JPH0790662B2 - コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスク - Google Patents
コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスクInfo
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- JPH0790662B2 JPH0790662B2 JP3067952A JP6795291A JPH0790662B2 JP H0790662 B2 JPH0790662 B2 JP H0790662B2 JP 3067952 A JP3067952 A JP 3067952A JP 6795291 A JP6795291 A JP 6795291A JP H0790662 B2 JPH0790662 B2 JP H0790662B2
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- JP
- Japan
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- substituent
- parts
- phthalocyanine compound
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光による情報
の記録、再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しく
はコンパクトディスク（ＣＤ）あるいはコンパクトディ
スク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）対応の追記型光ディスク
に関する。
の記録、再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しく
はコンパクトディスク（ＣＤ）あるいはコンパクトディ
スク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）対応の追記型光ディスク
に関する。
【０００２】
【従来の技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中
で、オーディオ等の音楽再生用としてＣＤ、コンピータ
用ＲＯＭとしてＣＤ−ＲＯＭが広く普及している。
で、オーディオ等の音楽再生用としてＣＤ、コンピータ
用ＲＯＭとしてＣＤ−ＲＯＭが広く普及している。
【０００３】このようなＣＤおよびＣＤ−ＲＯＭは、通
常ポリカーボネート等の透明基板表面にＣＤフォーマッ
ト信号を有するピット列を射出成形時に形成し、その上
からアルミニウムまたは金等を蒸着あるいはスパッタリ
ングにより反射膜として設け、さらに保護層をコートし
て作成する。
常ポリカーボネート等の透明基板表面にＣＤフォーマッ
ト信号を有するピット列を射出成形時に形成し、その上
からアルミニウムまたは金等を蒸着あるいはスパッタリ
ングにより反射膜として設け、さらに保護層をコートし
て作成する。
【０００４】このようにして作成した光ディスクの基板
の裏面から再生レーザー光（７８０ｎｍ半導体レーザー
光）を照射して、ピットの凹凸による反射率の変化から
各信号を読取り、情報を再生するものである。
の裏面から再生レーザー光（７８０ｎｍ半導体レーザー
光）を照射して、ピットの凹凸による反射率の変化から
各信号を読取り、情報を再生するものである。
【０００５】しかし、このようなＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭは
再生専用であり情報の記録ができないため、追記型光デ
ィスクあるいは書換え可能な光磁気ディスク等のような
編集機能がないという不都合さがあった。
再生専用であり情報の記録ができないため、追記型光デ
ィスクあるいは書換え可能な光磁気ディスク等のような
編集機能がないという不都合さがあった。
【０００６】一方、編集機能を有する追記型光ディスク
あるいは光磁気ディスクとしては、Ｔｅ等カルコケナイ
ト系化合物、希土類金属化合物もしくはシアニン、ナフ
タロシアニン等の有機色素等を記録膜としたものが実用
化されている。
あるいは光磁気ディスクとしては、Ｔｅ等カルコケナイ
ト系化合物、希土類金属化合物もしくはシアニン、ナフ
タロシアニン等の有機色素等を記録膜としたものが実用
化されている。
【０００７】しかしながら、これらの光ディスクは、基
板面からの反射率が３０〜４０％であり、現在のＣＤの
規格である基板面の反射率が７０％以上には到達してお
らず、現状のままＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの再生装置
により信号の再生を行うことはできないという問題点が
ある。
板面からの反射率が３０〜４０％であり、現在のＣＤの
規格である基板面の反射率が７０％以上には到達してお
らず、現状のままＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの再生装置
により信号の再生を行うことはできないという問題点が
ある。
【０００８】このような問題点を解決するために、シア
ニン等の記録膜の上に金等の反射膜を設けて、基板面反
射率で７０％以上を確保して７８０ｎｍでＣＤフォーマ
ットあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を記録し、
ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再生装置で情報を読み出す光
ディスクおよび方法（特開平２−４２６５２号公報）が
提案されている。
ニン等の記録膜の上に金等の反射膜を設けて、基板面反
射率で７０％以上を確保して７８０ｎｍでＣＤフォーマ
ットあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を記録し、
ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再生装置で情報を読み出す光
ディスクおよび方法（特開平２−４２６５２号公報）が
提案されている。
【０００９】このような光ディスにおいては、現状記録
膜に使用されている有機色素はシアニン系色素であっ
た。しかしながら、従来よりシアニン系色素は耐光性が
劣っており、記録媒体として最も重要な記録安定性等の
信頼性を確保することが困難であり、ファイリングシス
テム用追記型ディスクに用いられているシアニン系材料
では、一重項クエンチャーとしてＮｉジオール系錯体に
より安定化させて実用化レベルにしている。
膜に使用されている有機色素はシアニン系色素であっ
た。しかしながら、従来よりシアニン系色素は耐光性が
劣っており、記録媒体として最も重要な記録安定性等の
信頼性を確保することが困難であり、ファイリングシス
テム用追記型ディスクに用いられているシアニン系材料
では、一重項クエンチャーとしてＮｉジオール系錯体に
より安定化させて実用化レベルにしている。
【００１０】シアニン系材料の場合、このような安定化
により信頼性を確保しているが、基本的に耐光性が弱い
ことは、大きな問題点である。ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍのようにカートリッジにも挿填もされず、単板構成の
光ディスクでは、記録膜面が太陽光あるいは蛍光灯下に
曝されることも考えられ、耐光性に問題のあるシアニン
系色素を記録膜に用いる場合には、記録安定性を確保す
ることは非常に困難であるという欠点を有している。
により信頼性を確保しているが、基本的に耐光性が弱い
ことは、大きな問題点である。ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍのようにカートリッジにも挿填もされず、単板構成の
光ディスクでは、記録膜面が太陽光あるいは蛍光灯下に
曝されることも考えられ、耐光性に問題のあるシアニン
系色素を記録膜に用いる場合には、記録安定性を確保す
ることは非常に困難であるという欠点を有している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の追記
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、７７０〜８１０ｎｍの波長範囲で安定
した光学特性を実現し、この波長範囲で完全に記録再生
が可能なレッドブックに準拠した光ディスクを提供する
ものである。
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、７７０〜８１０ｎｍの波長範囲で安定
した光学特性を実現し、この波長範囲で完全に記録再生
が可能なレッドブックに準拠した光ディスクを提供する
ものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板／記
録膜／反射膜からなり、ＣＤフォーマットあるいはＣＤ
−ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う追記型光ディス
クにおいて、記録膜が下記一般式［Ｉ］で示されるフタ
ロシアニン系色素を含有することを特徴とするＣＤ対応
またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
録膜／反射膜からなり、ＣＤフォーマットあるいはＣＤ
−ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う追記型光ディス
クにおいて、記録膜が下記一般式［Ｉ］で示されるフタ
ロシアニン系色素を含有することを特徴とするＣＤ対応
またはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
【００１３】 一般式［Ｉ］
【化４】
【００１４】［式中、環Ａ1 〜Ａ4 はそれぞれ独立に、
ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピラジン環、
またはキノサリン環を表す。Ｍは，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，
Ｓｉ，Ｇｅ，またはＳｎを表す。Ｘは、互いに同一であ
っても異なってもよく、置換基を有していてもよいアル
キル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基
を有していてもよい複素環残基、置換基を有していても
よいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ1 、−ＳＲ2 、−ＣＯ
ＯＲ3 、 −ＮＨＣＯＲ8 、−Ｎ＝ＮＲ9 、または−Ｎ＝ＣＨＲ10
を表す。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、および
Ｒ7 は、互に同一であっても異なっていてもよく、水素
原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を
有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよ
いアシル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、または置換基を有していてもよいポリエーテル基を
表し、または、Ｒ4 とＲ5 とで、あるいはＲ6 とＲ7 と
で、４〜７員環を形成していてもよく、これらの４〜７
員環は、さらに窒素原子などのヘテロ原子を含む複素環
であってもよい。Ｒ8 、Ｒ9 およびＲ10は、互いに同一
であっても異なってもよく、置換基を有していてもよい
アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置
換基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。Ｙ
は、
ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピラジン環、
またはキノサリン環を表す。Ｍは，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，
Ｓｉ，Ｇｅ，またはＳｎを表す。Ｘは、互いに同一であ
っても異なってもよく、置換基を有していてもよいアル
キル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基
を有していてもよい複素環残基、置換基を有していても
よいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ1 、−ＳＲ2 、−ＣＯ
ＯＲ3 、 −ＮＨＣＯＲ8 、−Ｎ＝ＮＲ9 、または−Ｎ＝ＣＨＲ10
を表す。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、および
Ｒ7 は、互に同一であっても異なっていてもよく、水素
原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を
有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよ
いアシル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、または置換基を有していてもよいポリエーテル基を
表し、または、Ｒ4 とＲ5 とで、あるいはＲ6 とＲ7 と
で、４〜７員環を形成していてもよく、これらの４〜７
員環は、さらに窒素原子などのヘテロ原子を含む複素環
であってもよい。Ｒ8 、Ｒ9 およびＲ10は、互いに同一
であっても異なってもよく、置換基を有していてもよい
アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置
換基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。Ｙ
は、
【００１５】
【化５】
【００１６】または、−Ｏ−Ｓｅ−Ｒ19を表す。Ｚは、
水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していて
もよいアルキル基、
水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していて
もよいアルキル基、
【００１７】
【化６】
【００１８】または、−Ｏ−Ｓｅ−Ｒ28を表す。Ｒ11、
Ｒ12、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23およ
びＲ28は、互いに同一であっても異なってもよく、置換
基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していて
もよいアリール基、置換基を有していてもよいアシル
基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換
基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有してい
てもよいアリロキシ基、置換基を有していてもよいポリ
エーテル基、水酸基、またはハロゲン原子を表す。
Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26およびＲ27
は、互いに同一であっても異なってもよく、置換基を有
していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい
アリール基、置換基を有していてもよいアシル基、置換
基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有し
ていてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよい
アリロキシ基、置換基を有していてもよいポリエーテル
基、水酸基、水素原子またはハロゲン原子を表す。Ｗ
は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−Ｔｅ−を表す。
ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、それぞれ独立に０〜８の整数を表
す。ｐは、０または１を表す。］
Ｒ12、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23およ
びＲ28は、互いに同一であっても異なってもよく、置換
基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していて
もよいアリール基、置換基を有していてもよいアシル
基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換
基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有してい
てもよいアリロキシ基、置換基を有していてもよいポリ
エーテル基、水酸基、またはハロゲン原子を表す。
Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26およびＲ27
は、互いに同一であっても異なってもよく、置換基を有
していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい
アリール基、置換基を有していてもよいアシル基、置換
基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有し
ていてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよい
アリロキシ基、置換基を有していてもよいポリエーテル
基、水酸基、水素原子またはハロゲン原子を表す。Ｗ
は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−Ｔｅ−を表す。
ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、それぞれ独立に０〜８の整数を表
す。ｐは、０または１を表す。］
【００１９】一般式［Ｉ］で示される化合物において、
Ｘを構成する原子および基の代表例としては、ハロゲン
原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素等があり、
置換基を有してもよいアルキル基としては、メチル基、
n-ブチル基、tert- ブチル基、ステアリル基、トリクロ
ロメチル基、トリフルオロエチル基、テトラフルオロプ
ロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、２−ニトロ
イソブチル基、2-メトキシエチル基などを、置換基を有
してもよいアリール基としてはフェニル基、クロロフェ
ニル基、トルイル基、ペンタフルオロフェニル基、トリ
フルオロメチルフェニル基、ナフチル基、アントリル
基、ジメチルアミノフェニル基、ヒドロキシフェニル
基、ジエチルアミノナフチル基、ヒドロキシナフチル基
などを、置換基を有してもよいシクロアルキル基として
は、シクロヘキシル基、シクロブチル基などを、置換基
を有してもよいアシル基としては、アセチル基、トリフ
ルオロアセチル基などを、置換基を有してもよいポリエ
ーテル基としては、ジエチレングリコールモノエチル
基、トリエチレングリコールモノブチル基などを、置換
基を有してもよい複素環残基としては、ピリジル基、フ
リル基、チアゾリル基、ピペラジニル基、モルフォリル
基などを、また、置換基を有してもよいフタルイミドメ
チル基としては、フタルイミドメチル基、ニトロフタル
イミドメチル基、tert- ブチルフタルイミドメチル基、
メトキシフタルイミドメチル基、ジクロロフタルイミド
メチル基などを、それぞれ挙げることができるが、これ
らに限定されるものではない。
Ｘを構成する原子および基の代表例としては、ハロゲン
原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素等があり、
置換基を有してもよいアルキル基としては、メチル基、
n-ブチル基、tert- ブチル基、ステアリル基、トリクロ
ロメチル基、トリフルオロエチル基、テトラフルオロプ
ロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、２−ニトロ
イソブチル基、2-メトキシエチル基などを、置換基を有
してもよいアリール基としてはフェニル基、クロロフェ
ニル基、トルイル基、ペンタフルオロフェニル基、トリ
フルオロメチルフェニル基、ナフチル基、アントリル
基、ジメチルアミノフェニル基、ヒドロキシフェニル
基、ジエチルアミノナフチル基、ヒドロキシナフチル基
などを、置換基を有してもよいシクロアルキル基として
は、シクロヘキシル基、シクロブチル基などを、置換基
を有してもよいアシル基としては、アセチル基、トリフ
ルオロアセチル基などを、置換基を有してもよいポリエ
ーテル基としては、ジエチレングリコールモノエチル
基、トリエチレングリコールモノブチル基などを、置換
基を有してもよい複素環残基としては、ピリジル基、フ
リル基、チアゾリル基、ピペラジニル基、モルフォリル
基などを、また、置換基を有してもよいフタルイミドメ
チル基としては、フタルイミドメチル基、ニトロフタル
イミドメチル基、tert- ブチルフタルイミドメチル基、
メトキシフタルイミドメチル基、ジクロロフタルイミド
メチル基などを、それぞれ挙げることができるが、これ
らに限定されるものではない。
【００２０】一般式［Ｉ］で示される化合物において、
Ｙを構成するＲ11ないしＲ19の原子および基の代表例と
しては、ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、
フッ素等があり、置換基を有してもよいアルキル基とし
ては、メチル基、n-ブチル基、tert- ブチル基、ステア
リル基、トリクロロメチル基、2-メトキシエチル基など
を、置換基を有してもよいアリール基としてはフェニル
基、クロロフェニル基、トルイル基、ペンタフルオロフ
ェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、ジメチルアミノフェニル基、ヒドロ
キシフェニル基、ジエチルアミノナフチル基、ヒドロキ
シナフチル基などを、置換基を有してもよいアルコキシ
基としては、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキ
シ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ
基、テトラフルオロプロポキシ基、ヘキサフルオロイソ
プロポキシ基、２−ニトロイソブトキシ基などを、置換
基を有してもよいアリロキシ基としては、フェノキシ
基、ニトロフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、クロ
ロフェノキシ基、ペンタフロオロフェノキシ基、トリフ
ロオロメチルフェノキシ基、ジエチルアミノフェノキシ
基、ナフトキシ基、アントロキシ基、ジ−ｎ−ブチルア
ミノナフトキシ基などを、置換基を有してもよいシクロ
アルキル基としては、シクロヘキシル基、シクロブチル
基などを、置換基を有してもよいアシル基としては、ア
セチル基、トリフルオロアセチル基などを、置換基を有
してもよいポリエーテル基としては、ジエチレングリコ
ールモノエチル基、トリエチレングリコールモノブチル
基などを、それぞれ挙げることができるが、これらに限
定されるものではない。
Ｙを構成するＲ11ないしＲ19の原子および基の代表例と
しては、ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、
フッ素等があり、置換基を有してもよいアルキル基とし
ては、メチル基、n-ブチル基、tert- ブチル基、ステア
リル基、トリクロロメチル基、2-メトキシエチル基など
を、置換基を有してもよいアリール基としてはフェニル
基、クロロフェニル基、トルイル基、ペンタフルオロフ
ェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、ジメチルアミノフェニル基、ヒドロ
キシフェニル基、ジエチルアミノナフチル基、ヒドロキ
シナフチル基などを、置換基を有してもよいアルコキシ
基としては、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキ
シ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ
基、テトラフルオロプロポキシ基、ヘキサフルオロイソ
プロポキシ基、２−ニトロイソブトキシ基などを、置換
基を有してもよいアリロキシ基としては、フェノキシ
基、ニトロフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、クロ
ロフェノキシ基、ペンタフロオロフェノキシ基、トリフ
ロオロメチルフェノキシ基、ジエチルアミノフェノキシ
基、ナフトキシ基、アントロキシ基、ジ−ｎ−ブチルア
ミノナフトキシ基などを、置換基を有してもよいシクロ
アルキル基としては、シクロヘキシル基、シクロブチル
基などを、置換基を有してもよいアシル基としては、ア
セチル基、トリフルオロアセチル基などを、置換基を有
してもよいポリエーテル基としては、ジエチレングリコ
ールモノエチル基、トリエチレングリコールモノブチル
基などを、それぞれ挙げることができるが、これらに限
定されるものではない。
【００２１】一般式［Ｉ］で示される化合物において、
Ｚを構成する原子および基の代表例としては、ハロゲン
原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素等があり、
置換基を有してもよいアルキル基としては、メチル基、
n-ブチル基、tert- ブチル基、ステアリル基、トリクロ
ロメチル基、2-メトキシエチル基などを、置換基を有し
てもよいアリール基としてはフェニル基、クロロフェニ
ル基、トルイル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフ
ルオロメチルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、
ジメチルアミノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ジ
エチルアミノナフチル基、ヒドロキシナフチル基など
を、置換基を有してもよいアルコキシ基としては、メト
キシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロ
メトキシ基、トリフルオロエトキシ基、テトラフルオロ
プロポキシ基、ヘキサフルオロイソプロポキシ基、２−
ニトロイソブトキシ基などを、置換基を有してもよいア
リロキシ基としては、フェノキシ基、ニトロフェノキシ
基、ジメチルフェノキシ基、クロロフェノキシ基、ペン
タフロオロフェノキシ基、トリフロオロメチルフェノキ
シ基、ジエチルアミノフェノキシ基、ナフトキシ基、ア
ントロキシ基、ジ−ｎ−ブチルアミノナフトキシ基など
を、置換基を有してもよいシクロアルキル基としては、
シクロヘキシル基、シクロブチル基などを、置換基を有
してもよいアシル基としては、アセチル基、トリフルオ
ロアセチル基などを、置換基を有してもよいポリエーテ
ル基としては、ジエチレングリコールモノエチル基、ト
リエチレングリコールモノブチル基などを、それぞれ挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。
Ｚを構成する原子および基の代表例としては、ハロゲン
原子としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素等があり、
置換基を有してもよいアルキル基としては、メチル基、
n-ブチル基、tert- ブチル基、ステアリル基、トリクロ
ロメチル基、2-メトキシエチル基などを、置換基を有し
てもよいアリール基としてはフェニル基、クロロフェニ
ル基、トルイル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフ
ルオロメチルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、
ジメチルアミノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ジ
エチルアミノナフチル基、ヒドロキシナフチル基など
を、置換基を有してもよいアルコキシ基としては、メト
キシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロ
メトキシ基、トリフルオロエトキシ基、テトラフルオロ
プロポキシ基、ヘキサフルオロイソプロポキシ基、２−
ニトロイソブトキシ基などを、置換基を有してもよいア
リロキシ基としては、フェノキシ基、ニトロフェノキシ
基、ジメチルフェノキシ基、クロロフェノキシ基、ペン
タフロオロフェノキシ基、トリフロオロメチルフェノキ
シ基、ジエチルアミノフェノキシ基、ナフトキシ基、ア
ントロキシ基、ジ−ｎ−ブチルアミノナフトキシ基など
を、置換基を有してもよいシクロアルキル基としては、
シクロヘキシル基、シクロブチル基などを、置換基を有
してもよいアシル基としては、アセチル基、トリフルオ
ロアセチル基などを、置換基を有してもよいポリエーテ
ル基としては、ジエチレングリコールモノエチル基、ト
リエチレングリコールモノブチル基などを、それぞれ挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。
【００２２】本発明において、一般式［Ｉ］で示される
化合物は、例えば、以下の方法により製造することがで
きる。
化合物は、例えば、以下の方法により製造することがで
きる。
【００２３】すなわち、下記一般式［II］で示されるイ
ソインドリン化合物と各種金属塩とから、あるいは、カ
ルボン酸無水物類、イミド類、またはニトリル類を出発
原料として常法により、一般式［III ］で示されるフタ
ロシアニン系化合物を製造できる。 一般式［II］
ソインドリン化合物と各種金属塩とから、あるいは、カ
ルボン酸無水物類、イミド類、またはニトリル類を出発
原料として常法により、一般式［III ］で示されるフタ
ロシアニン系化合物を製造できる。 一般式［II］
【００２４】
【化７】
【００２５】〔式中、Ａ1 〜Ａ4 はＡ1 、Ａ2 、Ａ3 ま
たはＡ4 を示し、Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、Ａ4 、Ｘ、ｋ、
ｌ、ｍ、ｎは、一般式［Ｉ］における意味と同じ意味を
表す。〕 一般式［III ］
たはＡ4 を示し、Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、Ａ4 、Ｘ、ｋ、
ｌ、ｍ、ｎは、一般式［Ｉ］における意味と同じ意味を
表す。〕 一般式［III ］
【００２６】
【化８】
【００２７】〔式中、Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、Ａ4 、Ｍ、
Ｘ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、およびｐは、一般式［Ｉ］におけ
る意味と同じ意味を表す。〕次に、得られた一般式［II
I ］で示されるフタロシアニン系化合物に、種々のりん
化合物または、セレン化合物を反応させることにより、
一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン系化合物を製造
できる。本発明で使用される一般式［Ｉ］で示されるフ
タロシアニン系化合物の代表的な例として、下記に示す
フタロシアニン系化合物（ａ）〜（ｔ）等が挙げられる
が、これらに限定される物ではない。
Ｘ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、およびｐは、一般式［Ｉ］におけ
る意味と同じ意味を表す。〕次に、得られた一般式［II
I ］で示されるフタロシアニン系化合物に、種々のりん
化合物または、セレン化合物を反応させることにより、
一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン系化合物を製造
できる。本発明で使用される一般式［Ｉ］で示されるフ
タロシアニン系化合物の代表的な例として、下記に示す
フタロシアニン系化合物（ａ）〜（ｔ）等が挙げられる
が、これらに限定される物ではない。
【００２８】（ａ）
【化９】
【００２９】（ｂ）
【化１０】
【００３０】（ｃ）
【化１１】
【００３１】（ｄ）
【化１２】
【００３２】（ｅ）
【化１３】
【００３３】（ｆ）
【化１４】
【００３４】（ｇ）
【化１５】
【００３５】（ｈ）
【化１６】
【００３６】（ｉ）
【化１７】
【００３７】（ｊ）
【化１８】
【００３８】（ｋ）
【化１９】
【００３９】（ｌ）
【化２０】
【００４０】（ｍ）
【化２１】
【００４１】（ｎ）
【化２２】
【００４２】（ｏ）
【化２３】
【００４３】（ｐ）
【化２４】
【００４４】（ｑ）
【化２５】
【００４５】（ｒ）
【化２６】
【００４６】（ｓ）
【化２７】
【００４７】（ｔ）
【化２８】
【００４８】本発明の具体的な構成について、以下詳細
に説明する。本発明に用いられる記録膜素材としては、
７８０ｎｍの波長に３０％以下、好ましくは１０〜２０
％の吸収を有する物質であればよい。
に説明する。本発明に用いられる記録膜素材としては、
７８０ｎｍの波長に３０％以下、好ましくは１０〜２０
％の吸収を有する物質であればよい。
【００４９】記録膜の上に金等の反射膜を設けることに
より、基板面入射で７０％以上の反射率を有し、波長７
８０ｎｍのレーザー光でＣＤフォーマット、あるいはＣ
Ｄ−ＲＯＭフォーマット信号を記録し、ＣＤまたはＣＤ
−ＲＯＭの再生装置で情報の読み出すことが可能な光デ
ィスクを提供するものである。
より、基板面入射で７０％以上の反射率を有し、波長７
８０ｎｍのレーザー光でＣＤフォーマット、あるいはＣ
Ｄ−ＲＯＭフォーマット信号を記録し、ＣＤまたはＣＤ
−ＲＯＭの再生装置で情報の読み出すことが可能な光デ
ィスクを提供するものである。
【００５０】このような特性を有する物質として、有機
追記型光記録膜材料として提案されているシアニン系色
素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ジチ
オール系金属錯体等の使用も可能であるが、吸光係数が
高くしかも化学的、物理的に安定であるという面からフ
タロシアニン系色素が最適である。
追記型光記録膜材料として提案されているシアニン系色
素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ジチ
オール系金属錯体等の使用も可能であるが、吸光係数が
高くしかも化学的、物理的に安定であるという面からフ
タロシアニン系色素が最適である。
【００５１】ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭに適用する光デ
ィスクは単板構成になるため、常に太陽光あるいは螢光
灯の光にさらされる可能性があり、特に耐光性の強さが
必要になってくる。その意味でもフタロシアニン系色素
が好ましいことは言うまでもない。
ィスクは単板構成になるため、常に太陽光あるいは螢光
灯の光にさらされる可能性があり、特に耐光性の強さが
必要になってくる。その意味でもフタロシアニン系色素
が好ましいことは言うまでもない。
【００５２】このような記録膜の成膜方法としては、ド
ライプロセス例えば、真空蒸着法、スパッタリング法に
よっても可能である。また、ウェットプロセス、例え
ば、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法ある
いはＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によっても
可能である。記録膜素材が汎用の有機溶剤、例えば、ア
ルコール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロゲン化炭化
水素系、フロン系、等の溶剤に可溶な場合は、生産性等
からスピンコート法によって成膜する方法が望ましい。
ライプロセス例えば、真空蒸着法、スパッタリング法に
よっても可能である。また、ウェットプロセス、例え
ば、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法ある
いはＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によっても
可能である。記録膜素材が汎用の有機溶剤、例えば、ア
ルコール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロゲン化炭化
水素系、フロン系、等の溶剤に可溶な場合は、生産性等
からスピンコート法によって成膜する方法が望ましい。
【００５３】アルコール系溶媒としては、メチルアルコ
ール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプ
ロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等、ケトン系
溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等、セルソルブ系
溶剤としては、エチルセルソルブ等が適応される。この
ように、いわゆる塗布法で成膜する場合には、必要に応
じて高分子バインダーを加えてもよい。
ール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプ
ロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等、ケトン系
溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等、セルソルブ系
溶剤としては、エチルセルソルブ等が適応される。この
ように、いわゆる塗布法で成膜する場合には、必要に応
じて高分子バインダーを加えてもよい。
【００５４】高分子バインダーとしては、塩化ビニル系
樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリ
ル樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノ
ール樹脂などが挙げられる。
樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリ
ル樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノ
ール樹脂などが挙げられる。
【００５５】高分子バインダーを用いる場合、色素に対
する高分子バインダーの比率は１０重量％以下が好まし
い。反射膜素材としては、金、銀、銅、白金、アルミニ
ウム、コバルト、スズ、等の金属、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｓ
ｎＯ、等の金属酸化物、ＳｉＮ4 、ＡｌＮ、ＴｉＮ、等
の窒化物等が挙げられるが、絶対反射率が高く、物理
的、化学的安定性に優れている点から金が最適である。
また、場合によってはフタロシアニン、ナフタロシアニ
ン等の有機系の高反射率素材を使用することができる。
このような反射膜の成膜方法としては、ドライプロセ
ス、例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最も好まし
いが、これに限られるものではない。
する高分子バインダーの比率は１０重量％以下が好まし
い。反射膜素材としては、金、銀、銅、白金、アルミニ
ウム、コバルト、スズ、等の金属、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｓ
ｎＯ、等の金属酸化物、ＳｉＮ4 、ＡｌＮ、ＴｉＮ、等
の窒化物等が挙げられるが、絶対反射率が高く、物理
的、化学的安定性に優れている点から金が最適である。
また、場合によってはフタロシアニン、ナフタロシアニ
ン等の有機系の高反射率素材を使用することができる。
このような反射膜の成膜方法としては、ドライプロセ
ス、例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最も好まし
いが、これに限られるものではない。
【００５６】さらに、反射膜の上に化学的劣化（例え
ば、酸化、吸水等）および物理的劣化（例えば傷、けず
れ等）を防ぐ目的でオーバーコート層を設けてもよい。
オーバーコート層としては、紫外線硬化型樹脂による方
法が一般的であるが、これに限られるものではない。
ば、酸化、吸水等）および物理的劣化（例えば傷、けず
れ等）を防ぐ目的でオーバーコート層を設けてもよい。
オーバーコート層としては、紫外線硬化型樹脂による方
法が一般的であるが、これに限られるものではない。
【００５７】ディスク形態は、記録後ＣＤあるいはＣＤ
−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤあるいは
ＣＤ−ＲＯＭのドライブ装置に適合し得る規格に準拠し
ていることが望ましい。また、本発明に用いられるディ
スク基板としては、信号の書込や読み出しを行なうため
光の透過率が、好ましくは８５％以上であり、かつ光学
異方性の小さいものが望ましい。
−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤあるいは
ＣＤ−ＲＯＭのドライブ装置に適合し得る規格に準拠し
ていることが望ましい。また、本発明に用いられるディ
スク基板としては、信号の書込や読み出しを行なうため
光の透過率が、好ましくは８５％以上であり、かつ光学
異方性の小さいものが望ましい。
【００５８】例えば、ガラス、またはアクリル樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹
脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレ
ン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メチルペ
ンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可塑性
樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂から
なる基板が挙げられる。これらの中で、成形のしやす
さ、案内溝等の信号の付与のしやすさなどから熱可塑性
樹脂からなるものが好ましく、さらに光学特性や機械特
性およびコストからみてアクリル樹脂やポリカーボネー
ト樹脂からなるものが特に好ましい。
リカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹
脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレ
ン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メチルペ
ンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可塑性
樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂から
なる基板が挙げられる。これらの中で、成形のしやす
さ、案内溝等の信号の付与のしやすさなどから熱可塑性
樹脂からなるものが好ましく、さらに光学特性や機械特
性およびコストからみてアクリル樹脂やポリカーボネー
ト樹脂からなるものが特に好ましい。
【００５９】また、案内溝などの付与は熱可塑性樹脂を
成形（射出成形、圧縮成形）する際にスタンパーなどを
用いて付与するか、またはフォトポリマーを用いるいわ
ゆる２Ｐ法による方法が好ましい。
成形（射出成形、圧縮成形）する際にスタンパーなどを
用いて付与するか、またはフォトポリマーを用いるいわ
ゆる２Ｐ法による方法が好ましい。
【００６０】
【実施例】以下に、実施例により本発明を具体的に説明
するが、実施例に先立ちフタロシアニン系化合物（ａ）
〜（ｔ）の製造例について説明する。
するが、実施例に先立ちフタロシアニン系化合物（ａ）
〜（ｔ）の製造例について説明する。
【００６１】製造例１：フタロシアニン系化合物（ａ）
の製造キノリン５０部に下記構造式
の製造キノリン５０部に下記構造式
【化２９】
【００６２】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物６．０部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，ジフェニ
ルホスフィニルクロリド５０部，トリ−ｎ−ブチルアミ
ン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹
拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過
し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシアニ
ン系化合物（ａ）３．３部を得た。
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物６．０部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，ジフェニ
ルホスフィニルクロリド５０部，トリ−ｎ−ブチルアミ
ン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹
拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過
し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシアニ
ン系化合物（ａ）３．３部を得た。
【００６３】製造例２：フタロシアニン系化合物（ｂ）
の製造キノリン５０部に下記構造式
の製造キノリン５０部に下記構造式
【化３０】
【００６４】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物５．６部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，ジフェニ
ルクロロホスフェ−ト５０部，トリ−ｎ−ブチルアミン
５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌
した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過
し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシアニ
ン系化合物（ｂ）３．２部を得た。
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物５．６部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，ジフェニ
ルクロロホスフェ−ト５０部，トリ−ｎ−ブチルアミン
５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌
した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過
し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシアニ
ン系化合物（ｂ）３．２部を得た。
【００６５】製造例３：フタロシアニン系化合物（ｃ）
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
【化３１】
【００６６】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物５．２部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，クロロジ
フェニルホスフィン５０部，トリ−ｎ−ブチルアミン５
０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌し
た後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，
メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシアニン系
化合物（ｃ）３．０部を得た。
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物５．２部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，クロロジ
フェニルホスフィン５０部，トリ−ｎ−ブチルアミン５
０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌し
た後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，
メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシアニン系
化合物（ｃ）３．０部を得た。
【００６７】製造例４：フタロシアニン系化合物（ｄ）
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
【化３２】
【００６８】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄
し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化
合物６．３部を得た。得られたジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン系化合物５．０部，クロロジフェニルホス
フィン１００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリ
ジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却
し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８
０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｄ）３．５部
を得た。
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄
し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化
合物６．３部を得た。得られたジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン系化合物５．０部，クロロジフェニルホス
フィン１００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリ
ジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却
し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８
０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｄ）３．５部
を得た。
【００６９】製造例５：フタロシアニン系化合物（ｅ）
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
【化３３】
【００７０】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄
し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化
合物６．３部を得た。得られたジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン系化合物５．０部，クロロジフェニルホス
フィン１００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリ
ジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却
し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８
０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｅ）３．３部
を得た。
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄
し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化
合物６．３部を得た。得られたジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン系化合物５．０部，クロロジフェニルホス
フィン１００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリ
ジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却
し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８
０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｅ）３．３部
を得た。
【００７１】製造例６：フタロシアニン系化合物（ｆ）
の製造 ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチ
ルアミン２５部に，下記構造式
の製造 ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチ
ルアミン２５部に，下記構造式
【化３４】
【００７２】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄
し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化
合物６．６部を得た。得られたジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン系化合物５．０部，クロロジフェニルホス
フィン１００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリ
ジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却
し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８
０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｆ）３．６部
を得た。
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄
し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化
合物６．６部を得た。得られたジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン系化合物５．０部，クロロジフェニルホス
フィン１００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリ
ジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却
し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８
０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｆ）３．６部
を得た。
【００７３】製造例７：フタロシアニン系化合物（ｇ）
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
【化３５】
【００７４】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄
し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化
合物６．０部を得た。得られたジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン系化合物５．０部，クロロジフェニルホス
フィン１００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリ
ジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却
し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８
０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｇ）３．２部
を得た。
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄
し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化
合物６．０部を得た。得られたジヒドロキシシリコンフ
タロシアニン系化合物５．０部，クロロジフェニルホス
フィン１００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリ
ジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却
し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８
０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｇ）３．２部
を得た。
【００７５】製造例８：フタロシアニン系化合物（ｈ）
の製造 ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチ
ルアミン２５部に，下記構造式
の製造 ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチ
ルアミン２５部に，下記構造式
【化３６】
【００７６】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物５．０部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，クロロジ
−ｎ−プロピルホスフィン５０部，トリ−ｎ−ブチルア
ミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱
撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ
過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシア
ニン系化合物（ｈ）２．８部を得た。
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物５．０部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，クロロジ
−ｎ−プロピルホスフィン５０部，トリ−ｎ−ブチルア
ミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱
撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ
過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシア
ニン系化合物（ｈ）２．８部を得た。
【００７７】製造例９：フタロシアニン系化合物（ｉ）
の製造 ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチ
ルアミン２５部に，下記構造式
の製造 ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチ
ルアミン２５部に，下記構造式
【化３７】
【００７８】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物５．６部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，ビス（ジ
メチルアミノ）ホスホリルクロリド５０部，トリ−ｎ−
ブチルアミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２
時間加熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希
釈し，ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフ
タロシアニン系化合物（ｉ）３．２部を得た。
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１５０〜１６０℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物５．６部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，ビス（ジ
メチルアミノ）ホスホリルクロリド５０部，トリ−ｎ−
ブチルアミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２
時間加熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希
釈し，ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフ
タロシアニン系化合物（ｉ）３．２部を得た。
【００７９】製造例１０：フタロシアニン系化合物
（ｊ）の製造製造例４と同様の方法により得たジヒドロ
キシシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，ジエチ
ルクロロチオホスフェ−ト１００部，トリ−ｎ−ブチル
アミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加
熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，
ろ過し，水洗し，８０℃で乾燥してフタロシアニン系化
合物（ｊ）３．２部を得た。
（ｊ）の製造製造例４と同様の方法により得たジヒドロ
キシシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，ジエチ
ルクロロチオホスフェ−ト１００部，トリ−ｎ−ブチル
アミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加
熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，
ろ過し，水洗し，８０℃で乾燥してフタロシアニン系化
合物（ｊ）３．２部を得た。
【００８０】製造例１１：フアロシアニン系化合物
（ｋ）の製造製造例４と同様の方法により得たジヒドロ
キシシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，ジエチ
ルクロロホスフェ−ト１００部，トリ−ｎ−ブチルアミ
ン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹
拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過
し，水洗し，８０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物
（ｋ）３．６部を得た。
（ｋ）の製造製造例４と同様の方法により得たジヒドロ
キシシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，ジエチ
ルクロロホスフェ−ト１００部，トリ−ｎ−ブチルアミ
ン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹
拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過
し，水洗し，８０℃で乾燥してフタロシアニン系化合物
（ｋ）３．６部を得た。
【００８１】製造例１２：フタロシアニン系化合物
（ｌ）の製造キノリン５０部に下記構造式
（ｌ）の製造キノリン５０部に下記構造式
【化３８】
【００８２】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ゲルマニウム５．０部を加え，１９０〜２
００℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１
０００部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシゲルマニ
ウムフタロシアニン系化合物５．８部を得た。得られた
ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン系化合物５．
０部，ジエチルクロロホスフェ−ト５０部，トリ−ｎ−
ブチルアミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２
時間加熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希
釈し，ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフ
タロシアニン系化合物（ｌ）３．４部を得た。
および四塩化ゲルマニウム５．０部を加え，１９０〜２
００℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１
０００部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシゲルマニ
ウムフタロシアニン系化合物５．８部を得た。得られた
ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン系化合物５．
０部，ジエチルクロロホスフェ−ト５０部，トリ−ｎ−
ブチルアミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２
時間加熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希
釈し，ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフ
タロシアニン系化合物（ｌ）３．４部を得た。
【００８３】製造例１３：フタロシアニン系化合物
（ｍ）の製造キノリン５０部に下記構造式
（ｍ）の製造キノリン５０部に下記構造式
【化３９】
【００８４】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および塩化アルミニウム５．０部を加え，１９０〜２０
０℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０
００部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し，乾燥してヒドロキシアルミニウム
フタロシアニン系化合物５．５部を得た。得られたヒド
ロキシアルミニウムフタロシアニン系化合物５．０部，
クロロジフェニルホスフィン２５部，トリ−ｎ−ブチル
アミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加
熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，
ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシ
アニン系化合物（ｍ）３．１部を得た。
および塩化アルミニウム５．０部を加え，１９０〜２０
０℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０
００部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し，乾燥してヒドロキシアルミニウム
フタロシアニン系化合物５．５部を得た。得られたヒド
ロキシアルミニウムフタロシアニン系化合物５．０部，
クロロジフェニルホスフィン２５部，トリ−ｎ−ブチル
アミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加
熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，
ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシ
アニン系化合物（ｍ）３．１部を得た。
【００８５】製造例１４：フタロシアニン系化合物
（ｎ）の製造キノリン５０部に下記構造式
（ｎ）の製造キノリン５０部に下記構造式
【化４０】
【００８６】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および塩化アルミニウム５．０部を加え，１９０〜２０
０℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０
００部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し，乾燥してヒドロキシアルミニウム
フタロシアニン系化合物５．９部を得た。得られたヒド
ロキシアルミニウムフタロシアニン系化合物５．０部，
クロロジフェニルホスフィン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加
熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，
ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシ
アニン系化合物（ｎ）３．０部を得た。
および塩化アルミニウム５．０部を加え，１９０〜２０
０℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０
００部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し，乾燥してヒドロキシアルミニウム
フタロシアニン系化合物５．９部を得た。得られたヒド
ロキシアルミニウムフタロシアニン系化合物５．０部，
クロロジフェニルホスフィン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加
熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，
ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシ
アニン系化合物（ｎ）３．０部を得た。
【００８７】製造例１５：フタロシアニン系化合物
（ｏ）の製造キノリン５０部に下記構造式
（ｏ）の製造キノリン５０部に下記構造式
【化４１】
【００８８】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および塩化アルミニウム５．０部を加え，１９０〜２０
０℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０
００部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し，乾燥してヒドロキシアルミニウム
フタロシアニン系化合物５．８部を得た。得られたヒド
ロキシアルミニウムフタロシアニン系化合物５．０部，
ジエチルクロロホスフェ−ト５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加
熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，
ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシ
アニン系化合物（ｏ）３．２部を得た。
および塩化アルミニウム５．０部を加え，１９０〜２０
０℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０
００部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホ
ルムアミドで洗浄し，乾燥してヒドロキシアルミニウム
フタロシアニン系化合物５．８部を得た。得られたヒド
ロキシアルミニウムフタロシアニン系化合物５．０部，
ジエチルクロロホスフェ−ト５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン５０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加
熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，
ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシ
アニン系化合物（ｏ）３．２部を得た。
【００８９】製造例１６：フタロシアニン系化合物
（ｐ）の製造キノリン５０部に下記構造式
（ｐ）の製造キノリン５０部に下記構造式
【化４２】
【００９０】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および三塩化ガリウム５．０部を加え，１９０〜２００
℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１００
０部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホル
ムアミドで洗浄し，乾燥してヒドロキシガリウムフタロ
シアニン系化合物５．２部を得た。得られたヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン系化合物５．０部，フェニルセ
レネニルクロリド２５部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，メ
タノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシアニン系化
合物（ｐ）３．１部を得た。
および三塩化ガリウム５．０部を加え，１９０〜２００
℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１００
０部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホル
ムアミドで洗浄し，乾燥してヒドロキシガリウムフタロ
シアニン系化合物５．２部を得た。得られたヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン系化合物５．０部，フェニルセ
レネニルクロリド２５部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０
部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した
後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，メ
タノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシアニン系化
合物（ｐ）３．１部を得た。
【００９１】製造例１７：フタロシアニン系化合物
（ｑ）の製造キノリン５０部に下記構造式
（ｑ）の製造キノリン５０部に下記構造式
【化４３】
【００９２】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物６．０部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，クロロジ
フェニルホスフィン５０部，トリ−ｎ−ブチルアミン５
０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌し
た後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，
メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシアニン系
化合物（ｑ）３．５部を得た。
および四塩化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃
で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００
部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチルホルム
アミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン系化合物６．０部を得た。得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン系化合物５．０部，クロロジ
フェニルホスフィン５０部，トリ−ｎ−ブチルアミン５
０部，ピリジン３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌し
た後，冷却し，５％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，
メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾燥してフタロシアニン系
化合物（ｑ）３．５部を得た。
【００９３】製造例１８：フタロシアニン系化合物
（ｒ）の製造キノリン５０部に下記構造式
（ｒ）の製造キノリン５０部に下記構造式
【化４４】
【００９４】で示されるイソインドリン化合物７．８部
および四塩化ゲルマニウム５．０部を加え，１９０〜２
００℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１
０００部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシゲルマニ
ウムフタロシアニン系化合物５．８部を得た。得られた
ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン系化合物５．
０部，ジ−ｎ−プロピルクロロホスファイト５０部，ト
リ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリジン３００部を１１
５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１００
０部で希釈し，ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾
燥してフタロシアニン系化合物（ｒ）３．０部を得た。
および四塩化ゲルマニウム５．０部を加え，１９０〜２
００℃で３時間加熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１
０００部で希釈し，ろ過し，メタノ−ルおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し，乾燥してジヒドロキシゲルマニ
ウムフタロシアニン系化合物５．８部を得た。得られた
ジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン系化合物５．
０部，ジ−ｎ−プロピルクロロホスファイト５０部，ト
リ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリジン３００部を１１
５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却し，５％塩酸１００
０部で希釈し，ろ過し，メタノ−ル洗浄し，８０℃で乾
燥してフタロシアニン系化合物（ｒ）３．０部を得た。
【００９５】製造例１９：フタロシアニン化合物（ｓ）
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
【化４５】
【００９６】で示されるイソインドリン化合物３．９部
および下記構造式
および下記構造式
【化４６】
【００９７】で示されるイソインドリン３．９部，四塩
化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃で３時間加
熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００部で希釈
し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄し，乾燥
してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物５．
５部を得た。 得られたジヒドロキシシリコンフタロシ
アニン系化合物５．０部，クロロジフェニルホスフィン
１００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリジン３
００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却し，５
％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８０℃で
乾燥してフタロシアニン系化合物（ｓ）２．８部を得
た。
化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃で３時間加
熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００部で希釈
し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄し，乾燥
してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物５．
５部を得た。 得られたジヒドロキシシリコンフタロシ
アニン系化合物５．０部，クロロジフェニルホスフィン
１００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリジン３
００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却し，５
％塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８０℃で
乾燥してフタロシアニン系化合物（ｓ）２．８部を得
た。
【００９８】製造例２０：フタロシアニン化合物（ｔ）
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
の製造ｏ−ジクロロベンゼン５０部，トリ−ｎ−ブチル
アミン２５部に，下記構造式
【化４７】
【００９９】で示されるイソインドリン化合物３．９部
および下記構造式
および下記構造式
【化４８】
【０１００】で示されるイソインドリン３．９部，四塩
化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃で３時間加
熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００部で希釈
し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄し，乾燥
してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物５．
６部を得た。得られたジヒドロキシシリコンフタロシア
ニン系化合物５．０部，ジエチルクロロホスフェ−ト１
００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリジン３０
０部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却し，５％
塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８０℃で乾
燥してフタロシアニン系化合物（ｔ）３．０部を得た。
化ケイ素５．０部を加え，１９０〜２００℃で３時間加
熱撹拌した後，冷却し，メタノ−ル１０００部で希釈
し，ろ過し，メタノ−ル／水（４／１）で洗浄し，乾燥
してジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物５．
６部を得た。得られたジヒドロキシシリコンフタロシア
ニン系化合物５．０部，ジエチルクロロホスフェ−ト１
００部，トリ−ｎ−ブチルアミン５０部，ピリジン３０
０部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後，冷却し，５％
塩酸１０００部で希釈し，ろ過し，水洗し，８０℃で乾
燥してフタロシアニン系化合物（ｔ）３．０部を得た。
【０１０１】実施例１ 厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのア
クリル基板上にフォトポリマーを０．０２ｍｍで塗布
し、これにスタンパーを押しつけ高圧水銀灯による紫外
線により硬化させ、外径１１６ｍｍ、内径４８ｍｍの範
囲に１．６μｍピッチのスパイラルグルーブを形成し
た。
クリル基板上にフォトポリマーを０．０２ｍｍで塗布
し、これにスタンパーを押しつけ高圧水銀灯による紫外
線により硬化させ、外径１１６ｍｍ、内径４８ｍｍの範
囲に１．６μｍピッチのスパイラルグルーブを形成し
た。
【０１０２】このディスク基板上に、フタロシアニン系
化合物（ａ）をシクロヘキサノン２．０重量％溶液に調
整し、スピンコーターを用いて膜厚１２００Åに成膜し
た。次に、このようにして得た塗布膜の上に金を膜厚８
００Åでスパッタリングにより成膜した。さらに、この
上に紫外線硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスク
を作成した。
化合物（ａ）をシクロヘキサノン２．０重量％溶液に調
整し、スピンコーターを用いて膜厚１２００Åに成膜し
た。次に、このようにして得た塗布膜の上に金を膜厚８
００Åでスパッタリングにより成膜した。さらに、この
上に紫外線硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスク
を作成した。
【０１０３】このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使用して、線速
度１．２〜１．４ｍ／sec で８．０ｍＷの記録パワーで
ＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ記録が
可能であった。記録されたピット列は、長さ０．９〜
３．３μｍ、間隔０．９〜３．３μｍであった。
い、波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使用して、線速
度１．２〜１．４ｍ／sec で８．０ｍＷの記録パワーで
ＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ記録が
可能であった。記録されたピット列は、長さ０．９〜
３．３μｍ、間隔０．９〜３．３μｍであった。
【０１０４】次に、この信号を市販のＣＤプレーヤーに
より、線速１．２〜１．４ｍ／sec 、再生出力０．５ｍ
Ｗで再生を行ったところ得られた信号は良好であり、Ｃ
Ｄプレーヤーに十分かかるレベルであった。
より、線速１．２〜１．４ｍ／sec 、再生出力０．５ｍ
Ｗで再生を行ったところ得られた信号は良好であり、Ｃ
Ｄプレーヤーに十分かかるレベルであった。
【０１０５】実施例２ 厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのア
クリル基板上にフォトポリマーを０．０２ｍｍで塗布
し、これにスタンパーを押しつけ高圧水銀灯による紫外
線により硬化させ、外径１１６ｍｍ、内径４８ｍｍの範
囲に１．６μｍピッチのスパイラルグルーブを形成し
た。
クリル基板上にフォトポリマーを０．０２ｍｍで塗布
し、これにスタンパーを押しつけ高圧水銀灯による紫外
線により硬化させ、外径１１６ｍｍ、内径４８ｍｍの範
囲に１．６μｍピッチのスパイラルグルーブを形成し
た。
【０１０６】このディスク基板上に、フタロシアニン系
化合物（ｂ）をシクロヘキサノン２．０重量％溶液に調
整し、スピンコーターを用いて膜厚１０００Åに成膜し
た。次に、このようにして得た塗布膜の上に金を膜厚８
００Åで蒸着により成膜した。
化合物（ｂ）をシクロヘキサノン２．０重量％溶液に調
整し、スピンコーターを用いて膜厚１０００Åに成膜し
た。次に、このようにして得た塗布膜の上に金を膜厚８
００Åで蒸着により成膜した。
【０１０７】さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により
保護層を設けて光ディスクを作成した。このようにして
作成した光ディスクを用い、波長８３０ｎｍの半導体レ
ーザーを使用して、線速度１．２〜１．４ｍ／sec で
７．０ｍＷの記録パワーでＥＭＦ−ＣＤフォーマット信
号を記録したところ記録が可能であった。記録されたピ
ット列は、長さ０．９〜３．３μｍ、間隔０．９〜３．
３μｍであった。
保護層を設けて光ディスクを作成した。このようにして
作成した光ディスクを用い、波長８３０ｎｍの半導体レ
ーザーを使用して、線速度１．２〜１．４ｍ／sec で
７．０ｍＷの記録パワーでＥＭＦ−ＣＤフォーマット信
号を記録したところ記録が可能であった。記録されたピ
ット列は、長さ０．９〜３．３μｍ、間隔０．９〜３．
３μｍであった。
【０１０８】次に、この信号を市販のＣＤプレーヤーに
より、線速１．２〜１．４ｍ／sec 、再生出力０．５ｍ
Ｗで再生を行ったところ得られた信号は良好であり、Ｃ
Ｄプレーヤーに十分かかるレベルであった。
より、線速１．２〜１．４ｍ／sec 、再生出力０．５ｍ
Ｗで再生を行ったところ得られた信号は良好であり、Ｃ
Ｄプレーヤーに十分かかるレベルであった。
【０１０９】実施例３ 深さ８００Å、ピッチ１．６μｍのスパイラルグルーブ
を有する厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５
ｍｍのポリカーボネート基板上に、フタロシアニン化合
物（ｃ）をエチルセルソルブ２．０重量％溶液に調整
し、スピンコーターを用いて膜厚１２００Åに成膜し
た。
を有する厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５
ｍｍのポリカーボネート基板上に、フタロシアニン化合
物（ｃ）をエチルセルソルブ２．０重量％溶液に調整
し、スピンコーターを用いて膜厚１２００Åに成膜し
た。
【０１１０】次に、このようにして得た塗布膜の上に金
を膜厚８００Åでスパッタリングにより成膜した。さら
に、この上に紫外線硬化型樹脂により保護層を設けて光
ディスクを作成した。
を膜厚８００Åでスパッタリングにより成膜した。さら
に、この上に紫外線硬化型樹脂により保護層を設けて光
ディスクを作成した。
【０１１１】このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使用して、線速
度１．２〜１．４ｍ／sec で８．０ｍＷの記録パワーで
ＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ記録が
可能であった。記録されたピット列は、長さ０．９〜
３．３μｍ、間隔０．９〜３．３μｍであった。
い、波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使用して、線速
度１．２〜１．４ｍ／sec で８．０ｍＷの記録パワーで
ＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ記録が
可能であった。記録されたピット列は、長さ０．９〜
３．３μｍ、間隔０．９〜３．３μｍであった。
【０１１２】次に、この信号を市販のＣＤプレーヤーに
より、線速１．２〜１．４ｍ／sec 、再生出力０．５ｍ
Ｗで再生を行ったところ得られた信号は良好であり、Ｃ
Ｄプレーヤーに十分かかるレベルであった。
より、線速１．２〜１．４ｍ／sec 、再生出力０．５ｍ
Ｗで再生を行ったところ得られた信号は良好であり、Ｃ
Ｄプレーヤーに十分かかるレベルであった。
【０１１３】実施例４〜１０ 深さ８００Å、ピッチ１．６μｍのスパイラルグルーブ
を有する厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５
ｍｍのポリカーボネート基板上に、フタロシアニン化合
物（ｄ）〜（ｔ）をエチルセルソルブ２．０重量％溶液
に調整し、スピンコーターを用いて成膜した。次に、こ
のようにして得た塗布膜の上に金属を蒸着またはスパッ
タリングにより成膜した。さらに、この上に紫外線硬化
型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した。
を有する厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５
ｍｍのポリカーボネート基板上に、フタロシアニン化合
物（ｄ）〜（ｔ）をエチルセルソルブ２．０重量％溶液
に調整し、スピンコーターを用いて成膜した。次に、こ
のようにして得た塗布膜の上に金属を蒸着またはスパッ
タリングにより成膜した。さらに、この上に紫外線硬化
型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した。
【０１１４】化合物別の光ディスク作成条件を表１に示
した。
した。
【０１１５】
【表１】
【０１１６】このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使用して、線速
度１．２〜１．４ｍ／sec で８．０ｍＷの記録パワーで
ＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ、全て
の実施例において、記録が可能であった。
い、波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使用して、線速
度１．２〜１．４ｍ／sec で８．０ｍＷの記録パワーで
ＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ、全て
の実施例において、記録が可能であった。
【０１１７】記録されたピット列は、長さ０．９〜３．
３μｍ、間隔０．９〜３．３μｍであった。次に、この
信号を市販のＣＤプレーヤーにより、線速１．２〜１．
４ｍ／sec 、再生出力０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、全ての実施例において、得られた信号は良好であ
り、ＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであった。
３μｍ、間隔０．９〜３．３μｍであった。次に、この
信号を市販のＣＤプレーヤーにより、線速１．２〜１．
４ｍ／sec 、再生出力０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、全ての実施例において、得られた信号は良好であ
り、ＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであった。
【０１１８】
【発明の効果】本発明の構成により光ディスクを作成す
ることにより、追記機能、編集機能を有するＣＤあるい
はＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクを提供すること
ができる。さらに化学的、物理的に安定なフタロシアニ
ン系化合物を記録膜とすることにより、保存安定性の優
れたＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクが得ら
れる。
ることにより、追記機能、編集機能を有するＣＤあるい
はＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクを提供すること
ができる。さらに化学的、物理的に安定なフタロシアニ
ン系化合物を記録膜とすることにより、保存安定性の優
れたＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクが得ら
れる。
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板／記録膜／反射膜からなり、コン
パクトディスクフォーマットあるいはコンパクトディス
ク−ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う追記型光ディ
スクにおいて、記録膜が下記一般式［Ｉ］で示されるフ
タロシアニン系色素を含有することを特徴とするコンパ
クトディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対
応の追記型光ディスク。 一般式［Ｉ］ 【化１】 ［式中、環Ａ1 〜Ａ4 はそれぞれ独立に、ベンゼン環、
ナフタレン環、ピリジン環、ピラジン環、またはキノサ
リン環を表す。Ｍは，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，
またはＳｎを表す。Ｘは、互いに同一であっても異なっ
てもよく、置換基を有していてもよいアルキル基、置換
基を有していてもよいアリール基、置換基を有していて
もよい複素環残基、置換基を有していてもよいフタルイ
ミドメチル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ス
ルホン酸基、−ＯＲ1 、−ＳＲ2 、−ＣＯＯＲ3 、 −ＮＨＣＯＲ8 、−Ｎ＝ＮＲ9 、または−Ｎ＝ＣＨＲ10
を表す。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、および
Ｒ7 は、互に同一であっても異なっていてもよく、水素
原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を
有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよ
いアシル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル
基、または置換基を有していてもよいポリエーテル基を
表し、または、Ｒ4 とＲ5 とで、あるいはＲ6 とＲ7 と
で、４〜７員環を形成していてもよく、これらの４〜７
員環は、さらに窒素原子などのヘテロ原子を含む複素環
であってもよい。Ｒ8 、Ｒ9 およびＲ10は、互いに同一
であっても異なってもよく、置換基を有していてもよい
アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置
換基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。Ｙ
は、 【化２】 または、−Ｏ−Ｓｅ−Ｒ19を表す。Ｚは、水素原子、ハ
ロゲン原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキ
ル基、 【化３】 または、−Ｏ−Ｓｅ−Ｒ28を表す。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ17、
Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23およびＲ28は、互
いに同一であっても異なってもよく、置換基を有してい
てもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリー
ル基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有
していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していて
もよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリロ
キシ基、置換基を有していてもよいポリエーテル基、水
酸基、またはハロゲン原子を表す。Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、
Ｒ16、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26およびＲ27は、互いに同一であ
っても異なってもよく、置換基を有していてもよいアル
キル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基
を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよ
いシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルコ
キシ基、置換基を有していてもよいアリロキシ基、置換
基を有していてもよいポリエーテル基、水酸基、水素原
子またはハロゲン原子を表す。Ｗは、−Ｏ−、−Ｓ−、
−Ｓｅ−または−Ｔｅ−を表す。ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、そ
れぞれ独立に０〜８の整数を表す。ｐは、０または１を
表す。］
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-212028 | 1990-08-10 | ||
| JP21202890 | 1990-08-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214388A JPH04214388A (ja) | 1992-08-05 |
| JPH0790662B2 true JPH0790662B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=16615675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3067952A Expired - Fee Related JPH0790662B2 (ja) | 1990-08-10 | 1991-03-07 | コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0790662B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103370642A (zh) * | 2011-01-28 | 2013-10-23 | 东洋油墨Sc控股株式会社 | 彩色滤光片用着色组合物以及彩色滤光片 |
| EP4209555A4 (en) * | 2020-09-01 | 2024-10-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | CONNECTION |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69420169T2 (de) * | 1993-04-09 | 2000-03-09 | Mitsui Chemicals, Inc. | Phthalocyaninverbindung und optisches Aufzeichnungsmedium das diese enthält |
| KR100288681B1 (ko) * | 1995-12-25 | 2001-05-02 | 나가시마 므쓰오 | 광 기록 재료 및 광 기록 매체 |
| JP5764805B2 (ja) * | 2011-10-03 | 2015-08-19 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | アルミニウムフタロシアニン |
| JP4893859B1 (ja) * | 2011-01-28 | 2012-03-07 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ |
| JP5764806B2 (ja) * | 2011-10-21 | 2015-08-19 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | アルミニウムフタロシアニン |
| JP5776122B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2015-09-09 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ |
| JP5834328B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2015-12-16 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ |
| JP6753085B2 (ja) * | 2016-03-11 | 2020-09-09 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | フタロシアニン顔料、着色組成物およびカラーフィルタ |
| JP2017197685A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | フタロシアニン顔料、着色組成物およびカラーフィルタ |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP3067952A patent/JPH0790662B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103370642A (zh) * | 2011-01-28 | 2013-10-23 | 东洋油墨Sc控股株式会社 | 彩色滤光片用着色组合物以及彩色滤光片 |
| CN103370642B (zh) * | 2011-01-28 | 2015-07-15 | 东洋油墨Sc控股株式会社 | 彩色滤光片用着色组合物以及彩色滤光片 |
| EP4209555A4 (en) * | 2020-09-01 | 2024-10-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | CONNECTION |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04214388A (ja) | 1992-08-05 |
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