JPH05218893A - 高周波増幅回路 - Google Patents
高周波増幅回路Info
- Publication number
- JPH05218893A JPH05218893A JP23855691A JP23855691A JPH05218893A JP H05218893 A JPH05218893 A JP H05218893A JP 23855691 A JP23855691 A JP 23855691A JP 23855691 A JP23855691 A JP 23855691A JP H05218893 A JPH05218893 A JP H05218893A
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- JP
- Japan
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- circuit
- tuning
- coupling
- high frequency
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本願は、選択度を向上すると共に、受信帯域
幅にわたって感度特性を均一化をはかった高周波増幅回
路を提供するにある。 【構成】 アンテナ同調回路４の後段に接続した高周波
同調回路９の出力側に、インピーダンス変換素子１０の
ゲートを接続し、そのソースと次段の高周波同調回路１
４との間に、選局電圧によって容量が相対的に変化する
一対の可変容量ダイオード１１ａ，１１ｂから成る結合
回路１１を接続して、選局電圧が高いときに小さい結合
度により、また選局電圧が低いときに大きい結合度によ
り、同調出力を次段の高周波同調回路１４に結合して成
るものである。
幅にわたって感度特性を均一化をはかった高周波増幅回
路を提供するにある。 【構成】 アンテナ同調回路４の後段に接続した高周波
同調回路９の出力側に、インピーダンス変換素子１０の
ゲートを接続し、そのソースと次段の高周波同調回路１
４との間に、選局電圧によって容量が相対的に変化する
一対の可変容量ダイオード１１ａ，１１ｂから成る結合
回路１１を接続して、選局電圧が高いときに小さい結合
度により、また選局電圧が低いときに大きい結合度によ
り、同調出力を次段の高周波同調回路１４に結合して成
るものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願は、同調回路の選択度を低下
させることなく全受信帯域幅にわたって感度特性の均一
化をはかった高周波増幅回路に関する。
させることなく全受信帯域幅にわたって感度特性の均一
化をはかった高周波増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、受信周波数の全帯域にわたって、
負荷、電力利得、雑音指数及び帯域特性を均一化するた
めに、同調用可変コンデンサと、高周波増幅素子との間
に、同調用可変コンデンサと連動して可変する結合用可
変コンデンサを接続して成る受信機入力回路は例えば実
開昭５１−１６０００６号公報において公知である。
負荷、電力利得、雑音指数及び帯域特性を均一化するた
めに、同調用可変コンデンサと、高周波増幅素子との間
に、同調用可変コンデンサと連動して可変する結合用可
変コンデンサを接続して成る受信機入力回路は例えば実
開昭５１−１６０００６号公報において公知である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記した従来
の構成によれば、単に信号路に、同調用可変コンデンサ
と接続する結合用可変コンデンサを接続して成るので、
同調回路と次段の増幅素子との間で得られる結合度が大
きく、その変化率が小さいため選択度が低下し、かつ、
全受信帯域幅にわたって感度特性の均一化を得ることが
できなかった。
の構成によれば、単に信号路に、同調用可変コンデンサ
と接続する結合用可変コンデンサを接続して成るので、
同調回路と次段の増幅素子との間で得られる結合度が大
きく、その変化率が小さいため選択度が低下し、かつ、
全受信帯域幅にわたって感度特性の均一化を得ることが
できなかった。
【０００４】そこで本願は、同調回路の出力側にインピ
ーダンス変換素子を接続すると共に、その出力と次段回
路との間の結合度の変化率を大きくして、受信周波数の
高い方おは感度を、受信周波数の低い方の感度に近づけ
て、選択度を低下することなく全受信帯域幅にわたって
感度特性の均一化をはかったもので、その特徴とすると
ころは、少なくとも一つの高周波同調回路の出力側に、
同調回路側からみてインピーダンスの高いインピーダン
ス変換素子を接続し、前記インピーダンス変換素子のイ
ンピーダンスの低い側に、選局電圧によって容量が相対
的に変化する一対の可変容量素子を有し、選局電圧が高
いときに小さい結合容景をもち、選局電圧が低いときに
大きい結合容量をもつ結合回路を接続したことにある。
ーダンス変換素子を接続すると共に、その出力と次段回
路との間の結合度の変化率を大きくして、受信周波数の
高い方おは感度を、受信周波数の低い方の感度に近づけ
て、選択度を低下することなく全受信帯域幅にわたって
感度特性の均一化をはかったもので、その特徴とすると
ころは、少なくとも一つの高周波同調回路の出力側に、
同調回路側からみてインピーダンスの高いインピーダン
ス変換素子を接続し、前記インピーダンス変換素子のイ
ンピーダンスの低い側に、選局電圧によって容量が相対
的に変化する一対の可変容量素子を有し、選局電圧が高
いときに小さい結合容景をもち、選局電圧が低いときに
大きい結合容量をもつ結合回路を接続したことにある。
【０００５】しかして、アンテナ入力信号は、高周波同
調回路により選択されたのち、高インピーダンスをもつ
インピーダンス変換素子のゲートに入力し、該選択信号
は低インピーダンスに変換されて、そのソースから、結
合回路を介して該回路により定まる結合度により、次段
の高周波同調回路に入力する。上記において結合回路を
構成する一対の可変容量ダイオードは、選局電圧によっ
てその一方の可変容量ダイオードの容量が上昇する方向
に変化するとき、他方の可変容量ダイオードの容量は下
降する方向に相対的に即ちシーソー状に変化するので、
結合回路における結合度の変化率が大きく得られ、従っ
て選局周波数が低いときは、共振インピーダンス及び共
振電圧も低いので、極めて高い結合度のもとに増幅出力
を高周波同調回路に入力し、選局周波数が高いときは、
共振インピーダンス及び共振電圧も高いので、極めて低
い結合度のもとに増幅出力を高周波同調回路に入力し、
これによって選局周波数に対し出力電圧を一定にするこ
とができる。
調回路により選択されたのち、高インピーダンスをもつ
インピーダンス変換素子のゲートに入力し、該選択信号
は低インピーダンスに変換されて、そのソースから、結
合回路を介して該回路により定まる結合度により、次段
の高周波同調回路に入力する。上記において結合回路を
構成する一対の可変容量ダイオードは、選局電圧によっ
てその一方の可変容量ダイオードの容量が上昇する方向
に変化するとき、他方の可変容量ダイオードの容量は下
降する方向に相対的に即ちシーソー状に変化するので、
結合回路における結合度の変化率が大きく得られ、従っ
て選局周波数が低いときは、共振インピーダンス及び共
振電圧も低いので、極めて高い結合度のもとに増幅出力
を高周波同調回路に入力し、選局周波数が高いときは、
共振インピーダンス及び共振電圧も高いので、極めて低
い結合度のもとに増幅出力を高周波同調回路に入力し、
これによって選局周波数に対し出力電圧を一定にするこ
とができる。
【０００６】
【実施例】以下図面にもとづいて本願の実施例を詳述す
ると、アンテナ入力端子１に、同調コイル２と一対の同
調用可変容量ダイオード３ａ，３ｂとから成るバンドパ
ス型のアンテナ同調回路４及び一対のピンダイオードか
ら成る減衰回路５が夫々接続してあり、その後段に結合
コンデンサＣ１を介してＭＯＳＦＥＴから成る高周波増
幅素子６の第１ゲートｇ１が接続してあり、そのドレン
ｄの出力は結合コンデンサＣ２を介して同調コイル７と
一対の可変容量ダイオード８ａ，８ｂから成るπ型の高
周波同調回路９に接続してある。前記高周波同調回路９
の後段は、ＦＥＴから成るインピーダンス変換素子１０
が接続され、そのソースに一対の可変容量ダイオード１
１ａ，１１ｂから成る結合回路１１が接続してある。
ると、アンテナ入力端子１に、同調コイル２と一対の同
調用可変容量ダイオード３ａ，３ｂとから成るバンドパ
ス型のアンテナ同調回路４及び一対のピンダイオードか
ら成る減衰回路５が夫々接続してあり、その後段に結合
コンデンサＣ１を介してＭＯＳＦＥＴから成る高周波増
幅素子６の第１ゲートｇ１が接続してあり、そのドレン
ｄの出力は結合コンデンサＣ２を介して同調コイル７と
一対の可変容量ダイオード８ａ，８ｂから成るπ型の高
周波同調回路９に接続してある。前記高周波同調回路９
の後段は、ＦＥＴから成るインピーダンス変換素子１０
が接続され、そのソースに一対の可変容量ダイオード１
１ａ，１１ｂから成る結合回路１１が接続してある。
【０００７】この結合回路１１は、一方の可変容量ダイ
オード１１ａのアノードがインピーダンス変換素子１０
のソースに接続され、そのカソードが他方の可変容量ダ
イオード１１ｂのアノードに接続されると共に、選局電
圧ＶＴが印加され、その他方の可変容量ダイオード１１
ｂのカソードに電源バイアス電圧Ｖｃｃが印加され、前
記した可変容量ダイオード１１ａ，１１ｂの直列接続点
に結合コンデンサＣ３を介して同調コイル１２と一対の
可変容量ダイオード１３ａ，１３ｂから成る第２のπ型
の高周波同調回路１４が接続してあり、その出力端が結
合コンデンサＣ４を介して周波数変換回路１５、中間周
波増幅回路１６及び利得制御回路１７から成るＦＭフロ
ントエンドＩＣ（例えば三洋電機製ＬＡ１１７５）１８
の周波数変換回路１５の入力端子である第５端子に接続
され、この周波数変換回路１５の出力端子である第８及
び第９端子が中間周波トランスＴの１次側コイルに接続
され、その２次側コイル、抵抗Ｒ１とフィルタＦの直列
回路を介して中間周波数増幅回路１６の入力端子である
第１２端子に接続され、該回路１６を介してその出力端
子である第１５端子が接続されており、また中間周波数
トランスＴの２次側が抵抗Ｒ２とコンデンサＣ５の直列
回路を介して利得制御回路１７の入力端子である第１０
端子に接続され、該回路１７を介して前記減衰回路５に
駆動信号を出力する第６端子が接続してあると共に、前
記利得制御回路１７のＡＧＣ信号出力端子である第１３
端子には、前記ＭＯＳＦＥＴの第２ゲートｇ２が接続さ
れ、これにＬ０／ＤＸ端子１９が接続してある。
オード１１ａのアノードがインピーダンス変換素子１０
のソースに接続され、そのカソードが他方の可変容量ダ
イオード１１ｂのアノードに接続されると共に、選局電
圧ＶＴが印加され、その他方の可変容量ダイオード１１
ｂのカソードに電源バイアス電圧Ｖｃｃが印加され、前
記した可変容量ダイオード１１ａ，１１ｂの直列接続点
に結合コンデンサＣ３を介して同調コイル１２と一対の
可変容量ダイオード１３ａ，１３ｂから成る第２のπ型
の高周波同調回路１４が接続してあり、その出力端が結
合コンデンサＣ４を介して周波数変換回路１５、中間周
波増幅回路１６及び利得制御回路１７から成るＦＭフロ
ントエンドＩＣ（例えば三洋電機製ＬＡ１１７５）１８
の周波数変換回路１５の入力端子である第５端子に接続
され、この周波数変換回路１５の出力端子である第８及
び第９端子が中間周波トランスＴの１次側コイルに接続
され、その２次側コイル、抵抗Ｒ１とフィルタＦの直列
回路を介して中間周波数増幅回路１６の入力端子である
第１２端子に接続され、該回路１６を介してその出力端
子である第１５端子が接続されており、また中間周波数
トランスＴの２次側が抵抗Ｒ２とコンデンサＣ５の直列
回路を介して利得制御回路１７の入力端子である第１０
端子に接続され、該回路１７を介して前記減衰回路５に
駆動信号を出力する第６端子が接続してあると共に、前
記利得制御回路１７のＡＧＣ信号出力端子である第１３
端子には、前記ＭＯＳＦＥＴの第２ゲートｇ２が接続さ
れ、これにＬ０／ＤＸ端子１９が接続してある。
【０００８】しかして、アンテナ入力端子に入力した入
力信号は、アンテナ同調回路４で選択されたのち、結合
コンデンサＣ１を介してＭＯＳＦＥＴ６の第１ゲートｇ
１に入力して増幅され、そのドレンから増幅出力が結合
コンデンサＣ２を介してπ型の高周波同調回路９に入力
し、該回路９で再び選択されてドレンが接地接続された
インピーダンス変換素子１０のゲートｇに入力する。上
記において入力信号は、π型の高周波同調回路９にて高
インピーダンスで共振されており、従って該回路９の出
力を高インピーダンスに設定されたインピーダンス変換
素子１０のゲートｇに入力するので、高い選択度を維持
することができる。
力信号は、アンテナ同調回路４で選択されたのち、結合
コンデンサＣ１を介してＭＯＳＦＥＴ６の第１ゲートｇ
１に入力して増幅され、そのドレンから増幅出力が結合
コンデンサＣ２を介してπ型の高周波同調回路９に入力
し、該回路９で再び選択されてドレンが接地接続された
インピーダンス変換素子１０のゲートｇに入力する。上
記において入力信号は、π型の高周波同調回路９にて高
インピーダンスで共振されており、従って該回路９の出
力を高インピーダンスに設定されたインピーダンス変換
素子１０のゲートｇに入力するので、高い選択度を維持
することができる。
【０００９】そして前記インピーダンス変換素子１０に
入力した信号は、低出力インピーダンスに変換されてそ
のソースＳから一対の可変容量ダイオード１１ａ，１１
ｂから成る結合回路１１に入力し、該回路１１により定
まる結合度により、結合コンデンサＣ３を介して次段の
π型の高周波同調回路１４に入力する。結合回路１１に
おいては、選局電圧ＶＴによってその一方の可変ダイオ
ード１１ａの容量が上昇すると、その他方の可変容量ダ
イオード１１ｂの容量が相対的に下降する。即ち一対の
可変容量ダイオード１１ａ，１１ｂの容量は選局電圧Ｖ
Ｔによってシーソー状に可変する。今結合回路１１を構
成する一方の可変容量ダイオード１１ａが選局電圧ＶＴ
により５０Ｐ〜５Ｐに可変するとき、他方の可変容量ダ
イオード１１ｂが５Ｐ〜５０Ｐに相対的に可変するもの
とすると、その結合度は、一対の可変容量ダイオード１
１ａ，１１ｂの合成容量５５Ｐと次段の高周波同調回路
１４側に接続された一方の可変容量ダイオード１１ａの
容量との比で表され、従って選局周波数が低いときは、
その結合度は５５分の５０となるのに対し、選局周波数
が高いときは、その結合度は５５分の５となり、その変
化率は約１０倍となる。
入力した信号は、低出力インピーダンスに変換されてそ
のソースＳから一対の可変容量ダイオード１１ａ，１１
ｂから成る結合回路１１に入力し、該回路１１により定
まる結合度により、結合コンデンサＣ３を介して次段の
π型の高周波同調回路１４に入力する。結合回路１１に
おいては、選局電圧ＶＴによってその一方の可変ダイオ
ード１１ａの容量が上昇すると、その他方の可変容量ダ
イオード１１ｂの容量が相対的に下降する。即ち一対の
可変容量ダイオード１１ａ，１１ｂの容量は選局電圧Ｖ
Ｔによってシーソー状に可変する。今結合回路１１を構
成する一方の可変容量ダイオード１１ａが選局電圧ＶＴ
により５０Ｐ〜５Ｐに可変するとき、他方の可変容量ダ
イオード１１ｂが５Ｐ〜５０Ｐに相対的に可変するもの
とすると、その結合度は、一対の可変容量ダイオード１
１ａ，１１ｂの合成容量５５Ｐと次段の高周波同調回路
１４側に接続された一方の可変容量ダイオード１１ａの
容量との比で表され、従って選局周波数が低いときは、
その結合度は５５分の５０となるのに対し、選局周波数
が高いときは、その結合度は５５分の５となり、その変
化率は約１０倍となる。
【００１０】しかして選局周波数が低いときは、共振イ
ンピーダンス及び共振電圧も低いので、極めて高い結合
度のもとに高周波増幅出力を高周波同調回路１４に入力
でき、選局周波数が高いときは、共振インピーダンス及
び共振電圧も高いので、極めて低い結合度のもとに高周
波増幅出力を高周波同調回路１４に入力でき、これによ
って選局周波数に対し出力電圧を一定にすることがで
き、かつ、選択度を低下させないように結合回路の結合
度を小さく設定することもできる。
ンピーダンス及び共振電圧も低いので、極めて高い結合
度のもとに高周波増幅出力を高周波同調回路１４に入力
でき、選局周波数が高いときは、共振インピーダンス及
び共振電圧も高いので、極めて低い結合度のもとに高周
波増幅出力を高周波同調回路１４に入力でき、これによ
って選局周波数に対し出力電圧を一定にすることがで
き、かつ、選択度を低下させないように結合回路の結合
度を小さく設定することもできる。
【００１１】上記によって高周波同調回路１４に入力し
た信号は再び選択されたのち、結合コンデンサＣ４を介
してＦＭフロントエンドＩＣ１８の周波数変換回路１５
に第５端子から入力し、中間周波信号に変換されて第８
端子及び第９端子より夫々出力し、その出力は中間周波
トランスＴ及び抵抗Ｒ１とセラミックフィルタＦとの直
列回路を介して第１２端子より中間周波増幅回路１６に
入力して増幅され、その増幅出力は第１５端子から検波
段に出力される。また中間周波トランスＴを経た広帯域
の中間周波信号の一部は抵抗Ｒ２とコンデンサＣ５の直
列回路を介して第１０端子より利得制御回路１７に入力
し、該回路１７からは減衰回路５のピンダイオード駆動
用のＡＧＣ電圧と、高周波増幅素子６の制御用のＡＧＣ
電圧とが生じ、これらのＡＧＣ電圧は、第６端子及び第
１３端子より夫々出力して、減衰回路５においてアンテ
ナ入力信号の電界強度に応じて該信号を減衰し、また高
周波増幅素子６においては電界強度に応じてその増幅率
を制御する。
た信号は再び選択されたのち、結合コンデンサＣ４を介
してＦＭフロントエンドＩＣ１８の周波数変換回路１５
に第５端子から入力し、中間周波信号に変換されて第８
端子及び第９端子より夫々出力し、その出力は中間周波
トランスＴ及び抵抗Ｒ１とセラミックフィルタＦとの直
列回路を介して第１２端子より中間周波増幅回路１６に
入力して増幅され、その増幅出力は第１５端子から検波
段に出力される。また中間周波トランスＴを経た広帯域
の中間周波信号の一部は抵抗Ｒ２とコンデンサＣ５の直
列回路を介して第１０端子より利得制御回路１７に入力
し、該回路１７からは減衰回路５のピンダイオード駆動
用のＡＧＣ電圧と、高周波増幅素子６の制御用のＡＧＣ
電圧とが生じ、これらのＡＧＣ電圧は、第６端子及び第
１３端子より夫々出力して、減衰回路５においてアンテ
ナ入力信号の電界強度に応じて該信号を減衰し、また高
周波増幅素子６においては電界強度に応じてその増幅率
を制御する。
【００１２】なお上記実施例は、第１の高周波同調回路
９の出力側に、インピーダンス変換素子１０及び結合回
路１１とを設けた場合について示したが、さらに第２の
高周波同調回路１４の出力側にも、前記と同様に、イン
ピーダンス変換素子と結合回路とを設けて、該結合回路
の一対の可変容量ダイオードの直列接続点をＦＭフロン
トエンドＩＣ１８の第５端子に接続することにより、さ
らにその効果を高めることができる。
９の出力側に、インピーダンス変換素子１０及び結合回
路１１とを設けた場合について示したが、さらに第２の
高周波同調回路１４の出力側にも、前記と同様に、イン
ピーダンス変換素子と結合回路とを設けて、該結合回路
の一対の可変容量ダイオードの直列接続点をＦＭフロン
トエンドＩＣ１８の第５端子に接続することにより、さ
らにその効果を高めることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、本願によれば、高周波同
調回路の出力側に、インピーダンス変換素子を、その低
インピーダンス側に、結合度が大きく変化する結合回路
を夫々接続して成るので、高い選択度のもとに全受信帯
域幅にわたって感度特性を均一化することができ、か
つ、結合回路の容量設定にも自由性を有し、特に同調回
路をπ型同調回路とするときは、選択度をさらに向上す
ることができるという利点を有する。
調回路の出力側に、インピーダンス変換素子を、その低
インピーダンス側に、結合度が大きく変化する結合回路
を夫々接続して成るので、高い選択度のもとに全受信帯
域幅にわたって感度特性を均一化することができ、か
つ、結合回路の容量設定にも自由性を有し、特に同調回
路をπ型同調回路とするときは、選択度をさらに向上す
ることができるという利点を有する。
【図１】回路図
１ アンテナ入力端子 ４ アンテナ同調回路 ６ 高周波増幅素子 ９，１４ π型高周波同調回路 １０ インピーダンス変換素子 １１ 結合回路 １１ａ，１１ｂ 可変容量ダイオード
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも一つの高周波同調回路の出力
側に、同調回路側からみてインピーダンスの高いインピ
ーダンス変換素子を接続し、前記インピーダンス変換素
子のインピーダンスの低い側に、選局電圧によって容量
が相対的に変化する一対の可変容量素子を有し、選局電
圧が高いときに小さい結合容量をもち、選局電圧が低い
ときに大きい結合容量をもつ結合回路を接続したことを
特徴とする高周波増幅回路。 - 【請求項２】 同調回路がπ型同調回路から成る請求項
１記載の高周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03238556A JP3138772B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 高周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03238556A JP3138772B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 高周波増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218893A true JPH05218893A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3138772B2 JP3138772B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=17032001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03238556A Expired - Fee Related JP3138772B2 (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 高周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3138772B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7508279B2 (en) | 2005-08-09 | 2009-03-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Resonance circuit with variable diodes |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP03238556A patent/JP3138772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7508279B2 (en) | 2005-08-09 | 2009-03-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Resonance circuit with variable diodes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3138772B2 (ja) | 2001-02-26 |
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