JPH05218120A - 半導体モールド成形方法 - Google Patents
半導体モールド成形方法Info
- Publication number
- JPH05218120A JPH05218120A JP4015814A JP1581492A JPH05218120A JP H05218120 A JPH05218120 A JP H05218120A JP 4015814 A JP4015814 A JP 4015814A JP 1581492 A JP1581492 A JP 1581492A JP H05218120 A JPH05218120 A JP H05218120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- cavity
- gate
- semiconductor
- mold package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 樹脂モールドパッケージが大型化・薄型化・
多ピン化しても、その成形時の溶融樹脂の充填バランス
を確保するとともに成形サイクルの短縮化を図り、品質
の向上と生産性の向上を図る。 【構成】 ひとつの樹脂モールドパッケージを形成する
キャビティ１の複数のコーナー部に、それぞれ上下一対
のゲート５ａ、５ｂ、又は上ゲート、下ゲートだけ、又
はそれらを適宜組み合わせて配設し、これら複数のコー
ナー部のゲートから溶融樹脂を流入させることにより、
樹脂モールドパッケージが大型で薄型であっても充填バ
ランスを確保し、また多ピン化によりコーナー部の寸法
が小さくてもゲート面積を確保し、品質、生産性を向上
する。
多ピン化しても、その成形時の溶融樹脂の充填バランス
を確保するとともに成形サイクルの短縮化を図り、品質
の向上と生産性の向上を図る。 【構成】 ひとつの樹脂モールドパッケージを形成する
キャビティ１の複数のコーナー部に、それぞれ上下一対
のゲート５ａ、５ｂ、又は上ゲート、下ゲートだけ、又
はそれらを適宜組み合わせて配設し、これら複数のコー
ナー部のゲートから溶融樹脂を流入させることにより、
樹脂モールドパッケージが大型で薄型であっても充填バ
ランスを確保し、また多ピン化によりコーナー部の寸法
が小さくてもゲート面積を確保し、品質、生産性を向上
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体モールド成形方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体モールド成形方法につい
て、図４〜図６を参照しながら説明する。図４、図５に
おいて、１１は樹脂モールドパッケージの形状に対応す
るキャビティで、上インサート１２と下インサート１３
の間に形成されている。下インサート１３にはキャビテ
ィ１１の１つのコーナー部にキャビティ１１内に溶融樹
脂を流入するためのランナ１４とゲート１５が形成され
ている。１６は上インサート１２と下インサート１３の
間で保持されるリードフレーム、１７はリードフレーム
１６に装着された樹脂モールドすべき半導体素子であ
る。ゲート１５の形状は、図６に示すように、キャビテ
ィ１１とリードフレーム１６の形状に合わせてゲート幅
１８とゲート深さ１９が決定されている。
て、図４〜図６を参照しながら説明する。図４、図５に
おいて、１１は樹脂モールドパッケージの形状に対応す
るキャビティで、上インサート１２と下インサート１３
の間に形成されている。下インサート１３にはキャビテ
ィ１１の１つのコーナー部にキャビティ１１内に溶融樹
脂を流入するためのランナ１４とゲート１５が形成され
ている。１６は上インサート１２と下インサート１３の
間で保持されるリードフレーム、１７はリードフレーム
１６に装着された樹脂モールドすべき半導体素子であ
る。ゲート１５の形状は、図６に示すように、キャビテ
ィ１１とリードフレーム１６の形状に合わせてゲート幅
１８とゲート深さ１９が決定されている。
【０００３】樹脂モールド時には、ランナー１４からゲ
ート１５を介してキャビティ１１内に溶融樹脂を流入さ
せ、半導体素子１７を樹脂モールドしている。
ート１５を介してキャビティ１１内に溶融樹脂を流入さ
せ、半導体素子１７を樹脂モールドしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように樹脂モー
ルドパッケージに対応するキャビティ１１とリードフレ
ーム１６の形状に合わせて、キャビティ１１の１つのコ
ーナー部に形成されるゲート１５の幅１８と深さ１９を
設定しているが、樹脂モールドパッケージの大型化・薄
型化・多ピン化傾向が進んで行くと、キャビティ１１の
コーナー部の寸法が小さくなってゲート１５の面積（１
８×１９）が小さくなるとともに、樹脂モールドパッケ
ージの薄型化に応じてその上部と下部の樹脂厚みＴ1 と
Ｔ2 の差が大きくなるため、キャビティ１１の上インサ
ート１２の部分と下インサート１３の部分との間で充填
バランスがくずれ、ダイパットの変形を生じたり、未充
填部分が発生したり、内部ボイドを発生する等の問題が
生じ易くなるという問題があった。
ルドパッケージに対応するキャビティ１１とリードフレ
ーム１６の形状に合わせて、キャビティ１１の１つのコ
ーナー部に形成されるゲート１５の幅１８と深さ１９を
設定しているが、樹脂モールドパッケージの大型化・薄
型化・多ピン化傾向が進んで行くと、キャビティ１１の
コーナー部の寸法が小さくなってゲート１５の面積（１
８×１９）が小さくなるとともに、樹脂モールドパッケ
ージの薄型化に応じてその上部と下部の樹脂厚みＴ1 と
Ｔ2 の差が大きくなるため、キャビティ１１の上インサ
ート１２の部分と下インサート１３の部分との間で充填
バランスがくずれ、ダイパットの変形を生じたり、未充
填部分が発生したり、内部ボイドを発生する等の問題が
生じ易くなるという問題があった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点に鑑み、大型で
薄型で多ピンの樹脂モールドパッケージの樹脂モールド
時にも充填バランスを確保できてダイパットの変形や未
充填部分や内部ボイドを発生しない半導体モールド成形
方法を提供することを目的とする。
薄型で多ピンの樹脂モールドパッケージの樹脂モールド
時にも充填バランスを確保できてダイパットの変形や未
充填部分や内部ボイドを発生しない半導体モールド成形
方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体モールド
成形方法は、ひとつの樹脂モールドパッケージを形成す
るキャビティの複数のコーナー部に、上下一対のゲー
ト、又は上ゲート、又は下ゲートを配設し、又は上下一
対のゲート、上ゲート、下ゲートを適宜組み合わせて配
設し、これら複数のコーナー部のゲートから溶融樹脂を
流入させ、キャビティ内で半導体素子を樹脂モールドす
ることを特徴とする。
成形方法は、ひとつの樹脂モールドパッケージを形成す
るキャビティの複数のコーナー部に、上下一対のゲー
ト、又は上ゲート、又は下ゲートを配設し、又は上下一
対のゲート、上ゲート、下ゲートを適宜組み合わせて配
設し、これら複数のコーナー部のゲートから溶融樹脂を
流入させ、キャビティ内で半導体素子を樹脂モールドす
ることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明は上記した構成によって、キャビティの
複数のコーナー部に適宜形成されたゲートを通ってキャ
ビティ内に溶融樹脂が流入するので、樹脂モールドパッ
ケージが大型で薄型であってもその形状及びリードフレ
ームの形状に合わせてゲートの配置及び形状を選択する
ことにより充填バランスを確保して内部ボイド、ダイパ
ットの変形、未充填部分の発生を防止でき、また多ピン
化によりコーナー部の寸法が小さくてもゲート面積を大
きくでき、大型で薄型のパッケージを成形するときにも
成形時間を短縮できるため、大型で薄型で多ピンの樹脂
モールドパッケージにおける品質、生産性を向上でき
る。
複数のコーナー部に適宜形成されたゲートを通ってキャ
ビティ内に溶融樹脂が流入するので、樹脂モールドパッ
ケージが大型で薄型であってもその形状及びリードフレ
ームの形状に合わせてゲートの配置及び形状を選択する
ことにより充填バランスを確保して内部ボイド、ダイパ
ットの変形、未充填部分の発生を防止でき、また多ピン
化によりコーナー部の寸法が小さくてもゲート面積を大
きくでき、大型で薄型のパッケージを成形するときにも
成形時間を短縮できるため、大型で薄型で多ピンの樹脂
モールドパッケージにおける品質、生産性を向上でき
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の半導体モールド成形方法の一
実施例について図１〜図３を参照しながら説明する。
実施例について図１〜図３を参照しながら説明する。
【０００９】図１、図２において、１は樹脂モールドパ
ッケージの形状に対応するキャビティで、上インサート
２と下インサート３の間に形成されている。キャビティ
１の３つのコーナー部において、下インサート２にラン
ナー４が形成されるとともに上インサート２と下インサ
ート３のそれぞれにキャビティ１内に溶融樹脂を流入す
るため上下一対のゲート５ａ、５ｂが形成されている。
６は上インサート２と下インサート３の間で保持される
リードフレーム、７はリードフレーム６に装着された樹
脂モールドすべき半導体素子である。ゲート５ａ、５ｂ
の形状は、図３に示すように、キャビティ１とリードフ
レーム６の形状に合わせてゲート幅８とゲート深さ９が
決定されている。
ッケージの形状に対応するキャビティで、上インサート
２と下インサート３の間に形成されている。キャビティ
１の３つのコーナー部において、下インサート２にラン
ナー４が形成されるとともに上インサート２と下インサ
ート３のそれぞれにキャビティ１内に溶融樹脂を流入す
るため上下一対のゲート５ａ、５ｂが形成されている。
６は上インサート２と下インサート３の間で保持される
リードフレーム、７はリードフレーム６に装着された樹
脂モールドすべき半導体素子である。ゲート５ａ、５ｂ
の形状は、図３に示すように、キャビティ１とリードフ
レーム６の形状に合わせてゲート幅８とゲート深さ９が
決定されている。
【００１０】樹脂モールド時には、キャビティ１の３つ
のコーナー部に設けたランナー４から上下のインサート
２、３に形成されたゲート５ａ、５ｂを介してキャビテ
ィ１内に溶融樹脂を流入させ、半導体素子７を樹脂モー
ルドしている。そのため、３つの上下一対のゲート５
ａ、５ｂを適宜選択・設計することにより、樹脂モール
ドパッケージの薄型化に応じてその上部と下部の樹脂厚
みＴ1 とＴ2 の差が大きくても、充填バランスを崩さず
にバランス良く、短時間で溶融樹脂を充填して成形する
ことができる。
のコーナー部に設けたランナー４から上下のインサート
２、３に形成されたゲート５ａ、５ｂを介してキャビテ
ィ１内に溶融樹脂を流入させ、半導体素子７を樹脂モー
ルドしている。そのため、３つの上下一対のゲート５
ａ、５ｂを適宜選択・設計することにより、樹脂モール
ドパッケージの薄型化に応じてその上部と下部の樹脂厚
みＴ1 とＴ2 の差が大きくても、充填バランスを崩さず
にバランス良く、短時間で溶融樹脂を充填して成形する
ことができる。
【００１１】本実施例によれば、樹脂モールドパッケー
ジを形成する１つのキャビティ１の複数のコーナー部
に、上下一対のゲート５ａ、５ｂを形成して溶融樹脂を
流入させるので、溶融樹脂がキャビティ１内に充填され
る際にその充填バランスがくずれず、バランス良く、短
時間で成形することができる結果、樹脂モールドパッケ
ージ（図示せず）内部において発生するダイパットの変
形、未充填箇所、内部ボイド等の発生を低減して品質の
向上を図れるとともに、成形サイクルを短縮することが
できる。
ジを形成する１つのキャビティ１の複数のコーナー部
に、上下一対のゲート５ａ、５ｂを形成して溶融樹脂を
流入させるので、溶融樹脂がキャビティ１内に充填され
る際にその充填バランスがくずれず、バランス良く、短
時間で成形することができる結果、樹脂モールドパッケ
ージ（図示せず）内部において発生するダイパットの変
形、未充填箇所、内部ボイド等の発生を低減して品質の
向上を図れるとともに、成形サイクルを短縮することが
できる。
【００１２】尚、上記実施例ではキャビティ１の３つの
コーナー部にそれぞれ上下一対のゲート５ａ、５ｂを形
成した例を示したが、キャビティ１の形状及びリードフ
レーム６の形状に応じて、上記のように充填バランスが
くずれないように、キャビティ１の複数のコーナー部の
それぞれに上ゲート５ａだけ、或いは下ゲート５ｂだけ
を形成しても良く、さらに複数のコーナー部に対して上
下一対のゲート５ａ、５ｂと上ゲート５ａと下ゲート５
ｂを適宜組み合わせて形成してもよい。
コーナー部にそれぞれ上下一対のゲート５ａ、５ｂを形
成した例を示したが、キャビティ１の形状及びリードフ
レーム６の形状に応じて、上記のように充填バランスが
くずれないように、キャビティ１の複数のコーナー部の
それぞれに上ゲート５ａだけ、或いは下ゲート５ｂだけ
を形成しても良く、さらに複数のコーナー部に対して上
下一対のゲート５ａ、５ｂと上ゲート５ａと下ゲート５
ｂを適宜組み合わせて形成してもよい。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、以上のように半導体素
子を封止する樹脂モールドパッケージを成形する際、キ
ャビティの複数のコーナー部に適宜上・下ゲートを形成
しているので、樹脂モールドパッケージが大型化、薄型
化し、多ピン化によりそのコーナー部が小さくなっても
充填バランスを確保することができ、樹脂モールドパッ
ケージ内部のダイパット変形、未充填箇所、内部ボイド
等の発生を低減でき、かつゲート面積を確保できて成形
サイクルを短縮することができ、半導体モールドの品質
・生産性を向上することができる。
子を封止する樹脂モールドパッケージを成形する際、キ
ャビティの複数のコーナー部に適宜上・下ゲートを形成
しているので、樹脂モールドパッケージが大型化、薄型
化し、多ピン化によりそのコーナー部が小さくなっても
充填バランスを確保することができ、樹脂モールドパッ
ケージ内部のダイパット変形、未充填箇所、内部ボイド
等の発生を低減でき、かつゲート面積を確保できて成形
サイクルを短縮することができ、半導体モールドの品質
・生産性を向上することができる。
【図１】本発明の半導体モールド成形方法の一実施例に
おける平面図である。
おける平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】従来例の半導体モールド成形方法における平面
図である。
図である。
【図５】図４のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】図５のＤ−Ｄ断面図である。
１ キャビティ ２ 上インサート ３ 下インサート ４ ランナー ５ａ 上ゲート ５ｂ 下ゲート ６ リードフレーム ７ 半導体素子
Claims (4)
- 【請求項１】 ひとつの樹脂モールドパッケージを形成
するキャビティの複数のコーナー部に配設した上下一対
のゲートから溶融樹脂を流入させ、キャビティ内で半導
体素子を樹脂モールドすることを特徴とする半導体モー
ルド成形方法。 - 【請求項２】 ひとつの樹脂モールドパッケージを形成
するキャビティの複数のコーナー部に配設した上ゲート
から溶融樹脂を流入させ、キャビティ内で半導体素子を
樹脂モールドすることを特徴とする半導体モールド成形
方法。 - 【請求項３】 ひとつの樹脂モールドパッケージを形成
するキャビティの複数のコーナー部に配設した下ゲート
から溶融樹脂を流入させ、キャビティ内で半導体素子を
樹脂モールドすることを特徴とする半導体モールド成形
方法。 - 【請求項４】 ひとつの樹脂モールドパッケージを形成
するキャビティの複数のコーナー部に上下一対のゲート
と上ゲートと下ゲートを適宜組み合わせて配設し、これ
らゲートから溶融樹脂を流入させ、キャビティ内で半導
体素子を樹脂モールドすることを特徴とする半導体モー
ルド成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015814A JPH05218120A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 半導体モールド成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015814A JPH05218120A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 半導体モールド成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218120A true JPH05218120A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11899318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4015814A Pending JPH05218120A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 半導体モールド成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218120A (ja) |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4015814A patent/JPH05218120A/ja active Pending
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