JPH05268016A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH05268016A
JPH05268016A JP4031228A JP3122892A JPH05268016A JP H05268016 A JPH05268016 A JP H05268016A JP 4031228 A JP4031228 A JP 4031228A JP 3122892 A JP3122892 A JP 3122892A JP H05268016 A JPH05268016 A JP H05268016A
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JP
Japan
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input
output
signal
clock signal
clock
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Withdrawn
Application number
JP4031228A
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Inventor
Hisao Harigai
尚夫 針谷
Hiroaki Suzuki
宏明 鈴木
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/04Generating or distributing clock signals or signals derived directly therefrom
    • G06F1/10Distribution of clock signals, e.g. skew

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体集積回路のデータ入出力端子からの信号
の入出力に関し、出力遅延時間を短くし、端子ごとの特
性のばらつきを小さくする。 【構成】同種のデータ入出力端子にたいしては同一の入
出力ブロック30を使用する。又、2つの合同なクロッ
クドライバ13,14をチップの相対する辺の縁辺に配
置して内部クロックのスキューを小さくすることにより
各端子の入出力特性を揃える。入出力ブロック30の出
力ラッチ34および出力スリーステートバッファ35の
制御には、クロックドライバ13,14の入力信号CL
2Xを使用することにより、外部クロックからの出力遅
延時間を小さくする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に、マイクロプロセッサ用や記憶装置用の半導体集積
回路のように、動作のタイミングが外部から入力される
クロック信号によって規定される半導体集積回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体集積回路について、マイク
ロプロセッサを例にして説明する。近年、マイクロプロ
セッサにおいては内部クロックの動作周波数が飛躍的に
増大し、25MHz程度の動作周波数を持つものも多く
なってきている。マイクロプロセッサの内部処理性能の
向上に伴い、マイクロプロセッサがアドレス・バスやデ
ータ・バスを介して外部のメモリ等の資源をアクセスし
てデータを授受する能力がネックとなり、内部処理性能
向上の妨げとなる。これをバス・ネックと呼ぶ。そこ
で、このように内部処理性能が高いマイクロプロセッサ
では、バス・ネックを和らげるために、バス・サイクル
に要する時間を短縮してバスの使用効率を向上させるこ
とを目的として、バス・サイクルを最小2クロックで1
サイクルにすることが多い。
【0003】一方、1バス・サイクルに要する時間が短
くなれば、マイクロプロセッサのアドレス信号やバス・
サイクル制御信号などの出力信号のクロックからの遅延
時間を小さく押える事が重要になって来る。例えば、2
5MHzの内部クロックの動作周波数をもつマイクロプ
ロセッサが2クロックで1バス・サイクルを実行する
と、1バス・サイクルについて80nsecの時間を要
するのみである。
【0004】図5は、従来のマイクロプロセッサのブロ
ック図である。図5において、10はマイクロプロセッ
サの内部クロック生成ブロック、11はクロック入力端
子のパッドである。12はクロック入力パッドから入力
される外部クロック信号を入力して波形整形するクロッ
ク入力バッファである。13はクロック入力バッファ1
2の出力を入力として非重複2相の第1内部クロックC
LK1 と第2内部クロックCLK2 とを生成するクロッ
クドライバである。14は、クロック入力ドライバ13
と全く同一の回路構成で合同なレイアウトのクロックド
ライバであり、非重複2相の第1内部クロックCLK1
と第2内部クロックCLK2 とを生成する。図5に示す
ように、クロック入力ドライバ13,14で生成される
第1内部クロックCLK1 と第2内部クロックCLK2
とはそれぞれ、第1内部クロックCLK1 用のクロック
信号路と第2内部クロックCLK2 用のクロック信号路
を共用する。
【0005】20はマイクロプロセッサの入出力制御回
路であって、第1内部クロックCLK1 同期の制御信号
OCSと、第1内部クロックCLK1 同期の出力ラッチ
のラッチ制御信号LTCと、第1内部クロックCLK1
同期の入力マスク信号IPMとを生成する。ラッチ制御
信号LTCは、データ出力バス・サイクル開始の第1内
部クロックCLK1 に同期して、1回のデータ出力バス
・サイクルに対して1回、1クロック分だけアクティブ
(ハイレベル)になる信号である。制御信号OCSは、
データ出力バス・サイクル開始前の第1内部クロックC
LK1 に同期して、1回のデータ出力バス・サイクルに
対して1回、バス・サイクルが終了するタイミングの第
1内部クロックCLK1 までアクティブ(ハイレベル)
になる信号である。21は、第2内部クロックCLK2
をラッチ信号として制御信号OCSを入力し、第2内部
クロックCLK2 同期の出力制御信号OPCを生成する
ラッチである。入力マスク信号IPMは、マイクロプロ
セッサがデータを入力しない時に第1内部クロックCL
1 同期でアクティブ(ハイレベル)になる。
【0006】30は、マイクロプロセッサの1ビット分
のデータ入出力ブロック、31はデータ入出力端子のパ
ッドである。32は、データ入出力端子パッド31に入
力されるデータを入力とする入力バッファ、33は、入
力バッファ32の出力を入力とし、第2内部クロックC
LK2 をラッチ信号とする入力ラッチである。入力ラッ
チ33に第1内部クロックCLK1 のタイミングでラッ
チされたデータは、内部信号路41を経由して入力デー
タレジスタ40へ伝達される。50は出力データレジス
タであり、マイクロプロセッサの外部へ出力されるデー
タが第1内部クロックCLK1 同期のタイミングで保持
され、内部信号路51により出力ラッチ34へ入力され
る。出力ラッチ34は、内部信号路51により伝達され
る出力データレジスタ50の内容を入力し、第2内部ク
ロックCLK2 をマスククロックとして出力ラッチ制御
信号LTCによりラッチ制御される出力ラッチである。
35は、出力ラッチ34の出力を入力してデータ入出力
端子のパッド31へ出力する出力スリーステートバッフ
ァで、出力制御信号OPCにより出力の活性状態・不活
性状態(ハイインピーダンス状態)を制御される。
【0007】図6は、従来のマイクロプロセッサの動作
を説明するタイミングチャートである。図6において、
いま、タイミングT60からタイミングT65までの2クロ
ックプロセッサのデータ出力バス・サイクルであるとす
る。マイクロプロセッサのタイミング規格値は全て外部
クロック信号CLKを規準として決定されている。たと
えば、データ出力遅延時間は外部クロック信号CLKの
立下り(タイミングT61)からこのデータの確定(タイ
ミングT64)までの時間が規定されている。このデータ
出力遅延時間は前述したように、データ出力は出力制御
信号OPCがアクティブになって(タイミングT63)か
ら、出力スリーステートバッファ35が外部負荷容量を
駆動し終わるまでの時間である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術ではタイミ
ングT61からタイミングT64までのデータ出力遅延時間
には、外部クロック信号CLKの立下りから第2内部ク
ロックCLK2 の立上がりまでの遅延時間、つまり内部
クロック生成ブロック10の内部遅延時間(タイミング
61からタイミングT62までの時間)が含まれる。
【0009】一般にCMOSトランジスタで構成される
マイクロプロセッサにおいては、内部クロック生成ブロ
ック10の内部遅延時間は5〜10nsec程度であ
る。マイクロプロセッサの動作周波数が高くなるにつれ
て、前述のようにバス・サイクルの時間が短くなり、そ
れにともなってデータ出力遅延時間は短くする必要があ
る。前述のように25MHzのマイクロプロセッサにお
いて2クロック・バス・サイクルであれば80nsec
の1バス・サイクルに対して、5〜10nsec内部ク
ロック生成ブロック10の内部遅延時間は無視できない
ほど大きい。 また、さらにマイクロプロセッサの動作
周波数が高くなるに伴いチップの自己発熱が増加する
と、この内部クロック生成ブロック10内部遅延時間が
増加することから、データ出力遅延時間がさらに大きく
なってしまう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、外部から入力されるクロック信号を受け、この外部
クロック信号と同相の第1中間クロック信号と、前記外
部クロック信号と逆相の第2中間クロック信号とを生成
するクロック入力バッファと、前記第1中間クロック信
号を入力として、前記外部クロック信号と同相の第1内
部クロック信号および前記外部クロック信号とは逆相の
第2内部クロック信号の、非重複2層の2つの内部クロ
ック信号を生成するクロックドライバと、少なくとも、
前記第2中間クロック信号同期の出力制御信号とラッチ
制御信号とを生成する入出力制御回路と、入力端が入出
力端子に接続され、この入出力端子を介して入力される
入力信号の波形整形を行なう入力バッファと、前記第1
内部クロック信号および前記第2内部クロック信号の何
れか一方により制御され、前記入力バッファの出力をラ
ッチする入力ラッチと、前記第2中間クロック信号と前
記ラッチ制御信号とにより制御され、出力すべき信号を
ラッチする出力ラッチと、前記出力制御信号によって制
御され、前記出力ラッチの出力を前記入出力端子に出力
するスリーステートバッファとを含んでいる。
【0011】そして、この半導体集積回路は、チップ上
では、前記入力バッファ,前記入力ラッチ,前記出力ラ
ッチおよび前記スリーステートバッファが一体として密
集配置されてなる入出力機能ブロックが、対応する入出
力端子の近傍に配置され、同一機能,同一タイミングお
よび同一負荷容量が規定されている入出力端子に対し
て、同一構成の入出力機能ブロックが使用されるように
構成されている。
【0012】又、前記クロックドライバは、チップの相
対する二辺の縁辺にそれぞれ配置されそれぞれ前記第1
中間クロック信号を入力として前記非重複の第1内部ク
ロック信号および第2内部クロック信号を生成する、合
同な2つのクロックドライバからなり、前記2つのクロ
ックドライバのそれぞれが生成する第1内部クロック信
号および第2内部クロック信号は、それぞれ第1内部ク
ロック信号用の信号路および第2内部クロック信号用の
信号路を共有し、前記外部クロック信号が入力されるパ
ッドおよび前記クロック入力バッファが一体として密集
配置されてなるブロックが、チップの前記相対する二辺
とは異なる第3の辺の縁辺に、前記クロック入力バッフ
ァから前記2つのクロックドライバのそれぞれまでの配
線長が等しくなるように配置されていることを特徴とし
ている。
【0013】
【実施例】次に本発明の好適な実施例について、図面を
参照して説明する。図1は本発明の一実施例のブロック
図である。図1において、10は、マイクロプロセッサ
の内部クロック生成ブロック、11はクロック入力端子
のパッドである。12は、クロック入力パッド11から
入力される外部クロック信号CLKを入力して波形整形
し、第1中間クロックCLK1Xと第2中間クロックCL
2Xとを生成するクロック入力バッファである。第1中
間クロックCLK1Xは外部クロック信号CLKと同相、
第2中間クロックCLK2Xは外部クロック信号CLKと
逆相である。13は、第1中間クロックCLK1Xを入力
として非重複2相の第1内部クロックCLK1 と第2内
部クロックCLK2 とを生成するクロックドライバであ
る。14は、クロックドライバ13と全く同一の回路構
成、合同なレイアウトのクロックドライバであり、非重
複2相の第1内部クロックCLK1 と第2内部クロック
CLK2 とを生成する。図1に示すように、クロックド
ライバ13および14で生成される第1内部クロックC
LK1 と第2内部クロックCLK2 とはそれぞれ、第1
内部クロックCLK1 用のクロック信号路と、第2内部
クロックCLK2用のクロック信号路を共用する。
【0014】20は本実施例の入出力制御回路であり、
第1内部クロックCLK1 同期の制御信号OCSと、第
1内部クロックCLK1 同期の出力ラッチのラッチ制御
信号LTCと第1内部クロックCLK1 同期の入力マス
ク信号IPMとを生成する。ラッチ制御信号LTCは、
データ出力バス・サイクル開始の第1内部クロックCL
1 に同期して、1回のデータ出力バス・サイクルに対
して1回、1クロック分だけアクティブ(ハイレベル)
になる信号である。制御信号OCSは、データ出力バス
・サイクル開始前の第1内部クロックCLK1 に同期し
て、1回のデータ出力バス・サイクルに対して1回、バ
ス・サイクルが終了するタイミングの第1内部クロック
CLK1 までアクティブ(ハイレベル)になる信号であ
る。21は、第2中間クロックCLK2Xをラッチ信号と
して制御信号OCSを入力し、第2中間クロックCLK
2X同期の出力制御信号OPCを生成するラッチである。
入力マスク信号IPMは、マイクロプロセッサがデータ
を入力しない時に第1内部クロックCLK1 同期でアク
ティブ(ハイレベル)になる。
【0015】30は、本実施例の1ビット分のデータ入
出力ブロック、31はデータ入出力端子のパッドであ
る。32は、データ入出力端子パッド31に入力される
データを入力とする入力バッファ、33は、入力バッフ
ァ32の出力を入力とし、第2内部クロックCLK2
ラッチ信号とする入力ラッチである。入力ラッチ33に
第1内部クロックCLK1 のタイミングでラッチされた
データは、内部信号路41を経由して入力データレジス
タ40へ伝達される。50は出力データレジスタであ
り、マイクロプロセッサの外部へ出力されるデータが第
1内部クロックCLK1 同期のタイミングで保持され
る。出力データレジスタ50に保持されているデータは
内部信号路51により出力ラッチ34へ入力される。入
力ラッチ34は内部信号51により伝達される出力デー
タレジスタ50の内容を入力し、第2中間クロックCL
2Xをマスククロックとして出力ラッチ制御信号LTC
によりラッチ制御される出力ラッチである。35は、出
力ラッチ34の出力を入力としてデータ入出力端子のパ
ッド31へ出力する出力スリーステートバッファで、出
力制御信号OPCにより出力の活性状態・不活性状態
(ハイーインピーダンス状態)を制御される。
【0016】図2は、データ入出力ブロック30の内部
を詳細に示す図である。入力バッファ32内の2入力N
ORゲート36は、入力マスク信号IPMがアクティブ
(ハイレベル)になると、他方の入力の入出力端子パッ
ド31から入力されるデータ信号がいかなる値であって
もローレベルを出力する。入力ラッチ33が第2内部ク
ロックCLK2 で制御されるのは、外部からの入力信号
を受けるため、外部クロック信号CLKに対するセット
アップ・ホールド値は規定されているが、第1中間クロ
ックCLK1Xおよび第2中間クロックCLK2Xにたいす
るセットアップ・ホールド値は規定されていないため、
内部での次段のラッチ(第1内部クロックCLK1
期)へデータが突き抜けを防止することが困難であるた
めである。出力スリーステートバッファ35の出力段
は、PチャネルMOSトランジスタPおよびNチャネル
MOSトランジスタで構成されている。37は2入力N
ORゲート、38は2入力NANDゲートであり、出力
制御信号OPCがインアクティブ(ローレベル)のとき
は、図2からわかるように、NORゲート37はローレ
ベルを出力し、NANDゲート38はハイレベルを出力
するので、PチャネルMOSトラジスタPおよびNチャ
ネルMOSトランジスタNはともにオフとなり、スリー
ステート出力バッファ35は不活性状態(ハイーインピ
ーダンス状態)となる。出力制御信号OPCがアクティ
ブ(ハイレベル)のとき、出力ラッチ34の出力がハイ
レベルのときはNORゲート37はローレベルを出力
し、NANDゲート38はローレベルを出力するので、
PチャネルMOSトランジスタPはオフ、NチャネルM
OSトランジスタNはオンとなり、データ入出力端子の
パッド31にはローレベルの信号が出力される。出力制
御信号OPCがアクティブ(ハイレベル)のとき、出力
ラッチ34の出力がローレベルのときはNANDゲート
38はローレベルを出力し、NORゲート37はハイレ
ベルを出力するので、PチャネルMOSトランジスタP
はオン、NチャネルMOSトランジスタNはオフとな
り、データ入出力端子のパッド31にはハイレベルの信
号が出力される。
【0017】図3は、本発明の入出力ブロック30の動
作を説明するタイミングチャートである。図3を参照す
ると、外部クロック信号CLKと第1中間クロックCL
1Xとの間にはT30〜T31の分だけのタイミングのずれ
がある。また外部クロック信号CLKと第1内部クロッ
クCLK1 との間にはT30〜T32の分だけのタイミング
のずれがある。これらのT30〜T31およびT30〜T32
ずれは、マイクロプロセッサのLSIチップに印加され
る電源電圧値、半導体製造プロセス条件、周囲温度など
により増減するが、例えば、T30〜T31は3nsec程
度、T30〜T32は8nsec程度の値である。いまタイ
ミングT30からタイミングT39までの2クロック間がマ
イクロプロセッサのデータ出力バス・サイクルであると
する。本マイクロプロセッサのタイミング規格値は全て
外部クロック信号CLKを規準として規定されている。
たとえば、データ出力遅延時間は外部クロック信号CL
Kの立下り(タイミングT33)からデータの確定(タイ
ミングT35)までの時間が規定されている。このデータ
出力遅延時間は前述したように、データ出力は出力制御
信号OPCがアクティブになって(タイミングT34)P
MOSトランジスタPまたはNMOSトンジスタNのい
づれか一方のトランジスタのゲート信号がアクティブに
なってから、このトランジスタが外部負荷を駆動し終る
までの時間である。本実施例においては、このデータ出
力遅延を短くするために出力制御信号OPCを第2中間
クロックCLK2X同期にすることにより(タイミングT
34)、第2内部クロックCLK2 同期にするよりも、例
えば約5nsecデータ出力遅延を短くすることができ
る。
【0018】しかしながら、第2中間クロックCLK2X
と第1内部クロックCLK1 とは非重複の関係ではない
ので、例えば、図3の出力ラッチ制御信号LTCの波形
に破線で示したように、このラッチ制御信号LTCの第
1内部クロックCLK1 からのディレイ値が第1内部ク
ロックCLK1 のハイレベル期間と同等であると、ラッ
チ制御信号LTCの信号の立下り(タイミングT37)近
傍で第2中間クロックCLK2Xの立上がり(タイミング
36)が重なって、出力ラッチ34のラッチ信号に、通
称「びげ」と呼ばれるスパイクが発生して出力ラッチ3
4の内容が書き変り、タイミングT38に破線で示すよう
にデータ出力に誤動作が生じてしまう。
【0019】この誤動作を避けるためには、第1内部ク
ロックCLK1 ,第2内部クロックCLK2 ,第1中間
クロックCLK1Xおよび第2中間クロックCLK2Xのば
らつきを押えることと、制御信号OCSやラッチ制御信
号LTCの第1内部クロックCLK1 および第2内部ク
ロックCLK2 からの遅延時間を充分に小さく押える事
が必要である。本実施例では、チップ上での回路のレイ
アウトを工夫してこれを実現している。
【0020】図4は、本実施例のレイアウトのフロアプ
ランの一例である。60は32ビットマイクロプロセッ
サのチップである。30は、チップ60上のデータ入出
力端子に対応する入出力ブロックであり、ビット0から
ビット31のデータ入出力端子のそれぞれに対応して、
32個の入出力ブロックが設けられている。尚、図4で
は簡単のため、図1中の入力データレジスタ40と出力
データレジスタ50とをまとめてデータレジスタブロッ
ク61で示してある。又、図1中の入力データ・レジス
タ40から入力ラッチ33までの内部信号路41および
出力データ・レジスタ50から出力ラッチ34までの内
部信号路51もまとめて内部信号路62で示してある。
【0021】2つのクロックドライバ13,14は、チ
ップ60の上辺と下辺の縁辺にそれぞれ配置されてい
る。又、チップ60の左辺の中央部には、クロック入力
パッド11が設けられ、このクロック入力パッド11に
近接してクロック入力バッファ12が配置されている。
この配置により、本実施例では、外部クロック信号CL
Kが入力されてから第1中間クロックCLK1 の生成ま
での遅延時間を小さく抑えている。又、クロック入力バ
ッファ12からクロックドライバ13までの第1中間ク
ロックCLK1Xの信号線の長さと、クロック入力バッフ
ァ12からクロックドライバ14までの第1中間クロッ
クCLK1Xの信号線の長さとが等しくなるので、2つの
クロックドライバの入力信号のスキューが最小になる。
そして、前述のように、2つのクロックドライバ13,
14は合同であるので、クロックドライバ13が生成す
る第1内部クロックCLK1 および第2内部クロックC
LK2 と、クロックドライバ14が生成する第1内部ク
ロックCLK1 および第2内部クロックCLK2 とはそ
れぞれ位相が揃っていることが期待できる。
【0022】更に、図4に示すように、2つのクロック
ドライバ13,14から出力される第2内部クロックC
LK2 は1系統の信号線に出力され、第2内部クロック
CLK2 用の信号線はチップ60の外周部を一周して、
32個の入出力ブロック30に同等に入力されることに
より、入出力ブロックの位置による第2内部クロックC
LK2 のスキューを最小限に押えることができる。ま
た、チップ60の32ビットのデータ入出力端子はパッ
ドを含めて全く同一の入出力ブロック30を使用する。
従って入力ラッチ33のラッチ信号の第2内部クロック
CLK2 のスキューが小さくなる。そして、同一の入出
力ブロックを使用しているので、データ入力出力端子の
パッド31から入力される入力信号の、外部クロック信
号CLKに対するセットアップ時間,ホールド時間の特
性は、データ入出力端子のような同種の複数の各端子間
においてもばらつきが少なくなる。
【0023】例えば、出力データレジスタ50が図4に
示した位置に配置されていても、32ビットのデータ入
出力端子の各ビットの内部信号路51のチップ60上の
配線の長さは、ビットにより入出力ブロックが配置され
ている位置が異なるので、数百μmから数千μmまで大
きく異なる。この配線の差異による遅延時間の差異は無
視できないので、チップ60上のレイアウト後に配線長
に依存した信号の遅延時間を算出し、遅延時間を一定の
値以下に押えるように出力データレジスタ50の出力バ
ッファ・サイズを調整する。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、外
部クロック信号に対するデータ入出力端子からのデータ
出力遅延時間を短くし、同時に動作する多ビットのデー
タ入出力端子について、出力遅延時間およびそのばらつ
きを小さくすることが可能となる。
【0025】この事により、本発明の半導体集積回路を
使用した情報処理システムの作成が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。
【図2】図1中の入出力ブロック30の構成の一例を論
理回路レベルで示す図である。
【図3】図1に示す実施例の動作を説明するためのタイ
ミングチャート図である。
【図4】図1に示す実施例のチップ上のレイアウトのフ
ロアプランの一例を示す図である。
【図5】従来の半導体集積回路の構成の一例を示すブロ
ック図である。
【図6】図5に示す従来の半導体集積回路の動作を説明
するためのタイミングチャート図である。
【符号の説明】
10 内部クロック生成ブロック 11 クロック入力パッド 12 クロック入力バッファ 13,14 クロックドライバ 20 入出力制御回路 21 ラッチ 30 データ入出力端子パッド 31 入力バッファ 32 入力バッファ 33 入力ラッチ 34 出力ラッチ 35 スリーステートバッファ 36,37 NORゲート 38 NANDゲート 40 入力データレジスタ 41,52,62 内部信号路 50 出力データレジスタ 60 チップ 61 データレジスタブロック

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部から入力されるクロック信号を受
    け、この外部クロック信号と同相の第1中間クロック信
    号と、前記外部クロック信号と逆相の第2中間クロック
    信号とを生成するクロック入力バッファと、 前記第1中間クロック信号を入力として、前記外部クロ
    ック信号と同相の第1内部クロック信号および前記外部
    クロック信号とは逆相の第2内部クロック信号の、非重
    複2層の2つの内部クロック信号を生成するクロックド
    ライバと、 少なくとも、前記第2中間クロック信号同期の出力制御
    信号とラッチ制御信号とを生成する入出力制御回路と、 入力端が入出力端子に接続され、この入出力端子を介し
    て入力される入力信号の波形整形を行なう入力バッファ
    と、 前記第1内部クロック信号および前記第2内部クロック
    信号の何れか一方により制御され、前記入力バッファの
    出力をラッチする入力ラッチと、 前記第2中間クロック信号と前記ラッチ制御信号とによ
    り制御され、出力すべき信号をラッチする出力ラッチ
    と、 前記出力制御信号によって制御され、前記出力ラッチの
    出力を前記入出力端子に出力するスリーステートバッフ
    ァとを含む半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記入力バッファ,前記入力ラッチ,前
    記出力ラッチおよび前記スリーステートバッファが一体
    として密集配置されてなる入出力機能ブロックが、対応
    する入出力端子の近傍に配置され、 同一機能,同一タイミングおよび同一負荷容量が規定さ
    れている入出力端子に対して、同一構成の入出力機能ブ
    ロックが使用されていることを特徴とする請求項1記載
    の半導体集積回路。
  3. 【請求項3】 前記クロックドライバは、チップの相対
    する二辺の縁辺にそれぞれ配置されそれぞれ前記第1中
    間クロック信号を入力として前記非重複の第1内部クロ
    ック信号および第2内部クロック信号を生成する、合同
    な2つのクロックドライバからなり、 前記2つのクロックドライバのそれぞれが生成する第1
    内部クロック信号および第2内部クロック信号は、それ
    ぞれ第1内部クロック信号用の信号路および第2内部ク
    ロック信号用の信号路を共有し、 前記外部クロック信号が入力されるパッドおよび前記ク
    ロック入力バッファが一体として密集配置されてなるブ
    ロックが、チップの前記相対する二辺とは異なる第3の
    辺の縁辺に、前記クロック入力バッファから前記2つの
    クロックドライバのそれぞれまでの配線長が等しくなる
    ように配置されていることを特徴とする請求項1記載の
    半導体集積回路。
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