JPH0530357Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0530357Y2 JPH0530357Y2 JP15529987U JP15529987U JPH0530357Y2 JP H0530357 Y2 JPH0530357 Y2 JP H0530357Y2 JP 15529987 U JP15529987 U JP 15529987U JP 15529987 U JP15529987 U JP 15529987U JP H0530357 Y2 JPH0530357 Y2 JP H0530357Y2
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- Japan
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- quartz
- reaction tube
- internal
- oxide film
- reaction
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- Expired - Lifetime
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 57
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体製造技術分野の中でも低温酸化
膜あるいは高温酸化膜を形成するための縦形
CVD装置の反応室構造に関する。
膜あるいは高温酸化膜を形成するための縦形
CVD装置の反応室構造に関する。
反応ガスとして特にSiH4及びO2を用いた低温
酸化膜形成用の縦形CVD装置において問題とな
るのは、パーテイクルの発生である。
酸化膜形成用の縦形CVD装置において問題とな
るのは、パーテイクルの発生である。
第３図は従来の縦形CVD装置の一例を示す縦
断面図で、１０はヒータ、１，２はそれぞれこの
ヒータ１０内に設けられた反応室を構成する外部
石英反応管及び内部石英反応管で、固定されたフ
ランジ７上に立設されている。３は内部石英反応
管２内に搬入、搬送される石英ボードで、多数の
ウエーハ４が載置されている。８は石英ボート支
持台で、昇降機構の昇降ドア部９上に載せられて
いる。５は反応ガスを内部石英反応管２内に導入
するガス導入口、６は反応ガスを内部石英反応管
２内を通り、外，内部石英反応管１，２の間を通
して排気する排気口である。
断面図で、１０はヒータ、１，２はそれぞれこの
ヒータ１０内に設けられた反応室を構成する外部
石英反応管及び内部石英反応管で、固定されたフ
ランジ７上に立設されている。３は内部石英反応
管２内に搬入、搬送される石英ボードで、多数の
ウエーハ４が載置されている。８は石英ボート支
持台で、昇降機構の昇降ドア部９上に載せられて
いる。５は反応ガスを内部石英反応管２内に導入
するガス導入口、６は反応ガスを内部石英反応管
２内を通り、外，内部石英反応管１，２の間を通
して排気する排気口である。
このような従来の縦形CVD装置は、昇降機構
の昇降ドア部９を上昇させて石英ボート支持台８
上の石英ボート３を上昇させ、この石英ボート３
に載置された多数のウエーハ４を内部石英反応管
２内に搬入し、当該石英ボート３に載置された多
数のウエーハ４をヒータ１０により加熱すると共
に、反応ガスをガス導入口５より内部石英反応管
２内に導入し、外，内部石英反応管１，２間を経
て排気口６より排気することにより多数のウエー
ハ４上に酸化膜を生成させ、しかる後、昇降機構
の昇降ドア部９の下降により石英ボート支持台８
上の石英ボート３を下降させ、このボート３に載
置され酸化膜の生成された多数のウエーハ４を内
部石英反応管２より搬出することができるもので
ある。
の昇降ドア部９を上昇させて石英ボート支持台８
上の石英ボート３を上昇させ、この石英ボート３
に載置された多数のウエーハ４を内部石英反応管
２内に搬入し、当該石英ボート３に載置された多
数のウエーハ４をヒータ１０により加熱すると共
に、反応ガスをガス導入口５より内部石英反応管
２内に導入し、外，内部石英反応管１，２間を経
て排気口６より排気することにより多数のウエー
ハ４上に酸化膜を生成させ、しかる後、昇降機構
の昇降ドア部９の下降により石英ボート支持台８
上の石英ボート３を下降させ、このボート３に載
置され酸化膜の生成された多数のウエーハ４を内
部石英反応管２より搬出することができるもので
ある。
上記従来例にあつては、外部石英反応管１の上
方に窪む球状の上面Ａに、反応ガスが滞留し易い
ため当該球状上面Ａに酸化膜が形成され易く、
外，内部石英反応管１，２間の中央部Ｂに形成さ
れる酸化膜に比して厚い酸化膜が形成され、この
酸化膜が圧縮応力によつて剥がれてパーテイクル
の原因となつているばかりでなく、外部石英反応
管１の球状上面Ａには厚い酸化膜の形成によるひ
ずみにより多くのクラツクが発生し、その寿命を
短くするという問題点があつた。
方に窪む球状の上面Ａに、反応ガスが滞留し易い
ため当該球状上面Ａに酸化膜が形成され易く、
外，内部石英反応管１，２間の中央部Ｂに形成さ
れる酸化膜に比して厚い酸化膜が形成され、この
酸化膜が圧縮応力によつて剥がれてパーテイクル
の原因となつているばかりでなく、外部石英反応
管１の球状上面Ａには厚い酸化膜の形成によるひ
ずみにより多くのクラツクが発生し、その寿命を
短くするという問題点があつた。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案反応室構造は、上記の問題点を解決する
ため、第１，第２図示のようにヒータ１０内に外
部反応管１と内部反応管２よりなる反応室を有す
る縦形CVD装置において、内部反応管２の上部
に、下方に窪む球状キヤツプ１１の支持部１２を
固定してなる構成としたものである。
ため、第１，第２図示のようにヒータ１０内に外
部反応管１と内部反応管２よりなる反応室を有す
る縦形CVD装置において、内部反応管２の上部
に、下方に窪む球状キヤツプ１１の支持部１２を
固定してなる構成としたものである。
このように内部反応管２の上部に、下方に窪む
球状キヤツプ１１を設けることにより、反応ガス
は内部反応管２とこの球状キヤツプ１２との間を
通つて排気されることになるので、当該下方に窪
む球状キヤツプ１２部及び外部反応管１の球状上
面Ａに反応ガスが滞留することがなく速やかにガ
スを排気させることができるため、球状キヤツプ
１２部及び外部反応管１の球状上面Ａに酸化膜が
形成され難くなるばかりでなく、酸化膜は圧縮応
力を示すため、第１図示の構成における外部反応
管１の上方に窪む球状上面Ａよりも下方に窪む球
状キヤツプ１１の方が酸化膜の応力を緩和でき、
酸化膜が剥がれ難くなりパーテイクルの減少を図
ることができる。また、外部反応管１の上方に窪
む球状上面Ａに下方に窪む球状キヤツプ１１によ
つて酸化膜が形成され難いので、クラツクが発生
せず、外部反応管１の寿命を延長することができ
る。
球状キヤツプ１１を設けることにより、反応ガス
は内部反応管２とこの球状キヤツプ１２との間を
通つて排気されることになるので、当該下方に窪
む球状キヤツプ１２部及び外部反応管１の球状上
面Ａに反応ガスが滞留することがなく速やかにガ
スを排気させることができるため、球状キヤツプ
１２部及び外部反応管１の球状上面Ａに酸化膜が
形成され難くなるばかりでなく、酸化膜は圧縮応
力を示すため、第１図示の構成における外部反応
管１の上方に窪む球状上面Ａよりも下方に窪む球
状キヤツプ１１の方が酸化膜の応力を緩和でき、
酸化膜が剥がれ難くなりパーテイクルの減少を図
ることができる。また、外部反応管１の上方に窪
む球状上面Ａに下方に窪む球状キヤツプ１１によ
つて酸化膜が形成され難いので、クラツクが発生
せず、外部反応管１の寿命を延長することができ
る。
以下図面に基づいて本考案の実施例を説明す
る。
る。
第１図は本考案反応室構造の一実施例を適用し
た縦形CVD装置の縦断面図である。
た縦形CVD装置の縦断面図である。
第１図において１０はヒータ、１，２はそれぞ
れこのヒータ１０内に設けられた反応室を構成す
る外部石英反応管及び内部石英反応管で、固定さ
れたフランジ７上に立設されている。３は内部石
英反応管２内に搬入，搬送される石英ボートで、
多数のウエーハ４が載置されている。８は石英ボ
ート支持台で、昇降機構の昇降ドア部９上に載せ
られている。５は反応ガスを内部石英反応管２内
に導入するガス導入口、６は反応ガスを内部石英
反応管２内を通り、外，内部石英反応管１，２の
間を通して排気する排気口である。
れこのヒータ１０内に設けられた反応室を構成す
る外部石英反応管及び内部石英反応管で、固定さ
れたフランジ７上に立設されている。３は内部石
英反応管２内に搬入，搬送される石英ボートで、
多数のウエーハ４が載置されている。８は石英ボ
ート支持台で、昇降機構の昇降ドア部９上に載せ
られている。５は反応ガスを内部石英反応管２内
に導入するガス導入口、６は反応ガスを内部石英
反応管２内を通り、外，内部石英反応管１，２の
間を通して排気する排気口である。
本実施例はこのような縦形CVD装置において
内部石英反応管２の上部に第２図示のような下方
に窪む球状石英キヤツプ１１の複数本の支持部１
２を固定してなる。
内部石英反応管２の上部に第２図示のような下方
に窪む球状石英キヤツプ１１の複数本の支持部１
２を固定してなる。
上記のような構成の縦形CVD装置は、昇降機
構の昇降ドア部９を上昇させて石英ボート支持台
８上の石英ボート３を上昇させ、この石英ボート
３に載置された多数のウエーハ４を内部石英反応
管２内に搬入し、当該石英ボート３に載置された
多数のウエーハ４をヒータ１０により加熱すると
共に、反応ガスをガス導入口５より内部石英反応
管２内に導入し、内部石英反応管２と下方に窪む
球状石英キヤツプ１１の間を通り、外，内部石英
反応管１，２間を経て排気口６より排気すること
により多数のウエーハ４上に酸化膜を生成させ、
しかる後、昇降機構の昇降ドア部９の下降により
石英ボート支持台８上の石英ボート３を下降さ
せ、このボート３に載置され酸化膜の生成された
多数のウエーハ４を内部石英反応管２より搬出す
ることができるものである。
構の昇降ドア部９を上昇させて石英ボート支持台
８上の石英ボート３を上昇させ、この石英ボート
３に載置された多数のウエーハ４を内部石英反応
管２内に搬入し、当該石英ボート３に載置された
多数のウエーハ４をヒータ１０により加熱すると
共に、反応ガスをガス導入口５より内部石英反応
管２内に導入し、内部石英反応管２と下方に窪む
球状石英キヤツプ１１の間を通り、外，内部石英
反応管１，２間を経て排気口６より排気すること
により多数のウエーハ４上に酸化膜を生成させ、
しかる後、昇降機構の昇降ドア部９の下降により
石英ボート支持台８上の石英ボート３を下降さ
せ、このボート３に載置され酸化膜の生成された
多数のウエーハ４を内部石英反応管２より搬出す
ることができるものである。
本実施例では内部石英反応管２の上部に、下方
に窪む球状石英キヤツプ１１をその複数本の支持
部１２を固定して設けることにより反応ガスは内
部石英反応管２とこの球状石英キヤツプ１１との
間を通つて排気されることになるので、外部石英
反応管１の上方に窪む球状上面Ａは勿論のこと、
当該下方に窪む球状石英キヤツプ１１部に反応ガ
スが滞留することがなく、速やかにガスを排気さ
せることができるため、外部石英反応管１の上方
に窪む球状上面Ａは勿論、球状石英キヤツプ１１
部に酸化膜が形成され難くなるばかりでなく、酸
化膜は圧縮応力を示すため、外部石英反応管１の
上方に窪む球状上面Ａよりも下方に窪む球状石英
キヤツプ１１の方が酸化膜の応力を緩和でき、酸
化膜が剥がれ難くなり、パーテイクルの減少を図
ることができる。
に窪む球状石英キヤツプ１１をその複数本の支持
部１２を固定して設けることにより反応ガスは内
部石英反応管２とこの球状石英キヤツプ１１との
間を通つて排気されることになるので、外部石英
反応管１の上方に窪む球状上面Ａは勿論のこと、
当該下方に窪む球状石英キヤツプ１１部に反応ガ
スが滞留することがなく、速やかにガスを排気さ
せることができるため、外部石英反応管１の上方
に窪む球状上面Ａは勿論、球状石英キヤツプ１１
部に酸化膜が形成され難くなるばかりでなく、酸
化膜は圧縮応力を示すため、外部石英反応管１の
上方に窪む球状上面Ａよりも下方に窪む球状石英
キヤツプ１１の方が酸化膜の応力を緩和でき、酸
化膜が剥がれ難くなり、パーテイクルの減少を図
ることができる。
実際に低温酸化膜を形成した場合において従来
では3μmの膜生成によりパーテイクルが発生した
が、本考案では5μm以上の膜生成でもパーテイク
ルの発生は認められなかつた。
では3μmの膜生成によりパーテイクルが発生した
が、本考案では5μm以上の膜生成でもパーテイク
ルの発生は認められなかつた。
また、外部石英反応管１の上方に窪む球状内面
Ａに、下方に窪む球状石英キヤツプ１１によつて
酸化膜が形成され難いので、クラツクが発生せ
ず、外部石英反応管１の寿命を延長することがで
きる。
Ａに、下方に窪む球状石英キヤツプ１１によつて
酸化膜が形成され難いので、クラツクが発生せ
ず、外部石英反応管１の寿命を延長することがで
きる。
即ち、本考案によれば、内部反応管２の上部
に、下方に窪む球状キヤツプ１１を設けることに
より、反応管上部からの酸化膜の剥がれを防止し
パーテイクルの減少を図ることができ、特に
SiH4，O2を原料ガスとした低温酸化膜形成の際
に有効であるばかりでなく、外部反応管１の寿命
を延長することができる。
に、下方に窪む球状キヤツプ１１を設けることに
より、反応管上部からの酸化膜の剥がれを防止し
パーテイクルの減少を図ることができ、特に
SiH4，O2を原料ガスとした低温酸化膜形成の際
に有効であるばかりでなく、外部反応管１の寿命
を延長することができる。
第１図は本考案反応室構造の一実施例を適用し
た縦形CVD装置の縦断面図、第２図は本考案に
おける下方に窪む球状キヤツプの一例を示す斜視
図、第３図は従来の縦形CVD装置の一例を示す
縦断面図である。 １……外部（石英）反応管、２……内部（石
英）反応管、１０……ヒータ、１１……下方に窪
む球状（石英）キヤツプ、１２……支持部。
た縦形CVD装置の縦断面図、第２図は本考案に
おける下方に窪む球状キヤツプの一例を示す斜視
図、第３図は従来の縦形CVD装置の一例を示す
縦断面図である。 １……外部（石英）反応管、２……内部（石
英）反応管、１０……ヒータ、１１……下方に窪
む球状（石英）キヤツプ、１２……支持部。
Claims (1)
- ヒータ１０内に外部反応管１と内部反応管２よ
りなる反応室を有する縦形CVD装置において、
内部反応管２の上部に、下方に窪む球状キヤツプ
１１の支持部１２を固定してなる縦形CVD装置
の反応室構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15529987U JPH0530357Y2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15529987U JPH0530357Y2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0160533U JPH0160533U (ja) | 1989-04-17 |
| JPH0530357Y2 true JPH0530357Y2 (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=31432805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15529987U Expired - Lifetime JPH0530357Y2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0530357Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4593814B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP15529987U patent/JPH0530357Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0160533U (ja) | 1989-04-17 |
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