JPH065406A - 酸化亜鉛バリスタの製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛バリスタの製造方法Info
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- JPH065406A JPH065406A JP4156558A JP15655892A JPH065406A JP H065406 A JPH065406 A JP H065406A JP 4156558 A JP4156558 A JP 4156558A JP 15655892 A JP15655892 A JP 15655892A JP H065406 A JPH065406 A JP H065406A
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- zinc oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バリスタ電圧のばらつきが低く、高サージ耐
量を有する100V以下の低電圧用として使用する酸化
亜鉛バリスタの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 酸化亜鉛(ZnO)を主成分とし、この成分
に対して、酸化ビスマス(Bi2O3)を0.1〜2.0
モル%、酸化コバルト(Co2O3)を0.1〜1.0モ
ル%、酸化マンガン(MnO2)を0.1〜1.5モル
%、酸化アンチモン(Sb2O3)を0.01〜0.50
モル%、酸化アルミニウム(Al2O3)を0.0005
〜0.0100モル%、酸化チタン(TiO2)を0.
1〜3.0モル%添加含有してなる原料粉を成形したの
ち、この成形体を1050℃〜1200℃の温度で焼成
することにより、バリスタ電圧のばらつきが低く、高サ
ージ耐量を有する100V以下の低電圧用の酸化亜鉛バ
リスタを得ることができる。
量を有する100V以下の低電圧用として使用する酸化
亜鉛バリスタの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 酸化亜鉛(ZnO)を主成分とし、この成分
に対して、酸化ビスマス(Bi2O3)を0.1〜2.0
モル%、酸化コバルト(Co2O3)を0.1〜1.0モ
ル%、酸化マンガン(MnO2)を0.1〜1.5モル
%、酸化アンチモン(Sb2O3)を0.01〜0.50
モル%、酸化アルミニウム(Al2O3)を0.0005
〜0.0100モル%、酸化チタン(TiO2)を0.
1〜3.0モル%添加含有してなる原料粉を成形したの
ち、この成形体を1050℃〜1200℃の温度で焼成
することにより、バリスタ電圧のばらつきが低く、高サ
ージ耐量を有する100V以下の低電圧用の酸化亜鉛バ
リスタを得ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、バリスタ電圧ばらつき
が低く、高サージ耐量特性を有する低電圧用の酸化亜鉛
バリスタの製造方法に関するものである。
が低く、高サージ耐量特性を有する低電圧用の酸化亜鉛
バリスタの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、各種酸化亜鉛バリスタの開発には
めざましいものがあり、中でも酸化ビスマス(Bi
2O3)を含有した酸化亜鉛バリスタはその優れた電圧非
直線性、サージ吸収性が認められ、雷サージ及び異常電
圧に対する防護用のバリスタとして広く用いられてい
る。しかし、昨今の半導体素子の進歩に伴って、電子機
器の駆動電圧が低減化され、それに従って半導体素子を
保護するのに用いられるバリスタについてもより低い駆
動電圧に対応する、すなわち、バリスタ電圧の低いもの
が求められてきている。
めざましいものがあり、中でも酸化ビスマス(Bi
2O3)を含有した酸化亜鉛バリスタはその優れた電圧非
直線性、サージ吸収性が認められ、雷サージ及び異常電
圧に対する防護用のバリスタとして広く用いられてい
る。しかし、昨今の半導体素子の進歩に伴って、電子機
器の駆動電圧が低減化され、それに従って半導体素子を
保護するのに用いられるバリスタについてもより低い駆
動電圧に対応する、すなわち、バリスタ電圧の低いもの
が求められてきている。
【0003】このような酸化亜鉛(ZnO)を主成分と
するバリスタでは、バリスタ電圧は焼結体中の酸化亜鉛
粒子の厚み方向に並んだ数に依存し、バリスタ電圧を低
下させるためには酸化亜鉛(ZnO)の粒子径を大きく
すればよく、このためには酸化チタン(TiO2)を含
有させることによって、この酸化チタン(TiO2)が
酸化亜鉛(ZnO)の粒成長に大きく寄与することが知
られている。従来このような要求に応える技術として特
公昭56−3646号公報に開示されたものがあった。
するバリスタでは、バリスタ電圧は焼結体中の酸化亜鉛
粒子の厚み方向に並んだ数に依存し、バリスタ電圧を低
下させるためには酸化亜鉛(ZnO)の粒子径を大きく
すればよく、このためには酸化チタン(TiO2)を含
有させることによって、この酸化チタン(TiO2)が
酸化亜鉛(ZnO)の粒成長に大きく寄与することが知
られている。従来このような要求に応える技術として特
公昭56−3646号公報に開示されたものがあった。
【0004】上記公報に開示された技術は、酸化亜鉛
(ZnO)に酸化ビスマス(Bi2O3)を0.1〜5モ
ル%、酸化コバルト(Co2O3)を0.1〜5モル%、
酸化マンガン(MnO2)を0.1〜5モル%、酸化ニ
ッケル(NiO)を0.1〜5モル%、酸化チタン(T
iO2)を0.1〜5モル%、及び酸化銀(Ag2O)を
5〜30重量%含むホウケイ酸ビスマスガラスフリット
を0.01〜0.25重量%添加して混合、粉枠、乾
燥、造粒及び成形を行い、前記成形体を1250℃で焼
成することにより低電圧用のバリスタを得るというもの
であった。
(ZnO)に酸化ビスマス(Bi2O3)を0.1〜5モ
ル%、酸化コバルト(Co2O3)を0.1〜5モル%、
酸化マンガン(MnO2)を0.1〜5モル%、酸化ニ
ッケル(NiO)を0.1〜5モル%、酸化チタン(T
iO2)を0.1〜5モル%、及び酸化銀(Ag2O)を
5〜30重量%含むホウケイ酸ビスマスガラスフリット
を0.01〜0.25重量%添加して混合、粉枠、乾
燥、造粒及び成形を行い、前記成形体を1250℃で焼
成することにより低電圧用のバリスタを得るというもの
であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の低電圧用の酸化亜鉛バリスタでは、1200℃以上の
温度で焼成を行うため、酸化亜鉛(ZnO)粒子の平均
粒子径が100〜150μmの大きさに形成され、焼結
体中には粒子径が300μm以上の異常粒成長粒子が約
10%程度発生し、バリスタ電圧にばらつきが生じ、ま
た異常粒成長粒子へのサージ電流の電流集中を引き起こ
すために所望のサージ耐量特性を安定的に得ることがで
きないという課題を有していた。
の低電圧用の酸化亜鉛バリスタでは、1200℃以上の
温度で焼成を行うため、酸化亜鉛(ZnO)粒子の平均
粒子径が100〜150μmの大きさに形成され、焼結
体中には粒子径が300μm以上の異常粒成長粒子が約
10%程度発生し、バリスタ電圧にばらつきが生じ、ま
た異常粒成長粒子へのサージ電流の電流集中を引き起こ
すために所望のサージ耐量特性を安定的に得ることがで
きないという課題を有していた。
【0006】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、主に100V以下の低電圧用の酸化亜鉛バリスタに
関して、バリスタ電圧のばらつきが少なく、高サージ耐
量特性を有する低電圧用の酸化亜鉛バリスタの製造方法
を提供することを目的とするものである。
で、主に100V以下の低電圧用の酸化亜鉛バリスタに
関して、バリスタ電圧のばらつきが少なく、高サージ耐
量特性を有する低電圧用の酸化亜鉛バリスタの製造方法
を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明による酸化亜鉛バリスタの製造方法は、酸化
亜鉛(ZnO)を主成分とし、この主成分に対して酸化
ビスマス(Bi2O3)を0.1〜2.0モル%、酸化コ
バルト(Co2O3)を0.1〜1.0モル%、酸化マン
ガン(MnO2)を0.1〜1.5モル%、酸化アンチ
モン(Sb2O3)を0.01〜0.50モル%、酸化ア
ルミニウム(Al2O3)を0.0005〜0.0100
モル%、酸化チタン(TiO2)を0.1〜3.0モル
%添加含有してなる原料粉を成形したのち、この成形体
を1050℃〜1200℃の温度で焼成する製造方法と
したものである。
め、本発明による酸化亜鉛バリスタの製造方法は、酸化
亜鉛(ZnO)を主成分とし、この主成分に対して酸化
ビスマス(Bi2O3)を0.1〜2.0モル%、酸化コ
バルト(Co2O3)を0.1〜1.0モル%、酸化マン
ガン(MnO2)を0.1〜1.5モル%、酸化アンチ
モン(Sb2O3)を0.01〜0.50モル%、酸化ア
ルミニウム(Al2O3)を0.0005〜0.0100
モル%、酸化チタン(TiO2)を0.1〜3.0モル
%添加含有してなる原料粉を成形したのち、この成形体
を1050℃〜1200℃の温度で焼成する製造方法と
したものである。
【0008】
【作用】この製造方法により、バリスタ電圧が100V
以下の低電圧用の酸化亜鉛バリスタを得ることができ
る。すなわち1050℃〜1200℃の温度で成形体を
焼成することにより、異常粒成長の発生を抑制し、酸化
亜鉛粒子の均一な粒成長を図ることができ、異常粒成長
粒子への電流集中を防止することができる。従って、バ
リスタ電圧ばらつきが低く、高サージ耐量特性を有する
低電圧用の酸化亜鉛バリスタを得ることができる。
以下の低電圧用の酸化亜鉛バリスタを得ることができ
る。すなわち1050℃〜1200℃の温度で成形体を
焼成することにより、異常粒成長の発生を抑制し、酸化
亜鉛粒子の均一な粒成長を図ることができ、異常粒成長
粒子への電流集中を防止することができる。従って、バ
リスタ電圧ばらつきが低く、高サージ耐量特性を有する
低電圧用の酸化亜鉛バリスタを得ることができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例による酸化亜鉛バリ
スタの製造方法について詳細に説明する。
スタの製造方法について詳細に説明する。
【0010】まず、主成分である酸化亜鉛(ZnO)に
対し、酸化ビスマス(Bi2O3)を0.05〜5.0モ
ル%、酸化コバルト(Co2O3)を0.05〜3.0モ
ル%、酸化マンガン(MnO2)を0.05〜5.0モ
ル%、酸化アンチモン(Sb2O3)を0.005〜3.
0モル%、酸化アルミニウム(Al2O3)を0.000
1〜0.2モル%、酸化チタン(TiO2)を0.05
〜5.0モル%添加し、ポットミルにて湿式混合し、水
分を脱水・乾燥後、バインダを加えて造粒した。
対し、酸化ビスマス(Bi2O3)を0.05〜5.0モ
ル%、酸化コバルト(Co2O3)を0.05〜3.0モ
ル%、酸化マンガン(MnO2)を0.05〜5.0モ
ル%、酸化アンチモン(Sb2O3)を0.005〜3.
0モル%、酸化アルミニウム(Al2O3)を0.000
1〜0.2モル%、酸化チタン(TiO2)を0.05
〜5.0モル%添加し、ポットミルにて湿式混合し、水
分を脱水・乾燥後、バインダを加えて造粒した。
【0011】得られた造粒粉末を1000kg/cm2の成
形圧力のもとで、直径13mm,厚み1.3mmに成形し、
1000℃〜1300℃で2時間焼成し焼結体を得た。
この焼結体の両面に、銀(Ag)を主成分とする電極を
形成し、電極にリード線を半田付けし、エポキシ樹脂で
被覆して酸化亜鉛バリスタを作成した。
形圧力のもとで、直径13mm,厚み1.3mmに成形し、
1000℃〜1300℃で2時間焼成し焼結体を得た。
この焼結体の両面に、銀(Ag)を主成分とする電極を
形成し、電極にリード線を半田付けし、エポキシ樹脂で
被覆して酸化亜鉛バリスタを作成した。
【0012】(表1)〜(表4)に、1150℃の温度
で焼成を行って得られた酸化亜鉛バリスタについて、単
位厚み当りのバリスタ電圧(V1mA/mm)及びそのば
らつき(σn)、制限電圧比、サージ耐量特性を評価し
た結果を示した。
で焼成を行って得られた酸化亜鉛バリスタについて、単
位厚み当りのバリスタ電圧(V1mA/mm)及びそのば
らつき(σn)、制限電圧比、サージ耐量特性を評価し
た結果を示した。
【0013】
【表1】
【0014】
【表2】
【0015】
【表3】
【0016】
【表4】
【0017】また、(表5)に、(表3),(表4)中
の試料番号23に示される酸化亜鉛バリスタを1000
℃〜1300℃で焼成を行って得られた酸化亜鉛バリス
タについて、単位厚み当りのバリスタ電圧(VlmA/
mm)及びそのばらつき(σn)、制限電圧比、サージ耐
量特性を評価した結果を示した。
の試料番号23に示される酸化亜鉛バリスタを1000
℃〜1300℃で焼成を行って得られた酸化亜鉛バリス
タについて、単位厚み当りのバリスタ電圧(VlmA/
mm)及びそのばらつき(σn)、制限電圧比、サージ耐
量特性を評価した結果を示した。
【0018】
【表5】
【0019】ここで、バリスタ電圧(V1mA)とはバ
リスタに1mAの電流が流れた時にバリスタの両端にか
かる電圧であり、直流定電流電源にて測定した。制限電
圧比は、8/20μs,10Aのインパルス電流にて測
定し、V10A/V1mAの比で評価した。サージ耐量
特性は500A及び1500Aのサージ電流を印加した
時のバリスタ電圧変化率(△V1mA)で評価した。な
お、(表1)〜(表4)及び(表5)において、*が付
されている試料は比較例、**が付されている試料は1
200℃を超える温度で焼成を行った従来例であること
を示す。
リスタに1mAの電流が流れた時にバリスタの両端にか
かる電圧であり、直流定電流電源にて測定した。制限電
圧比は、8/20μs,10Aのインパルス電流にて測
定し、V10A/V1mAの比で評価した。サージ耐量
特性は500A及び1500Aのサージ電流を印加した
時のバリスタ電圧変化率(△V1mA)で評価した。な
お、(表1)〜(表4)及び(表5)において、*が付
されている試料は比較例、**が付されている試料は1
200℃を超える温度で焼成を行った従来例であること
を示す。
【0020】以下、上記実施例の結果に基づき、各添加
物の範囲を限定した理由を述べる。まず、酸化ビスマス
(Bi2O3)の添加量が0.1モル%未満であるとサー
ジ耐量特性が悪化した。また、2.0モル%を越えると
バリスタ電圧のばらつきが大きくなり、サージ耐量特性
も悪化した。従って、酸化ビスマス(Bi2O3)の添加
量を0.1〜2.0モル%とした。
物の範囲を限定した理由を述べる。まず、酸化ビスマス
(Bi2O3)の添加量が0.1モル%未満であるとサー
ジ耐量特性が悪化した。また、2.0モル%を越えると
バリスタ電圧のばらつきが大きくなり、サージ耐量特性
も悪化した。従って、酸化ビスマス(Bi2O3)の添加
量を0.1〜2.0モル%とした。
【0021】次に、酸化コバルト(Co2O3)の添加量
が0.1モル%未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。また、1.0モル%を越えるとバリスタ電圧が上昇
するとともに、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸
化コバルト(Co2O3)の添加量を0.1〜1.0モル
%とした。
が0.1モル%未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。また、1.0モル%を越えるとバリスタ電圧が上昇
するとともに、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸
化コバルト(Co2O3)の添加量を0.1〜1.0モル
%とした。
【0022】次に、酸化マンガン(MnO2)の添加量
が0.1モル%未満であるとサージ耐量特性が悪化し、
1.5モル%を越えるとバリスタ電圧が上昇するととも
に、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸化マンガン
(MnO2)の添加量を0.1〜1.5モル%とした。
が0.1モル%未満であるとサージ耐量特性が悪化し、
1.5モル%を越えるとバリスタ電圧が上昇するととも
に、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸化マンガン
(MnO2)の添加量を0.1〜1.5モル%とした。
【0023】次に、酸化アンチモン(Sb2O3)の添加
量が0.01モル%未満の場合、サージ耐量特性が悪化
し、また、0.50モル%を越えるとバリスタ電圧が高
くなり、ばらつきが大きくなった。従って、酸化アンチ
モン(Sb2O3)の添加量を0.01〜0.50モル%
とした。
量が0.01モル%未満の場合、サージ耐量特性が悪化
し、また、0.50モル%を越えるとバリスタ電圧が高
くなり、ばらつきが大きくなった。従って、酸化アンチ
モン(Sb2O3)の添加量を0.01〜0.50モル%
とした。
【0024】次に、酸化アルミニウム(Al2O3)の添
加量が0.0005モル%未満の場合、サージ耐量特性
が悪化し、また、0.010モル%を越えると制限電圧
比が極端に悪化した。従って、酸化アルミニウム(Al
2O3)の添加量を0.0005〜0.10モル%とし
た。
加量が0.0005モル%未満の場合、サージ耐量特性
が悪化し、また、0.010モル%を越えると制限電圧
比が極端に悪化した。従って、酸化アルミニウム(Al
2O3)の添加量を0.0005〜0.10モル%とし
た。
【0025】次に、酸化チタン(TiO2)の添加量が
0.10モル%未満の場合、バリスタ電圧が高くなり、
また、3.0モル%を越えるとバリスタ電圧ばらつきが
大きくなり、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸化
チタン(TiO2)の添加量を0.10〜3.0モル%
とした。
0.10モル%未満の場合、バリスタ電圧が高くなり、
また、3.0モル%を越えるとバリスタ電圧ばらつきが
大きくなり、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸化
チタン(TiO2)の添加量を0.10〜3.0モル%
とした。
【0026】また、以下に上記実施例の結果に基づき、
焼成温度の範囲を限定した理由を述べる。まず、105
0℃以下の温度で焼成した場合には焼成温度が低すぎる
ために粒成長が十分に行われず、酸化亜鉛(ZnO)粒
子の粒成長にばらつきが大きくなり、サージ耐粒特性が
悪化した。次に、1200℃以上の温度で焼成した場合
には酸化亜鉛(ZnO)の異常粒成長粒子が焼結体中に
10%以上の割合で発生するためバリスタ電圧ばらつき
が大きくなり、サージ耐量特性が悪化した。
焼成温度の範囲を限定した理由を述べる。まず、105
0℃以下の温度で焼成した場合には焼成温度が低すぎる
ために粒成長が十分に行われず、酸化亜鉛(ZnO)粒
子の粒成長にばらつきが大きくなり、サージ耐粒特性が
悪化した。次に、1200℃以上の温度で焼成した場合
には酸化亜鉛(ZnO)の異常粒成長粒子が焼結体中に
10%以上の割合で発生するためバリスタ電圧ばらつき
が大きくなり、サージ耐量特性が悪化した。
【0027】また、1050℃〜1200℃の温度で焼
成を行った場合にはバリスタ電圧のばらつきが小さく、
サージ耐量特性も格段に良好であり、これは酸化亜鉛粒
子の異常粒成長が抑制され、酸化亜鉛粒子が均一に粒成
長していることを示すものであり、焼結体の断面を電子
顕微鏡で観察した結果、酸化亜鉛(ZnO)粒子が平均
粒子径100〜120μmの均一な粒成長を行ってお
り、粒子径300μm以上の異常粒成長粒子が全く発生
していないことを確認した。
成を行った場合にはバリスタ電圧のばらつきが小さく、
サージ耐量特性も格段に良好であり、これは酸化亜鉛粒
子の異常粒成長が抑制され、酸化亜鉛粒子が均一に粒成
長していることを示すものであり、焼結体の断面を電子
顕微鏡で観察した結果、酸化亜鉛(ZnO)粒子が平均
粒子径100〜120μmの均一な粒成長を行ってお
り、粒子径300μm以上の異常粒成長粒子が全く発生
していないことを確認した。
【0028】以上の結果から明らかなように、本実施例
の製造方法による低電圧用の酸化亜鉛バリスタは、比較
例及び従来例と比較して、単位厚み当りのバリスタ電圧
の値(V1mA/mm)が低く、ばらつき(σn)も小さ
くなっていることがわかる。また、サージ電流印加後の
バリスタ電圧変化率(△V1mA)も小さく、そのばら
つき(σn)も格段に向上しており、バリスタ電圧及び
サージ耐量特性の安定性、並びに高サージ耐量特性とい
う点で優れた効果が得られる。
の製造方法による低電圧用の酸化亜鉛バリスタは、比較
例及び従来例と比較して、単位厚み当りのバリスタ電圧
の値(V1mA/mm)が低く、ばらつき(σn)も小さ
くなっていることがわかる。また、サージ電流印加後の
バリスタ電圧変化率(△V1mA)も小さく、そのばら
つき(σn)も格段に向上しており、バリスタ電圧及び
サージ耐量特性の安定性、並びに高サージ耐量特性とい
う点で優れた効果が得られる。
【0029】以上の結果より、バリスタ電圧ばらつきが
低く、高サージ耐量特性を有する低電圧用の酸化亜鉛バ
リスタの最適な製造方法としては、主成分である酸化亜
鉛(ZnO)に対し、酸化ビスマス(Bi2O3)0.1
〜2.0モル%、酸化コバルト(Co2O3)0.1〜
1.0モル%、酸化マンガン(MnO2)0.1〜1.
5モル%、酸化アンチモン(Sb2O3)0.01〜0.
50モル%、酸化アルミニウム(A12O3)0.000
5〜0.0100モル%、酸化チタン(TiO2)0.
1〜3.0モル%から成る原料粉を成形したのち、この
成形体を1050℃〜1200℃の温度範囲で焼成する
ことが最適であることがわかる。
低く、高サージ耐量特性を有する低電圧用の酸化亜鉛バ
リスタの最適な製造方法としては、主成分である酸化亜
鉛(ZnO)に対し、酸化ビスマス(Bi2O3)0.1
〜2.0モル%、酸化コバルト(Co2O3)0.1〜
1.0モル%、酸化マンガン(MnO2)0.1〜1.
5モル%、酸化アンチモン(Sb2O3)0.01〜0.
50モル%、酸化アルミニウム(A12O3)0.000
5〜0.0100モル%、酸化チタン(TiO2)0.
1〜3.0モル%から成る原料粉を成形したのち、この
成形体を1050℃〜1200℃の温度範囲で焼成する
ことが最適であることがわかる。
【0030】なお、本発明の実施例において添加物とし
て酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化コバルト(Co
2O3)、酸化マンガン(MnO2)、酸化アンチモン
(Sb2O3)、酸化アルミニウム(A12O3)、酸化チ
タン(TiO2)を用いた例を示したが、さらに特性を
向上させるため、酸化イットリウム(Y2O3)、酸化ニ
ッケル(NiO)、酸化錫(SnO2)、酸化珪素(S
iO2)、酸化ホウ素(B2O3)、酸化銀(Ag2O)、
酸化ゲルマニウム(GeO2)、酸化マグネシウム(M
gO)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化ランタン(La
2O3)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化セリウム(C
eO2)、酸化ディスプロジウム(Dy2O3)等、他の
金属酸化物を用いても本発明の効果に変化がないことは
言うまでもない。
て酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化コバルト(Co
2O3)、酸化マンガン(MnO2)、酸化アンチモン
(Sb2O3)、酸化アルミニウム(A12O3)、酸化チ
タン(TiO2)を用いた例を示したが、さらに特性を
向上させるため、酸化イットリウム(Y2O3)、酸化ニ
ッケル(NiO)、酸化錫(SnO2)、酸化珪素(S
iO2)、酸化ホウ素(B2O3)、酸化銀(Ag2O)、
酸化ゲルマニウム(GeO2)、酸化マグネシウム(M
gO)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化ランタン(La
2O3)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化セリウム(C
eO2)、酸化ディスプロジウム(Dy2O3)等、他の
金属酸化物を用いても本発明の効果に変化がないことは
言うまでもない。
【0031】
【発明の効果】以上のように、本発明の酸化亜鉛バリス
タの製造方法により得られる酸化亜鉛バリスタは、酸化
亜鉛(ZnO)を主成分とし、この主成分に対して酸化
ビスマス(Bi2O3)を0.1〜2.0モル%、酸化コ
バルト(Co2O3)を0.1〜1.0モル%、酸化マン
ガン(MnO2)を0.1〜1.5モル%、酸化アンチ
モン(Sb2O3)を0.01〜0.50モル%、酸化ア
ルミニウム(A12O3)を0.0005〜0.0100
モル%、酸化チタン(TiO2)を0.1〜3.0モル
%添加含有してなる原料粉を成形したのち、この成形体
を1050℃〜1200℃の温度で焼成することによ
り、ZnO粒子の均一な粒成長を図ることができ、バリ
スタ電圧ばらつきが低く、高サージ耐量特性を有する低
電圧用の酸化亜鉛バリスタが得られるものである。
タの製造方法により得られる酸化亜鉛バリスタは、酸化
亜鉛(ZnO)を主成分とし、この主成分に対して酸化
ビスマス(Bi2O3)を0.1〜2.0モル%、酸化コ
バルト(Co2O3)を0.1〜1.0モル%、酸化マン
ガン(MnO2)を0.1〜1.5モル%、酸化アンチ
モン(Sb2O3)を0.01〜0.50モル%、酸化ア
ルミニウム(A12O3)を0.0005〜0.0100
モル%、酸化チタン(TiO2)を0.1〜3.0モル
%添加含有してなる原料粉を成形したのち、この成形体
を1050℃〜1200℃の温度で焼成することによ
り、ZnO粒子の均一な粒成長を図ることができ、バリ
スタ電圧ばらつきが低く、高サージ耐量特性を有する低
電圧用の酸化亜鉛バリスタが得られるものである。
Claims (1)
- 【請求項1】酸化亜鉛(ZnO)を主成分とし、この主
成分に対して、酸化ビスマス(Bi2O3)を0.1〜
2.0モル%、酸化コバルト(Co2O3)を0.1〜
1.0モル%、酸化マンガン(MnO2)を0.1〜
1.5モル%、酸化アンチモン(Sb2O3)を0.01
〜0.50モル%、酸化アルミニウム(Al2O3)を
0.0005〜0.0100モル%、酸化チタン(Ti
O2)を0.1〜3.0モル%添加含有してなる原料粉
を成形したのち、この成形体を1050℃〜1200℃
の温度で焼成する酸化亜鉛バリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156558A JPH065406A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156558A JPH065406A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065406A true JPH065406A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15630423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4156558A Pending JPH065406A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065406A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015903A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP4156558A patent/JPH065406A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015903A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法 |
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