JPH05281424A - 基板型光導波路 - Google Patents
基板型光導波路Info
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- JPH05281424A JPH05281424A JP8245892A JP8245892A JPH05281424A JP H05281424 A JPH05281424 A JP H05281424A JP 8245892 A JP8245892 A JP 8245892A JP 8245892 A JP8245892 A JP 8245892A JP H05281424 A JPH05281424 A JP H05281424A
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- optical waveguide
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- stress relaxation
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明の基板型光導波路１１は、基板１２上
に光導波路１５を形成してなる基板型光導波路におい
て、基板１２と光導波路１５との間に応力緩和層１３を
設け、該応力緩和層１３は、基板１２及び光導波路１５
のいずれよりも線膨張係数の大きな材料からなることを
特徴とする。また、応力緩和層１３の両面に拡散防止層
を形成してもよい。 【効果】 応力緩和層が冷却時において塑性変形して応
力を緩和し、基板の歪曲を大幅に小さくすることがで
き、当該基板の平坦度を向上させることができる。した
がって、フォトリソグラフィにおいて基板上の光導波路
層にマスクパターンを密着させることが容易にでき、転
写の精度を向上させることができる。また、応力緩和層
を構成する元素が基板や光導波路へ熱拡散するのを防止
することができる。
に光導波路１５を形成してなる基板型光導波路におい
て、基板１２と光導波路１５との間に応力緩和層１３を
設け、該応力緩和層１３は、基板１２及び光導波路１５
のいずれよりも線膨張係数の大きな材料からなることを
特徴とする。また、応力緩和層１３の両面に拡散防止層
を形成してもよい。 【効果】 応力緩和層が冷却時において塑性変形して応
力を緩和し、基板の歪曲を大幅に小さくすることがで
き、当該基板の平坦度を向上させることができる。した
がって、フォトリソグラフィにおいて基板上の光導波路
層にマスクパターンを密着させることが容易にでき、転
写の精度を向上させることができる。また、応力緩和層
を構成する元素が基板や光導波路へ熱拡散するのを防止
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光情報処理シ
ステム等に用いられる基板型光導波路に係り、更に詳し
くは、基板の歪曲を抑制することにより当該基板の平坦
度が向上した基板型光導波路に関するものである。
ステム等に用いられる基板型光導波路に係り、更に詳し
くは、基板の歪曲を抑制することにより当該基板の平坦
度が向上した基板型光導波路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信システム、光情報処理シス
テム等の分野においては、高速化、小型化への要求が高
まる一方であり、これらのシステムを構成する光デバイ
スや光コンポーネント等に対しても小型化、高速化、高
信頼性に対する要求が高まる一方である。そして、これ
らの光デバイスの一つに、例えば図３に示すような石英
系基板型光導波路１があるが、これはシリコン（Ｓｉ）
単結晶等の基板２の上に石英（ＳｉＯ2）ガラス等から
なる光導波路３を形成したものである。この石英系基板
型光導波路は、光通信システムにおいて用いられている
石英系光ファイバとの整合性に優れ、また、低損失、高
信頼性、小型等の様々な特徴もある。
テム等の分野においては、高速化、小型化への要求が高
まる一方であり、これらのシステムを構成する光デバイ
スや光コンポーネント等に対しても小型化、高速化、高
信頼性に対する要求が高まる一方である。そして、これ
らの光デバイスの一つに、例えば図３に示すような石英
系基板型光導波路１があるが、これはシリコン（Ｓｉ）
単結晶等の基板２の上に石英（ＳｉＯ2）ガラス等から
なる光導波路３を形成したものである。この石英系基板
型光導波路は、光通信システムにおいて用いられている
石英系光ファイバとの整合性に優れ、また、低損失、高
信頼性、小型等の様々な特徴もある。
【０００３】石英系基板型光導波路の製造方法として
は、通常、Ｓｉ単結晶等の基板の上に、ＦＨＤ法やＬＰ
（減圧：Low Pressure）ＣＶＤ法等により石英（ＳｉＯ
2）ガラス等からなる光導波路を形成する方法が一般的
である。例えば、ＦＨＤ法によりＳｉ基板上に石英（Ｓ
ｉＯ2）ガラスの光導波路層を形成するには、Ｓｉ基板
上に石英ガラス粉体を火炎堆積し、次いで、このＳｉ基
板を１４００℃程度に加熱し前記石英ガラス粉体を焼結
させて光導波路層とする。次いで、フォトリソグラフィ
により該光導波路層をパターン形成して分岐結合回路や
光スイッチ回路とする。
は、通常、Ｓｉ単結晶等の基板の上に、ＦＨＤ法やＬＰ
（減圧：Low Pressure）ＣＶＤ法等により石英（ＳｉＯ
2）ガラス等からなる光導波路を形成する方法が一般的
である。例えば、ＦＨＤ法によりＳｉ基板上に石英（Ｓ
ｉＯ2）ガラスの光導波路層を形成するには、Ｓｉ基板
上に石英ガラス粉体を火炎堆積し、次いで、このＳｉ基
板を１４００℃程度に加熱し前記石英ガラス粉体を焼結
させて光導波路層とする。次いで、フォトリソグラフィ
により該光導波路層をパターン形成して分岐結合回路や
光スイッチ回路とする。
【０００４】また、ＬＰＣＶＤ法によりＳｉ基板上に石
英（ＳｉＯ2）ガラスの光導波路層を形成するには、Ｓ
ｉ基板と光導波路層との密着性を高め、かつ滑らかな表
面を得るために、３００〜６００℃に加熱したＳｉ基板
上に石英ガラス層を堆積し光導波路層とする。次いで、
フォトリソグラフィにより該光導波路層をパターン形成
して分岐結合回路や光スイッチ回路とする。
英（ＳｉＯ2）ガラスの光導波路層を形成するには、Ｓ
ｉ基板と光導波路層との密着性を高め、かつ滑らかな表
面を得るために、３００〜６００℃に加熱したＳｉ基板
上に石英ガラス層を堆積し光導波路層とする。次いで、
フォトリソグラフィにより該光導波路層をパターン形成
して分岐結合回路や光スイッチ回路とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したフォトリソグ
ラフィによるパターン形成において、微細かつ正確なマ
スクパターンを転写するためには、平坦な基板にマスク
パターンを密着させる必要がある。ところが石英の線膨
張係数は１．６×１０-7／deg、またＳｉの線膨張係数
は２．６×１０-6／degであるから、図４に示すように
高温において光導波路層４が形成された基板２を室温ま
で冷却した場合、これらの線膨張係数の差に基づく熱応
力により基板２が歪曲し、例えば、３インチのＳｉウエ
ハの場合では中央部が２〜３ｍｍ程度も持ち上がってし
まい平坦度が低下してしまうこととなる。したがって、
フォトリソグラフィにおいては基板にマスクパターンを
密着させることが困難になり、転写の精度が低下すると
いう欠点があった。
ラフィによるパターン形成において、微細かつ正確なマ
スクパターンを転写するためには、平坦な基板にマスク
パターンを密着させる必要がある。ところが石英の線膨
張係数は１．６×１０-7／deg、またＳｉの線膨張係数
は２．６×１０-6／degであるから、図４に示すように
高温において光導波路層４が形成された基板２を室温ま
で冷却した場合、これらの線膨張係数の差に基づく熱応
力により基板２が歪曲し、例えば、３インチのＳｉウエ
ハの場合では中央部が２〜３ｍｍ程度も持ち上がってし
まい平坦度が低下してしまうこととなる。したがって、
フォトリソグラフィにおいては基板にマスクパターンを
密着させることが困難になり、転写の精度が低下すると
いう欠点があった。
【０００６】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、基板の歪曲を抑制することにより当該基板
の平坦度が向上した基板型光導波路を提供することにあ
る。
のであって、基板の歪曲を抑制することにより当該基板
の平坦度が向上した基板型光導波路を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な基板型光導波路を採用した。すな
わち、請求項１記載の基板型光導波路は、基板上に光導
波路を形成してなる基板型光導波路において、前記基板
と光導波路との間に応力緩和層が形成され、該応力緩和
層は、前記基板及び光導波路のいずれよりも線膨張係数
の大きな材料からなることを特徴としている。
に、本発明は次の様な基板型光導波路を採用した。すな
わち、請求項１記載の基板型光導波路は、基板上に光導
波路を形成してなる基板型光導波路において、前記基板
と光導波路との間に応力緩和層が形成され、該応力緩和
層は、前記基板及び光導波路のいずれよりも線膨張係数
の大きな材料からなることを特徴としている。
【０００８】また、請求項２記載の基板型光導波路は、
基板上に光導波路を形成してなる基板型光導波路におい
て、前記基板上に応力緩和層、光導波路層が順次形成さ
れ、該光導波路層の上部はストライプ状に形成されて光
導波路とされ、前記応力緩和層は、前記基板及び光導波
路層のいずれよりも線膨張係数の大きな材料からなるこ
とを特徴としている。
基板上に光導波路を形成してなる基板型光導波路におい
て、前記基板上に応力緩和層、光導波路層が順次形成さ
れ、該光導波路層の上部はストライプ状に形成されて光
導波路とされ、前記応力緩和層は、前記基板及び光導波
路層のいずれよりも線膨張係数の大きな材料からなるこ
とを特徴としている。
【０００９】また、請求項３記載の基板型光導波路は、
請求項１または２記載の基板型光導波路において、前記
応力緩和層の両面に拡散防止層を形成してなることを特
徴としている。
請求項１または２記載の基板型光導波路において、前記
応力緩和層の両面に拡散防止層を形成してなることを特
徴としている。
【００１０】
【作用】本発明の請求項１または２記載の基板型光導波
路では、高温において光導波路層が形成された基板を室
温まで冷却した場合、応力緩和層の線膨張係数が光導波
路層や基板よりも大きいために、この応力緩和層が冷却
時において塑性変形し応力を緩和する。これより、基板
の歪曲が大幅に小さくなり、当該基板の平坦度が向上す
る。したがって、フォトリソグラフィにおいて基板にマ
スクパターンを密着させることが容易になり、転写の精
度が向上する。
路では、高温において光導波路層が形成された基板を室
温まで冷却した場合、応力緩和層の線膨張係数が光導波
路層や基板よりも大きいために、この応力緩和層が冷却
時において塑性変形し応力を緩和する。これより、基板
の歪曲が大幅に小さくなり、当該基板の平坦度が向上す
る。したがって、フォトリソグラフィにおいて基板にマ
スクパターンを密着させることが容易になり、転写の精
度が向上する。
【００１１】また、請求項３記載の基板型光導波路で
は、前記応力緩和層の両面に拡散防止層を形成すること
により、該拡散防止層が、応力緩和層を構成する元素が
基板や光導波路へ熱拡散化合物化することを防止する。
は、前記応力緩和層の両面に拡散防止層を形成すること
により、該拡散防止層が、応力緩和層を構成する元素が
基板や光導波路へ熱拡散化合物化することを防止する。
【００１２】
（実施例１）図１は、本発明の実施例１の基板型光導波
路１１を示す正断面図である。この基板型光導波路１１
は、厚み３５０μｍのＳｉ基板１２上に、蒸着法、スパ
ッタ法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法等の薄膜形成
法により厚み２０００オングストロームの応力緩和層１
３を形成し、該応力緩和層１３上に、ＦＨＤ法やＬＰＣ
ＶＤ法により厚み８０μｍの石英ガラス層（光導波路
層）１４を形成し、次いで、フォトリソグラフィにより
該石英ガラス層１４をパターン形成して分岐結合回路や
光スイッチ回路等の光導波路１５としたものである。
路１１を示す正断面図である。この基板型光導波路１１
は、厚み３５０μｍのＳｉ基板１２上に、蒸着法、スパ
ッタ法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法等の薄膜形成
法により厚み２０００オングストロームの応力緩和層１
３を形成し、該応力緩和層１３上に、ＦＨＤ法やＬＰＣ
ＶＤ法により厚み８０μｍの石英ガラス層（光導波路
層）１４を形成し、次いで、フォトリソグラフィにより
該石英ガラス層１４をパターン形成して分岐結合回路や
光スイッチ回路等の光導波路１５としたものである。
【００１３】前記応力緩和層１３は、Ｓｉ基板１２及び
石英ガラス層１４のいずれよりも線膨張係数の大きな材
料からなるもので、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の展性に富む金属が好適
に用いられる。これらの金属の線膨張係数は、Ｐｔが
１．０２１×１０-5／deg（１６〜１００℃）、Ａｕが
１．４４３×１０ー5／deg（４０℃）、Ａｌが２．３１
３×１０-5／degである。
石英ガラス層１４のいずれよりも線膨張係数の大きな材
料からなるもので、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の展性に富む金属が好適
に用いられる。これらの金属の線膨張係数は、Ｐｔが
１．０２１×１０-5／deg（１６〜１００℃）、Ａｕが
１．４４３×１０ー5／deg（４０℃）、Ａｌが２．３１
３×１０-5／degである。
【００１４】この基板型光導波路１１では、Ｓｉ基板１
２上に応力緩和層１３及び石英ガラス層１４を形成しそ
の後室温まで冷却した場合、応力緩和層１３の線膨張係
数がＳｉ基板１２や石英ガラス層１４よりも大きいため
に、この応力緩和層１３が冷却時において塑性変形し応
力を緩和する。これより、Ｓｉ基板１２の歪曲が大幅に
小さくなり、当該Ｓｉ基板の平坦度が向上する。したが
って、フォトリソグラフィにおいてＳｉ基板１２上の石
英ガラス層１４にマスクパターンを密着させることが容
易になり、転写の精度が向上する。
２上に応力緩和層１３及び石英ガラス層１４を形成しそ
の後室温まで冷却した場合、応力緩和層１３の線膨張係
数がＳｉ基板１２や石英ガラス層１４よりも大きいため
に、この応力緩和層１３が冷却時において塑性変形し応
力を緩和する。これより、Ｓｉ基板１２の歪曲が大幅に
小さくなり、当該Ｓｉ基板の平坦度が向上する。したが
って、フォトリソグラフィにおいてＳｉ基板１２上の石
英ガラス層１４にマスクパターンを密着させることが容
易になり、転写の精度が向上する。
【００１５】以上説明した様に、上記実施例１の基板型
光導波路１１によれば、Ｓｉ基板１２上に応力緩和層１
３及び石英ガラス層１４を形成したので、この応力緩和
層１３が冷却時において塑性変形して応力を緩和し、Ｓ
ｉ基板１２の歪曲を大幅に小さくすることができ、当該
Ｓｉ基板の平坦度を向上させることができる。したがっ
て、フォトリソグラフィにおいてＳｉ基板１２上の石英
ガラス層１４にマスクパターンを密着させることが容易
にでき、転写の精度を向上させることができる。
光導波路１１によれば、Ｓｉ基板１２上に応力緩和層１
３及び石英ガラス層１４を形成したので、この応力緩和
層１３が冷却時において塑性変形して応力を緩和し、Ｓ
ｉ基板１２の歪曲を大幅に小さくすることができ、当該
Ｓｉ基板の平坦度を向上させることができる。したがっ
て、フォトリソグラフィにおいてＳｉ基板１２上の石英
ガラス層１４にマスクパターンを密着させることが容易
にでき、転写の精度を向上させることができる。
【００１６】（実施例２）図２は本発明の実施例２の基
板型光導波路２１を示す正断面図である。なお、図２に
おいて図１と同一の構成要素には同一の符号を付してあ
り説明を省略する。この基板型光導波路２１は、Ｓｉ基
板１２上に、蒸着法により厚み４０００オングストロー
ムの拡散防止層２２、蒸着法、スパッタ法、ＭＢＥ（分
子線エピタキシー）法等の薄膜形成法により応力緩和層
１３、蒸着法により厚み４０００オングストロームの拡
散防止層２３を順次形成し、更に酸化雰囲気中において
加熱処理することにより前記拡散防止層２３の表面に酸
化膜２４を形成し、該応力緩和層１３上に、ＦＨＤ法や
ＬＰＣＶＤ法により石英ガラス層１４を形成し、次い
で、フォトリソグラフィにより該石英ガラス層１４をパ
ターン形成して分岐結合回路や光スイッチ回路等の光導
波路１５としたものである。
板型光導波路２１を示す正断面図である。なお、図２に
おいて図１と同一の構成要素には同一の符号を付してあ
り説明を省略する。この基板型光導波路２１は、Ｓｉ基
板１２上に、蒸着法により厚み４０００オングストロー
ムの拡散防止層２２、蒸着法、スパッタ法、ＭＢＥ（分
子線エピタキシー）法等の薄膜形成法により応力緩和層
１３、蒸着法により厚み４０００オングストロームの拡
散防止層２３を順次形成し、更に酸化雰囲気中において
加熱処理することにより前記拡散防止層２３の表面に酸
化膜２４を形成し、該応力緩和層１３上に、ＦＨＤ法や
ＬＰＣＶＤ法により石英ガラス層１４を形成し、次い
で、フォトリソグラフィにより該石英ガラス層１４をパ
ターン形成して分岐結合回路や光スイッチ回路等の光導
波路１５としたものである。
【００１７】前記拡散防止層２２，２３は、Ｐｔ，Ａ
ｕ，Ａｌ等の展性に富む金属元素の熱拡散による原子の
移動を阻止するもので、例えば、チタン（Ｔｉ）等の金
属が好適に用いられる。
ｕ，Ａｌ等の展性に富む金属元素の熱拡散による原子の
移動を阻止するもので、例えば、チタン（Ｔｉ）等の金
属が好適に用いられる。
【００１８】この基板型光導波路２１においても前記基
板型光導波路１１と同様の作用・効果を奏することがで
きる。しかも、応力緩和層１３の両面に拡散防止層２
２，２３を形成したので、応力緩和層１３を構成する元
素がＳｉ基板１２や光導波路１５へ熱拡散するのを防止
することができる。さらに、拡散防止層２３の表面に酸
化膜２４を形成したので、該酸化膜２４が光導波路１５
とＳｉ基板１２との密着性を向上させることができる。
板型光導波路１１と同様の作用・効果を奏することがで
きる。しかも、応力緩和層１３の両面に拡散防止層２
２，２３を形成したので、応力緩和層１３を構成する元
素がＳｉ基板１２や光導波路１５へ熱拡散するのを防止
することができる。さらに、拡散防止層２３の表面に酸
化膜２４を形成したので、該酸化膜２４が光導波路１５
とＳｉ基板１２との密着性を向上させることができる。
【００１９】（実施例３）図３は本発明の実施例３の基
板型光導波路３１を示す正断面図である。なお、図３に
おいて図１及び図２と同一の構成要素には同一の符号を
付してあり説明を省略する。この基板型光導波路３１
は、Ｓｉ基板１２上に、蒸着法、スパッタ法、ＭＢＥ
（分子線エピタキシー）法等の薄膜形成法により応力緩
和層１３を形成し、該応力緩和層１３上に、ＦＨＤ法や
ＬＰＣＶＤ法により石英ガラス層３２を形成し、次い
で、フォトリソグラフィにより該石英ガラス層３２の上
部をストライプ状３３にパターン形成して分岐結合回路
や光スイッチ回路等の光導波路１５としたものである。
板型光導波路３１を示す正断面図である。なお、図３に
おいて図１及び図２と同一の構成要素には同一の符号を
付してあり説明を省略する。この基板型光導波路３１
は、Ｓｉ基板１２上に、蒸着法、スパッタ法、ＭＢＥ
（分子線エピタキシー）法等の薄膜形成法により応力緩
和層１３を形成し、該応力緩和層１３上に、ＦＨＤ法や
ＬＰＣＶＤ法により石英ガラス層３２を形成し、次い
で、フォトリソグラフィにより該石英ガラス層３２の上
部をストライプ状３３にパターン形成して分岐結合回路
や光スイッチ回路等の光導波路１５としたものである。
【００２０】この基板型光導波路３１においても前記基
板型光導波路１１，２１と同様の作用・効果を奏するこ
とができる。
板型光導波路１１，２１と同様の作用・効果を奏するこ
とができる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明の請求
項１記載の基板型光導波路によれば、基板上に光導波路
を形成してなる基板型光導波路において、前記基板と光
導波路との間に応力緩和層を設け、該応力緩和層は、前
記基板及び光導波路のいずれよりも線膨張係数の大きな
材料からなることとしたので、この応力緩和層が冷却時
において塑性変形して応力を緩和し、基板の歪曲を大幅
に小さくすることができ、当該基板の平坦度を向上させ
ることができる。したがって、フォトリソグラフィにお
いて基板上の光導波路層にマスクパターンを密着させる
ことが容易にでき、転写の精度を向上させることができ
る。
項１記載の基板型光導波路によれば、基板上に光導波路
を形成してなる基板型光導波路において、前記基板と光
導波路との間に応力緩和層を設け、該応力緩和層は、前
記基板及び光導波路のいずれよりも線膨張係数の大きな
材料からなることとしたので、この応力緩和層が冷却時
において塑性変形して応力を緩和し、基板の歪曲を大幅
に小さくすることができ、当該基板の平坦度を向上させ
ることができる。したがって、フォトリソグラフィにお
いて基板上の光導波路層にマスクパターンを密着させる
ことが容易にでき、転写の精度を向上させることができ
る。
【００２２】また、請求項２記載の基板型光導波路によ
れば、基板上に光導波路を形成してなる基板型光導波路
において、前記基板上に応力緩和層、光導波路層が順次
形成され、該光導波路層の上部はストライプ状に形成さ
れて光導波路とされ、前記応力緩和層は、前記基板及び
光導波路層のいずれよりも線膨張係数の大きな材料から
なることとしたので、この応力緩和層が冷却時において
塑性変形して応力を緩和し、基板の歪曲を大幅に小さく
することができ、当該基板の平坦度を向上させることが
できる。したがって、フォトリソグラフィにおいて基板
上の光導波路層にマスクパターンを密着させることが容
易にでき、転写の精度を向上させることができる。
れば、基板上に光導波路を形成してなる基板型光導波路
において、前記基板上に応力緩和層、光導波路層が順次
形成され、該光導波路層の上部はストライプ状に形成さ
れて光導波路とされ、前記応力緩和層は、前記基板及び
光導波路層のいずれよりも線膨張係数の大きな材料から
なることとしたので、この応力緩和層が冷却時において
塑性変形して応力を緩和し、基板の歪曲を大幅に小さく
することができ、当該基板の平坦度を向上させることが
できる。したがって、フォトリソグラフィにおいて基板
上の光導波路層にマスクパターンを密着させることが容
易にでき、転写の精度を向上させることができる。
【００２３】また、請求項３記載の基板型光導波路によ
れば、請求項１または２記載の基板型光導波路におい
て、前記応力緩和層の両面に拡散防止層を形成してなる
こととしたので、応力緩和層を構成する元素が基板や光
導波路へ熱拡散するのを防止することができる。
れば、請求項１または２記載の基板型光導波路におい
て、前記応力緩和層の両面に拡散防止層を形成してなる
こととしたので、応力緩和層を構成する元素が基板や光
導波路へ熱拡散するのを防止することができる。
【図１】 本発明の実施例１の基板型光導波路を示す正
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の実施例２の基板型光導波路を示す正
断面図である。
断面図である。
【図３】 本発明の実施例３の基板型光導波路を示す正
断面図である。
断面図である。
【図４】 従来の基板型光導波路を示す正断面図であ
る。
る。
【図５】 従来の基板型光導波路の歪曲の状態を示す正
断面図である。
断面図である。
１１ … 基板型光導波路、１２ … Ｓｉ基板、１３ …
応力緩和層、１４ …石英ガラス層（光導波路層）、１
５ … 光導波路、２１ … 基板型光導波路、２２，２３
… 拡散防止層、２４ … 酸化膜、３１ … 基板型光導
波路、３２ …石英ガラス層、３３ … ストライプ状。
応力緩和層、１４ …石英ガラス層（光導波路層）、１
５ … 光導波路、２１ … 基板型光導波路、２２，２３
… 拡散防止層、２４ … 酸化膜、３１ … 基板型光導
波路、３２ …石英ガラス層、３３ … ストライプ状。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山内 良三 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株式 会社佐倉工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に光導波路を形成してなる基板型
光導波路において、 前記基板と光導波路との間に応力緩和層が形成され、 該応力緩和層は、前記基板及び光導波路のいずれよりも
線膨張係数の大きな材料からなることを特徴とする基板
型光導波路。 - 【請求項２】 基板上に光導波路を形成してなる基板型
光導波路において、 前記基板上に応力緩和層、光導波路層が順次形成され、
該光導波路層の上部はストライプ状に形成されて光導波
路とされ、 前記応力緩和層は、前記基板及び光導波路層のいずれよ
りも線膨張係数の大きな材料からなることを特徴とする
基板型光導波路。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の基板型光導波路
において、 前記応力緩和層の両面に拡散防止層を形成してなること
を特徴とする基板型光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8245892A JPH05281424A (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 基板型光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8245892A JPH05281424A (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 基板型光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05281424A true JPH05281424A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13775072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8245892A Pending JPH05281424A (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 基板型光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05281424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1237019A3 (en) * | 2001-02-28 | 2004-05-19 | Fujitsu Limited | Optical wiring substrate, method of manufacturing optical wiring substrate and multilayer optical wiring |
-
1992
- 1992-04-03 JP JP8245892A patent/JPH05281424A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1237019A3 (en) * | 2001-02-28 | 2004-05-19 | Fujitsu Limited | Optical wiring substrate, method of manufacturing optical wiring substrate and multilayer optical wiring |
| US6810160B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-10-26 | Fujitsu Limited | Optical wiring substrate, method of manufacturing optical wiring substrate and multilayer optical wiring |
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