナイロン6/66/12、ナイロン6/
66/11等の重合体や、場合によつては変性ナイ
ロンであつてもよい。 () ポリエステル 例えば、シユウ酸、コハク酸、マレイン酸、
アジピン酸、セバステン酸等の脂肪族二塩基
酸、あるいはイソフタル酸、テレフタル酸など
の芳香族二塩基酸などの各種二塩基酸と、エチ
レングリコール、テトラメチレングリコール、
ヘキサメチレングリコール等のグリコール類と
の縮合物や、共縮合物が好適である。そして、
これらのうちでは、特に脂肪脂肪族二塩基酸と
グリコール類との縮合物や、グリコール類と脂
肪族二塩基酸との共縮合物は、特に好適であ
る。 さらに、例えば無水フタル酸とグリセリンと
の縮合物であるグリプタル樹脂を脂肪酸、天然
樹脂等でエステル化変性した変性グリプタル樹
脂等も好適に使用される。 () ポリビニルアセタール系樹脂 ポリビニルアルコールを、アセタール化して
得られるポリビニルホルマール、ポリビニルア
セタール系樹脂はいずれも好適に使用される。 この場合ポリビニルアセタール系樹脂のアセ
タール化度は任意のものとすることができる。 () ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹
脂。 特に、グリコール類と、ジイソシアネート類
との縮合によつて得られるポリウレタン樹脂、
就中アルキレングリコールとアルキレンジイソ
シアネートとの縮合によつて得られるポリウレ
タン樹脂が好適である。 (xi) ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの
開環重合物、ポリエチレンオキサイドおよびグ
リコール、ポリプロピレンオキサイドおよびグ
リコール、プロピレンオキサイド−エチレンオ
キサイド共重合体、ポリフエニレンオキサイド
など。 (xii) セルロース誘導体 有機酸エステル、エーテルないしこれらの混
合体。 () ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフエニルメタンカー
ボネート、ポリジオキシジフエニルエタンカー
ボネート、ジオキシジフエニルプロパンカーボ
ネート等の各種ポリカーボネート。 () 上記(i)〜()の2種以上のブレ
ンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレ
ンド体。 なお、自己酸化性または熱可塑性の樹脂の分子
量等は種々のものであつてよい。 このような自己酸化性化合物または熱可塑性樹
脂と、前記の色素とは、通常、重量比で1対0.1
〜100の広範な量比にて設層される。 このような記録層には、クエンチヤーが含有さ
れる。これにより、再生劣化や耐光性が格段と向
上する。 クエンチヤーとしては、種々のものを用いるこ
とができるが、特に、色素が励起して一重項酸素
が生じたとき、一重項酸素から電子移動ないしエ
ネルギー移動をうけて励起状態とな、自ら基底状
態にもどるとともに、一重項酸素を三重項状態に
変換する一重励起酸素クエンチヤーであることが
好ましい。 一重項酸素クエンチヤーとしても、アミン化合
物等種々のものを用いることができるが、特に、
再生劣化が減少すること、そして、色素との相溶
性が良好であることなどから、遷移金属キレート
化合物であることが好ましい。この場合、中心金
属としては、Ni、Co、Cu、Mn、Pd、Pt等が好
ましく、特に、下記の化合物が好適である。 (1) アセチルアセトナートキレート系 Q1 Ni()アセチルアセトナート Q2 Cu()アセチルアセトナート Q3 Mn()アセチルアセトナート Q4 Co()アセチルアセトナート (2) ビスジチオ−α−ジケトン系 ここに、R(1)〜R(4)は、置換ないし非置換の
アルキル基またはアリール基を表わし、Mは、
Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金属原子を表わ
す。 この場合、Mは−電荷をもち、4級アンモニ
ウムイオン等のカチオンと塩を形成してもよ
い。 Q5 Ni()ジチオベンジル Q6 Ni()ジチオビアセチル (3) ビスフエニルジチオール系 ここに、R(5)およびR(6)は、メチル基などの
アルキル基、あるいはClなどのハロゲン原子等
を表わし、Mは、Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷
移金属原子を表わす。さらに、aおよびbは、
それぞれ、0または4以下の整数である。 また、上記構造のMは−電荷をもつて、カチ
オンと塩を形成してもよく、さらにはMの上下
には、さらに他の配位子が結合していてもよ
い。 このようなものとしては、下記のものがあ
る。 Q10 PA−1001(商品名 三井東圧フアイン
株式会社製) Q11 PA−1002[商品名 Ni−ビス(トルエ
ンジチオール)テトラ(t−ブチル)アンモニ
ウム] Q12 PA−1003(商品名) Q13 PA−1005[商品名 Ni−ビス(ジクロ
ロベンゼン)テトラ(t−ブチル)アンモニウ
ム] Q14 PA−1006[商品名 Ni−ビス(トリク
ロロベンゼンジチオール)テトラ(t−ブチ
ル)アンモニウム] Q15 Co−ビス(ベンゼン−1,2−ジチオ
ール)テトラブチルアンモニウム Q16 Co−ビス(o−キシレン−4,5−ジ
チオール)テトラ(t−ブチル)アンモニウム Q17 Ni−ビス(ベンゼン−1,2−ジチオ
ール)テトラブチルアンモニウム Q18 Ni−ビス(o−キシレン−4,5−ジ
チオール)テトラブチルアンモニウム Q19 Ni−ビス(5−クロロベンゼン−1,
2ジチオール)テトラブチルアンモニウム Q20 Ni−ビス(3,4,5,6−テトラメ
チルベンゼン−1,2−ジチオール)テトラブ
チルアンモニウム Q21 Ni−ビス(3,4,5,6−テトラク
ロロベンゼン−1,2−ジチオール)テトラブ
チルアンモニウム (4) ジチオカルバミン酸キレート系 ここに、R(7)およびR(8)は、アルキル基を表
わす。また、MはNi、Co、Cu、Pd、Pt等の遷
移金属原子を表わす。 Q22 Ni−ビス(ジブチル ジチオカルバミ
ン酸)[アンチゲン NBC(住友化学社製)] (5) ビスフエニルチオール系 Q23 Ni−ビス(オクチルフエニル)サルフ
アイド (6) チオカテコールキレート系 ここに、MはNi、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移
金属原子を表わす。また、Mは−電荷をもち、
カチオンと塩を形成していてもよく、ベンゼン
環は置換基を有していてもよい。 Q24 Ni−ビス(チオカテコール)テトラブ
チルアンモニウム塩 (7) サリチルアルデヒドオキシム系 ここに、R(9)およびR(10)は、アルキル基を表
わし、Mは、Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金
属原子を表わす。 Q25 Ni()o−(N−イソプロピルホルム
イミドイル)フエノール Q26 Ni()o−(N−ドデシルホルムイミ
ドイル)フエノール Q27 Co()o−(N−ドデシルホルムイミ
ドイル)フエノール Q28 Cu()o−(N−ドデシルホルムイミ
ドイル)フエノール Q29 Ni()2,2′−[エチレンビス(ニト
リロメチリジン)]−ジフエノール Q30 Co()2,2′−[エチレンビス(ニト
リロメチリジン)]−ジフエノール Q31 Ni()2,2′−[1,8−ナフチレン
ビス(ニトリロメチリジン)]−ジフエノール Q32 Ni()−(N−フエニルホルムイミドイ
ル)フエノール Q33 Co()−(N−フエニルホルムイミドイ
ル)フエノール Q34 Cu()−(N−フエニルホルムイミドイ
ル)フエノール Q35 Ni()−サリチルアルデヒドフエニル
ヒドラゾン Q36 Ni()−サリチルアルデヒドオキシム (8) チオビスフエノレートキレート系 ここに、Mは前記と同じであり、R(11)および
R(12)は、アルキル基を表わす。またMは−電荷
をもち、カチオンと塩とを形成していてもよ
い。 Q37 Ni()n−ブチルアミノ[2,2′−チ
オビス(4−tert−オクチル)−フエノレート]
[Cyasorb−UV−1084(アメリカン シアナミ
ド(Co.,Ltd.)] Q38 Co()n−ブチルアミノ[2,2′−チ
オビス(4−tert−オクチル)−フエノレート] Q39 Ni()−2,2′−チオビス(4−tert−
オクチル)−フエノレート (9) 亜ホスホン酸キレート系 ここに、Mは前記と同じであり、R(13)および
R(14)は、アルキル基、水酸基等の置換基を表わ
す。 この他、他のクエンチヤーとしては、下記の
ようなものがある。 (10) ベンゾエート系 Q41 概存化学物質3−3040[チヌビン−120
(チバガイギー社製)] (11) ヒンダードアミン系 Q42 概存化学物質5−3732[SANOL LS−
770(三共製薬社製)] このようなクエンチヤーは、公知の方法に従い
合成される。 そして、クエンチヤーは、前記色素1モルあた
り、一般に0.05〜12モル、特に0.1〜1.2モル程度
含有される。本発明によればクエンチヤー含有量
を、通常の場合より少なくすることができる。 ところで、このようなクエンチヤーは、用いる
色素の吸収極大波長よりも、その吸収極大波長が
50nm以上長波長であることが好ましい。 クエンチヤーの吸収極大波長が、色素の吸収極
大波長よりも50nm長波長であるときには、室内
光等の下での一重項酸素クエンチヤーの励起はほ
とんど無視でき、クエンチグ効果の減少による色
素の酸化劣化が減少し、環境光下で保存性が格段
と向上する。 なお、装置を小型化するためには、書き込みお
よび読み出しの光源として、好ましくは750、
780、830nmの半導体レーザーあるいは633nmの
He−Ne−レーザー等を用いることが好ましいの
で、一重項酸素クエンチヤーの吸収極大波長は
680nm以上、特に680〜1500、より一層好ましく
は800〜1500nmにあることが好ましい。 さらに、読み出し光の波長における用いる色素
(2種以上用いるときにはその実行値)および一
重項酸素クエンチヤーの吸収係数をそれぞれ、εD
およびεQとしたときεD/εQは3以上であることが
好ましい。 なお、色素を2種以上併用して用いるときに
は、色素の吸収極大波長とεDとは、濃度に応じた
相加平均実効値である。 このような値となることにより、読み出し光の
照射時のクエンチヤーの励起がきわめて小さくな
り、一重項酸素による再生劣化はきわめて小さく
なる。 このような吸収特性をもつクエンチヤーは用い
る光源および色素に応じ、適宜選択して使用され
る。 なお、半導体レーザーを用いるときにおいて、
このようなより好ましい特性をもつクエンチヤー
としては、上記のうち、Q7、Q8、Q9、Q10、
Q11、Q12、Q13、Q14、Q18、Q19、Q20、Q21、
Q22、Q37、Q40、Q51、Q52等がある。 このような記録相を設層するには、一般に常法
に従い塗設すればよく、その厚さは、一般に、
0.03〜2μmとされる。あるいは、色素とクエンチ
ヤーのみで記録層を形成するときには、蒸着、ス
パツタリング等によつてもよい。 なお、このような記録層には、この他、他のポ
リマーないしオリゴマー、各種可塑性、界面活性
剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、
滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤等が含有されてい
てもよい。 なお、塗布に用いる溶媒としては、例えばメチ
ルエチルケトン、エチルイソブチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エ
チル、カルビトールアセテート、ブチルカルビト
ールアセテート等のエステル系、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ等のエーテル系、ないしト
ルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロロエタン
等のハロゲン化アルキル系などを用いればよい。 このような記録層を設層する樹脂製の基体の35
℃での酸素透過量は、5×10-12c.c.・cm/cm2・
sec・cmHg以下でなければならない。 これより大きな値となると、酸素遮断能がなく
なり、保存劣化および再生劣化の点で実用に耐え
ない。 このような基体は、通常1〜1.5mm程度の厚さ
とされる。従つて、上記のような酸素透過量をも
つ基体としては、以下のようなものがある。 なお、樹脂製基体の35℃での酸素透過量が1×
10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下となるとより
一層好ましい結果をうる。 酸素透過量×10-12 樹 脂 c.c.・cm/cm2・sec・cmHg 塩化ビニル 5 ナイロン6 4 ポリエチレンテレ 2 フタレート(RET) ポリ3フツ素塩化エチレン 1 ポリ塩化ビニリデン 0.5 ポリビニルアルコール 0.2 なお、用いる基体には、通常、これら単独から
形成されるが、場合によつては、これらの複合材
料として形成されたものであつてもよい。 このような基体上に形成される記録層は、その
表面が酸素から遮断されるようにして使用され
る。 記録層表面を酸素と遮断するには、種々の方法
が可能であり、基体および記録層を酸素不透過性
の材料で被覆したり、酸素を遮断した状態でケー
シング中に収納したりすることが可能である。 これらのうち、特に好ましい構造としては、以
下のようなものがある。 第1は、記録層上に、上記の酸素透過量5c.c.・
cm/cm2・sec・cmHg以下の被覆体を密着する構造
である。 このような場合、被覆体は、前記の基体と同種
の材質からなり、酸素透過量5c.c.・cm/cm2.
sec・cmHg以下で、厚さ1.0〜1.5mm程度の被覆部
材から構成し、この被覆部材を記録層と密着させ
てもよい。 このような場合には、通常、基体を、書き込み
光および読み出し光に対し実質的に透明(透過率
80%)とする。 あるいは、前記の記録層と同一の第2の記録層
を、上記の酸素透過量以下の、前記と同じ第2の
基体上に設層して第2の記録部分とし、この第2
の記録部分の第2の記録層上に被覆部材を密着し
て被覆対とし、この被覆対の被覆部材の他方の面
を記録層に密着してもよい。 このような場合には、被覆部材の酸素透過量
も、通常、上記と同一とする。また、基体および
第2の基体は、書き込み光および読み出し光に対
し、実施的に透明なものとする。 これに対し、第2の構造としては、前記の基体
上に前記の記録層を有する記録部分に、記録層を
被覆するように、酸素透過量5c.c.・cm/cm2・
sec・cmHg以下の蓋体を連結し、蓋体内部の蓋体
内壁面と記録層間の空〓の酸素分圧を100mmHg以
下とするものである。 このような場合、100mmHgより大きい酸素分圧
では、色素の劣化が生じる。なお、酸素分圧を
100mmHg以下とするには、窒素、アルゴン、キセ
ノン、ヘリウム等の不活性ガスで置換するのが一
般的である。 そして、蓋体を、上記の酸素透過量で、厚さ
1.0〜1.5mm程度の蓋部材から形成し、これを記録
部分と気密に連結する。 あるいは、前記と同様、第2の記録層を前記と
同様、酸素透過量5c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下
の第2の基体上に設層して第2の記録部分を形成
し、これに連結部分を連結して蓋体とし、この蓋
体の連結部分を記録部分に連結し、記録層間に所
定の酸素分圧の空〓を形成する。 このような場合、基体および第2の基体は、書
き込み光および読み出し光に対して、実質的に透
明なものとする。 これらにおいて、透明な基体であつて、かつ前
記の酸素透過量をもつものとしては、ナイロン
6、ポリ3フツ化塩素エチレン、ポリ塩化ビニリ
デン、PET、ポリビニルアルコール等がある。 なお、各基体中には、紫外線吸収剤や可視光吸
収剤などを含有させることもできる。 このような基体の形状は使用用途に応じ、テー
プ、デイスク、ドラム、ベルト等いずれであつて
もよい。 また、基体は、通常、トラツキング用の溝を有
する。また、必要に応じ、反射層等の下地層や蒸
熱層などを有するものであつてもよい。 また、記録層上には、必要に応じ、透明基体を
用いるときに裏面として機能する反射層や、各種
最上層保護層、ハーフミラー層などを設けること
もできる。 発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において、
記録光をパルス状に照射する。このとき、記録層
中の色素の発熱により、自己酸化性の樹脂が分解
するか、あるいは熱可塑性樹脂や、色素が融解
し、ピツトが形成される。 この場合、特に、トリないしテトラカルボシア
ニン色素を用いるときには、750、780、830nm
の波長の記録半導体レーザー、ダイオードなどを
用いたとき、きわめて良好な書き込みを行うこと
ができる。 このようにして形成されたピツトは、やはり媒
体の走行しない回転下、上記の波長の読み出し光
の反射光ないし透過光、特に反射光を検出するこ
とにより読み出される。 なお、記録層に熱可塑性樹脂を用いるときに
は、一旦記録層に形成したピツトを光ないし熱で
消去し、再書き込みを行うこともできる。 また、記録ないし読み出し光としては、He−
Neレーザー等を用いることもできる。 発明の具体的効果 本発明ではインドレニン系シアニン色素を用い
るので、再生のC/Nがきわめて高い。またシア
ニン色素にクエンチヤーを添加し、さらに酸素透
過量の低い樹脂基体を用いるので、一重項酸素に
よる色素の酸素劣化による、再生劣化と環境光下
での長期保存下での保存性の悪化が格段と減少す
る。 この場合、クエンチヤー量が少なくても、これ
らの不都合はない。 そして、良好な書き込み感度と読み出しのS/
NないしC/N比をうる。 本発明者らは、本発明の効果を確認するため
種々の実験を行つた。 以下にその1例を示す。 実験例 1 上記色素No.D10、D16、D21、D70と、下記表
1に示される樹脂(R)と、クエンチヤー(Q)とを用
い、表1に示される量比にて、所定の溶媒中に溶
解し、直径15cm、の基板上に、0.07μmの厚さに
塗布設層して、各種光記録部分を得た。 この場合、表1において、NCは、窒素含量
11.5〜12.2%、JIS K6703にもとづく粘度20秒の
ニトロセルロースである。 また、CIは、クマロン−インデン樹脂(日鉄
化学社製V−120数平均分子量730)、NYは、6,
6−ナイロン(数平均分子量3万)、PSは、ポリ
スチレン(数平均分子量3万)をそれぞれ現わ
す。 さらに、用いたクエンチヤーは、上記にて例示
したもののNo.で示される。 加えて、基体材質のPMMAはポリメチルメタ
クリレート、PCはポリカーボネート、NYはナ
イロン6、PVdはポリ塩化ビニリデンである。 そして、表1には、R/Dと、Q/Dの重量比
と、各基板の酸素透過量とが併記される。 このようにして得た光記録部分を用い、これを
ポリ塩化ビニリデン製の1.2mm厚の被覆部材を介
して密着して、サンプルNo.1〜8、10〜19を得
た。 また、光記録部分の一対をアルミニウム製の連
結部材を介して一体化し、空〓長0.5mmにて、記
録層間の空〓を760mmHg、酸素分圧50mmHgにて
Ar置換してサンプルNo.9を得た。 このようにして作成した各サンプルにつき、こ
れを1800rpmで回転させながら、基体裏面側から
AlGaAs−GaAs半導体レーザー記録光(830nm)
を1μmφに集光し(集光部出力10mW)、パルス
巾100n sec、所定周波数で、パルス列状に照射し
て、書き込みを行つた。 この後、1mWの半導体レーザー(830nm)読
み出し光を1μ sec巾、3kHzのパルスとして基体
裏面側から照射して、デイスク表面におけるピー
ク−ピーク間の当初のS/N比を測定した。 次いで、書き込みの後の媒体に、赤外線ランプ
を24時間照射し、照射後、さらに、上記読み出し
光を5分間照射して、S/N比を測定した。 これらの結果を表1に示す。
窒素複素環化合物I 432ページ等に記載された
方法に準じて容易に合成することができる。 すなわち、まず、対応するΦ′−CH3(Φ′は前記
Φに対応する環を表わす。)を過剰のR1I(R1はア
ルキル基またはアリール基)とともに加熱して、
R1をΦ′中の窒素原子に導入してΦ′−CH3I-を得
る。次いで、これを不飽和ジアルデヒドとアルカ
リ触媒を用いて脱水縮合すればよい。 このような色素は、単独で記録層を形成するこ
ともできる。 あるいは、樹脂とともに記録層を形成する。 用いる樹脂としては、自己酸化性のもの、ある
いは熱可塑性樹脂が好適である。 記録層に含有される自己酸化性の樹脂は、昇温
したとき、酸化的な分解を生じるものであるが、
これらのうち、特にニトロセルロースが好適であ
る。 また、熱可塑性樹脂は、記録光を吸収した色素
の昇温により、軟化するものであり、熱可塑性樹
脂としては、公知の種々のものを用いることがで
きる。 これらのうち、特に好適に用いることができる
熱可塑性樹脂には、以下のようなものがある。 (i) ポリオレフイン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ4−メ
チルペンテン−1など。 (ii) ポリオレフイン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エ
チレン−アクリレート酸共重合体、エチレン−
アクリル酸共重合体、エチレン−プロピレン共
重合体、エチレン−ブテン−1共重合体、エチ
レン−無水マレイン酸共重合体、エチレンプロ
ピレンターポリマー(EPT)など。 この場合、コモリマーの重合比は任意のもの
とすることができる。 (iii) 塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、
塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビ
ニル−無水マレイン酸共重合体、アクリル酸エ
ステルないしメタクリル酸エステルと塩化ビニ
ルとの共重合体、アクリルニトリル−塩化ビニ
ル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体、エ
チレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合
体、エチレン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニ
ルをグラフト重合したものなど。 この場合、共重合比は任意のものとすること
ができる。 (iv) 塩化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化
ビニリデン−塩化ビニル−アクリルニトリル共
重合体、塩化ビニリデン−ブタジエン−ハロゲ
ン化ビニル共重合体など。 この場合、共重合比は任意のものとすること
かできる。 (v) ポリスリレン (vi) スチレン共重合体 例えば、スチレン−アクリルニトリル共重合
体(AS樹脂)、スチレン−アクリルニトリル−
ブタジエン共重合体(ABS樹脂)、スチレン−
無水マレイン酸共重合体(SMA樹脂)、、スチ
レン−アクリルエステル−アクリルアミド共重
合体、スチレン−ブタジエン共重合体
(SBR)、スチレン−塩化ビニリデン共重合体、
スチレン−メチルメタアクリレート共重合体な
ど。 この場合、共重合比は任意のものとすること
ができる。 (vii) スチレン型重合体 例えば、α−メチルスチレン、p−メチルス
チレン、2,5−ジクロルスチレン、α,β−
ビニルナフタレン、α−ビニルピリジン、アセ
ナフテン、ビニルアントラセンなど、あるいは
これらの共重合体、例えば、α−メチルスチレ
ンとメタクリル酸エステルとの共重合体。 (viii) クマロン−インデン樹脂 クマロン−インデン−スチレンの単独または
共重合体。 (ix) テルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの
重合体であるテルペン樹脂やβ−ピネンから得
られるピコライト。 (x) アクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好
ましい。 式 上記式において、R10は、水素原子またはア
ルキル基を表わし、R20は、置換または非置換
のアルキル基を表わす。この場合、上記式にお
いて、R10は、水素原子または炭素原子数1〜
4の低級アルキル基、特に水素原子またはメチ
ル基であることが好ましい、また、R20は、置
換、非置換いずれのアルキル基であつてもよい
が、アルキル基の炭素原子数は1〜4であるこ
とが好ましく、またR20が置換アルキル基であ
るときには、アルキル基を置換する置換基は、
水酸基、ハロゲン原子またはアミノ基(特にジ
アルキルアミノ基)あることが好ましい。 このような上記式で示される原子団は、他の
くりかえし原子団とともに、共重合体を形成し
て各種アクリル樹脂を構成してもよいが、通常
は、上記式で示される原子団の1種または2種
以上をくりかえし単位とする単独重合体または
共重合体を形成してアクリル樹脂を構成するこ
とになる。 () ポリアクリルニトリル () アクリルニトリル共重合体 例えば、アクリルニトリル−酢酸ビニル共重
合体、アクリルニトリ−塩化ビニル共重合体、
アクリルニトリル−スチレン共重合体、アクリ
ルニトリル−塩化ビニリデン共重合体、アクリ
ルニトリル−ビニルピリジン共重合体、アクリ
ルニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、ア
クリルニトリル−ブタジエン共重合体、アクリ
ルニトリル−アクリル酸ブチル共重合体など。 この場合、共重合比は任意のものとすること
ができる。 () ダイアセトンアクリルアミドポリマーア
クリルニトリルにアセトンを作用させたダイア
セトンアクリルアミドポリマー。 () ポリ酢酸ビニル () 酢酸ビニル共重合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテ
ル、エチレン、塩化ビニル等との共重合体な
ど。 共重合比は任意のものであつてよい。 () ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビ
ニルエーテル、ポリビニルブチルエーテルな
ど。 () ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン
6、ナイロン66、ナイロン610、ナイロン612、
ナイロン9、ナイロン11、ナイロン12、ナイロ
ン13等の通常のホモナイロン他、ナイロン6/
66/610、ナイロン6/66/12、ナイロン6/
66/11等の重合体や、場合によつては変性ナイ
ロンであつてもよい。 () ポリエステル 例えば、シユウ酸、コハク酸、マレイン酸、
アジピン酸、セバステン酸等の脂肪族二塩基
酸、あるいはイソフタル酸、テレフタル酸など
の芳香族二塩基酸などの各種二塩基酸と、エチ
レングリコール、テトラメチレングリコール、
ヘキサメチレングリコール等のグリコール類と
の縮合物や、共縮合物が好適である。そして、
これらのうちでは、特に脂肪脂肪族二塩基酸と
グリコール類との縮合物や、グリコール類と脂
肪族二塩基酸との共縮合物は、特に好適であ
る。 さらに、例えば無水フタル酸とグリセリンと
の縮合物であるグリプタル樹脂を脂肪酸、天然
樹脂等でエステル化変性した変性グリプタル樹
脂等も好適に使用される。 () ポリビニルアセタール系樹脂 ポリビニルアルコールを、アセタール化して
得られるポリビニルホルマール、ポリビニルア
セタール系樹脂はいずれも好適に使用される。 この場合ポリビニルアセタール系樹脂のアセ
タール化度は任意のものとすることができる。 () ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹
脂。 特に、グリコール類と、ジイソシアネート類
との縮合によつて得られるポリウレタン樹脂、
就中アルキレングリコールとアルキレンジイソ
シアネートとの縮合によつて得られるポリウレ
タン樹脂が好適である。 (xi) ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの
開環重合物、ポリエチレンオキサイドおよびグ
リコール、ポリプロピレンオキサイドおよびグ
リコール、プロピレンオキサイド−エチレンオ
キサイド共重合体、ポリフエニレンオキサイド
など。 (xii) セルロース誘導体 有機酸エステル、エーテルないしこれらの混
合体。 () ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフエニルメタンカー
ボネート、ポリジオキシジフエニルエタンカー
ボネート、ジオキシジフエニルプロパンカーボ
ネート等の各種ポリカーボネート。 () 上記(i)〜()の2種以上のブレ
ンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレ
ンド体。 なお、自己酸化性または熱可塑性の樹脂の分子
量等は種々のものであつてよい。 このような自己酸化性化合物または熱可塑性樹
脂と、前記の色素とは、通常、重量比で1対0.1
〜100の広範な量比にて設層される。 このような記録層には、クエンチヤーが含有さ
れる。これにより、再生劣化や耐光性が格段と向
上する。 クエンチヤーとしては、種々のものを用いるこ
とができるが、特に、色素が励起して一重項酸素
が生じたとき、一重項酸素から電子移動ないしエ
ネルギー移動をうけて励起状態とな、自ら基底状
態にもどるとともに、一重項酸素を三重項状態に
変換する一重励起酸素クエンチヤーであることが
好ましい。 一重項酸素クエンチヤーとしても、アミン化合
物等種々のものを用いることができるが、特に、
再生劣化が減少すること、そして、色素との相溶
性が良好であることなどから、遷移金属キレート
化合物であることが好ましい。この場合、中心金
属としては、Ni、Co、Cu、Mn、Pd、Pt等が好
ましく、特に、下記の化合物が好適である。 (1) アセチルアセトナートキレート系 Q1 Ni()アセチルアセトナート Q2 Cu()アセチルアセトナート Q3 Mn()アセチルアセトナート Q4 Co()アセチルアセトナート (2) ビスジチオ−α−ジケトン系 ここに、R(1)〜R(4)は、置換ないし非置換の
アルキル基またはアリール基を表わし、Mは、
Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金属原子を表わ
す。 この場合、Mは−電荷をもち、4級アンモニ
ウムイオン等のカチオンと塩を形成してもよ
い。 Q5 Ni()ジチオベンジル Q6 Ni()ジチオビアセチル (3) ビスフエニルジチオール系 ここに、R(5)およびR(6)は、メチル基などの
アルキル基、あるいはClなどのハロゲン原子等
を表わし、Mは、Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷
移金属原子を表わす。さらに、aおよびbは、
それぞれ、0または4以下の整数である。 また、上記構造のMは−電荷をもつて、カチ
オンと塩を形成してもよく、さらにはMの上下
には、さらに他の配位子が結合していてもよ
い。 このようなものとしては、下記のものがあ
る。 Q10 PA−1001(商品名 三井東圧フアイン
株式会社製) Q11 PA−1002[商品名 Ni−ビス(トルエ
ンジチオール)テトラ(t−ブチル)アンモニ
ウム] Q12 PA−1003(商品名) Q13 PA−1005[商品名 Ni−ビス(ジクロ
ロベンゼン)テトラ(t−ブチル)アンモニウ
ム] Q14 PA−1006[商品名 Ni−ビス(トリク
ロロベンゼンジチオール)テトラ(t−ブチ
ル)アンモニウム] Q15 Co−ビス(ベンゼン−1,2−ジチオ
ール)テトラブチルアンモニウム Q16 Co−ビス(o−キシレン−4,5−ジ
チオール)テトラ(t−ブチル)アンモニウム Q17 Ni−ビス(ベンゼン−1,2−ジチオ
ール)テトラブチルアンモニウム Q18 Ni−ビス(o−キシレン−4,5−ジ
チオール)テトラブチルアンモニウム Q19 Ni−ビス(5−クロロベンゼン−1,
2ジチオール)テトラブチルアンモニウム Q20 Ni−ビス(3,4,5,6−テトラメ
チルベンゼン−1,2−ジチオール)テトラブ
チルアンモニウム Q21 Ni−ビス(3,4,5,6−テトラク
ロロベンゼン−1,2−ジチオール)テトラブ
チルアンモニウム (4) ジチオカルバミン酸キレート系 ここに、R(7)およびR(8)は、アルキル基を表
わす。また、MはNi、Co、Cu、Pd、Pt等の遷
移金属原子を表わす。 Q22 Ni−ビス(ジブチル ジチオカルバミ
ン酸)[アンチゲン NBC(住友化学社製)] (5) ビスフエニルチオール系 Q23 Ni−ビス(オクチルフエニル)サルフ
アイド (6) チオカテコールキレート系 ここに、MはNi、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移
金属原子を表わす。また、Mは−電荷をもち、
カチオンと塩を形成していてもよく、ベンゼン
環は置換基を有していてもよい。 Q24 Ni−ビス(チオカテコール)テトラブ
チルアンモニウム塩 (7) サリチルアルデヒドオキシム系 ここに、R(9)およびR(10)は、アルキル基を表
わし、Mは、Ni、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金
属原子を表わす。 Q25 Ni()o−(N−イソプロピルホルム
イミドイル)フエノール Q26 Ni()o−(N−ドデシルホルムイミ
ドイル)フエノール Q27 Co()o−(N−ドデシルホルムイミ
ドイル)フエノール Q28 Cu()o−(N−ドデシルホルムイミ
ドイル)フエノール Q29 Ni()2,2′−[エチレンビス(ニト
リロメチリジン)]−ジフエノール Q30 Co()2,2′−[エチレンビス(ニト
リロメチリジン)]−ジフエノール Q31 Ni()2,2′−[1,8−ナフチレン
ビス(ニトリロメチリジン)]−ジフエノール Q32 Ni()−(N−フエニルホルムイミドイ
ル)フエノール Q33 Co()−(N−フエニルホルムイミドイ
ル)フエノール Q34 Cu()−(N−フエニルホルムイミドイ
ル)フエノール Q35 Ni()−サリチルアルデヒドフエニル
ヒドラゾン Q36 Ni()−サリチルアルデヒドオキシム (8) チオビスフエノレートキレート系 ここに、Mは前記と同じであり、R(11)および
R(12)は、アルキル基を表わす。またMは−電荷
をもち、カチオンと塩とを形成していてもよ
い。 Q37 Ni()n−ブチルアミノ[2,2′−チ
オビス(4−tert−オクチル)−フエノレート]
[Cyasorb−UV−1084(アメリカン シアナミ
ド(Co.,Ltd.)] Q38 Co()n−ブチルアミノ[2,2′−チ
オビス(4−tert−オクチル)−フエノレート] Q39 Ni()−2,2′−チオビス(4−tert−
オクチル)−フエノレート (9) 亜ホスホン酸キレート系 ここに、Mは前記と同じであり、R(13)および
R(14)は、アルキル基、水酸基等の置換基を表わ
す。 この他、他のクエンチヤーとしては、下記の
ようなものがある。 (10) ベンゾエート系 Q41 概存化学物質3−3040[チヌビン−120
(チバガイギー社製)] (11) ヒンダードアミン系 Q42 概存化学物質5−3732[SANOL LS−
770(三共製薬社製)] このようなクエンチヤーは、公知の方法に従い
合成される。 そして、クエンチヤーは、前記色素1モルあた
り、一般に0.05〜12モル、特に0.1〜1.2モル程度
含有される。本発明によればクエンチヤー含有量
を、通常の場合より少なくすることができる。 ところで、このようなクエンチヤーは、用いる
色素の吸収極大波長よりも、その吸収極大波長が
50nm以上長波長であることが好ましい。 クエンチヤーの吸収極大波長が、色素の吸収極
大波長よりも50nm長波長であるときには、室内
光等の下での一重項酸素クエンチヤーの励起はほ
とんど無視でき、クエンチグ効果の減少による色
素の酸化劣化が減少し、環境光下で保存性が格段
と向上する。 なお、装置を小型化するためには、書き込みお
よび読み出しの光源として、好ましくは750、
780、830nmの半導体レーザーあるいは633nmの
He−Ne−レーザー等を用いることが好ましいの
で、一重項酸素クエンチヤーの吸収極大波長は
680nm以上、特に680〜1500、より一層好ましく
は800〜1500nmにあることが好ましい。 さらに、読み出し光の波長における用いる色素
(2種以上用いるときにはその実行値)および一
重項酸素クエンチヤーの吸収係数をそれぞれ、εD
およびεQとしたときεD/εQは3以上であることが
好ましい。 なお、色素を2種以上併用して用いるときに
は、色素の吸収極大波長とεDとは、濃度に応じた
相加平均実効値である。 このような値となることにより、読み出し光の
照射時のクエンチヤーの励起がきわめて小さくな
り、一重項酸素による再生劣化はきわめて小さく
なる。 このような吸収特性をもつクエンチヤーは用い
る光源および色素に応じ、適宜選択して使用され
る。 なお、半導体レーザーを用いるときにおいて、
このようなより好ましい特性をもつクエンチヤー
としては、上記のうち、Q7、Q8、Q9、Q10、
Q11、Q12、Q13、Q14、Q18、Q19、Q20、Q21、
Q22、Q37、Q40、Q51、Q52等がある。 このような記録相を設層するには、一般に常法
に従い塗設すればよく、その厚さは、一般に、
0.03〜2μmとされる。あるいは、色素とクエンチ
ヤーのみで記録層を形成するときには、蒸着、ス
パツタリング等によつてもよい。 なお、このような記録層には、この他、他のポ
リマーないしオリゴマー、各種可塑性、界面活性
剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、
滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤等が含有されてい
てもよい。 なお、塗布に用いる溶媒としては、例えばメチ
ルエチルケトン、エチルイソブチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エ
チル、カルビトールアセテート、ブチルカルビト
ールアセテート等のエステル系、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ等のエーテル系、ないしト
ルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロロエタン
等のハロゲン化アルキル系などを用いればよい。 このような記録層を設層する樹脂製の基体の35
℃での酸素透過量は、5×10-12c.c.・cm/cm2・
sec・cmHg以下でなければならない。 これより大きな値となると、酸素遮断能がなく
なり、保存劣化および再生劣化の点で実用に耐え
ない。 このような基体は、通常1〜1.5mm程度の厚さ
とされる。従つて、上記のような酸素透過量をも
つ基体としては、以下のようなものがある。 なお、樹脂製基体の35℃での酸素透過量が1×
10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下となるとより
一層好ましい結果をうる。 酸素透過量×10-12 樹 脂 c.c.・cm/cm2・sec・cmHg 塩化ビニル 5 ナイロン6 4 ポリエチレンテレ 2 フタレート(RET) ポリ3フツ素塩化エチレン 1 ポリ塩化ビニリデン 0.5 ポリビニルアルコール 0.2 なお、用いる基体には、通常、これら単独から
形成されるが、場合によつては、これらの複合材
料として形成されたものであつてもよい。 このような基体上に形成される記録層は、その
表面が酸素から遮断されるようにして使用され
る。 記録層表面を酸素と遮断するには、種々の方法
が可能であり、基体および記録層を酸素不透過性
の材料で被覆したり、酸素を遮断した状態でケー
シング中に収納したりすることが可能である。 これらのうち、特に好ましい構造としては、以
下のようなものがある。 第1は、記録層上に、上記の酸素透過量5c.c.・
cm/cm2・sec・cmHg以下の被覆体を密着する構造
である。 このような場合、被覆体は、前記の基体と同種
の材質からなり、酸素透過量5c.c.・cm/cm2.
sec・cmHg以下で、厚さ1.0〜1.5mm程度の被覆部
材から構成し、この被覆部材を記録層と密着させ
てもよい。 このような場合には、通常、基体を、書き込み
光および読み出し光に対し実質的に透明(透過率
80%)とする。 あるいは、前記の記録層と同一の第2の記録層
を、上記の酸素透過量以下の、前記と同じ第2の
基体上に設層して第2の記録部分とし、この第2
の記録部分の第2の記録層上に被覆部材を密着し
て被覆対とし、この被覆対の被覆部材の他方の面
を記録層に密着してもよい。 このような場合には、被覆部材の酸素透過量
も、通常、上記と同一とする。また、基体および
第2の基体は、書き込み光および読み出し光に対
し、実施的に透明なものとする。 これに対し、第2の構造としては、前記の基体
上に前記の記録層を有する記録部分に、記録層を
被覆するように、酸素透過量5c.c.・cm/cm2・
sec・cmHg以下の蓋体を連結し、蓋体内部の蓋体
内壁面と記録層間の空〓の酸素分圧を100mmHg以
下とするものである。 このような場合、100mmHgより大きい酸素分圧
では、色素の劣化が生じる。なお、酸素分圧を
100mmHg以下とするには、窒素、アルゴン、キセ
ノン、ヘリウム等の不活性ガスで置換するのが一
般的である。 そして、蓋体を、上記の酸素透過量で、厚さ
1.0〜1.5mm程度の蓋部材から形成し、これを記録
部分と気密に連結する。 あるいは、前記と同様、第2の記録層を前記と
同様、酸素透過量5c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下
の第2の基体上に設層して第2の記録部分を形成
し、これに連結部分を連結して蓋体とし、この蓋
体の連結部分を記録部分に連結し、記録層間に所
定の酸素分圧の空〓を形成する。 このような場合、基体および第2の基体は、書
き込み光および読み出し光に対して、実質的に透
明なものとする。 これらにおいて、透明な基体であつて、かつ前
記の酸素透過量をもつものとしては、ナイロン
6、ポリ3フツ化塩素エチレン、ポリ塩化ビニリ
デン、PET、ポリビニルアルコール等がある。 なお、各基体中には、紫外線吸収剤や可視光吸
収剤などを含有させることもできる。 このような基体の形状は使用用途に応じ、テー
プ、デイスク、ドラム、ベルト等いずれであつて
もよい。 また、基体は、通常、トラツキング用の溝を有
する。また、必要に応じ、反射層等の下地層や蒸
熱層などを有するものであつてもよい。 また、記録層上には、必要に応じ、透明基体を
用いるときに裏面として機能する反射層や、各種
最上層保護層、ハーフミラー層などを設けること
もできる。 発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において、
記録光をパルス状に照射する。このとき、記録層
中の色素の発熱により、自己酸化性の樹脂が分解
するか、あるいは熱可塑性樹脂や、色素が融解
し、ピツトが形成される。 この場合、特に、トリないしテトラカルボシア
ニン色素を用いるときには、750、780、830nm
の波長の記録半導体レーザー、ダイオードなどを
用いたとき、きわめて良好な書き込みを行うこと
ができる。 このようにして形成されたピツトは、やはり媒
体の走行しない回転下、上記の波長の読み出し光
の反射光ないし透過光、特に反射光を検出するこ
とにより読み出される。 なお、記録層に熱可塑性樹脂を用いるときに
は、一旦記録層に形成したピツトを光ないし熱で
消去し、再書き込みを行うこともできる。 また、記録ないし読み出し光としては、He−
Neレーザー等を用いることもできる。 発明の具体的効果 本発明ではインドレニン系シアニン色素を用い
るので、再生のC/Nがきわめて高い。またシア
ニン色素にクエンチヤーを添加し、さらに酸素透
過量の低い樹脂基体を用いるので、一重項酸素に
よる色素の酸素劣化による、再生劣化と環境光下
での長期保存下での保存性の悪化が格段と減少す
る。 この場合、クエンチヤー量が少なくても、これ
らの不都合はない。 そして、良好な書き込み感度と読み出しのS/
NないしC/N比をうる。 本発明者らは、本発明の効果を確認するため
種々の実験を行つた。 以下にその1例を示す。 実験例 1 上記色素No.D10、D16、D21、D70と、下記表
1に示される樹脂(R)と、クエンチヤー(Q)とを用
い、表1に示される量比にて、所定の溶媒中に溶
解し、直径15cm、の基板上に、0.07μmの厚さに
塗布設層して、各種光記録部分を得た。 この場合、表1において、NCは、窒素含量
11.5〜12.2%、JIS K6703にもとづく粘度20秒の
ニトロセルロースである。 また、CIは、クマロン−インデン樹脂(日鉄
化学社製V−120数平均分子量730)、NYは、6,
6−ナイロン(数平均分子量3万)、PSは、ポリ
スチレン(数平均分子量3万)をそれぞれ現わ
す。 さらに、用いたクエンチヤーは、上記にて例示
したもののNo.で示される。 加えて、基体材質のPMMAはポリメチルメタ
クリレート、PCはポリカーボネート、NYはナ
イロン6、PVdはポリ塩化ビニリデンである。 そして、表1には、R/Dと、Q/Dの重量比
と、各基板の酸素透過量とが併記される。 このようにして得た光記録部分を用い、これを
ポリ塩化ビニリデン製の1.2mm厚の被覆部材を介
して密着して、サンプルNo.1〜8、10〜19を得
た。 また、光記録部分の一対をアルミニウム製の連
結部材を介して一体化し、空〓長0.5mmにて、記
録層間の空〓を760mmHg、酸素分圧50mmHgにて
Ar置換してサンプルNo.9を得た。 このようにして作成した各サンプルにつき、こ
れを1800rpmで回転させながら、基体裏面側から
AlGaAs−GaAs半導体レーザー記録光(830nm)
を1μmφに集光し(集光部出力10mW)、パルス
巾100n sec、所定周波数で、パルス列状に照射し
て、書き込みを行つた。 この後、1mWの半導体レーザー(830nm)読
み出し光を1μ sec巾、3kHzのパルスとして基体
裏面側から照射して、デイスク表面におけるピー
ク−ピーク間の当初のS/N比を測定した。 次いで、書き込みの後の媒体に、赤外線ランプ
を24時間照射し、照射後、さらに、上記読み出し
光を5分間照射して、S/N比を測定した。 これらの結果を表1に示す。
【表】
表1に示される結果から、本発明の効果があき
らかである。 実験例 2 実験例1のサンプルNo.13、15、17を用い、実験
例1と同様に書き込みを行つたのち、赤外線ヒー
ターを用い、媒体を150℃、15秒間加熱して消去
を行つたところ、各媒体とも、くりかえし複数回
の消去、再書き込みが良好にできることが確認さ
れた。
らかである。 実験例 2 実験例1のサンプルNo.13、15、17を用い、実験
例1と同様に書き込みを行つたのち、赤外線ヒー
ターを用い、媒体を150℃、15秒間加熱して消去
を行つたところ、各媒体とも、くりかえし複数回
の消去、再書き込みが良好にできることが確認さ
れた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 芳香族環が縮合してもよいインドレニン環を
有するシアニン色素とクエンチヤーとを含む記録
層を、35℃での酸素透過量が5×10-12c.c.・cm/
cm2・sec・cmHg以下の樹脂製の基体上に設層して
なることを特徴とする光記録媒体。 2 芳香族環が縮合してもよいインドレニン環を
有するシアニン色素とクエンチヤーとを含む記録
層を、35℃での酸素透過量が5×10-12c.c.・cm/
cm2・sec・cmHg以下の樹脂製の基体上に設層して
なり、記録層上に、35℃での酸素透過量5×
10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の被覆体を密
着してなることを特徴とする光記録媒体。 3 被覆体が、35℃での酸素透過量5×10-12
c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の被覆部材からなる
特許請求の範囲第2項に記載の光記録媒体。 4 被覆体が、芳香族環が縮合してもよいインド
レニン環を有するシアニン色素とクエンチヤーと
を含む第2の記録層を、35℃での酸素透過量5×
10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の樹脂製の第
2の基体上に設層してなる第2の記録部分と、こ
の第2の記録部分の第2の記録層上に密着してな
る被覆部材とからなり、この被覆体の被覆部材を
記録層に密着してなる特許請求の範囲第2項に記
載の光記録媒体。 5 芳香族環が縮合してもよいインドレニン環を
有するシアニン色素とクエンチヤーとを含む記録
層を、酸素透過量が5×10-12c.c.・cm/cm2・sec・
cmHg以下の樹脂製の基体上に設層してなる記録
部分を有し、この記録部分に記録層を被包するよ
うに、35℃での酸素透過量5×10-12c.c.・cm/
cm2・sec・cmHg以下の蓋体を連結し、蓋体内部の
空〓の酸素分圧を100mmHg以下としたことを特徴
とする光記録媒体。 6 蓋体が35℃での酸素透過量5×10-12c.c.・
cm/cm2・sec・cmHg以下の蓋部材からなる特許請
求の範囲第5項に記載の光記録媒体。 7 蓋体が、芳香族環が縮合してもよいインドレ
ニン環を有するシアニン色素とクエンチヤーとを
含む第2の記録層を35℃での酸素透過量5×
10-12c.c.・cm/cm2・sec・cmHg以下の樹脂製の第
2の基体上に設層してなる第2の記録部分と、こ
の第2の記録部分を記録部分に連結するための連
結部分とからなる特許請求の範囲第5項に記載の
光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232197A JPS59124891A (ja) | 1982-12-31 | 1982-12-31 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232197A JPS59124891A (ja) | 1982-12-31 | 1982-12-31 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124891A JPS59124891A (ja) | 1984-07-19 |
| JPH0521753B2 true JPH0521753B2 (ja) | 1993-03-25 |
Family
ID=16935509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57232197A Granted JPS59124891A (ja) | 1982-12-31 | 1982-12-31 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124891A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6733950B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-05-11 | General Electric Company | Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon |
| US6866909B2 (en) | 2002-09-04 | 2005-03-15 | General Electric Company | Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon |
| US7202292B2 (en) | 2003-07-15 | 2007-04-10 | General Electric Company | Colored polymeric resin composition with 1,8-diaminoanthraquinone derivative, article made therefrom, and method for making the same |
| US7087282B2 (en) | 2003-07-15 | 2006-08-08 | General Electric Company | Limited play optical storage medium, method for making the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683852A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-08 | Toshiba Corp | Optical recording material |
| JPS5683851A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-08 | Toshiba Corp | Optical recording material |
| JPS56156942A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical storage device |
| JPS5788537A (en) * | 1980-11-19 | 1982-06-02 | Toshiba Corp | Optical disc |
| JPS57152550A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Fujitsu Ltd | Structure of optical recording medium |
| JPS58121154A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-19 | Fujitsu Ltd | 記録媒体 |
-
1982
- 1982-12-31 JP JP57232197A patent/JPS59124891A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59124891A (ja) | 1984-07-19 |
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