JPH0524924A - ＳｉＣ被覆窒化珪素−炭化珪素複合焼結体 - Google Patents
ＳｉＣ被覆窒化珪素−炭化珪素複合焼結体Info
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- JPH0524924A JPH0524924A JP3204935A JP20493591A JPH0524924A JP H0524924 A JPH0524924 A JP H0524924A JP 3204935 A JP3204935 A JP 3204935A JP 20493591 A JP20493591 A JP 20493591A JP H0524924 A JPH0524924 A JP H0524924A
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- sic
- sintered body
- film
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- coating
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比が０．
１〜０．５のＳｉ3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体上に、膜厚
が２〜１００μｍのＳｉＣが被覆されていることを特徴
とするＳｉＣ被覆窒化珪素−炭化珪素複合焼結体。 【効果】ＳｉＣの被覆による強度劣化並びに熱サイクル
下で使用した場合の被覆膜の剥離及び強度劣化が生じに
くい、密着性に優れたＳｉＣ膜を被覆した耐酸化性及び
耐摩耗性を有する被覆焼結体を得ることができる。
１〜０．５のＳｉ3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体上に、膜厚
が２〜１００μｍのＳｉＣが被覆されていることを特徴
とするＳｉＣ被覆窒化珪素−炭化珪素複合焼結体。 【効果】ＳｉＣの被覆による強度劣化並びに熱サイクル
下で使用した場合の被覆膜の剥離及び強度劣化が生じに
くい、密着性に優れたＳｉＣ膜を被覆した耐酸化性及び
耐摩耗性を有する被覆焼結体を得ることができる。
Description
【産業上の利用分野】本発明は、ガスタービン部品、自
動車エンジン部材等の高温で使用される耐酸化及び耐熱
サイクルの構造材料並びに切削工具、摺動部材等の高硬
度及び耐摩耗性が要求される材料に関する。
動車エンジン部材等の高温で使用される耐酸化及び耐熱
サイクルの構造材料並びに切削工具、摺動部材等の高硬
度及び耐摩耗性が要求される材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣ（被覆材）と焼結体との密着性を
高めた被覆焼結体として以下のものがある。特開昭５８
−８８１９０号公報では、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4 ）焼結
体を炭化珪素（ＳｉＣ）によりＣＶＤコーティングした
被覆焼結体が開示されている（以下「従来技術１」とい
う）。特開昭６２−１９７３７０号公報では、窒化珪素
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）焼結体の粒界に熱膨張率の大きい結晶相
を析出させ、炭化珪素（ＳｉＣ）被膜の熱膨張率に近づ
けることで密着強度を高めた被覆焼結体が開示されてい
る（以下「従来技術２」という）。
高めた被覆焼結体として以下のものがある。特開昭５８
−８８１９０号公報では、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4 ）焼結
体を炭化珪素（ＳｉＣ）によりＣＶＤコーティングした
被覆焼結体が開示されている（以下「従来技術１」とい
う）。特開昭６２−１９７３７０号公報では、窒化珪素
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）焼結体の粒界に熱膨張率の大きい結晶相
を析出させ、炭化珪素（ＳｉＣ）被膜の熱膨張率に近づ
けることで密着強度を高めた被覆焼結体が開示されてい
る（以下「従来技術２」という）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの従来
技術によるＳｉＣ被覆Ｓｉ3 Ｎ4 焼結体は、下記に示す
課題がある。従来技術１による被覆焼結体は、焼結体
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）と被覆材（ＳｉＣ）の熱膨張差により、
熱サイクル下で使用したときにクラックを生じてしま
う。従来技術２による被覆焼結体は、Ｓｉ3 Ｎ4 焼結体
の熱膨張率をＳｉＣの熱膨張率に近づけるためにＳｉ3
Ｎ4 の焼結時に用いる大量の焼結助剤が焼結体の強度劣
化をまねいてしまう。上記の理由により、従来技術の被
覆焼結体は、構造材料として用いる際に要求される熱サ
イクルがかかるような環境下では、使用が不可能であっ
た。本発明の目的は、ＳｉＣの被覆による強度劣化並び
に熱サイクル下で使用した場合の被覆膜の剥離及び強度
劣化が生じにくい、密着性に優れたＳｉＣ膜を被覆した
耐酸化性及び耐摩耗性を有する被覆焼結体を提供するこ
とである。
技術によるＳｉＣ被覆Ｓｉ3 Ｎ4 焼結体は、下記に示す
課題がある。従来技術１による被覆焼結体は、焼結体
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）と被覆材（ＳｉＣ）の熱膨張差により、
熱サイクル下で使用したときにクラックを生じてしま
う。従来技術２による被覆焼結体は、Ｓｉ3 Ｎ4 焼結体
の熱膨張率をＳｉＣの熱膨張率に近づけるためにＳｉ3
Ｎ4 の焼結時に用いる大量の焼結助剤が焼結体の強度劣
化をまねいてしまう。上記の理由により、従来技術の被
覆焼結体は、構造材料として用いる際に要求される熱サ
イクルがかかるような環境下では、使用が不可能であっ
た。本発明の目的は、ＳｉＣの被覆による強度劣化並び
に熱サイクル下で使用した場合の被覆膜の剥離及び強度
劣化が生じにくい、密着性に優れたＳｉＣ膜を被覆した
耐酸化性及び耐摩耗性を有する被覆焼結体を提供するこ
とである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】その手段は、ＳｉＣ／
（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比が０．１〜０．５のＳｉ
3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体上に、膜厚が２〜１００μｍ
のＳｉＣが被覆されていることを特徴とするＳｉＣ被覆
Ｓｉ3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体を用いることである。こ
こでＳｉＣ膜を被覆する方法としては、炭素源ガスとＳ
ｉ源ガスの混合ガスを励起したガスを焼結体に接触させ
て行うＣＶＤ法（例えばプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法）或いはＰＶＤ法などの被覆法を用いる
ことができるが、つきまわり性からみてＣＶＤ法が最も
好ましい。また、焼結体は、常圧焼結、ホットプレス焼
結、ガス圧焼結、ＨＩＰ焼結などの何れの方法によるも
のであってもよい。
（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比が０．１〜０．５のＳｉ
3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体上に、膜厚が２〜１００μｍ
のＳｉＣが被覆されていることを特徴とするＳｉＣ被覆
Ｓｉ3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体を用いることである。こ
こでＳｉＣ膜を被覆する方法としては、炭素源ガスとＳ
ｉ源ガスの混合ガスを励起したガスを焼結体に接触させ
て行うＣＶＤ法（例えばプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法）或いはＰＶＤ法などの被覆法を用いる
ことができるが、つきまわり性からみてＣＶＤ法が最も
好ましい。また、焼結体は、常圧焼結、ホットプレス焼
結、ガス圧焼結、ＨＩＰ焼結などの何れの方法によるも
のであってもよい。
【０００５】
【作用】本発明で用いる焼結体は、ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋
Ｓｉ3 Ｎ4 ）の重量比が０．１〜０．５のＳｉ3 Ｎ4 −
ＳｉＣの複合焼結体であるため熱膨張率がＳｉＣ膜の熱
膨張率に近く、膜／焼結体界面に働く残留応力による膜
の剥離や被覆焼結体の強度劣化が少ない。また、Ｓｉ3
Ｎ4 にＳｉＣを複合化させることによって高強度化させ
た焼結体を用いているため、焼結助剤を大量に含有させ
て熱膨張率をＳｉＣに合わせるような場合に生じる強度
劣化もない。更にＳｉＣ膜合成にあたっては、焼結体中
に均一分散しているＳｉＣが気相合成の過程で、焼結体
と膜との密着性を高めるため、熱サイクルがかかるよう
な環境下に置かれても膜が剥離することがない。焼結体
のＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比が０．１に満
たない場合には、焼結体の熱膨張率と膜の熱膨張率との
差が大きくなるために膜／焼結体界面の残留応力で膜が
剥がれやすくなり、また焼結体のＳｉＣ量が少ないため
に膜の密着性も低下することから熱サイクルがかかるよ
うな環境下で使用すると膜剥離が生じやすい。逆に焼結
体のＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比が０．５よ
り大きくなると、焼結体自体の性質がＳｉＣに近くなっ
て熱衝撃に弱くなるため、熱サイクル後の強度劣化が大
きくなる場合がある。
Ｓｉ3 Ｎ4 ）の重量比が０．１〜０．５のＳｉ3 Ｎ4 −
ＳｉＣの複合焼結体であるため熱膨張率がＳｉＣ膜の熱
膨張率に近く、膜／焼結体界面に働く残留応力による膜
の剥離や被覆焼結体の強度劣化が少ない。また、Ｓｉ3
Ｎ4 にＳｉＣを複合化させることによって高強度化させ
た焼結体を用いているため、焼結助剤を大量に含有させ
て熱膨張率をＳｉＣに合わせるような場合に生じる強度
劣化もない。更にＳｉＣ膜合成にあたっては、焼結体中
に均一分散しているＳｉＣが気相合成の過程で、焼結体
と膜との密着性を高めるため、熱サイクルがかかるよう
な環境下に置かれても膜が剥離することがない。焼結体
のＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比が０．１に満
たない場合には、焼結体の熱膨張率と膜の熱膨張率との
差が大きくなるために膜／焼結体界面の残留応力で膜が
剥がれやすくなり、また焼結体のＳｉＣ量が少ないため
に膜の密着性も低下することから熱サイクルがかかるよ
うな環境下で使用すると膜剥離が生じやすい。逆に焼結
体のＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比が０．５よ
り大きくなると、焼結体自体の性質がＳｉＣに近くなっ
て熱衝撃に弱くなるため、熱サイクル後の強度劣化が大
きくなる場合がある。
【０００６】ＳｉＣの膜厚が 2μｍに満たない場合は、
膜による耐酸化性向上効果が不十分であり、１００μｍ
を越える場合には、焼結体中のＳｉＣによる膜密着性向
上効果以上に、膜内に蓄積された残留応力のために、被
覆焼結体が強度劣化したり、膜密着性が低下する。Ｓｉ
3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体の作製には、出発原料にＳ
ｉ、Ｃ及びＮを含む非晶質粉末を用いた場合は、出発原
料にＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣの結晶質粉末を用いた場合より
さらによい密着性が得られる。出発原料にＳｉ、Ｃ及び
Ｎを含む非晶質粉末を用いた場合は、焼結体中にＳｉＣ
が均一，微細に分散しやすく、焼結体中のＳｉＣが膜密
着性に及ぼす効果がより高められるためと考えられる。
膜による耐酸化性向上効果が不十分であり、１００μｍ
を越える場合には、焼結体中のＳｉＣによる膜密着性向
上効果以上に、膜内に蓄積された残留応力のために、被
覆焼結体が強度劣化したり、膜密着性が低下する。Ｓｉ
3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体の作製には、出発原料にＳ
ｉ、Ｃ及びＮを含む非晶質粉末を用いた場合は、出発原
料にＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣの結晶質粉末を用いた場合より
さらによい密着性が得られる。出発原料にＳｉ、Ｃ及び
Ｎを含む非晶質粉末を用いた場合は、焼結体中にＳｉＣ
が均一，微細に分散しやすく、焼結体中のＳｉＣが膜密
着性に及ぼす効果がより高められるためと考えられる。
【０００７】ＳｉＣ膜の合成は、原料ガス組成比（Ｓｉ
源ガス／炭素源ガスモル比）０．５〜２．０，合成圧力
１００〜４００ｔｏｒｒ合成温度１２００〜１４００℃
で行うのが好ましい。原料ガス組成比、合成圧力がこの
範囲からはずれると、焼結体中のＳｉＣの存在効果が十
分現れず焼結と膜との整合性が悪かったり、膜内に微小
ポアが生成し膜の耐酸化性が悪くなったりする場合があ
る。合成温度が１２００°Ｃ未満の場合には膜中に非晶
質が顕著に生成し、１４００°Ｃを越えると膜中にポア
が生成していずれの場合も耐酸化性が低下する。
源ガス／炭素源ガスモル比）０．５〜２．０，合成圧力
１００〜４００ｔｏｒｒ合成温度１２００〜１４００℃
で行うのが好ましい。原料ガス組成比、合成圧力がこの
範囲からはずれると、焼結体中のＳｉＣの存在効果が十
分現れず焼結と膜との整合性が悪かったり、膜内に微小
ポアが生成し膜の耐酸化性が悪くなったりする場合があ
る。合成温度が１２００°Ｃ未満の場合には膜中に非晶
質が顕著に生成し、１４００°Ｃを越えると膜中にポア
が生成していずれの場合も耐酸化性が低下する。
【実施例】基材の出発原料としてＳｉ、Ｃ及びＮを含む
非晶質粉末（表では、Ｓｉ−Ｃ−Ｎと表示）にＹ2 Ｏ3
粉末８外重量％を加えて湿式混合し、乾燥後、ホットプ
レス焼結（圧力３５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度１８００
℃、時間４ｈ）を行ない各種ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3
Ｎ4 ）重量比の焼結体を作製した。また、基材の出発原
料としてＳｉ3 Ｎ4 粉末（比表面積１０ｍ2 ／ｇ）、Ｓ
ｉＣ粉末（比表面積１７ｍ2 ／ｇ）とＹ2 Ｏ3 粉末８外
重量％を湿式混合し、乾燥後、ホットプレス焼結（圧力
３５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度１８００℃、時間４ｈ）を
行ない各種ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比の焼
結体を作製した。
非晶質粉末（表では、Ｓｉ−Ｃ−Ｎと表示）にＹ2 Ｏ3
粉末８外重量％を加えて湿式混合し、乾燥後、ホットプ
レス焼結（圧力３５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度１８００
℃、時間４ｈ）を行ない各種ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3
Ｎ4 ）重量比の焼結体を作製した。また、基材の出発原
料としてＳｉ3 Ｎ4 粉末（比表面積１０ｍ2 ／ｇ）、Ｓ
ｉＣ粉末（比表面積１７ｍ2 ／ｇ）とＹ2 Ｏ3 粉末８外
重量％を湿式混合し、乾燥後、ホットプレス焼結（圧力
３５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度１８００℃、時間４ｈ）を
行ない各種ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比の焼
結体を作製した。
【表１】 得られた焼結体を＃２００のダイヤミンド砥石で平面研
削加工した後、熱ＣＶＤ装置の反応容器内にそれぞれ設
置した。そして表１に示した合成温度、合成圧力の条件
下に反応室内へ原料ガスＳｉＣｌ4 、ＣＨ4 を表１に示
したＳｉＣｌ4 ／ＣＨ4 比で、また水素ガスを２．０Ｓ
ＬＭで導入して焼結体上に１〜１５０μｍの厚みのＳｉ
Ｃ膜をコーティングした。
削加工した後、熱ＣＶＤ装置の反応容器内にそれぞれ設
置した。そして表１に示した合成温度、合成圧力の条件
下に反応室内へ原料ガスＳｉＣｌ4 、ＣＨ4 を表１に示
したＳｉＣｌ4 ／ＣＨ4 比で、また水素ガスを２．０Ｓ
ＬＭで導入して焼結体上に１〜１５０μｍの厚みのＳｉ
Ｃ膜をコーティングした。
【０００８】そして、これら試料に対して、スパン３０
ｍｍにて三点曲げ強度試験、大気雰囲気下１４００°Ｃ
２００時間の酸化テスト後の酸化増量測定、並びに大気
雰囲気下で室温〜１４００°Ｃまでの熱サイクルを１０
０回かけた後の目視による膜密着性調査及びスパン３０
ｍｍの三点曲げ強度試験を行なった結果を表２に示し
た。ここで、酸化増量とは、（酸化テスト後重量−酸化
テスト前重量）／（前表面積）と定義する。
ｍｍにて三点曲げ強度試験、大気雰囲気下１４００°Ｃ
２００時間の酸化テスト後の酸化増量測定、並びに大気
雰囲気下で室温〜１４００°Ｃまでの熱サイクルを１０
０回かけた後の目視による膜密着性調査及びスパン３０
ｍｍの三点曲げ強度試験を行なった結果を表２に示し
た。ここで、酸化増量とは、（酸化テスト後重量−酸化
テスト前重量）／（前表面積）と定義する。
【表２】 本願発明に係わる実施例は、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１０であ
り、比較例は、Ｎｏ．１１〜Ｎｏ．１６である。Ｓｉ3
Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体を単独に基材のみで使用した場
合（Ｎｏ．１４）は基材の耐酸化性が悪いため高温下で
使用した場合に強度劣化等が生じやすいが、表１に示し
た各種ＳｉＣ被覆基材では多くの場合、著しい耐酸化性
向上効果が見られる。焼結体にＳｉ3 Ｎ4 を使用した被
覆焼結体（Ｎｏ．１１）及びＳｉＣ含有量の少ないＳｉ
3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体を使用した被覆焼結体（Ｎ
ｏ．１２）は熱サイクル試験後に膜の剥離が生じてしま
う。Ｎｏ．１１及びＮｏ．１２では膜と焼結体の熱膨張
率の差が大きいために膜／焼結体界面に大きな残留応力
が発生し、また焼結体中のＳｉＣによる膜密着性向上効
果もない（あるいは少ない）ために、熱サイクルの過程
で膜剥離に至ったと考えられる。
り、比較例は、Ｎｏ．１１〜Ｎｏ．１６である。Ｓｉ3
Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体を単独に基材のみで使用した場
合（Ｎｏ．１４）は基材の耐酸化性が悪いため高温下で
使用した場合に強度劣化等が生じやすいが、表１に示し
た各種ＳｉＣ被覆基材では多くの場合、著しい耐酸化性
向上効果が見られる。焼結体にＳｉ3 Ｎ4 を使用した被
覆焼結体（Ｎｏ．１１）及びＳｉＣ含有量の少ないＳｉ
3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体を使用した被覆焼結体（Ｎ
ｏ．１２）は熱サイクル試験後に膜の剥離が生じてしま
う。Ｎｏ．１１及びＮｏ．１２では膜と焼結体の熱膨張
率の差が大きいために膜／焼結体界面に大きな残留応力
が発生し、また焼結体中のＳｉＣによる膜密着性向上効
果もない（あるいは少ない）ために、熱サイクルの過程
で膜剥離に至ったと考えられる。
【０００９】一方、ＳｉＣをＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3
Ｎ4 ）重量比で０．１〜０．５複合化した焼結体Ｎｏ．
１〜１０では１００回の熱サイクルの後にも膜の剥離は
生じなかった。Ｎｏ．１〜１０の中でも、Ｎｏ．１は熱
膨張率がＳｉＣ膜と焼結体とで比較的差が大きく、膜剥
離しやすいと考えられるが、焼結体中に均一分散してい
るＳｉＣが膜密着性向上に寄与するために、剥離が生じ
にくくなっていると考えられる。ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ）重量比が０．５を越えた焼結体を用いた場合
（Ｎｏ．１３）、焼結体自体が熱衝撃に弱いために、熱
サイクルの後の強度劣化が大きかったと考えられる。熱
サイクル前後の強度を考慮すると実施例Ｎｏ．１及びＮ
ｏ．４より、ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比
は、０．２〜０．４が更に望ましい
Ｎ4 ）重量比で０．１〜０．５複合化した焼結体Ｎｏ．
１〜１０では１００回の熱サイクルの後にも膜の剥離は
生じなかった。Ｎｏ．１〜１０の中でも、Ｎｏ．１は熱
膨張率がＳｉＣ膜と焼結体とで比較的差が大きく、膜剥
離しやすいと考えられるが、焼結体中に均一分散してい
るＳｉＣが膜密着性向上に寄与するために、剥離が生じ
にくくなっていると考えられる。ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ）重量比が０．５を越えた焼結体を用いた場合
（Ｎｏ．１３）、焼結体自体が熱衝撃に弱いために、熱
サイクルの後の強度劣化が大きかったと考えられる。熱
サイクル前後の強度を考慮すると実施例Ｎｏ．１及びＮ
ｏ．４より、ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比
は、０．２〜０．４が更に望ましい
【００１０】膜厚が 1μｍのＮｏ．１５は酸化テストに
おける酸化増量が大きく、膜厚不足であると考えられ
る。膜厚が１５０μｍのＮｏ．１６では熱サイクル試験
後の膜剥離が生じており、膜が厚いために膜内に蓄積さ
れた残留応力が、焼結体中のＳｉＣの膜密着性を高める
効果より大きくなったためと考えられる。また、試料Ｎ
ｏ．１〜Ｎｏ．１０の被覆膜のＳｉＣをＸ線で解析した
ところ、主としてβ相が確認された。
おける酸化増量が大きく、膜厚不足であると考えられ
る。膜厚が１５０μｍのＮｏ．１６では熱サイクル試験
後の膜剥離が生じており、膜が厚いために膜内に蓄積さ
れた残留応力が、焼結体中のＳｉＣの膜密着性を高める
効果より大きくなったためと考えられる。また、試料Ｎ
ｏ．１〜Ｎｏ．１０の被覆膜のＳｉＣをＸ線で解析した
ところ、主としてβ相が確認された。
【発明の効果】上述のように本発明によれば耐酸化性が
良好で、強度劣化の少ないＳｉＣ被覆部材が得られ、実
用に際して熱サイクルのかかる環境下でも使用できるな
ど工業上有用な効果を得られるのである。
良好で、強度劣化の少ないＳｉＣ被覆部材が得られ、実
用に際して熱サイクルのかかる環境下でも使用できるな
ど工業上有用な効果を得られるのである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】ＳｉＣ／（ＳｉＣ＋Ｓｉ3 Ｎ4 ）重量比が
０．１〜０．５のＳｉ3 Ｎ4 −ＳｉＣ複合焼結体上に、
膜厚が２〜１００μｍのＳｉＣが被覆されていることを
特徴とするＳｉＣ被覆窒化珪素−炭化珪素複合焼結体。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3204935A JPH0524924A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | ＳｉＣ被覆窒化珪素−炭化珪素複合焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3204935A JPH0524924A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | ＳｉＣ被覆窒化珪素−炭化珪素複合焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524924A true JPH0524924A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16498794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3204935A Pending JPH0524924A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | ＳｉＣ被覆窒化珪素−炭化珪素複合焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0524924A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5525556A (en) * | 1994-04-14 | 1996-06-11 | The Dow Chemical Company | Silicon nitride/silicon carbide composite powders |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3204935A patent/JPH0524924A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5525556A (en) * | 1994-04-14 | 1996-06-11 | The Dow Chemical Company | Silicon nitride/silicon carbide composite powders |
| US5538675A (en) * | 1994-04-14 | 1996-07-23 | The Dow Chemical Company | Method for producing silicon nitride/silicon carbide composite |
| US5643843A (en) * | 1994-04-14 | 1997-07-01 | The Dow Chemical Company | Silicon nitride/silicon carbide composite densified materials prepared using composite powders |
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