JPH05290332A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH05290332A JPH05290332A JP1273092A JP1273092A JPH05290332A JP H05290332 A JPH05290332 A JP H05290332A JP 1273092 A JP1273092 A JP 1273092A JP 1273092 A JP1273092 A JP 1273092A JP H05290332 A JPH05290332 A JP H05290332A
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- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜コイルの同一層内における隣接する巻き
線どうしに短絡が生じる虞れがなく、又、異なるコイル
層どうしの巻き線間に充分な絶縁性が得られる薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 下部磁性コア2上に薄膜コイル4及び絶縁層
5を積層する過程で、記録媒体との摺動面に仕上げるべ
き仮想切断面D−Dを挟んで、薄膜コイル4及び絶縁層
5とは反対側に、薄膜コイル4及び絶縁層5と同一積層
構造を有するダミー導体層40及びダミー絶縁層50を同時
に形成し、その後、薄膜コイル4及び絶縁層5を含む磁
気ヘッドチップを切り出す工程にて、前記ダミー導体層
40及びダミー絶縁層50を磁気ヘッドチップから切り離
す。
線どうしに短絡が生じる虞れがなく、又、異なるコイル
層どうしの巻き線間に充分な絶縁性が得られる薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 下部磁性コア2上に薄膜コイル4及び絶縁層
5を積層する過程で、記録媒体との摺動面に仕上げるべ
き仮想切断面D−Dを挟んで、薄膜コイル4及び絶縁層
5とは反対側に、薄膜コイル4及び絶縁層5と同一積層
構造を有するダミー導体層40及びダミー絶縁層50を同時
に形成し、その後、薄膜コイル4及び絶縁層5を含む磁
気ヘッドチップを切り出す工程にて、前記ダミー導体層
40及びダミー絶縁層50を磁気ヘッドチップから切り離
す。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に装
備する磁気ヘッド、特に薄膜形成技術を用いた薄膜磁気
ヘッドの製造方法に関するものである。
備する磁気ヘッド、特に薄膜形成技術を用いた薄膜磁気
ヘッドの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、図9に示す如く基板
(1)上に、下部磁性コア(2)及びアルミナ(Al2O3)層
(8)を形成し、下部磁性コア(2)上には、磁気ギャップ
Gとなるギャップスペーサ(6)を介して上部磁性コア
(3)が積層されると共に、下部磁性コア(2)及び上部磁
性コア(3)によって形成される磁路ループと交鎖して、
複数層からなる渦巻き状の薄膜コイル(4)が、絶縁層(5)
内に埋設して形成され、該コイルはリード部(41)を介し
てボンディングパッド(9)と電気接続されている。又、
上部磁性コア(3)及び絶縁層(5)の上部には保護層(7)
が形成される。
(1)上に、下部磁性コア(2)及びアルミナ(Al2O3)層
(8)を形成し、下部磁性コア(2)上には、磁気ギャップ
Gとなるギャップスペーサ(6)を介して上部磁性コア
(3)が積層されると共に、下部磁性コア(2)及び上部磁
性コア(3)によって形成される磁路ループと交鎖して、
複数層からなる渦巻き状の薄膜コイル(4)が、絶縁層(5)
内に埋設して形成され、該コイルはリード部(41)を介し
てボンディングパッド(9)と電気接続されている。又、
上部磁性コア(3)及び絶縁層(5)の上部には保護層(7)
が形成される。
【0003】斯種薄膜磁気ヘッドは公知の薄膜堆積法、
フォトリソグラフィ等の薄膜形成技術を用いて作製され
る(例えば特開昭61-120315号)。図6(a)(b)及び図7
(a)(b)は、複数層の薄膜コイルを形成する工程を示し
ており、図6(a)に示す如く基板(1)上に下部磁性コア
(2)及びAl2O3層(8)を形成した後、その表面に、絶
縁層(51)及び該絶縁層(51)内に埋設して第1コイル層(4
2)を形成する。
フォトリソグラフィ等の薄膜形成技術を用いて作製され
る(例えば特開昭61-120315号)。図6(a)(b)及び図7
(a)(b)は、複数層の薄膜コイルを形成する工程を示し
ており、図6(a)に示す如く基板(1)上に下部磁性コア
(2)及びAl2O3層(8)を形成した後、その表面に、絶
縁層(51)及び該絶縁層(51)内に埋設して第1コイル層(4
2)を形成する。
【0004】次に下地導体層(44)を全面に形成した後、
該下地導体層(44)の表面に図6(b)の如くポジ型フォト
レジスト膜(11)を塗布する。この際、塗布の方法として
は例えば公知のスピンコート法が用いられる。
該下地導体層(44)の表面に図6(b)の如くポジ型フォト
レジスト膜(11)を塗布する。この際、塗布の方法として
は例えば公知のスピンコート法が用いられる。
【0005】その後、前記フォトレジスト膜(11)に露光
等を施して、図7(a)に示す如く次の第2コイル層の渦
巻き形状に対する反転パターン(12)を形成する。そし
て、図7(b)の如く前記反転パターン(12)の開口部にC
uメッキを施して第2コイル層(43)を形成し、更に該第
2コイル層(43)を覆って絶縁層(53)を形成する。
等を施して、図7(a)に示す如く次の第2コイル層の渦
巻き形状に対する反転パターン(12)を形成する。そし
て、図7(b)の如く前記反転パターン(12)の開口部にC
uメッキを施して第2コイル層(43)を形成し、更に該第
2コイル層(43)を覆って絶縁層(53)を形成する。
【0006】そして、図6及び図7の工程を繰り返すこ
とによって、図9の如く複数層からなる薄膜コイル(4)
及び絶縁層(5)が形成されることになる。
とによって、図9の如く複数層からなる薄膜コイル(4)
及び絶縁層(5)が形成されることになる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の薄膜
磁気ヘッドの製造工程においては、図6に示すフォトレ
ジスト膜(11)の塗布工程にて、同図(a)の如く基板(1)
上には、第1コイル層(42)の渦巻き中心を挟んでヘッド
頭部(図6の左方)側に、第1コイル層(42)及び絶縁層(5
1)からなる凸部Pが形成されると共に、ヘッド後方側に
も、第1コイル層(42)及び絶縁層(51)からなる凸部Qが
形成される。
磁気ヘッドの製造工程においては、図6に示すフォトレ
ジスト膜(11)の塗布工程にて、同図(a)の如く基板(1)
上には、第1コイル層(42)の渦巻き中心を挟んでヘッド
頭部(図6の左方)側に、第1コイル層(42)及び絶縁層(5
1)からなる凸部Pが形成されると共に、ヘッド後方側に
も、第1コイル層(42)及び絶縁層(51)からなる凸部Qが
形成される。
【0008】フォトレジスト膜(11)は、流動性を有する
感光性有機樹脂を塗布することによって形成されるた
め、その塗布の下地に高低があると、樹脂は高地側から
低地側へ流れる傾向にある。従って、図6(a)に示す凸
部Pを含む領域に感光性有機樹脂を塗布する場合、該領
域のヘッド後方側(右側)には前記凸部Qが近接して存在
するが、ヘッド頭部側(左側)の樹脂塗布領域は平坦で低
いから、凸部P上の樹脂はヘッド頭部側へ流れる傾向が
強く、図6(b)の如く凸部P上のフォトレジスト膜(11)
は、ヘッド頭部側が薄く、ヘッド後方側が厚くなる。
感光性有機樹脂を塗布することによって形成されるた
め、その塗布の下地に高低があると、樹脂は高地側から
低地側へ流れる傾向にある。従って、図6(a)に示す凸
部Pを含む領域に感光性有機樹脂を塗布する場合、該領
域のヘッド後方側(右側)には前記凸部Qが近接して存在
するが、ヘッド頭部側(左側)の樹脂塗布領域は平坦で低
いから、凸部P上の樹脂はヘッド頭部側へ流れる傾向が
強く、図6(b)の如く凸部P上のフォトレジスト膜(11)
は、ヘッド頭部側が薄く、ヘッド後方側が厚くなる。
【0009】特に図6(b)にAで矢示する斜面領域で
は、フォトレジスト膜(11)が過度に薄くなる虞れがあ
る。
は、フォトレジスト膜(11)が過度に薄くなる虞れがあ
る。
【0010】この様に厚さの不均一なフォトレジスト膜
(11)を前述の如く露光によって図7(a)の如くパターン
化すると、図8(a)に示す様に反転パターン(12)の高さ
がヘッド頭部側では小さく、ヘッド後方側では大きくな
る。
(11)を前述の如く露光によって図7(a)の如くパターン
化すると、図8(a)に示す様に反転パターン(12)の高さ
がヘッド頭部側では小さく、ヘッド後方側では大きくな
る。
【0011】従って、図8(b)の如く反転パターン(12)
の開口部内へCuメッキ層(47)を形成した場合、前記高
さの小さな反転パターン(12)よりもCuメッキ層(47)の
高さが大きくなり、図中の矢示Bの如く隣接する開口部
どうしでCuメッキ層(47)が繋がって、図8(c)の如く
最終的に得られる第2コイル層(43)に短絡が生じる問題
がある。
の開口部内へCuメッキ層(47)を形成した場合、前記高
さの小さな反転パターン(12)よりもCuメッキ層(47)の
高さが大きくなり、図中の矢示Bの如く隣接する開口部
どうしでCuメッキ層(47)が繋がって、図8(c)の如く
最終的に得られる第2コイル層(43)に短絡が生じる問題
がある。
【0012】又、上記同様の理由によって、図7(b)に
示す如く、第2コイル層(43)を覆う絶縁層(53)にも図中
の矢示Cの領域に薄肉部が生じ、第2コイル層(43)の上
に形成されるべき第3コイル層との絶縁性に問題が生じ
る。
示す如く、第2コイル層(43)を覆う絶縁層(53)にも図中
の矢示Cの領域に薄肉部が生じ、第2コイル層(43)の上
に形成されるべき第3コイル層との絶縁性に問題が生じ
る。
【0013】本発明の目的は、薄膜コイルの同一層内に
おける隣接する巻き線どうしに短絡が生じる虞れがな
く、又、異なるコイル層どうしの巻き線間に充分な絶縁
性が得られる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
である。
おける隣接する巻き線どうしに短絡が生じる虞れがな
く、又、異なるコイル層どうしの巻き線間に充分な絶縁
性が得られる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
である。
【0014】
【課題を解決する為の手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法は、下部磁性コア(2)上に薄膜コイル(4)
及び絶縁層(5)を積層する過程で、記録媒体との摺動面
に仕上げるべき仮想切断面を挟んで、薄膜コイル(4)及
び絶縁層(5)とは反対側に、薄膜コイル(4)及び絶縁層
(5)と同一積層構造を有するダミー導体層(40)及びダミ
ー絶縁層(50)を同時に形成し、その後、薄膜コイル(4)
及び絶縁層(5)を含む磁気ヘッドチップを切り出す工程
にて、前記ダミー導体層(40)及びダミー絶縁層(50)を磁
気ヘッドチップから切り離すものである。
ドの製造方法は、下部磁性コア(2)上に薄膜コイル(4)
及び絶縁層(5)を積層する過程で、記録媒体との摺動面
に仕上げるべき仮想切断面を挟んで、薄膜コイル(4)及
び絶縁層(5)とは反対側に、薄膜コイル(4)及び絶縁層
(5)と同一積層構造を有するダミー導体層(40)及びダミ
ー絶縁層(50)を同時に形成し、その後、薄膜コイル(4)
及び絶縁層(5)を含む磁気ヘッドチップを切り出す工程
にて、前記ダミー導体層(40)及びダミー絶縁層(50)を磁
気ヘッドチップから切り離すものである。
【0015】
【作用及び効果】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、薄膜コイルを形成する際、従来は低地であったフォ
トレジスト膜形成領域に、ダミー導体層(40)及びダミー
絶縁層(50)からなる凸部が形成されるから、フォトレジ
スト膜となる流動性樹脂の流れに従来の如き偏り傾向は
生じない。従って、フォトレジスト膜は均一厚さに形成
され、従来の如き薄膜コイルの同一層内における隣接す
る巻き線どうしの短絡や、異なるコイル層どうしの巻き
線間の絶縁性の低下は生じない。
ば、薄膜コイルを形成する際、従来は低地であったフォ
トレジスト膜形成領域に、ダミー導体層(40)及びダミー
絶縁層(50)からなる凸部が形成されるから、フォトレジ
スト膜となる流動性樹脂の流れに従来の如き偏り傾向は
生じない。従って、フォトレジスト膜は均一厚さに形成
され、従来の如き薄膜コイルの同一層内における隣接す
る巻き線どうしの短絡や、異なるコイル層どうしの巻き
線間の絶縁性の低下は生じない。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例につき、図面に沿って
詳述する。図1(a)(b)及び図2(a)(b)は、複数層の
薄膜コイルを形成する工程を示しており、図1(a)に示
す如く基板(1)上に下部磁性コア(2)及びAl2O3層
(8)を形成した後、その表面に、絶縁層(51)及び、該絶
縁層(51)内に埋設して第1コイル層(42)を形成する。
詳述する。図1(a)(b)及び図2(a)(b)は、複数層の
薄膜コイルを形成する工程を示しており、図1(a)に示
す如く基板(1)上に下部磁性コア(2)及びAl2O3層
(8)を形成した後、その表面に、絶縁層(51)及び、該絶
縁層(51)内に埋設して第1コイル層(42)を形成する。
【0017】又、上記絶縁層(51)及び第1コイル層(42)
の形成と同時に、Al2O3層(8)上には、記録媒体との
摺動面に仕上げるべき仮想切断面(D−D破線)を挟ん
で、絶縁層(51)及び第1コイル層(42)とは反対側に、ダ
ミー絶縁層(52)及び、該絶縁層内に埋設してダミー導体
層(45)を形成する。この際、図の様に形成された凹凸領
域の夫々の長さa、b、c、d及びeには、b=dの関
係が成立することが望ましく、更にはa=eの関係が成
立することが望ましい。
の形成と同時に、Al2O3層(8)上には、記録媒体との
摺動面に仕上げるべき仮想切断面(D−D破線)を挟ん
で、絶縁層(51)及び第1コイル層(42)とは反対側に、ダ
ミー絶縁層(52)及び、該絶縁層内に埋設してダミー導体
層(45)を形成する。この際、図の様に形成された凹凸領
域の夫々の長さa、b、c、d及びeには、b=dの関
係が成立することが望ましく、更にはa=eの関係が成
立することが望ましい。
【0018】尚、第1コイル層(42)及びダミー導体層(4
5)は、第2層目のコイル層及びダミー導体層と同様の薄
膜形成技術によって形成され、その具体的工程について
は、第2層目についての説明で述べる。
5)は、第2層目のコイル層及びダミー導体層と同様の薄
膜形成技術によって形成され、その具体的工程について
は、第2層目についての説明で述べる。
【0019】図1(a)に示す如く全面にCuのスパッタ
リング或いは蒸着を施して、下地導体層(44)を形成した
後、下地導体層(44)の表面にノボラック系感光性有機樹
脂をスピンコートによって塗布する。この際、ヘッド頭
部側のAl2O3層(8)上には、ダミー導体層(45)及びダ
ミー絶縁層(52)からなる凸部が形成されているから、流
動性を有する有機樹脂はヘッド頭部側或いはヘッド後部
側へ偏ることなく、均等に流れて、均一厚さの樹脂層が
形成されることになる。
リング或いは蒸着を施して、下地導体層(44)を形成した
後、下地導体層(44)の表面にノボラック系感光性有機樹
脂をスピンコートによって塗布する。この際、ヘッド頭
部側のAl2O3層(8)上には、ダミー導体層(45)及びダ
ミー絶縁層(52)からなる凸部が形成されているから、流
動性を有する有機樹脂はヘッド頭部側或いはヘッド後部
側へ偏ることなく、均等に流れて、均一厚さの樹脂層が
形成されることになる。
【0020】そして、前記樹脂層に対して、例えば80
℃乃至90℃での30分間のソフトベークを施すことに
よって、図1(b)の如く均一厚さのフォトレジスト膜(1
1)が形成されるのである。
℃乃至90℃での30分間のソフトベークを施すことに
よって、図1(b)の如く均一厚さのフォトレジスト膜(1
1)が形成されるのである。
【0021】次に、前記フォトレジスト膜(11)に対して
所定パターンの露光、現像を施し、図2(a)及び図3
(a)の如く第2層目のコイル層及びダミー導体層に対す
る反転パターン(12)を形成する。
所定パターンの露光、現像を施し、図2(a)及び図3
(a)の如く第2層目のコイル層及びダミー導体層に対す
る反転パターン(12)を形成する。
【0022】続いて、図3(b)に示す如く反転パターン
(12)の開口部にCuメッキ層(47)を形成した後、同図
(c)の如くフォトレジスト膜(11)を有機溶剤にて除去す
る。この際、反転パターン(12)の高さは均一であるか
ら、隣接するCuメッキ層(47)どうしが繋がることはな
い。更に、Cuメッキ層(47)及び下地導体層(44)に対し
てイオンビームエッチングを施し、図3(d)の如く渦巻
き状の第2コイル層(43)を完成する。
(12)の開口部にCuメッキ層(47)を形成した後、同図
(c)の如くフォトレジスト膜(11)を有機溶剤にて除去す
る。この際、反転パターン(12)の高さは均一であるか
ら、隣接するCuメッキ層(47)どうしが繋がることはな
い。更に、Cuメッキ層(47)及び下地導体層(44)に対し
てイオンビームエッチングを施し、図3(d)の如く渦巻
き状の第2コイル層(43)を完成する。
【0023】その後、図2(b)に示す如く第2コイル層
(43)を覆って絶縁層(53)を形成する。この際も前記同
様、ノボラック系感光性有機樹脂からなるポジ型レジス
トが用いられ、ソフトベークによって絶縁層(53)が完成
される。この工程においても、ダミー導体層及びダミー
絶縁層からなる凸部の形状効果によって、絶縁層(53)は
均一な厚さに形成される。
(43)を覆って絶縁層(53)を形成する。この際も前記同
様、ノボラック系感光性有機樹脂からなるポジ型レジス
トが用いられ、ソフトベークによって絶縁層(53)が完成
される。この工程においても、ダミー導体層及びダミー
絶縁層からなる凸部の形状効果によって、絶縁層(53)は
均一な厚さに形成される。
【0024】斯くして第2層目のコイル層(43)、ダミー
導体層(46)及び絶縁層(53)が形成され、以後、同様の工
程を繰り返すことによって、図4に示す如く複数層から
なる薄膜コイル(4)及びダミー導体層(40)が、夫々絶縁
層(5)及びダミー絶縁層(50)に埋設されて形成されるこ
とになる。
導体層(46)及び絶縁層(53)が形成され、以後、同様の工
程を繰り返すことによって、図4に示す如く複数層から
なる薄膜コイル(4)及びダミー導体層(40)が、夫々絶縁
層(5)及びダミー絶縁層(50)に埋設されて形成されるこ
とになる。
【0025】その後、従来と同様の工程を経て、図9に
示す上部磁性コア(3)及びボンディングパッド(9)が形
成される。尚、図5の如く、絶縁層(5)内に埋設された
コイルは、リード部(41)(41)(41)を介してボンディング
パッド(9)(91)(92)へ接続される。
示す上部磁性コア(3)及びボンディングパッド(9)が形
成される。尚、図5の如く、絶縁層(5)内に埋設された
コイルは、リード部(41)(41)(41)を介してボンディング
パッド(9)(91)(92)へ接続される。
【0026】上部磁性コア(3)及び絶縁層(5)を覆って
前記保護層(7)を形成した後、図4及び図5のD−D破
線に沿って基板を切断し、ダミー導体層(40)及びダミー
絶縁層(50)を磁気ヘッドチップから切り離す。この結
果、図9の薄膜磁気ヘッドが完成するのである。
前記保護層(7)を形成した後、図4及び図5のD−D破
線に沿って基板を切断し、ダミー導体層(40)及びダミー
絶縁層(50)を磁気ヘッドチップから切り離す。この結
果、図9の薄膜磁気ヘッドが完成するのである。
【0027】前述の如く本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、ダミー導体層(40)及びダミー絶縁層
(50)からなる凸部の形成効果によって、フォトレジスト
膜は均一厚さに形成され、従来の如き薄膜コイルの同一
層内における隣接する巻き線どうしの短絡や、異なるコ
イル層どうしの巻き線間の絶縁性の低下は生じない。
製造方法によれば、ダミー導体層(40)及びダミー絶縁層
(50)からなる凸部の形成効果によって、フォトレジスト
膜は均一厚さに形成され、従来の如き薄膜コイルの同一
層内における隣接する巻き線どうしの短絡や、異なるコ
イル層どうしの巻き線間の絶縁性の低下は生じない。
【0028】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の主要
部の前半を示す工程図である。
部の前半を示す工程図である。
【図2】該製造方法の主要部の後半を示す工程図であ
る。
る。
【図3】第2コイル層を形成する工程図である。
【図4】複数層の薄膜コイルが形成された状態の断面図
である。
である。
【図5】ダミー絶縁層が形成された状態の斜視図であ
る。
る。
【図6】従来の製造方法の図1に対応する工程図であ
る。
る。
【図7】該製造方法の図2に対応する工程図である。
【図8】図3に対応する従来の工程図である。
【図9】薄膜磁気ヘッドの断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 基板(1)上に、磁路ループを形成すべき
下部磁性コア(2)及び上部磁性コア(3)がギャップスペ
ーサ(6)を介して積層されると共に、該磁路ループと交
鎖する渦巻き状の薄膜コイル(4)が絶縁層(5)内に埋設
して形成されている薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、下部磁性コア(2)上に薄膜コイル(4)及び絶縁層
(5)を積層する過程で、記録媒体との摺動面に仕上げる
べき仮想切断面を挟んで、薄膜コイル(4)及び絶縁層
(5)とは反対側に、薄膜コイル(4)及び絶縁層(5)と同
一積層構造を有するダミー導体層(40)及びダミー絶縁層
(50)を同時に形成し、その後、薄膜コイル(4)及び絶縁
層(5)を含む磁気ヘッドチップを切り出す工程にて、前
記ダミー導体層(40)及びダミー絶縁層(50)を磁気ヘッド
チップから切り離すことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273092A JPH05290332A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273092A JPH05290332A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05290332A true JPH05290332A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=11813560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1273092A Pending JPH05290332A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05290332A (ja) |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP1273092A patent/JPH05290332A/ja active Pending
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