JPH04330742A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04330742A
JPH04330742A JP3100728A JP10072891A JPH04330742A JP H04330742 A JPH04330742 A JP H04330742A JP 3100728 A JP3100728 A JP 3100728A JP 10072891 A JP10072891 A JP 10072891A JP H04330742 A JPH04330742 A JP H04330742A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
semiconductor device
metal ball
bonding wire
wire
Prior art date
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Pending
Application number
JP3100728A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Nakano
真治 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP3100728A priority Critical patent/JPH04330742A/ja
Publication of JPH04330742A publication Critical patent/JPH04330742A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高密度実装を実現するため
超薄型の樹脂封止型の半導体装置の実用化が相次いでい
る。
【０００３】以下、従来の半導体装置について説明する
。図２は従来の半導体装置の断面図である。１はダイ・
パッド、２はリードフレーム、３は半導体チップ、４は
半導体チップ３とリードフレーム２とを接続しているボ
ンディングワイヤー、５は半導体チップ全体をモールド
している封止樹脂である。
【０００４】薄型の樹脂封止型半導体装置を、上記従来
の構成で実用化するためには、ボンディングワイヤーが
封止樹脂５の上面から露出しないように、ワイヤールー
プ高さを非常に低くする必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、ボンディングワイヤーの材質特性から実現
可能なワイヤーループ高さは、制限されるうという課題
があった。
【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するもので
、ワイヤーループの高さが低いボンディングワイヤーを
有する薄型の樹脂封止型の半導体装置を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置は、半導体チップのパッド電極上
に形成された、前記半導体チップの主表面の外側斜め上
方に法線が向く平面を有する金属ボールと、その金属ボ
ールの平面に接続されたボンディングワイヤーとを少な
くとも有する構成よりなる。
【０００８】
【作用】この構成によって半導体チップの表面の外側斜
め上方に法線が向く平面を有する金属ボールにボンディ
ングワイヤーを接続するので、ボンディングワイヤーが
半導体チップ主表面の方向により傾き、ワイヤーループ
高さが低くなる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
【００１０】図１は、本発明の一実施例におけるワイヤ
ーボンディング構造を有する半導体装置の断面図を示す
ものである。
【００１１】図１において、図２の従来例と同一部分に
は同一番号を付し、説明を省略する。すなわち本発明の
特徴は金（Ａｕ）等でできた金属ボール１１を半導体チ
ップ３のパッド電極上に設けたことである。この金属ボ
ール１１は半導体チップ３の主表面の外側斜め上方に法
線が向く平面を形成するように加工してある。ここで、
半導体チップ３のパッド電極上に設けた金属ボール１１
は、従来のスタッドバンプ形成技術を用いた金属ボール
ボンディング装置を用いてボンディングした。その後、
金属ボール１１に、半導体チップ３の主表面の外側斜め
上方に向けた平面を形成した。これは、半導体チップ３
の主表面の外側斜め上方より平坦な金属板で金属ボール
１１をプレスする方法を用いて実施した。半導体チップ
３のパッド電極上に半導体チップ３の主表面の外側斜め
上方に向けた平面を形成した金属ボール１１を設けるこ
とで、ボンディング・ワイヤー４をボンディングする際
にワイヤーボールをリードフレーム２の方向に傾けた構
造にすることができる。上記のような構造にすることに
よって、ボンディング・ワイヤー４をボンディングした
時のワイヤーループ高さが低くなり、ボンディングワイ
ヤー４の長さも短くなる。ワイヤーループ高さが低くな
ると、封止樹脂５上面からボンディングワイヤー４との
距離を充分確保した薄型パッケージの半導体装置を実現
することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明は、半導体チップの
パッド電極上に形成された、半導体チップの主表面の外
側斜め上方に法線が向く平面を有する金属ボールと、そ
の金属ボールの平面に接続されたボンディングワイヤー
とを少なくとも有する構成によるので、ワイヤーループ
高さの低いボンディング・ワイヤーを形成することが可
能となり、薄型の樹脂封止型の半導体装置を提供できる
。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における半導体装置の断面図
【図２】従来の半導体装置の断面図
【符号の説明】
１　　　　ダイ・パッド ２　　　　リードフレーム ３　　　　半導体チップ ４　　　　ボンディングワイヤー ５　　　　封止樹脂 １１　　金属ボール

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体チップのパッド電極上に形成さ
    れた、前記半導体チップの主表面の外側斜め上方に法線
    が向く平面を有する金属ボールと、その金属ボールの前
    記平面に接続されたボンディングワイヤーとを少なくと
    も有することを特徴とする半導体装置。
JP3100728A 1991-05-02 1991-05-02 半導体装置 Pending JPH04330742A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3100728A JPH04330742A (ja) 1991-05-02 1991-05-02 半導体装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3100728A JPH04330742A (ja) 1991-05-02 1991-05-02 半導体装置

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JPH04330742A true JPH04330742A (ja) 1992-11-18

Family

ID=14281675

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JP3100728A Pending JPH04330742A (ja) 1991-05-02 1991-05-02 半導体装置

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