JPH05318930A - Ｃｄまたはｃｄ−ｒｏｍ対応の追記型光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】高密度記録が可能で、高い信頼性を有するＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクや、ＬＤ
対応、フォトＣＤ対応の追記型光ディスクにおいて、良
好な記録特性を有しながら、さらに極めて高い安定性も
併せ持つ記録材料を提供すること。 【構成】透明基板／記録膜／反射膜／保護膜からなり、
ＣＤ−フォ−マット信号の記録を行う追記型光ディスク
において、その記録膜が特定の構造を有する少なくとも
１種以上のフタロシアニン化合物と、紫外線吸収剤およ
び／または紫外線安定剤を少なくとも１種以上含有する
ことを特徴とするＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型
光ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レ−ザ−光による情報
の記録、再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しく
はコンパクトディスク（ＣＤ）あるいはコンパクトディ
スク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）対応の追記型光ディスク
に関する。

【０００２】

【従来の技術】集光レ−ザ−光による情報記録媒体の中
で、オ−ディオ等の音楽再生用としてＣＤおよびコンピ
ュ−タ−ＲＯＭとしてＣＤ−ＲＯＭが広く普及してい
る。このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは、通常ポリカ
−ボネ−ト等の透明基板表面にＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ
フォ−マット信号を有するピット列を射出成形時に形成
し、その上からアルミニウムまたは金等を蒸着あるいは
スパッタリングにより反射膜として設け、さらに保護コ
−トして作成する。このようにして作成した光ディスク
の基板の裏面から再生レ−ザ−光（７８０ｎｍ半導体レ
−ザ−光）を照射して、ピットの凹凸による反射率の変
化から各信号を読み取り、情報を提供するものである。
しかし、このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは再生専用
であり記録ができないため、追記型光ディスクあるいは
書換え可能な光磁気ディスクのような編集機能がないと
いう不都合さがあった。一方、編集機能を有する追記型
光ディスクあるいは光磁気ディスクとしては、Ｔｅ等カ
ルコゲナイト化合物、希土類金属化合物もしくはシアニ
ン等の有機化合物を記録膜としたものが実用化されてい
る。しかしながら、これらの光ディスクは、基板面から
の反射率が３０〜４０％であり、現在のＣＤの国際規格
であるレッドブックに記載されている基板面からの反射
率７０％以上には到達しておらず、現状のままＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭの再生装置により信号の再生を行うこ
とはできないという問題点がある。このような問題点を
解決するために、シアニン化合物等の記録膜の上に金等
の反射膜を設けて、基板面反射率で７０％以上を確保し
て７８０ｎｍでＣＤフォ−マットあるいはＣＤ−ＲＯＭ
フォ−マット信号を記録し、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの
再生装置で情報を読み出す光ディスクおよび方法が提案
されている。

【０００３】しかしながら、一般にシアニン化合物は光
安定性が悪いため、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭのような単
板構成で直接太陽光にさらされるような使用条件下で
は、記録の信頼性に問題を生ずる可能性がある。そのた
め、シアニン化合物に代えて、化学的、物理的安定性の
優れたフタロシアニン化合物を記録膜材料に使用する試
みが検討されている。

【０００４】このフタロシアニン化合物の場合には、熱
的にも安定なため記録感度が低く、さらに吸収バンドが
非常にシャ−プであるため、ＣＤドライブのピックアッ
プに搭載される半導体レ−ザ−の発振波長の許容範囲
（７８０〜８００ｎｍ程度）で安定した光学特性（反射
率および吸収）を得ることが困難であり、記録感度の波
長依存性が大きく、汎用性のある追記型光ディスクに成
りにくいという問題点がある。

【０００５】そこでフタロシアニン化合物を記録膜材料
として用いる場合に生ずる低記録感度および記録感度の
波長依存性を防ぎ、良好な再生信号が得られる記録材料
について検討を行った結果、一般式［１］で示される化
合物を得るに至った。一般式［１］で示されるフタロシ
アニン化合物の特徴は、まず第一に中心金属からフタロ
シアニン環の分子平面に垂直な方向に導入された置換基
（一般式［１］中の置換基Ｚ）の効果により媒体の反射
レベルが高くなること、良好な記録ピットを形成するた
め、再生信号のコントラストが良く、きれいな再生波形
がえられること、加えて、溶解性が飛躍的に向上し、汎
用の有機溶媒（例えばメタノ−ルやエタノ−ル）に高い
溶解性を持つようになり、スピンコ−ト法による記録膜
の作成が容易になることである。第二にフタロシアニン
環に導入された置換基（一般式［１］中の置換基Ｘ、
Ｙ）の効果によりフタロシアニン化合物の分解温度が低
温側に大きくシフトするため、これらのフタロシアニン
化合物を記録膜に用いた場合、記録感度が大幅に向上す
る。またフタロシアニン環に導入された置換基によって
も溶解性が向上する。

【０００６】このように一般式［１］で示されるフタロ
シアニン化合物を記録膜材料としてとして用いることに
より従来の追記機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣ
Ｄ−ＲＯＭの持つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに
記録特性も良好なＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型
光ディスクを提供することができる。

【０００７】一般式［１］で示されるフタロシアニン化
合物を記録膜材料としてとして用いたＣＤあるいはＣＤ
−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクは優れた安定性、記録
特性を有しているが、今後、さらに高密度な記録が可能
で、高い信頼性を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応
の追記型光ディスクや、ＬＤ対応の追記型光ディスク、
フォトＣＤ対応の追記型光ディスク等次世代の追記型光
ディスクを開発していくためには、より優れた安定性が
要求される。現状ではこれらの用途に対応し得るような
優れた安定性を有する追記型光ディスクは提供されてい
ない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】 本発明者らは、高密
度記録が可能で、高い信頼性を有するＣＤあるいはＣＤ
−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクや、ＬＤ対応、フォト
ＣＤ対応の追記型光ディスクを提供するために、良好な
記録特性を有しながら、さらに極めて高い安定性も併せ
持つ記録材料について鋭意検討を行った結果、本発明を
得るに至った。

【０００９】

【課題を解決する手段】上記のような良好な記録特性と
極めて高い安定性を有するＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応
の追記型光ディスクは以下のように実現される。透明基
板／記録膜／反射膜／保護膜からなり、ＣＤ−フォ−マ
ット信号の記録を行う追記型光ディスクにおいて、その
記録膜が下記一般式［１］で示される化合物から選ばれ
る少なくとも１種以上のフタロシアニン化合物と、紫外
線吸収剤および／または紫外線安定剤を少なくとも１種
以上含有することを特徴とするＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ
対応の追記型光ディスク。である。一般式［１］

【化２】 ［式中、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は、それぞれ独立に置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
キシ基を表す。ｋ¹ 〜ｋ⁴ は置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ の置換数
で１〜４の整数を表す。置換基Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ は、それぞれ
独立にニトロ基、ハロゲン原子を表す。ｍ¹ 〜ｍ⁴ は置
換基Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ の置換数で０〜４の整数を表す。中心金
属Ｍは、Ｓｉ、Ａｌを表す。置換基Ｚは、 を表す。ここでＲ₁ 、Ｒ₂ は置換基を有してもよいアル
キル基、置換基を有してもよいアリ−ル基、置換基を有
してもよいアルコキシ基を表す。ｎは置換基Ｚの置換数
で１〜２の整数を表す。］

【００１０】本発明においてフタロシアニン化合物と共
に記録膜材料に用いた紫外線吸収剤は、多くの有機化合
物を劣化、変質させる有害な紫外線を吸収し、そのエネ
ルギ−を主として無害な熱エネルギ−として再輻射し、
また紫外線吸収剤自身はなんら変質しないことにより、
フタロシアニン化合物の光劣化を防止し、記録膜に極め
て高い安定性をもたらす。また紫外線安定剤は、それ自
体は紫外線を吸収する能力を有さないが、クエンチャ−
として光エネルギ−変換剤的な作用をすることにより、
フタロシアニン化合物の光劣化を防止し、記録膜に極め
て高い安定性をもたらす。

【００１１】紫外線吸収剤および紫外線安定剤の混合比
としては特に制限はないが、フタロシアニン化合物に対
して１０重量％以上５０重量％以下が好ましい。

【００１２】本発明において記録膜材料として用いられ
る紫外線吸収剤の代表例としては、サリチル酸系紫外線
吸収剤としては、フェニルサリシレ−ト、ｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニルサリシレ−ト、ｐ−オクチルフェニル
サリシレ−ト等が、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤とし
ては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒド
ロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ
−４−オクチルオキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ
−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒ
ドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ
ヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２
−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン−５−スル
ホン酸等があり、ベンゾトリアゾ−ル系紫外線吸収剤と
しては、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニ
ル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２’−ヒドロキシ−
５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾ−
ル、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾ−ル
等が、シアノアクリレ−ト系紫外線吸収剤としては、２
−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３’−ジフェニル
アクリレ−ト、エチル−２−シアノ−３，３’−ジフェ
ニルアクリレ−ト等がそれぞれ挙げられるが、これらに
限定されるものではない。

【００１３】本発明において記録膜材料として用いられ
る紫外線安定剤の代表例としては、ニッケルビス（オク
チルフェニル）サルファイド、〔２，２’−チオビス
（４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノラ−ト）〕−ｎ−ブチ
ルアミンニッケル、ニッケルコンプレックス−３，５−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル・リン
酸モノエチレ−ト、ニッケル・ジブチルジチオカルバメ
−ト、ヒンダ−ドアミン系光安定剤等が挙げられるが、
これらに限定されるものではない。

【００１４】本発明の一般式［１］で示されるフタロシ
アニン化合物に導入される置換基Ｘの代表例としては、
置換基を有してもよいアルキル基としては、メチル基、
エチル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ステア
リル基、ネオペンチル基、トリクロロメチル基、トリフ
ルオロメチル基、２−メトキシエチル基、フタルイミド
メチル基等が、置換基を有してもよいアルコキシ基とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ基、ネオペンチルオキシ基、２，２，２
−トリクロロエトキシ基、２，２，２−トリフルオロエ
トキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ
基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ
基、２−エトキシエトキシ基等がそれぞれ挙げられるが
これらに限定されるものではない。

【００１５】本発明の一般式［１］で示されるフタロシ
アニン化合物に導入される置換基Ｙのハロゲン原子とし
ては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を挙げることができ
る。

【００１６】本発明の一般式［１］で示されるフタロシ
アニン化合物に導入される置換基ＺのＲ₁ 、Ｒ₂ を構成
する原子および基の代表例としては、置換基を有しても
よいアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−ブ
チル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ステアリル基、ネオペン
チル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、
２−メトキシエチル基等が、置換基を有してもよいアリ
−ル基としてはフェニル基、ナフチル基、ｐ−ニトロフ
ェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ペンタフ
ルオロフェニル基等があり、置換基を有してもよいアル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブト
キシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ネオペンチルオキシ
基、２，２，２−トリクロロエトキシ基、２，２，２−
トリフルオロエトキシ基、２，２，３，３−テトラフル
オロプロポキシ基、２，２，３，３，３−ペンタフルオ
ロプロポキシ基、２−エトキシエトキシ基等がそれぞれ
挙げられるがこれらに限定されるものではない。

【００１７】本発明において用いられる透明基板として
は、信号の書き込みや読み出しを行なうために光の透過
率が好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小
さいものが望ましい。例えば、ガラスまたはアクリル樹
脂、ポリカ−ボネ−ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニ系ル樹脂、ポリビニルエステル系樹
脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（例え
ばポリ−４−メチルペンテン等）、ポリエ−テルスルホ
ン樹脂等の熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等
の熱硬化性樹脂を用いた基板が挙げられる。これらの中
で、成型のしやすさ、ＡＴＩＰ用のウォブル信号および
案内溝等の付与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からな
るものが好ましく、さらに光学特性や機械特性およびコ
ストからみてアクリル樹脂やポリカ−ボネ−ト樹脂から
なるものが特に好ましい。

【００１８】また本発明の透明基板には、記録および読
み出しの際の位置制御のための案内溝やＡＴＩＰ用ウォ
ブル信号や各種マ−ク等のプレフォ−マット用の凹凸を
通常有しているが、これらの凹凸は前記したような熱可
塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成形）する際にスタン
パ−などを用いて付与する方法が好ましいが、フォトポ
リマ−樹脂を用いるいわゆる２Ｐ法によっても行なうこ
とができる。

【００１９】本発明の案内溝の形状については特に制限
はなく、短形、台形、Ｕ字形であってもよい。また案内
溝の寸法については、記録膜材料の種類および組合せ等
により最適値はそれぞれ異なるが、平均溝幅（溝深さの
１／２の位置の幅）が０．３〜０．６ミクロン、また溝
深さが８００〜１２００オングストロ−ムの範囲が好ま
しい。

【００２０】本発明の光学記録媒体において、フタロシ
アニン系化合物を含有する記録膜層を透明基板上に成膜
するには、ドライプロセス、例えば、真空蒸着法、スパ
ッタリング法によっても可能であるが、ウエットプロセ
ス、例えば、スピンコ−ト法、ディップ法、スプレ−
法、ロ−ルコ−ト法あるいはＬＢ（ラングミュア−ブロ
ジェット）法によっても可能である。本発明の光学記録
媒体は、汎用の有機溶媒、例えば、アルコ−ル系、ケト
ン系、セロソルブ系、ハロゲン化炭化水素系、フロン系
溶媒等に溶解するため、生産性および記録膜の均一性か
らスピンコ−ト法により成膜する方法が好ましい。

【００２１】このように、いわゆる塗布法で成膜する場
合には、必要に応じて高分子バインダ−を加えてもよ
い。高分子バインダ−としてはアクリル樹脂、ポリカ−
ボネ−ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロ−
ス、フェノ−ル樹脂などが挙げられるがこれらに限られ
るものではない。高分子バインダ−の混合比としては特
に制限はないが、フタロシアニン系化合物に対して３０
重量％以下が好ましい。

【００２２】記録膜の最適膜厚は、記録材料の種類およ
び組合せにより異なるため特に制限はなく、５００〜３
０００オングストロ−ムが好ましく、さらに１０００〜
２５００オングストロ−ムが最適膜厚範囲である。

【００２３】反射膜素材としては、金、銀、銅、白金、
アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およびこれらを
主成分とした合金、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ等の金属酸
化物、ＳｉＮ₄ 、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物等が挙げら
れるが、絶対反射率が高く安定性に優れている点から金
が最適である。このように、反射膜素材としては金が最
適であるが、金は高価であるため、安価な追記型光ディ
スクを得ることが困難となる問題点がある。この問題点
を解決する目的で、金の膜厚を最小限に小さくし、膜厚
不足分を他の金属、金属酸化物（例えば、アルミニウ
ム、銀、ＺｎＯ等）で補うような積層膜を反射膜に用い
ることも可能である。なお、この場合、絶対反射率を金
単独膜とほぼ同等にするためには、積層する下層（記録
膜に接する層）の金膜厚は最低２００オングストロ−ム
以上必要であり、反射膜の厚みは８００〜２５００オン
グストロ−ムが最適である。また場合によっては有機系
の高反射膜を使用することもできる。このような反射膜
の成膜方法としては、ドライプロセス例えば真空蒸着
法、スパッタリング法が最も好ましいが、これに限られ
るものではない。反射膜の最適膜厚については、特に制
限はないが４００〜１３００オングストロ−ムの範囲が
好ましい。

【００２４】さらに反射膜の上より、ディスクの化学的
劣化（例えば酸化、吸水等）および物理的劣化（傷、け
ずれ等）を防ぐ目的でディスクを保護するための保護膜
を設ける。保護膜用の材料としては、紫外線硬化型樹脂
を用いて、スピンコ−トにより塗布し、紫外線照射によ
り硬化させる方法が好ましいがこれに限られるものでは
ない。保護膜の最適膜厚については、薄い場合には、保
護の効果が低下し、厚い場合には樹脂の硬化時の収縮に
よりディスクのそり等の機械特性の悪化の原因になるた
め、２〜２０ミクロンの範囲で成膜することが好まし
い。

【００２５】ディスク形態は、記録後ＣＤあるいはＣＤ
−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤあるいは
ＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ−ＣＤの
規格（オレンジブック）に準拠していることが好まし
い。

【００２６】

【実施例】以下の実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は以下の実施例に限られるものではない。

【００２７】実施例１ 深さ１２００オングストロ−ム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカ−ボネ−ト
基板上に、フタロシアニン化合物（ａ）６０ｍｇとフェ
ニルサリシレ−ト１２ｍｇの混合物に対してジアセトン
アルコ−ル１ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフ
ィルタ−を通して調整した塗液を用いて、スピンコ−タ
−により膜厚１２００オングストロ−ムに色素膜を成膜
した。同様の方法により、フタロシアニン化合物（ａ）
６０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−メトキシ−ベンゾフェ
ノン１２ｍｇの混合物、フタロシアニン化合物（ａ）６
０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシベンゾフ
ェノン１２ｍｇの混合物、フタロシアニン化合物（ａ）
と２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベ
ンゾトリアゾ−ル１２ｍｇの混合物およびフタロシアニ
ン化合物（ａ）６０ｍｇのみに対してジアセトンアルコ
−ル１ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタ
−を通して調整した塗液を用いて色素膜を成膜した。作
成した５点の記録膜サンプルを紫外線照射装置を用い記
録膜面より紫外光を照射し、吸光度スペクトルの経時変
化を追跡した。結果を表１に示す。紫外光照射前の吸光
度極大の値を１００としたときの相対値である。フタロ
シアニン化合物（ａ）は単独の色素薄膜でも良好な耐光
性を有しているが、紫外線吸収剤の添加により、さらに
耐光性が向上し、極めて高い紫外光安定性を有する色素
薄膜の提供が可能となる。

【００２８】フタロシアニン化合物（ａ）

【化３】

【００２９】

【表１】

【００３０】実施例２ 深さ１５００オングストロ−ム、幅０．５２ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカ−ボネ−ト
基板上に、フタロシアニン化合物（ｂ）６０ｍｇとフェ
ニルサリシレ−ト１２ｍｇの混合物に対してジアセトン
アルコ−ル１ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフ
ィルタ−を通して調整した塗液を用いて、スピンコ−タ
−により膜厚１２００オングストロ−ムに色素膜を成膜
した。同様の方法により、フタロシアニン化合物（ｂ）
６０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−メトキシ−ベンゾフェ
ノン１２ｍｇの混合物、フタロシアニン化合物（ｂ）６
０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシベンゾフ
ェノン１２ｍｇの混合物、フタロシアニン化合物（ｂ）
６０ｍｇと２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３’
−ジフェニルアクリレ−ト１２ｍｇの混合物およびフタ
ロシアニン化合物（ｂ）６０ｍｇのみに対してジアセト
ンアルコ−ル１ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンの
フィルタ−を通して調整した塗液を用いて色素膜を成膜
した。作成した５点の色素膜サンプルを紫外線照射装置
を用い色素面より紫外光を照射し、吸光度スペクトルの
経時変化を追跡した。結果を表１に示す。紫外光照射前
の吸光度極大の値を１００としたときの相対値である。
フタロシアニン化合物（ｂ）は単独の色素薄膜でも良好
な耐光性を有しているが、紫外線吸収剤の添加により、
さらに耐光性が向上し、極めて高い紫外光安定性を有す
る色素薄膜の提供が可能となる。

【００３１】フタロシアニン化合物（ｂ）

【化４】

【００３２】実施例３ 深さ１４００オングストロ−ム、幅０．６０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカ−ボネ−ト
基板上に、フタロシアニン化合物（ｃ）４０ｍｇとフェ
ニルサリシレ−ト１２ｍｇの混合物に対してエチルセロ
ソルブ１ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィル
タ−を通して調整した塗液を用いて、スピンコ−タ−に
より膜厚１０００オングストロ−ムに色素膜を成膜し
た。同様の方法により、フタロシアニン化合物（ｃ）４
０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−メトキシ−ベンゾフェノ
ン１２ｍｇの混合物、フタロシアニン化合物（ｃ）４０
ｍｇと２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシベンゾフェ
ノン１２ｍｇの混合物、フタロシアニン化合物（ｃ）４
０ｍｇとニッケルビス（オクチルフェニル）サルファイ
ド１２ｍｇの混合物およびフタロシアニン化合物（ｃ）
４０ｍｇのみに対してエチルセロソルブ１ｍｌの濃度で
溶解し、０．２ミクロンのフィルタ−を通して調整した
塗液を用いて色素膜を成膜した。作成した５点の色素膜
サンプルを紫外線照射装置を用い基板面より紫外光を照
射し、吸光度スペクトルの経時変化を追跡した。結果を
表２に示す。紫外光照射前の吸光度極大の値を１００と
したときの相対値である。フタロシアニン化合物（ｃ）
は単独の色素薄膜でも良好な耐光性を有しているが、紫
外線吸収剤または紫外線安定剤の添加により、さらに耐
光性が向上し、極めて高い紫外光安定性を有する色素薄
膜の提供が可能となる。

【００３３】フタロシアニン化合物（ｃ）

【化５】

【００３４】

【表２】

【００３５】実施例４ 深さ１０００オングストロ−ム、幅０．４０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカ−ボネ−ト
基板上に、フタロシアニン化合物（ａ）６０ｍｇとフェ
ニルサリシレ−ト１２ｍｇの混合物に対してジアセトン
アルコ−ル１ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフ
ィルタ−を通して調整した塗液を用いて、スピンコ−タ
−により膜厚１５００オングストロ−ムに記録膜を成膜
した。同様の方法により、フタロシアニン化合物（ａ）
６０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−メトキシ−ベンゾフェ
ノン１２ｍｇの混合物、フタロシアニン化合物（ａ）６
０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシベンゾフ
ェノン１２ｍｇの混合物およびフタロシアニン化合物
（ａ）６０ｍｇのみに対してジアセトンアルコ−ル１ｍ
ｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタ−を通し
て調整した塗液を用いて記録膜を成膜した。次に、この
ようにして得た記録膜の上に真空蒸着により金膜を厚さ
５００オングストロ−ムに成膜した。さらに、この上に
紫外線硬化樹脂により保護層を５ミクロンの膜厚で設け
て光ディスクを作成した。このようにして作成した光デ
ィスクの反射率および波長７８５ｎｍの半導体レ−ザ−
を使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフ
ォ−マット信号を記録したときの最適記録レ−ザ−パワ
−を表３に示す。この信号をＣＤプレ−ヤ−によりレ−
ザ−パワ−０．５ｍＷで再生を行ったところ、いずれの
ディスクについても得られた信号は良好であり、市販の
ＣＤプレ−ヤ−に十分かかるレベルであった。次に、こ
のようにして作成した光ディスクを紫外線照射装置を用
い基板面より１００時間紫外線照射した。照射後のディ
スクについてＣＤプレ−ヤ−によりレ−ザ−パワ−０．
５ｍＷで再生を行ったところ、いずれのディスクについ
ても得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレ−ヤ−
に十分かかるレベルであったが、フタロシアニン化合物
（ａ）のみを記録膜に用いたディスクは反射率が若干低
下し、またビットエラ−レ−トが若干高くなる傾向が観
測された。これに対して紫外線吸収剤を記録膜に添加し
たディスクでは、反射率の低下は観測されず、ビットエ
ラ−レ−トも変化は見られなかった（紫外線照射後の反
射率も表３に示した）。以上の結果から、紫外線吸収剤
を記録膜に添加することにより、極めて高い紫外光安定
性を有する光ディスクを作成することができる。

【００３６】

【表３】

【００３７】実施例５ 深さ１０００オングストロ−ム、幅０．４０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカ−ボネ−ト
基板上に、フタロシアニン化合物（ｂ）６０ｍｇとフェ
ニルサリシレ−ト１２ｍｇの混合物に対してジアセトン
アルコ−ル１ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフ
ィルタ−を通して調整した塗液を用いて、スピンコ−タ
−により膜厚１５００オングストロ−ムに記録膜を成膜
した。同様の方法により、フタロシアニン化合物（ｂ）
６０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−メトキシ−ベンゾフェ
ノン１２ｍｇの混合物、フタロシアニン化合物（ｂ）６
０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシベンゾフ
ェノン１２ｍｇの混合物およびフタロシアニン化合物
（ｂ）６０ｍｇのみに対してジアセトンアルコ−ル１ｍ
ｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタ−を通し
て調整した塗液を用いて記録膜を成膜した。次に、この
ようにして得た記録膜の上にスパッタリングにより金膜
を厚さ１０００オングストロ−ムに成膜した。さらに、
この上に紫外線硬化樹脂により保護層を５ミクロンの膜
厚で設けて光ディスクを作成した。このようにして作成
した光ディスクの反射率および波長７８５ｎｍの半導体
レ−ザ−を使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ
−ＣＤフォ−マット信号を記録したときの最適記録レ−
ザ−パワ−を表３に示す。この信号をＣＤプレ−ヤ−に
よりレ−ザ−パワ−０．５ｍＷで再生を行ったところ、
いずれのディスクについても得られた信号は良好であ
り、市販のＣＤプレ−ヤ−に十分かかるレベルであっ
た。次に、このようにして作成した光ディスクを紫外線
照射装置を用い基板面より１００時間紫外線照射した。
照射後のディスクについてＣＤプレ−ヤ−によりレ−ザ
−パワ−０．５ｍＷで再生を行ったところ、いずれのデ
ィスクについても得られた信号は良好であり、市販のＣ
Ｄプレ−ヤ−に十分かかるレベルであったが、フタロシ
アニン化合物（ｂ）のみを記録膜に用いたディスクは反
射率が若干低下し、またビットエラ−レ−トが若干高く
なる傾向が観測された。これに対して紫外線吸収剤を記
録膜に添加したディスクでは、反射率の低下は観測され
ず、ビットエラ−レ−トも変化は見られなかった（紫外
線照射後の反射率も表３に示した）。以上の結果から、
紫外線吸収剤を記録膜に添加することにより、極めて高
い紫外光安定性を有する光ディスクを作成することがで
きる。

【００３８】実施例６ 深さ１０００オングストロ−ム、幅０．４０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカ−ボネ−ト
基板上に、フタロシアニン化合物（ａ）６０ｍｇとフェ
ニルサリシレ−ト１２ｍｇの混合物に対してジアセトン
アルコ−ル１ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフ
ィルタ−を通して調整した塗液を用いて、スピンコ−タ
−により膜厚１５００オングストロ−ムに記録膜を成膜
した。同様の方法により、フタロシアニン化合物（ａ）
６０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−メトキシ−ベンゾフェ
ノン１２ｍｇの混合物、フタロシアニン化合物（ａ）６
０ｍｇと２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシベンゾフ
ェノン１２ｍｇの混合物およびフタロシアニン化合物
（ａ）６０ｍｇのみに対してジアセトンアルコ−ル１ｍ
ｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタ−を通し
て調整した塗液を用いて記録膜を成膜した。次に、この
ようにして得た記録膜の上にスパッタリングにより金膜
を厚さ１０００オングストロ−ムに成膜した。さらに、
この上に紫外線硬化樹脂により保護層を５ミクロンの膜
厚で設けて光ディスクを作成した。このようにして作成
した光ディスクを用い、波長７８５ｎｍの半導体レ−ザ
−を使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤ
フォ−マット信号を記録した。この信号をＣＤプレ−ヤ
−によりレ−ザ−パワ−０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、いずれのディスクについても得られた信号は良好で
あり、市販のＣＤプレ−ヤ−に十分かかるレベルであっ
た。次に、このようにして作成した光ディスクを高温高
湿環境試験装置を用い、７０℃、９０％の条件下で１０
００時間耐候試験を行った。耐候試験後のディスクにつ
いてＣＤプレ−ヤ−によりレ−ザ−パワ−０．５ｍＷで
再生を行ったところ、いずれのディスクについても得ら
れた信号は良好であり、市販のＣＤプレ−ヤ−に十分か
かるレベルであった。またいずれのディスクについても
反射率の低下は観測されず、ビットエラ−レ−トも変化
は見られなかった。以上の結果から、紫外線吸収剤を記
録膜に添加したことによる、耐候安定性の低下は全く観
測されなかった。

【００３９】

【発明の効果】本発明の構成により光ディスクを作成す
ることにより、７７０ｎｍから８００ｎｍの半導体レ−
ザ−に対して良好な記録特性を有し、極めて優れた安定
性を持つＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディ
スクを提供することができる。また優れた安定性を有す
ることにより、さらに高密度な記録が可能なＣＤあるい
はＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク、ＬＤ対応の追
記型光ディスク、フォトＣＤ対応の追記型光ディスク等
次世代の追記型光ディスクへの応用が可能である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明基板／記録膜／反射膜／保護膜からな
   り、ＣＤ−フォ−マット信号の記録を行う追記型光ディ
   スクにおいて、その記録膜が下記一般式［１］で示され
   る化合物から選ばれる少なくとも１種以上のフタロシア
   ニン化合物と、紫外線吸収剤および／または紫外線安定
   剤を少なくとも１種以上含有することを特徴とするＣＤ
   またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。一般式
   ［１］ 【化１】 ［式中、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は、それぞれ独立に置換基を
   有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコ
   キシ基を表す。ｋ¹ 〜ｋ⁴ は置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ の置換数
   で１〜４の整数を表す。置換基Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ は、それぞれ
   独立にニトロ基、ハロゲン原子を表す。ｍ¹ 〜ｍ⁴ は置
   換基Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ の置換数で０〜４の整数を表す。中心金
   属Ｍは、Ｓｉ、Ａｌを表す。置換基Ｚは、 を表す。ここでＲ₁ 、Ｒ₂ は置換基を有してもよいアル
   キル基、置換基を有してもよいアリ−ル基、置換基を有
   してもよいアルコキシ基を表す。ｎは置換基Ｚの置換数
   で１〜２の整数を表す。］