JPH0526738Y2 - - Google Patents
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- JPH0526738Y2 JPH0526738Y2 JP1985111524U JP11152485U JPH0526738Y2 JP H0526738 Y2 JPH0526738 Y2 JP H0526738Y2 JP 1985111524 U JP1985111524 U JP 1985111524U JP 11152485 U JP11152485 U JP 11152485U JP H0526738 Y2 JPH0526738 Y2 JP H0526738Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- hole
- pad
- film
- passivation film
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この考案はシリコン又は化合物半導体からなる
超高速デバイス（半導体チツプ）に設けたバンプ
の構造に関する。
超高速デバイス（半導体チツプ）に設けたバンプ
の構造に関する。
（従来の技術）
従来より、半導体チツプを外部装置の基板等に
実装するため半導体チツプに設けられた、種々の
バンプ構造が提案されている。
実装するため半導体チツプに設けられた、種々の
バンプ構造が提案されている。
第３図は例えばGaAs半導体を用いた超高速半
導体チツプに形成された従来のバンプ構造とその
周辺を拡大して示す断面図である。
導体チツプに形成された従来のバンプ構造とその
周辺を拡大して示す断面図である。
この図を参照して、半導体チツプにおける従来
のバンプと能動素子等の他の構成成分との位置関
係につき簡単に説明する。
のバンプと能動素子等の他の構成成分との位置関
係につき簡単に説明する。
図において、１１は半絶縁性GaAs基板を示
し、この基板１１上には電極間絶縁膜１３が設け
られている。又、この基板１１には、例えば、こ
の基板１１の所望とする領域に選択的にシリコン
の注入を行つて形成したn+領域１５とｎ領域１
７とが設けられ、さらに、ｎ領域１７上に例えば
Alを用いてシヨツトキーゲート１９が、又、n+
領域１５上に例えばAu−Geを用いてソース電極
２１及びドレイン電極２３がそれぞれ設けられ
て、能動素子２５であるGaAs−FETが形成され
ている。このソース及びドレイン電極を設ける際
に同時に配線パターンの一部である第一層配線２
７も設けられる。
し、この基板１１上には電極間絶縁膜１３が設け
られている。又、この基板１１には、例えば、こ
の基板１１の所望とする領域に選択的にシリコン
の注入を行つて形成したn+領域１５とｎ領域１
７とが設けられ、さらに、ｎ領域１７上に例えば
Alを用いてシヨツトキーゲート１９が、又、n+
領域１５上に例えばAu−Geを用いてソース電極
２１及びドレイン電極２３がそれぞれ設けられ
て、能動素子２５であるGaAs−FETが形成され
ている。このソース及びドレイン電極を設ける際
に同時に配線パターンの一部である第一層配線２
７も設けられる。
この能動素子２５及び第一層配線２７を含む基
板上には層間絶縁膜２９として例えばSiO2が
2000〜5000Åの膜厚で設けられており、この層間
絶縁膜上には、例えばTi／Pt／Auを用いて配線
パタンの一部である第二層配線３１と、第二層配
線３１の一部ではあるがボンデイングのために一
辺を80〜150μmとした正方形状の広い面積のパツ
ド３３とが設けてある。さらに、この第二層配線
３１の一部は、層間絶縁膜の所望とする個所に設
けたスルーホールを介して第一層配線２７及び能
動素子２５の電極等の必要な部分と接続されてい
る。
板上には層間絶縁膜２９として例えばSiO2が
2000〜5000Åの膜厚で設けられており、この層間
絶縁膜上には、例えばTi／Pt／Auを用いて配線
パタンの一部である第二層配線３１と、第二層配
線３１の一部ではあるがボンデイングのために一
辺を80〜150μmとした正方形状の広い面積のパツ
ド３３とが設けてある。さらに、この第二層配線
３１の一部は、層間絶縁膜の所望とする個所に設
けたスルーホールを介して第一層配線２７及び能
動素子２５の電極等の必要な部分と接続されてい
る。
この第二層配線３１の設けられた層間絶縁膜２
９上にはパツシベーシヨン膜３５として例えば耐
湿性及び絶縁性に優れたSi3N4膜が2000Åの膜厚
で設けてある。又、このパツシベーシヨン膜３５
の、第二層配線のパツド３３に対応する部分を除
去して設けた穴３７を介して、パツド３３とパツ
シベーシヨン膜３５の表面との間にバンプ金属部
３９が設けられている。このバンプ金属部３９は
一般にバリアメタル４１とバンプ金属４３とで構
成されており、バリアメタルとして例えばPtが、
バンプ金属として例えばPbSn合金が用いられて
いる。ここで、バンプ４５はパツド３３とバンプ
金属部３９とを具える部分を云う。
９上にはパツシベーシヨン膜３５として例えば耐
湿性及び絶縁性に優れたSi3N4膜が2000Åの膜厚
で設けてある。又、このパツシベーシヨン膜３５
の、第二層配線のパツド３３に対応する部分を除
去して設けた穴３７を介して、パツド３３とパツ
シベーシヨン膜３５の表面との間にバンプ金属部
３９が設けられている。このバンプ金属部３９は
一般にバリアメタル４１とバンプ金属４３とで構
成されており、バリアメタルとして例えばPtが、
バンプ金属として例えばPbSn合金が用いられて
いる。ここで、バンプ４５はパツド３３とバンプ
金属部３９とを具える部分を云う。
このようなバンプ構造を有する半導体チツプに
おいては、端子接続の技術上の問題から、一辺が
80〜150μmもある正方形状のパツドを半導体チツ
プに設ける必要があつた。
おいては、端子接続の技術上の問題から、一辺が
80〜150μmもある正方形状のパツドを半導体チツ
プに設ける必要があつた。
（考案が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来のバンプ構造を有する半導
体チツプにおいては、ボンデイングを行うためだ
けの目的で一辺が80〜150μmもある正方形状のパ
ツドを半導体チツプに設けている。超高速半導体
チツプ内部の配線を2μm以下の配線として、半導
体チツプの小型化を目指していることを考える
と、このパツドの大きさはチツプの小型化に対し
ては大きな問題点となつていた。
体チツプにおいては、ボンデイングを行うためだ
けの目的で一辺が80〜150μmもある正方形状のパ
ツドを半導体チツプに設けている。超高速半導体
チツプ内部の配線を2μm以下の配線として、半導
体チツプの小型化を目指していることを考える
と、このパツドの大きさはチツプの小型化に対し
ては大きな問題点となつていた。
又、このパツド近傍の層間絶縁膜上に他の配線
を設けようとすると、パツシベーシヨン膜が薄い
ため、このパツドと接続されているパツシベーシ
ヨン膜上のバンプ金属部分と、このバンプ金属部
分と対向するこのパツシベーシヨン膜を挟んだ層
間絶縁膜上の他の配線との間の電極間容量が大き
くなる。従つて、この容量を通して信号が漏れ、
伝送損失を招く原因となるため、パツドの近傍に
は他の配線を設けることは出来ず、この点からも
実装密度を低下させる原因となつていた。
を設けようとすると、パツシベーシヨン膜が薄い
ため、このパツドと接続されているパツシベーシ
ヨン膜上のバンプ金属部分と、このバンプ金属部
分と対向するこのパツシベーシヨン膜を挟んだ層
間絶縁膜上の他の配線との間の電極間容量が大き
くなる。従つて、この容量を通して信号が漏れ、
伝送損失を招く原因となるため、パツドの近傍に
は他の配線を設けることは出来ず、この点からも
実装密度を低下させる原因となつていた。
この考案の目的は、上述した問題点を解決し
て、バンプ金属近傍のパツシベーシヨン膜下にも
配線が行えるような半導体チツプのバンプ構造を
提供することにより、実装密度が高く、かつ、小
型で高性能な半導体チツプを提供することにあ
る。
て、バンプ金属近傍のパツシベーシヨン膜下にも
配線が行えるような半導体チツプのバンプ構造を
提供することにより、実装密度が高く、かつ、小
型で高性能な半導体チツプを提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この考案によれ
ば、半導体チツプのパツドと、パツシベーシヨン
膜と、該パツシベーシヨン膜に設けた穴と、該穴
を介して該パツド及び該パツシベーシヨン膜の間
に設けたバンプ金属部とを有する半導体チツプの
バンプ構造において、 パツシベーシヨン膜上に該パツシベーシヨン膜
の厚みよりも厚い絶縁膜を設けてあり、 該絶縁膜の、前述のパツシベーシヨン膜に設け
た穴と対応する位置に、該パツシベーシヨン膜側
の開口面積が該パツシベーシヨン膜に設けられた
穴の開口面積と同程度の穴であつて、該絶縁膜の
表面に向かうに従い開口面積が大きくされている
穴を設けてあり、 該パツシベーシヨン膜及び絶縁膜に設けた穴を
介して、前述のパツドと前述の絶縁膜表面との間
にバリアメタル及びバンプ金属で構成したバンプ
金属部を設けてあり、 前述のパツドの大きさを前述のバンプ金属部の
前述の絶縁膜上での大きさより小さくしてあるこ
とを特徴とする。
ば、半導体チツプのパツドと、パツシベーシヨン
膜と、該パツシベーシヨン膜に設けた穴と、該穴
を介して該パツド及び該パツシベーシヨン膜の間
に設けたバンプ金属部とを有する半導体チツプの
バンプ構造において、 パツシベーシヨン膜上に該パツシベーシヨン膜
の厚みよりも厚い絶縁膜を設けてあり、 該絶縁膜の、前述のパツシベーシヨン膜に設け
た穴と対応する位置に、該パツシベーシヨン膜側
の開口面積が該パツシベーシヨン膜に設けられた
穴の開口面積と同程度の穴であつて、該絶縁膜の
表面に向かうに従い開口面積が大きくされている
穴を設けてあり、 該パツシベーシヨン膜及び絶縁膜に設けた穴を
介して、前述のパツドと前述の絶縁膜表面との間
にバリアメタル及びバンプ金属で構成したバンプ
金属部を設けてあり、 前述のパツドの大きさを前述のバンプ金属部の
前述の絶縁膜上での大きさより小さくしてあるこ
とを特徴とする。
この考案の実施に当り、絶縁膜の厚みを５〜
20μmの厚みとするのが好適である。
20μmの厚みとするのが好適である。
さらに、この考案の実施に当り、絶縁膜を耐熱
性ポリイミド樹脂とするのが好適である。
性ポリイミド樹脂とするのが好適である。
（作用）
このような構成によれば、パツドが形成されて
いる下地の、該パツドの近傍でバンプ金属部下方
に当たる部分に、他の配線を設けるための領域が
得られる。また、この領域に他の配線を設けて
も、絶縁膜の厚さが厚いためこの配線と絶縁膜上
のバンプ金属部分との距離は大きくなるから、絶
縁膜上のバンプ金属部分と、当該他の配線との間
の電極間容量は低減される。従つて、伝送特性を
悪化させる原因にはならない。さらに、ボンデイ
ングに必要な大きな面積を有するバンプは絶縁膜
上に設け、この絶縁膜上のバンプとパツシベーシ
ヨン膜下のパツドとは絶縁膜及びパツシベーシヨ
ン膜に設けた穴を介してバンプ金属により接続出
来る。従つてパツシベーシヨン膜下のパツドの面
積は小さくてすむ。
いる下地の、該パツドの近傍でバンプ金属部下方
に当たる部分に、他の配線を設けるための領域が
得られる。また、この領域に他の配線を設けて
も、絶縁膜の厚さが厚いためこの配線と絶縁膜上
のバンプ金属部分との距離は大きくなるから、絶
縁膜上のバンプ金属部分と、当該他の配線との間
の電極間容量は低減される。従つて、伝送特性を
悪化させる原因にはならない。さらに、ボンデイ
ングに必要な大きな面積を有するバンプは絶縁膜
上に設け、この絶縁膜上のバンプとパツシベーシ
ヨン膜下のパツドとは絶縁膜及びパツシベーシヨ
ン膜に設けた穴を介してバンプ金属により接続出
来る。従つてパツシベーシヨン膜下のパツドの面
積は小さくてすむ。
これがため、バンプ近傍のパツシベーシヨン膜
下にも高密度な配線を設けることが出来る。ま
た、絶縁膜に設けた穴は絶縁膜表面に向かう程開
口面積が広い穴であるので該穴の形状はあたかも
すり鉢状になる。
下にも高密度な配線を設けることが出来る。ま
た、絶縁膜に設けた穴は絶縁膜表面に向かう程開
口面積が広い穴であるので該穴の形状はあたかも
すり鉢状になる。
（実施例）
以下、第１図及び第２図を参照して、この考案
の実施例につき説明する。尚、これら図はこの考
案が理解出来る程度に概略的に示してあるにすぎ
ずその形状、寸法及び配置関係は図示例に限定さ
れるものではない。又、従来と同一の構成成分に
ついては同一の符号を付して示してある。尚、従
来と同一の構成成分についてはその説明を省略し
たものもある。
の実施例につき説明する。尚、これら図はこの考
案が理解出来る程度に概略的に示してあるにすぎ
ずその形状、寸法及び配置関係は図示例に限定さ
れるものではない。又、従来と同一の構成成分に
ついては同一の符号を付して示してある。尚、従
来と同一の構成成分についてはその説明を省略し
たものもある。
実施例
第１図はこの考案の半導体チツプのバンプ構造
の実施例を説明するため、半導体チツプの要部を
示す断面図である。
の実施例を説明するため、半導体チツプの要部を
示す断面図である。
図において、１１は例えば半絶縁性GaAs基板
を示し、この基板１１上には従来と同様に、電極
間絶縁膜１３、能動素子２５、第一層配線２７、
層間絶縁膜２９及び第二層配線３１が設けてあ
る。又、第二層配線３１と同時に形成するパツド
３３の大きさを、この場合、従来のバツドの大き
さの半分以下、例えば一辺が40μmの正方形状と
してある。この第二層配線３１及びパツド３３の
設けられた層間絶縁膜２９上には、従来と同様
に、パツシベーシヨン膜３５として例えば耐湿性
及び絶縁性に優れたSi3N4膜を2000Åの膜厚で設
けてある。このパツシベーシヨン膜３５は、パツ
ド３３に対応する部分を除去して設けた、パツド
３３とほぼ同面積の穴３７を有している。さら
に、この考案のバンプ構造では、パツシベーシヨ
ン膜３５上に、膜厚10μmの厚みで耐熱性に優れ
たポリイミド樹脂からなる絶縁膜５１を設けてあ
る。この絶縁膜５１はパツシベーシヨン膜３５に
設けた穴３７の位置にこの穴３７より少なくとも
大きな穴５３を有している。この実施例では、こ
の絶縁膜５１に設ける穴５３の形状を、パツシベ
ーシヨン膜３５側でパツシベーシヨン膜の穴３７
の大きさとほぼ同面積の開口面積を有し、絶縁層
５１の表面に向かうに従い開口面積が大きくなる
ようにし、絶縁層５１の表面で、ボンデイングに
必要な面積を有する形状、例えば一辺が150μmの
正方形状となるような形状としてある。この絶縁
層に設けた穴５３とパツシベーシヨン膜３５に設
けた穴３７とを介してパツド３３及び絶縁膜５１
の表面の間にバンプ金属部３９が設けてある。こ
のバンプ金属部は従来と同様に、バリアメタル４
１とバンプ金属４３とで構成されており、バリア
メタルとして例えばPtが、バンプ金属として例
えばPbSn合金が用いられている。ここで、バン
プ４５はパツド３３とバンプ金属部３９とを具え
る部分を云う。また、パツド３３が形成された下
地（この場合層間絶縁膜２９）の、該パツド３３
の近傍でかつバンプ金属部３９下方に当たる部分
上に、第二層配線３１のうちの一部を設けてあ
る。
を示し、この基板１１上には従来と同様に、電極
間絶縁膜１３、能動素子２５、第一層配線２７、
層間絶縁膜２９及び第二層配線３１が設けてあ
る。又、第二層配線３１と同時に形成するパツド
３３の大きさを、この場合、従来のバツドの大き
さの半分以下、例えば一辺が40μmの正方形状と
してある。この第二層配線３１及びパツド３３の
設けられた層間絶縁膜２９上には、従来と同様
に、パツシベーシヨン膜３５として例えば耐湿性
及び絶縁性に優れたSi3N4膜を2000Åの膜厚で設
けてある。このパツシベーシヨン膜３５は、パツ
ド３３に対応する部分を除去して設けた、パツド
３３とほぼ同面積の穴３７を有している。さら
に、この考案のバンプ構造では、パツシベーシヨ
ン膜３５上に、膜厚10μmの厚みで耐熱性に優れ
たポリイミド樹脂からなる絶縁膜５１を設けてあ
る。この絶縁膜５１はパツシベーシヨン膜３５に
設けた穴３７の位置にこの穴３７より少なくとも
大きな穴５３を有している。この実施例では、こ
の絶縁膜５１に設ける穴５３の形状を、パツシベ
ーシヨン膜３５側でパツシベーシヨン膜の穴３７
の大きさとほぼ同面積の開口面積を有し、絶縁層
５１の表面に向かうに従い開口面積が大きくなる
ようにし、絶縁層５１の表面で、ボンデイングに
必要な面積を有する形状、例えば一辺が150μmの
正方形状となるような形状としてある。この絶縁
層に設けた穴５３とパツシベーシヨン膜３５に設
けた穴３７とを介してパツド３３及び絶縁膜５１
の表面の間にバンプ金属部３９が設けてある。こ
のバンプ金属部は従来と同様に、バリアメタル４
１とバンプ金属４３とで構成されており、バリア
メタルとして例えばPtが、バンプ金属として例
えばPbSn合金が用いられている。ここで、バン
プ４５はパツド３３とバンプ金属部３９とを具え
る部分を云う。また、パツド３３が形成された下
地（この場合層間絶縁膜２９）の、該パツド３３
の近傍でかつバンプ金属部３９下方に当たる部分
上に、第二層配線３１のうちの一部を設けてあ
る。
参考例
第２図はこの考案の半導体チツプのバンプ構造
の参考例を説明するため、半導体チツプの要部を
示す断面図である。
の参考例を説明するため、半導体チツプの要部を
示す断面図である。
この実施例は、絶縁膜５１に設ける穴５３の形
状を実施例とは異なる形状とした例を示したもの
である。絶縁膜５１を設けるところまでは実施例
と同様であるのでその説明は省略する。この場
合、絶縁膜５１のパツシベーシヨン膜３５に設け
た穴３７の位置に、パツシベーシヨン膜３５の穴
３７と同じ大きさの穴、つまり、一辺を40μmの
正方形状としたパツド３３の大きさとほぼ同じ大
きさの穴５３を設けた例である。
状を実施例とは異なる形状とした例を示したもの
である。絶縁膜５１を設けるところまでは実施例
と同様であるのでその説明は省略する。この場
合、絶縁膜５１のパツシベーシヨン膜３５に設け
た穴３７の位置に、パツシベーシヨン膜３５の穴
３７と同じ大きさの穴、つまり、一辺を40μmの
正方形状としたパツド３３の大きさとほぼ同じ大
きさの穴５３を設けた例である。
この絶縁層に設けた穴５３とパツシベーシヨン
膜３５に設けた穴３７とを介してパツド３３及び
絶縁膜５１の表面の間にバンプ金属部３９が設け
てある。さらに、絶縁層５１の表面のバンプ金属
部部分の面積はボンデイングに必要な面積、例え
ば一辺を150μmの正方形状の面積としてある。こ
のバンプ金属部は従来と同様に、バリアメタル４
１とバンプ金属４３とで構成されており、バリア
メタルとして例えばPtが、バンプ金属として例
えばPbSn合金が用いられている。ここで、バン
プ４５はパツド３３とバンプ金属部３９とを具え
る部分を云う。また、パツド３３が形成された下
地（この場合層間絶縁膜２９）の、該パツド３３
の近傍でかつバンプ金属部３９下方に当たる部分
上に、第二層配線３１のうちの一部を設けてあ
る。この参考例においても、実施例と同様に、パ
ツド３３が形成された下地（この場合層間絶縁膜
２９）の、該パツド３３の近傍でかつバンプ金属
部３９下方に当たる部分上に別途に配線を形成で
きるので半導体装置の高集積化に寄与でき、ま
た、厚い絶縁膜５１を有するので別途に形成した
配線とバンプ金属部との間の容量軽減が図れる
が、絶縁膜５１の穴の開口面積が絶縁膜５１の厚
み全域で一様なのでバンプ金属部の形成が実施例
に比べ大変である。
膜３５に設けた穴３７とを介してパツド３３及び
絶縁膜５１の表面の間にバンプ金属部３９が設け
てある。さらに、絶縁層５１の表面のバンプ金属
部部分の面積はボンデイングに必要な面積、例え
ば一辺を150μmの正方形状の面積としてある。こ
のバンプ金属部は従来と同様に、バリアメタル４
１とバンプ金属４３とで構成されており、バリア
メタルとして例えばPtが、バンプ金属として例
えばPbSn合金が用いられている。ここで、バン
プ４５はパツド３３とバンプ金属部３９とを具え
る部分を云う。また、パツド３３が形成された下
地（この場合層間絶縁膜２９）の、該パツド３３
の近傍でかつバンプ金属部３９下方に当たる部分
上に、第二層配線３１のうちの一部を設けてあ
る。この参考例においても、実施例と同様に、パ
ツド３３が形成された下地（この場合層間絶縁膜
２９）の、該パツド３３の近傍でかつバンプ金属
部３９下方に当たる部分上に別途に配線を形成で
きるので半導体装置の高集積化に寄与でき、ま
た、厚い絶縁膜５１を有するので別途に形成した
配線とバンプ金属部との間の容量軽減が図れる
が、絶縁膜５１の穴の開口面積が絶縁膜５１の厚
み全域で一様なのでバンプ金属部の形成が実施例
に比べ大変である。
この考案のバンプ構造において、パツシベーシ
ヨン膜上に設ける絶縁層の厚みを５〜20μmとし
た理由は、絶縁層の厚みが5μm未満の厚みでは、
絶縁層表面のバンプ金属部分と、この金属部分に
対向する絶縁層及びパツシベーシヨン膜下の配線
との間の電極間容量が伝送特性の悪化を防止出来
る程小さくならないためである。又、絶縁層の厚
みを20μmを越える厚みとすると、この絶縁層に
穴を開けること及びこの穴の中にバンプ金属を設
けることとが容易に行えなくなるからである。
ヨン膜上に設ける絶縁層の厚みを５〜20μmとし
た理由は、絶縁層の厚みが5μm未満の厚みでは、
絶縁層表面のバンプ金属部分と、この金属部分に
対向する絶縁層及びパツシベーシヨン膜下の配線
との間の電極間容量が伝送特性の悪化を防止出来
る程小さくならないためである。又、絶縁層の厚
みを20μmを越える厚みとすると、この絶縁層に
穴を開けること及びこの穴の中にバンプ金属を設
けることとが容易に行えなくなるからである。
尚、この考案のバンプ構造は上述した実施例に
限定されるものではない。実施例で説明したパツ
ド３３の大きさ、パツシベーシヨン膜３５に設け
た穴３７の形状及び大きさ、絶縁膜５１の材質及
びその膜厚、絶縁膜５１に設ける穴５３の形状及
び大きさはこの実施例の値に限定されるものでは
なく、半導体チツプに要求される諸特性に応じ
て、所望とする値に変更出来る。
限定されるものではない。実施例で説明したパツ
ド３３の大きさ、パツシベーシヨン膜３５に設け
た穴３７の形状及び大きさ、絶縁膜５１の材質及
びその膜厚、絶縁膜５１に設ける穴５３の形状及
び大きさはこの実施例の値に限定されるものでは
なく、半導体チツプに要求される諸特性に応じ
て、所望とする値に変更出来る。
（考案の効果）
上述した説明からも明らかなように、この考案
によれば、パツシベーシヨン膜上に所定の開口の
穴を有した所定の膜厚の絶縁膜を設け然もパツド
の大きさを適正化してあるため、パツドが形成さ
れている下地の、パツド近傍でかつ前述の絶縁膜
上のバンプ金属部分に対向する部分に、他の配線
を設けることができる。さらに、この絶縁膜上の
バンプ金属部部分と、これに対向して設けた配線
との間の電極間容量は従来と比較して著しく低減
される。このため、伝送特性が悪化することはな
い。さらに、ボンデイングに必要な大きな面積を
有するバンプは絶縁膜上に設け、パツシベーシヨ
ン膜下のパツドの面積は小さく出来る。
によれば、パツシベーシヨン膜上に所定の開口の
穴を有した所定の膜厚の絶縁膜を設け然もパツド
の大きさを適正化してあるため、パツドが形成さ
れている下地の、パツド近傍でかつ前述の絶縁膜
上のバンプ金属部分に対向する部分に、他の配線
を設けることができる。さらに、この絶縁膜上の
バンプ金属部部分と、これに対向して設けた配線
との間の電極間容量は従来と比較して著しく低減
される。このため、伝送特性が悪化することはな
い。さらに、ボンデイングに必要な大きな面積を
有するバンプは絶縁膜上に設け、パツシベーシヨ
ン膜下のパツドの面積は小さく出来る。
従つて、バンプ近傍のパツシベーシヨン膜下に
も高密度な配線が行えるようになるため、配線可
能領域が従来より広がる。因つて、半導体チツプ
の大きさを小さくすることが出来る。
も高密度な配線が行えるようになるため、配線可
能領域が従来より広がる。因つて、半導体チツプ
の大きさを小さくすることが出来る。
又、従来のバンプは半導体チツプの外周部分に
設けられるのがほとんどであるが、この考案のバ
ンプ構造によれば半導体チツプ内の任意の位置に
設けても他の配線に悪影響を及ぼすことはない。
従つて、例えば電源ラインであれば従来は幅広の
配線を用いて半導体チツプ内をひき回していた
が、この考案では、従来より細い線で半導体チツ
プ内の数個所に供給出来る。同様に、高速のクロ
ツク信号も半導体チツプの周辺から細い線路を用
いてチツプ各部に伝えることをせずに、半導体チ
ツプ内の数個所に供給可能となる。また、絶縁膜
に設けた穴の形状はあたかもすり鉢状になる。バ
ンプ金属部のバリアメタル用薄膜の形成は一般に
蒸着法又はスパツタ法により行われるので、厚い
膜厚の絶縁膜に設ける穴の断面形状がもし矩形状
であつたり逆テーパ形状であるとこの薄膜を穴の
側壁に良好に形成することやステツプカバレージ
良く形成することがいずれも困難となる。しか
し、穴の形状をすり鉢にできる本願の構成では、
絶縁膜の膜厚が厚いにもかかわらず、穴の底部、
側壁及び絶縁膜表面にわたりバリヤメタル用薄膜
を蒸着法やスパツタ法を用い良好に形成できるか
ら、所望のバンプ金属部を容易に形成できる。
設けられるのがほとんどであるが、この考案のバ
ンプ構造によれば半導体チツプ内の任意の位置に
設けても他の配線に悪影響を及ぼすことはない。
従つて、例えば電源ラインであれば従来は幅広の
配線を用いて半導体チツプ内をひき回していた
が、この考案では、従来より細い線で半導体チツ
プ内の数個所に供給出来る。同様に、高速のクロ
ツク信号も半導体チツプの周辺から細い線路を用
いてチツプ各部に伝えることをせずに、半導体チ
ツプ内の数個所に供給可能となる。また、絶縁膜
に設けた穴の形状はあたかもすり鉢状になる。バ
ンプ金属部のバリアメタル用薄膜の形成は一般に
蒸着法又はスパツタ法により行われるので、厚い
膜厚の絶縁膜に設ける穴の断面形状がもし矩形状
であつたり逆テーパ形状であるとこの薄膜を穴の
側壁に良好に形成することやステツプカバレージ
良く形成することがいずれも困難となる。しか
し、穴の形状をすり鉢にできる本願の構成では、
絶縁膜の膜厚が厚いにもかかわらず、穴の底部、
側壁及び絶縁膜表面にわたりバリヤメタル用薄膜
を蒸着法やスパツタ法を用い良好に形成できるか
ら、所望のバンプ金属部を容易に形成できる。
これがため、実装密度が高く、かつ、小型で高
性能な半導体チツプを提供することが出来る。
性能な半導体チツプを提供することが出来る。
第１図はこの考案のバンプ構造の実施例を説明
するための半導体チツプの要部断面図、第２図は
この考案のバンプ構造の参考例を説明するための
半導体チツプの要部断面図、第３図は従来のバン
プ構造を説明するための半導体チツプの要部断面
図である。 ３３……パツド、３５……パツシベーシヨン
膜、３７……パツシベーシヨン膜の穴、３９……
バンプ金属部、４１……バリアメタル、４３……
バンプ金属、４５……バンプ、５１……絶縁膜、
５３……絶縁膜の穴。
するための半導体チツプの要部断面図、第２図は
この考案のバンプ構造の参考例を説明するための
半導体チツプの要部断面図、第３図は従来のバン
プ構造を説明するための半導体チツプの要部断面
図である。 ３３……パツド、３５……パツシベーシヨン
膜、３７……パツシベーシヨン膜の穴、３９……
バンプ金属部、４１……バリアメタル、４３……
バンプ金属、４５……バンプ、５１……絶縁膜、
５３……絶縁膜の穴。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体チツプのパツドと、パツシベーシヨン
膜と、該パツシベーシヨン膜に設けた穴と、該
穴を介して該パツド及び該パツシベーシヨン膜
の間に設けたバンプ金属部とを有する半導体チ
ツプのバンプ構造において、 パツシベーシヨン膜上に該パツシベーシヨン
膜の厚みよりも厚い絶縁膜を設けてあり、 該絶縁膜の、前記パツシベーシヨン膜に設け
た穴と対応する位置に、該パツシベーシヨン膜
側の開口面積が該パツシベーシヨン膜に設けら
れた穴の開口面積と同程度の穴であつて、該絶
縁膜の表面に向かうに従い開口面積が大きくさ
れている穴を設けてあり、 該パツシベーシヨン膜及び絶縁膜に設けた穴
を介して、前記パツドと前記絶縁膜表面との間
にバリアメタル及びバンプ金属で構成したバン
プ金属部を設けてあり、 前記パツドの大きさを前記パンプ金属部の前
記絶縁膜上での大きさより小さくしてあること を特徴とする半導体チツプのバンプ構造。 (2) 前記絶縁膜の厚みを５〜20μmの厚みとした
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
項に記載の半導体チツプのバンプ構造。 (3) 前記絶縁膜を耐熱性ポリイミド樹脂としたこ
とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項
に記載の半導体チツプのバンプ構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985111524U JPH0526738Y2 (ja) | 1985-07-20 | 1985-07-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985111524U JPH0526738Y2 (ja) | 1985-07-20 | 1985-07-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6219741U JPS6219741U (ja) | 1987-02-05 |
| JPH0526738Y2 true JPH0526738Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=30991521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985111524U Expired - Lifetime JPH0526738Y2 (ja) | 1985-07-20 | 1985-07-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526738Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000055898A1 (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-21 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacture thereof, circuit board, and electronic device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4867662U (ja) * | 1971-12-03 | 1973-08-28 | ||
| JPS5334466A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | Electrode construction of semiconductor device |
| JPS57117258A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Ricoh Elemex Corp | Semiconductor device |
| JPS5940550A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-07-20 JP JP1985111524U patent/JPH0526738Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6219741U (ja) | 1987-02-05 |
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