JPH05243225A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05243225A JPH05243225A JP4508792A JP4508792A JPH05243225A JP H05243225 A JPH05243225 A JP H05243225A JP 4508792 A JP4508792 A JP 4508792A JP 4508792 A JP4508792 A JP 4508792A JP H05243225 A JPH05243225 A JP H05243225A
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- JP
- Japan
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- film
- aluminum
- platinum
- wiring
- semiconductor device
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アルミニウム系配線のエレクトロマイグレーシ
ョン耐性を向上させる。 【構成】アルミニウム膜３と白金膜４とを順次積層して
パターニングした後、熱処理により合金化して合金配線
６を形成する。 【効果】密度の高い白金とアルミニウムとの合金膜によ
り、エレクトロマイグレーション耐性及び絶縁膜に対す
るストレスマイグレーション耐性を向上させる。
ョン耐性を向上させる。 【構成】アルミニウム膜３と白金膜４とを順次積層して
パターニングした後、熱処理により合金化して合金配線
６を形成する。 【効果】密度の高い白金とアルミニウムとの合金膜によ
り、エレクトロマイグレーション耐性及び絶縁膜に対す
るストレスマイグレーション耐性を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に関し、特に金属配線及びその製造方法に関す
る。
造方法に関し、特に金属配線及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置に古くから用いられて
いるアルミニウム配線は、その重大な欠点（問題点）と
して、エレクトロマイグレーション耐性が小さいことが
周知となっており、種々の改善がなされている。
いるアルミニウム配線は、その重大な欠点（問題点）と
して、エレクトロマイグレーション耐性が小さいことが
周知となっており、種々の改善がなされている。
【０００３】その第１の例は、エレクトロマイグレーシ
ョンの原因である粒界拡散を抑制するために、アルミニ
ウムに合金元素を添加するものであり、添加される不純
物金属としてＣｕ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｐｄ等が知られてい
る。
ョンの原因である粒界拡散を抑制するために、アルミニ
ウムに合金元素を添加するものであり、添加される不純
物金属としてＣｕ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｐｄ等が知られてい
る。
【０００４】第２の例はアルミニウム配線の表面に絶縁
膜を被覆する方法で絶縁膜としてリンをドープした酸化
シリコン膜，酸化シリコン膜，窒化シリコン膜等が用い
られている。
膜を被覆する方法で絶縁膜としてリンをドープした酸化
シリコン膜，酸化シリコン膜，窒化シリコン膜等が用い
られている。
【０００５】また、第３の例としてアルミニウムの結晶
粒径を大きくして結晶粒界を少なくすることにより、エ
レクトロマイグレーションを低減する方法が知られてい
る。
粒径を大きくして結晶粒界を少なくすることにより、エ
レクトロマイグレーションを低減する方法が知られてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
では、アルミニウム系配線のエレクトロマイグレーショ
ンに対しては効果があるが、次のような問題点がある。
では、アルミニウム系配線のエレクトロマイグレーショ
ンに対しては効果があるが、次のような問題点がある。
【０００７】まず、第１の例では不純物金属を含むアル
ミニウム配線の結晶粒界に析出させて拡散を抑制するた
めに不純物を含むアルミニウム膜をスパッタ法により被
着させて形成しており、そのためエッチング加工時に不
純物金属が残渣として残るという問題点がある。
ミニウム配線の結晶粒界に析出させて拡散を抑制するた
めに不純物を含むアルミニウム膜をスパッタ法により被
着させて形成しており、そのためエッチング加工時に不
純物金属が残渣として残るという問題点がある。
【０００８】また、第２の例ではアルミニウム配線を被
覆する絶縁膜により、ストレスマイグレーションを生ず
るという問題点が生ずる。
覆する絶縁膜により、ストレスマイグレーションを生ず
るという問題点が生ずる。
【０００９】また、第３の例では、アルミニウム配線の
結晶粒径を大きくすることは容易であるが、エッチング
加工時に結晶粒界が早くエッチングされるため、微細化
が困難である。
結晶粒径を大きくすることは容易であるが、エッチング
加工時に結晶粒界が早くエッチングされるため、微細化
が困難である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板上に設けてアルミニウム膜を主体とし且つア
ルミニウムと白金との合金を少くともその一部に含む配
線を備えている。
半導体基板上に設けてアルミニウム膜を主体とし且つア
ルミニウムと白金との合金を少くともその一部に含む配
線を備えている。
【００１１】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上にアルミニウム膜及び白金膜を順次積層して形成
する工程と、前記白金膜及びアルミニウム膜を選択的に
順次エッチングする工程と、熱処理により前記アルミニ
ウム膜と白金膜とを合金化して配線を形成する工程とを
含んで構成される。
基板上にアルミニウム膜及び白金膜を順次積層して形成
する工程と、前記白金膜及びアルミニウム膜を選択的に
順次エッチングする工程と、熱処理により前記アルミニ
ウム膜と白金膜とを合金化して配線を形成する工程とを
含んで構成される。
【００１２】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１３】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の
製造方法を説明するための工程順に示した半導体チップ
の断面図である。
製造方法を説明するための工程順に示した半導体チップ
の断面図である。
【００１４】まず、図１（ａ）に示すように、半導体基
板１の上に設けた絶縁膜２の上にスパッタ法により厚さ
１μｍのアルミニウム膜３及び厚さ０．１〜０．２μｍ
の白金膜４を順次堆積して形成する。この時、基板の温
度は低温に保つ方が良い。次に、白金膜４の上にフォト
レジスト膜５を塗布してパターニングし、配線形成用の
マスクを形成する。
板１の上に設けた絶縁膜２の上にスパッタ法により厚さ
１μｍのアルミニウム膜３及び厚さ０．１〜０．２μｍ
の白金膜４を順次堆積して形成する。この時、基板の温
度は低温に保つ方が良い。次に、白金膜４の上にフォト
レジスト膜５を塗布してパターニングし、配線形成用の
マスクを形成する。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、フォトレ
ジスト膜５をマスクとして白金膜４及びアルミニウム膜
３を順次異方性エッチングしてアルミニウム膜３及び白
金膜４の２層構造を形成する。ここで、アルミニウム膜
３と白金膜４とを積層構造の状態でエッチングするた
め、残渣を生じない利点がある。
ジスト膜５をマスクとして白金膜４及びアルミニウム膜
３を順次異方性エッチングしてアルミニウム膜３及び白
金膜４の２層構造を形成する。ここで、アルミニウム膜
３と白金膜４とを積層構造の状態でエッチングするた
め、残渣を生じない利点がある。
【００１６】次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト膜５を除去した後１５０℃〜４５０℃の窒素雰囲
気中で熱処理し、アルミニウムと白金との合金配線６を
形成する。
ジスト膜５を除去した後１５０℃〜４５０℃の窒素雰囲
気中で熱処理し、アルミニウムと白金との合金配線６を
形成する。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、アルミニ
ウムと密度の大きい白金の合金膜を形成することによ
り、エレクトロマイグレーション耐性に優れた合金配線
を得られるという効果を有する。
ウムと密度の大きい白金の合金膜を形成することによ
り、エレクトロマイグレーション耐性に優れた合金配線
を得られるという効果を有する。
【００１８】また、密度の大きい合金膜により、硬度が
増加するため、絶縁膜に対するストレスマイグレーショ
ン耐性も向上し、エッチング加工の際の残渣を生ずるこ
とを防止できるという効果を有する。
増加するため、絶縁膜に対するストレスマイグレーショ
ン耐性も向上し、エッチング加工の際の残渣を生ずるこ
とを防止できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の製造方法を説明するための
工程順に示した半導体チップの断面図。
工程順に示した半導体チップの断面図。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ アルミニウム膜 ４ 白金膜 ５ フォトレジスト膜 ６ 合金配線
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に設けてアルミニウム膜を
主体とし且つアルミニウムと白金との合金を少くともそ
の一部に含む配線を備えたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 半導体基板上にアルミニウム膜及び白金
膜を順次積層して形成する工程と、前記白金膜及びアル
ミニウム膜を選択的に順次エッチングする工程と、熱処
理により前記アルミニウム膜と白金膜とを合金化して配
線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4508792A JPH05243225A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4508792A JPH05243225A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243225A true JPH05243225A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12709543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4508792A Withdrawn JPH05243225A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243225A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020174165A (ja) * | 2019-04-15 | 2020-10-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-03 JP JP4508792A patent/JPH05243225A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020174165A (ja) * | 2019-04-15 | 2020-10-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |