JPH05243317A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH05243317A
JPH05243317A JP4042714A JP4271492A JPH05243317A JP H05243317 A JPH05243317 A JP H05243317A JP 4042714 A JP4042714 A JP 4042714A JP 4271492 A JP4271492 A JP 4271492A JP H05243317 A JPH05243317 A JP H05243317A
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JP
Japan
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bonding pad
wire
semiconductor device
bonding
external lead
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Withdrawn
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JP4042714A
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Masanori Matsuo
政則 松尾
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ワイヤーループを低く形成し半導体装置を薄く
する。 【構成】半導体基板１上に二つのボンディングパッドを
形成し、ワイヤー５のボールボンディングを捨てボンデ
ィングパッド２に行い、ワイヤーの連続ループで外部導
出リード４へ結線する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
ボンディングパッドの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、図２（ａ），
（ｂ）に示すように、半導体基板１上に形成されたボン
ディングパッド３Ａと外部導出リード４との接続は、ボ
ールボンディングによるものが最も標準的な方法であ
る。この方法は、ボンディングパッド３Ａと結線用のワ
イヤー５とをボールボンディングで接続し、１ループの
ワイヤー形状で外部導出リード４に接続するものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のボールボン
ディング方式の接続では、信頼性品質上ボール圧着後の
ワイヤーのループ形状の垂直の立上り部ｈを１５０〜２
００μｍの高さにする必要があった。ループの高さを低
くしようとするとボール圧着部からのワイヤーの立上り
が斜めに引っぱられ、機械的ストレスがワイヤーの立上
り部に集中し、特にモールド樹脂封止の半導体装置で
は、モールド樹脂封止後にワイヤー断線が起こるという
欠点がある。このためボール圧着後の垂直の立上り部ｈ
が１５０〜２００μｍ必要とされる訳である。しかしな
がら近年、半導体装置は可能な限りの小型化が要求され
ており、平面的な大きさはリードフレーム等のパターン
の縮小等で対応されているが、高さ（厚さ）方向は、上
述したワイヤーループの高さから制約されていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板上に形成された捨てボンディングパッドと、
この捨てボンディングパッドに近接して設けられた正規
ボンディングパッドと、前記基板の周囲に設けられた外
部導出リードと、前記捨てボンディングパッドにボール
ボンディングされると共に前記正規ボンディングパッド
と前記外部導出リードに接続され繰り返しループ形状を
有するワイヤーとを含むものである。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の半導体装
置の平面図及び断面図である。
【０００６】図１（ａ），（ｂ）において、リードフレ
ームのアイランド上に固着された半導体基板１の上に
は、捨てボンディングパッド２と正規ボンディングパッ
ド３が設けられており、これらのボンディングパッドと
外部導出リード４とは結線用のワイヤー５で接続されて
いる。結線方法としては、まずワイヤー５のボールボン
ディングを捨てボンディングパッド２に行ない、次にこ
のワイヤー５を正規ボンディングワッド３に圧着し連続
ループを形成して外部導出リード４に結線する。
【０００７】このように構成された本実施例によれば、
捨てボンディングパッド２から正規のボンディングパッ
ド３へのワイヤー５の機能としては、単に結線されてい
れば良いため、従来のようにループ高さを確保する必要
はない。また、内部配線に接続された正規ボンディング
パッド３から外部導出リード４へのワイヤーループは、
接続がボールボンディングではないため水平に近いワイ
ヤーループ形状が確保できる。従ってモールド樹脂６に
より封止した場合でも、ワイヤー５が切断されることは
ない。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ボンディ
ングパッドを捨てボンディングパッドとを正規ボディン
グパッドから構成し、ボールボンディングを捨てボンデ
ィングパッドに行ない、ワイヤーの連続ループで外部導
出リードへ結線しているため、ワイヤーループを水平に
近い形状とすることができる。従って大量生産に最も適
したボールボンディング方法を用いてもワイヤーループ
の高さを低くできるため、半導体装置の厚さを薄くでき
るという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の平面図及び断面図。
【図２】従来の半導体装置の平面図及び断面図。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ 捨てボンディングパッド ３ 正規ボンディングパッド ４ 外部導出リード ５ ワイヤー ６ モールド樹脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に形成された捨てボンディ
    ングパッドと、この捨てボンディングパッドに近接して
    設けられた正規ボンディングパッドと、前記基板の周囲
    に設けられた外部導出リードと、前記捨てボンディング
    パッドにボールボンディングされると共に前記正規ボン
    ディングパッドと前記外部導出リードに接続され繰り返
    しループ形状を有するワイヤーとを含むことを特徴とす
    る半導体装置。
JP4042714A 1992-02-28 1992-02-28 半導体装置 Withdrawn JPH05243317A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1367642A3 (en) * 2002-05-30 2005-08-31 Fujitsu Limited Semiconductor device having a heat spreader exposed from a seal resin
JP2011054727A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置、その製造方法、及びワイヤボンディング方法

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