JPH05294711A - 高臨界電流密度を有する酸化物超電導体及びその製造方法 - Google Patents
高臨界電流密度を有する酸化物超電導体及びその製造方法Info
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- JPH05294711A JPH05294711A JP3253089A JP25308991A JPH05294711A JP H05294711 A JPH05294711 A JP H05294711A JP 3253089 A JP3253089 A JP 3253089A JP 25308991 A JP25308991 A JP 25308991A JP H05294711 A JPH05294711 A JP H05294711A
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- oxide superconductor
- producing
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ピン止めサイトを有し且つ粒界の弱結合を排
除した超電導材料で、しかも熱的に安定な酸化物超電導
体及びその製造方法を提供する。 【構成】 超電導相であるＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ
4 Ｏ8 （但しＬｎはＹまたはランタン系列元素，0 ≦ａ
≦0.2 ，0 ≦ｂ≦0.3 ）の結晶中に、非超電導相である
Ｌｎ2 ＢａＣｕＯ5 結晶が微細に分散させる。特にＡｇ
を３０重量％以下含有することが望ましい。また上記酸
化物超電導体の製造方法としては、超電導体製造用原料
を溶解後急冷することにより、非超電導相であるＬｎ2
ＢａＣｕＯ5 をＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 或は
Ｌｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ8 相中に析出分散せし
めこれを粉砕し、必要によりＣｕまたはＣｕ酸化物を加
えてＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2Ｃｕ4 Ｏ8 相に対応する組
成に調整した後混合しＯ2-ＨＩＰ装置中で方向凝固によ
り結晶を成長させればよい。
除した超電導材料で、しかも熱的に安定な酸化物超電導
体及びその製造方法を提供する。 【構成】 超電導相であるＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ
4 Ｏ8 （但しＬｎはＹまたはランタン系列元素，0 ≦ａ
≦0.2 ，0 ≦ｂ≦0.3 ）の結晶中に、非超電導相である
Ｌｎ2 ＢａＣｕＯ5 結晶が微細に分散させる。特にＡｇ
を３０重量％以下含有することが望ましい。また上記酸
化物超電導体の製造方法としては、超電導体製造用原料
を溶解後急冷することにより、非超電導相であるＬｎ2
ＢａＣｕＯ5 をＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 或は
Ｌｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ8 相中に析出分散せし
めこれを粉砕し、必要によりＣｕまたはＣｕ酸化物を加
えてＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2Ｃｕ4 Ｏ8 相に対応する組
成に調整した後混合しＯ2-ＨＩＰ装置中で方向凝固によ
り結晶を成長させればよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は酸化物超電導体をバルク
や線材にして利用する各種機器例えば超電導マグネッ
ト，超電導磁気ベアリング，超電導磁気シールド材等に
用いる高臨界電流密度を有する酸化物超電導体及びその
製造方法に関するものである。
や線材にして利用する各種機器例えば超電導マグネッ
ト，超電導磁気ベアリング，超電導磁気シールド材等に
用いる高臨界電流密度を有する酸化物超電導体及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化物超電導体に要求される実用上の特
性の一つとして高臨界電流密度がある。高臨界電流密度
の実現には超電導相中に非超電導相を微細且つ均一に
導入する技術（ピン止めサイトの導入）及び超電導粒
子間の弱結合を排除することが不可欠である。
性の一つとして高臨界電流密度がある。高臨界電流密度
の実現には超電導相中に非超電導相を微細且つ均一に
導入する技術（ピン止めサイトの導入）及び超電導粒
子間の弱結合を排除することが不可欠である。
【０００３】上記ピン止めサイトを導入する方法及び
弱結合を排除する方法としては、両者を一度に解決で
きる溶融急冷法（例えばＱＭＧ法やＭＰＭＧ法）が知ら
れている。これはＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx （以下Ｙ１２３と
いう）に関する技術であって、Ｙ１２３の仕込み原料を
常圧で溶融した後急冷することによって非超電導相であ
るＹ2 ＢａＣｕＯ5 （以下Ｙ２１１という）相を微細に
しかも均質にＹ１２３前駆体中に分散させ、その後弱結
合の排除を目的として結晶成長プロセスに供し、上記Ｙ
２１１相をピン止めサイトとして機能させるというもの
である。但し、この技術はＹ１２３結晶に対して有効な
技術であって、該Ｙ１２３相はその超電導特性が酸素含
有量ｘに大きく依存するものであり、例えば４００℃以
上に加熱すると酸素解離を起こしてＴｃ＝９０Ｋ級の超
電導体であるｘ＝６．９以上の酸素含有量からＴｃ＝６
０Ｋ級のｘ＝６．５となり、さらには非超電導相のｘ＝
６．３以下へと連続的に変化するという熱的不安定性が
指摘されている。
弱結合を排除する方法としては、両者を一度に解決で
きる溶融急冷法（例えばＱＭＧ法やＭＰＭＧ法）が知ら
れている。これはＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx （以下Ｙ１２３と
いう）に関する技術であって、Ｙ１２３の仕込み原料を
常圧で溶融した後急冷することによって非超電導相であ
るＹ2 ＢａＣｕＯ5 （以下Ｙ２１１という）相を微細に
しかも均質にＹ１２３前駆体中に分散させ、その後弱結
合の排除を目的として結晶成長プロセスに供し、上記Ｙ
２１１相をピン止めサイトとして機能させるというもの
である。但し、この技術はＹ１２３結晶に対して有効な
技術であって、該Ｙ１２３相はその超電導特性が酸素含
有量ｘに大きく依存するものであり、例えば４００℃以
上に加熱すると酸素解離を起こしてＴｃ＝９０Ｋ級の超
電導体であるｘ＝６．９以上の酸素含有量からＴｃ＝６
０Ｋ級のｘ＝６．５となり、さらには非超電導相のｘ＝
６．３以下へと連続的に変化するという熱的不安定性が
指摘されている。
【０００４】これに対してＹＢａ2 Ｃｕ4 Ｏx （以下Ｙ
１２４という）は上記Ｙ１２３の３相構造ペロブスカイ
ト結晶におけるＣｕＯ鎖が２重となった結晶構造を有し
ており、熱的安定性においてＹ１２３よりも優れてい
る。またＹサイトの一部をＣａにより置換すればＹ１２
３なみのＴｃ＝９０Ｋと、Ｙ１２４なみの熱的安定性の
両立も可能である。さらにＹ１２４を短時間酸素解離温
度中におくことで、酸素欠損を導入したり、或は中間相
であるＹ１２3.5 またはＹ１２３とＣｕＯとに分解させ
てピン止めサイトを形成する試みも報告されている。
１２４という）は上記Ｙ１２３の３相構造ペロブスカイ
ト結晶におけるＣｕＯ鎖が２重となった結晶構造を有し
ており、熱的安定性においてＹ１２３よりも優れてい
る。またＹサイトの一部をＣａにより置換すればＹ１２
３なみのＴｃ＝９０Ｋと、Ｙ１２４なみの熱的安定性の
両立も可能である。さらにＹ１２４を短時間酸素解離温
度中におくことで、酸素欠損を導入したり、或は中間相
であるＹ１２3.5 またはＹ１２３とＣｕＯとに分解させ
てピン止めサイトを形成する試みも報告されている。
【０００５】但し上述した従来技術はＹ（Ｃａ）１２４
系にピン止めサイトを導入しようとするものであって、
上記ピン止めサイトを持ちつつさらに粒子間の弱結合を
有効に排除し得る方法についての提案はない。
系にピン止めサイトを導入しようとするものであって、
上記ピン止めサイトを持ちつつさらに粒子間の弱結合を
有効に排除し得る方法についての提案はない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に着
目してなされたものであって、ピン止めサイトを有し且
つ粒界の弱結合を排除した超電導材料で、しかも熱的に
安定な酸化物超電導体及びその製造方法を提供しようと
するものである。
目してなされたものであって、ピン止めサイトを有し且
つ粒界の弱結合を排除した超電導材料で、しかも熱的に
安定な酸化物超電導体及びその製造方法を提供しようと
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成した本発
明の酸化物超電導体とは、超電導相であるＬｎ1+a-bＣ
ａb Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 （但しＬｎはＹまたはランタン系
列元素，0 ≦ａ≦0.2，0 ≦ｂ≦0.3 ）の結晶中に、非
超電導相であるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 結晶が微細に分散し
ていることを要旨とするものであり、特にＡｇを３０重
量％以下含有することが望ましい。
明の酸化物超電導体とは、超電導相であるＬｎ1+a-bＣ
ａb Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 （但しＬｎはＹまたはランタン系
列元素，0 ≦ａ≦0.2，0 ≦ｂ≦0.3 ）の結晶中に、非
超電導相であるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 結晶が微細に分散し
ていることを要旨とするものであり、特にＡｇを３０重
量％以下含有することが望ましい。
【０００８】また上記酸化物超電導体の製造方法として
は、超電導体製造用原料を溶解後急冷することにより、
非超電導相であるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 をＬｎ1+a-b Ｃａ
b Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 或はＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ3
Ｏ8 相中に析出分散せしめこれを粉砕し、必要によりＣ
ｕまたはＣｕ酸化物を加えてＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2Ｃ
ｕ4 Ｏ8 相に対応する組成に調整した後混合しＯ2-ＨＩ
Ｐ装置中で方向凝固により結晶を成長させればよい。
は、超電導体製造用原料を溶解後急冷することにより、
非超電導相であるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 をＬｎ1+a-b Ｃａ
b Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 或はＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ3
Ｏ8 相中に析出分散せしめこれを粉砕し、必要によりＣ
ｕまたはＣｕ酸化物を加えてＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2Ｃ
ｕ4 Ｏ8 相に対応する組成に調整した後混合しＯ2-ＨＩ
Ｐ装置中で方向凝固により結晶を成長させればよい。
【０００９】
【作用】本発明の方法によれば常圧中或はＯ2-ＨＩＰ装
置中における急冷により、ピン止めサイトとなりうる析
出相を形成し、且つＯ2-ＨＩＰ装置を用いＹ１２４安定
領域において徐冷して方向凝固を行うことにより粒子間
の弱結合排除がなされた結晶粒が育成できる。
置中における急冷により、ピン止めサイトとなりうる析
出相を形成し、且つＯ2-ＨＩＰ装置を用いＹ１２４安定
領域において徐冷して方向凝固を行うことにより粒子間
の弱結合排除がなされた結晶粒が育成できる。
【００１０】本発明の酸化物超電導体はＬｎを２０％を
上限として過剰に添加してもよく、これによりピン止め
サイトとして機能するＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 の分散析出を
促すことができる。また３０％を上限としてＬｎをＣｕ
により置換してもよく、これにより超電導遷移温度を上
昇させることができる。さらに銀を３０％以下の範囲で
添加することにより結晶内でのクラック進展の防止やピ
ン止めサイトとしての機能が期待でき機械的強度にも優
れた材料が得られる。
上限として過剰に添加してもよく、これによりピン止め
サイトとして機能するＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 の分散析出を
促すことができる。また３０％を上限としてＬｎをＣｕ
により置換してもよく、これにより超電導遷移温度を上
昇させることができる。さらに銀を３０％以下の範囲で
添加することにより結晶内でのクラック進展の防止やピ
ン止めサイトとしての機能が期待でき機械的強度にも優
れた材料が得られる。
【００１１】本発明に係る酸化物超電導体を製造するに
あたっては、超電導体製造用原料を溶解後急冷すること
により非超電導相であるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 を超電導相
であるＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 相中に析出分
散せしめて前駆体とし、これを粉砕して混合した後Ｏ2-
ＨＩＰ装置中で方向凝固により結晶を成長させればよ
く、また超電導体製造用原料を溶解後急冷することによ
り非超電導相であるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 を超電導相であ
るＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ8 相中に析出分散せ
しめて前駆体とし、これを粉砕しＣｕまたはＣｕ酸化物
を加えてＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 相に対応す
る組成に調整した後Ｏ2-ＨＩＰ装置中で方向凝固により
結晶を成長させてもよい。さらに上記前駆体粉砕した粉
末にＰｔ粉末を１重量％程度添加すると臨界電流密度の
上昇させることができる。
あたっては、超電導体製造用原料を溶解後急冷すること
により非超電導相であるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 を超電導相
であるＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 相中に析出分
散せしめて前駆体とし、これを粉砕して混合した後Ｏ2-
ＨＩＰ装置中で方向凝固により結晶を成長させればよ
く、また超電導体製造用原料を溶解後急冷することによ
り非超電導相であるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 を超電導相であ
るＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ8 相中に析出分散せ
しめて前駆体とし、これを粉砕しＣｕまたはＣｕ酸化物
を加えてＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 相に対応す
る組成に調整した後Ｏ2-ＨＩＰ装置中で方向凝固により
結晶を成長させてもよい。さらに上記前駆体粉砕した粉
末にＰｔ粉末を１重量％程度添加すると臨界電流密度の
上昇させることができる。
【００１２】こうして製造された酸化物超電導体は高臨
界電流密度を有すると共に、大気中で８００℃までの加
熱に耐え得る熱安定性を示すものである。さらに大気中
室温にて保存する場合の安定性も向上することから、材
料劣化による超電導特性の劣化もＹ１２３に比して少な
い。
界電流密度を有すると共に、大気中で８００℃までの加
熱に耐え得る熱安定性を示すものである。さらに大気中
室温にて保存する場合の安定性も向上することから、材
料劣化による超電導特性の劣化もＹ１２３に比して少な
い。
【００１３】
【実施例】原料としてＹ2 Ｏ3 ，ＢａＣＯ3 ，ＣａＣＯ
3 ，ＣｕＯを用い、Ｙ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ3 （ａ＝
0.1 、ｂ＝0, 0.1）として仕込んだ混合物を大気中にて
５００℃で１時間保持した後、１４００℃まで加熱しＣ
ｕ板上で急冷してＹ（Ｃａ）１２３ＱＭＧ前駆体を得
た。これを１１００℃で０．５時間再熱処理してＹ２１
１が分散析出した前駆体を得た。
3 ，ＣｕＯを用い、Ｙ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ3 （ａ＝
0.1 、ｂ＝0, 0.1）として仕込んだ混合物を大気中にて
５００℃で１時間保持した後、１４００℃まで加熱しＣ
ｕ板上で急冷してＹ（Ｃａ）１２３ＱＭＧ前駆体を得
た。これを１１００℃で０．５時間再熱処理してＹ２１
１が分散析出した前駆体を得た。
【００１４】該前駆体に全体仕込み組成がＹ1+a-b Ｃａ
b Ｂａ2 Ｃｕ4 （ａ＝0.1 、ｂ＝0,0.1）の２種となる
ように各々ＣｕＯ粉末を混合しペレット化（直径２ｃ
ｍ，高さ５ｍｍ）した。同様にして上記前駆体にＡｇを
５重量％添加してａ＝0.1 、ｂ＝0, 0.1の２種となる様
ペレット化した。
b Ｂａ2 Ｃｕ4 （ａ＝0.1 、ｂ＝0,0.1）の２種となる
ように各々ＣｕＯ粉末を混合しペレット化（直径２ｃ
ｍ，高さ５ｍｍ）した。同様にして上記前駆体にＡｇを
５重量％添加してａ＝0.1 、ｂ＝0, 0.1の２種となる様
ペレット化した。
【００１５】得られたペレットをＯ2-ＨＩＰ装置により
Ｏ2 分圧３００ｂａｒ（全圧１５００ｂａｒ）で１０５
０℃に加熱し６時間かけて８５０℃まで徐冷（約３０℃
／ｈ）した。これをさらに３００℃まで炉冷（約２００
℃／ｈ）した後、大気圧に戻し試験片を得た。ｂ＝0 ，
Ａｇ添加量５％の場合の試験片について測定したＸ線回
折パターンを図１に示す。該試験片の主相がＹ１２４で
あり、Ｙ２１１とＡｇを他相として含んでいることがわ
かる。
Ｏ2 分圧３００ｂａｒ（全圧１５００ｂａｒ）で１０５
０℃に加熱し６時間かけて８５０℃まで徐冷（約３０℃
／ｈ）した。これをさらに３００℃まで炉冷（約２００
℃／ｈ）した後、大気圧に戻し試験片を得た。ｂ＝0 ，
Ａｇ添加量５％の場合の試験片について測定したＸ線回
折パターンを図１に示す。該試験片の主相がＹ１２４で
あり、Ｙ２１１とＡｇを他相として含んでいることがわ
かる。
【００１６】前記４種の試験片を粉末化してＶＳＭによ
り±４．０ＴでのＭ−Ｈ曲線を測定し、これからＨ＝
２．０ＴのもとでのΔＭを求めた。４．２ＫにおけるΔ
Ｍ4.2で規格化した結果を図２に示す。尚比較のために
Ｂｉ２２１２単結晶を併記した。
り±４．０ＴでのＭ−Ｈ曲線を測定し、これからＨ＝
２．０ＴのもとでのΔＭを求めた。４．２ＫにおけるΔ
Ｍ4.2で規格化した結果を図２に示す。尚比較のために
Ｂｉ２２１２単結晶を併記した。
【００１７】この結果から本発明によるＹ１２４ＱＭＧ
材は温度の上昇に対して磁束の移動を有効に抑制するピ
ン止めサイトを内在していることがわかる。
材は温度の上昇に対して磁束の移動を有効に抑制するピ
ン止めサイトを内在していることがわかる。
【００１８】また同一の前記試験片（ｂ＝0 ，Ａｇ；５
％）を用いて、大気中にて７５０℃まで加熱し３時間保
持した後に室温で急冷（４００℃／ｍｉｎ）するという
熱処理の前後で測定したＭ−Ｔ曲線を図３に示す。図３
（Ａ）が熱処理前，（Ｂ）が熱処理後であり、該Ｍ−Ｔ
曲線により磁化の温度依存性を示す。この結果この材料
の主相が、８００℃まで熱的に安定（大気中）なＹＢａ
2 Ｃｕ4 Ｏ8 相であることが確認でき、熱処理前後でも
Ｔｃonset ＝８０Ｋは変化していないことがわかる。尚
同様にして測定したＴｃonset を上記４つのサンプルに
ついて表１に示す。
％）を用いて、大気中にて７５０℃まで加熱し３時間保
持した後に室温で急冷（４００℃／ｍｉｎ）するという
熱処理の前後で測定したＭ−Ｔ曲線を図３に示す。図３
（Ａ）が熱処理前，（Ｂ）が熱処理後であり、該Ｍ−Ｔ
曲線により磁化の温度依存性を示す。この結果この材料
の主相が、８００℃まで熱的に安定（大気中）なＹＢａ
2 Ｃｕ4 Ｏ8 相であることが確認でき、熱処理前後でも
Ｔｃonset ＝８０Ｋは変化していないことがわかる。尚
同様にして測定したＴｃonset を上記４つのサンプルに
ついて表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】図４は本発明によるＹ１２４ＱＭＧ材（Ａ
ｇ；５％）の熱重量変化を示すグラフであり、８００℃
までの加熱に対して安定であることがわかる。
ｇ；５％）の熱重量変化を示すグラフであり、８００℃
までの加熱に対して安定であることがわかる。
【００２１】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されているの
で、ピン止めサイトを有し粒子間の弱結合を排除した超
電導材料で、しかも熱的に安定な酸化物超電導体及びそ
の製造方法が提供できることとなった。
で、ピン止めサイトを有し粒子間の弱結合を排除した超
電導材料で、しかも熱的に安定な酸化物超電導体及びそ
の製造方法が提供できることとなった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る酸化物超電導体のＸ線回折パター
ンを示すグラフである。
ンを示すグラフである。
【図２】本発明例と比較例の４．２Ｋで規格化したΔＭ
の温度変化（２Ｔ）を示すグラフである。
の温度変化（２Ｔ）を示すグラフである。
【図３】本発明に係る酸化物超電導体の熱処理による磁
化の温度依存性を示すグラフであって、（Ａ）は熱処理
前、（Ｂ）は熱処理後である。
化の温度依存性を示すグラフであって、（Ａ）は熱処理
前、（Ｂ）は熱処理後である。
【図４】本発明に係る酸化物超電導体の熱重量変化を示
すグラフである。
すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】 超電導相であるＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2
Ｃｕ4 Ｏ8 （但しＬｎはＹまたはランタン系列元素，0
≦ａ≦0.2 ，0 ≦ｂ≦0.3 ）の結晶中に、非超電導相で
あるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 結晶が微細に分散していること
を特徴とする高臨界電流密度を有する酸化物超電導体。 - 【請求項２】 Ａｇを３０重量％以下含有してなる請求
項１記載の高臨界電流密度を有する酸化物超電導体。 - 【請求項３】 超電導体製造用原料を溶解後急冷するこ
とにより、非超電導相であるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 を超電
導相であるＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 相中に析
出分散せしめ、これを粉砕して混合した後Ｏ2-ＨＩＰ装
置中で方向凝固により結晶を成長させることを特徴とす
る高臨界電流密度を有する酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項４】 超電導体製造用原料を溶解後急冷するこ
とにより、非超電導相であるＬｎ2 ＢａＣｕＯ5 を超電
導相であるＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ8 相中に析
出分散せしめ、これを粉砕しＣｕまたはＣｕ酸化物を加
えてＬｎ1+a-b Ｃａb Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏ8 相に対応する組
成に調整した後Ｏ2-ＨＩＰ装置中で方向凝固により結晶
を成長させることを特徴とする高臨界電流密度を有する
酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253089A JPH05294711A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 高臨界電流密度を有する酸化物超電導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253089A JPH05294711A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 高臨界電流密度を有する酸化物超電導体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294711A true JPH05294711A (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=17246340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3253089A Withdrawn JPH05294711A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 高臨界電流密度を有する酸化物超電導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05294711A (ja) |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP3253089A patent/JPH05294711A/ja not_active Withdrawn
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