JPH05323101A - 反射防止性を有する電磁波シールドフィルムおよびその製造方法 - Google Patents
反射防止性を有する電磁波シールドフィルムおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05323101A JPH05323101A JP4155684A JP15568492A JPH05323101A JP H05323101 A JPH05323101 A JP H05323101A JP 4155684 A JP4155684 A JP 4155684A JP 15568492 A JP15568492 A JP 15568492A JP H05323101 A JPH05323101 A JP H05323101A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductive layer
- electromagnetic wave
- wave shielding
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射防止性に優れた電磁波シールドフィルム
および該フィルムの製造方法を提供することにある。 【構成】 透明合成樹脂フィルムの表面に透明無機導電
層を設け、さらにその表層に導電層よりも低い屈折率の
層を設けた反射防止性を有する電磁波シールドフィル
ム、および透明合成樹脂フィルム上に設けられた透明無
機導電層の表面を低温プラズマに曝した後、透明無機導
電層の表面に導電層よりも低い屈折率の層を形成する電
磁波シールドフィルムの製造方法。
および該フィルムの製造方法を提供することにある。 【構成】 透明合成樹脂フィルムの表面に透明無機導電
層を設け、さらにその表層に導電層よりも低い屈折率の
層を設けた反射防止性を有する電磁波シールドフィル
ム、および透明合成樹脂フィルム上に設けられた透明無
機導電層の表面を低温プラズマに曝した後、透明無機導
電層の表面に導電層よりも低い屈折率の層を形成する電
磁波シールドフィルムの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電層の光線反射を防
止した電磁波シールドフィルム、およびその製造方法に
関する。
止した電磁波シールドフィルム、およびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来技術および発明が解決しようとする課題】各種コ
ンピュータ、ワードプロセッサーなどの各種ＯＡディス
プレイや家庭用テレビで使われている陰極線管（以後Ｃ
ＲＴと略す）からは、有害な電磁波が多量に発生してお
り、これらの装置によるオペレーターへの健康障害が指
摘されている。
ンピュータ、ワードプロセッサーなどの各種ＯＡディス
プレイや家庭用テレビで使われている陰極線管（以後Ｃ
ＲＴと略す）からは、有害な電磁波が多量に発生してお
り、これらの装置によるオペレーターへの健康障害が指
摘されている。
【０００３】従来より上記障害を防ぐため種々の提案が
なされており、例えば導電性金属メッシュ自体をディス
プレイ全面に貼付けしたり、導電性金属メッシュをガラ
スや透明プラスチック板で挟んだ合わせ板をディスプレ
イ全面に装着したりするなどしていた。しかし、これら
の方法では導電性メッシュを使用しているため、オペレ
ーターにはディスプレイに表示された文字が見えにくい
という問題があった。この問題を解決するため、に可視
光線を透過しかつ導電性に優れ電磁波を有効に遮蔽でき
ることで知られる酸化インジウムと酸化スズの混合膜
（以下ＩＴＯ膜という）を導電層として利用する方法が
考えられる。しかしながら、市販され広く用いられてい
るＩＴＯ膜を設けたポリエチレンテレフタレートフィル
ムを用いた場合には、ＩＴＯ膜がポリエチレンテレフタ
レートフィルムよりも屈折率が高く、光線反射率が大き
いため、各種コンピュータ、ワードプロセッサーなどの
各種ＯＡディスプレイの前面板等、背景の写り込みを嫌
う用途では使えないという問題があった。
なされており、例えば導電性金属メッシュ自体をディス
プレイ全面に貼付けしたり、導電性金属メッシュをガラ
スや透明プラスチック板で挟んだ合わせ板をディスプレ
イ全面に装着したりするなどしていた。しかし、これら
の方法では導電性メッシュを使用しているため、オペレ
ーターにはディスプレイに表示された文字が見えにくい
という問題があった。この問題を解決するため、に可視
光線を透過しかつ導電性に優れ電磁波を有効に遮蔽でき
ることで知られる酸化インジウムと酸化スズの混合膜
（以下ＩＴＯ膜という）を導電層として利用する方法が
考えられる。しかしながら、市販され広く用いられてい
るＩＴＯ膜を設けたポリエチレンテレフタレートフィル
ムを用いた場合には、ＩＴＯ膜がポリエチレンテレフタ
レートフィルムよりも屈折率が高く、光線反射率が大き
いため、各種コンピュータ、ワードプロセッサーなどの
各種ＯＡディスプレイの前面板等、背景の写り込みを嫌
う用途では使えないという問題があった。
【０００４】したがって、本発明の目的は、反射防止性
に優れた電磁波シールドフィルムおよび該フィルムの製
造方法を提供することにある。
に優れた電磁波シールドフィルムおよび該フィルムの製
造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、透明合成樹脂フィルムの表面に透明無機導電層を
設け、さらにその表層に導電層よりも低い屈折率の層を
設けた反射防止性を有する電磁波シールドフィルム、お
よび透明合成樹脂フィルム上に設けられた透明無機導電
層の表面を低温プラズマに曝した後、透明無機導電層の
表面に導電層よりも低い屈折率の層を形成する反射防止
性を有する電磁波シールドフィルムの製造方法により達
成される。
れば、透明合成樹脂フィルムの表面に透明無機導電層を
設け、さらにその表層に導電層よりも低い屈折率の層を
設けた反射防止性を有する電磁波シールドフィルム、お
よび透明合成樹脂フィルム上に設けられた透明無機導電
層の表面を低温プラズマに曝した後、透明無機導電層の
表面に導電層よりも低い屈折率の層を形成する反射防止
性を有する電磁波シールドフィルムの製造方法により達
成される。
【０００６】本発明で用いる透明合成樹脂フィルムとし
ては、この表層に透明導電層が密着性良好に形成され得
るものであればいかなるものであっても良いが、ロール
処理に適した機械的強度を有し、比較的安価に入手可能
なポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略称す
る）フィルムが最も好ましい。透明合成樹脂フィルムの
厚みは特に限定されるものではないが通常６μｍ〜３５
０μｍ、好ましくは２５μｍ〜１５０μｍ、最も好まし
くは５０μｍ〜１２５μｍである。
ては、この表層に透明導電層が密着性良好に形成され得
るものであればいかなるものであっても良いが、ロール
処理に適した機械的強度を有し、比較的安価に入手可能
なポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略称す
る）フィルムが最も好ましい。透明合成樹脂フィルムの
厚みは特に限定されるものではないが通常６μｍ〜３５
０μｍ、好ましくは２５μｍ〜１５０μｍ、最も好まし
くは５０μｍ〜１２５μｍである。
【０００７】本発明で透明合成樹脂フィルムの表面に設
けられ透明無機導電層とは、濁りなどのない実質的に可
視光線を透過する無機質のものであればいかなるもので
あってもよいが、透明性、機械的強度の点からＩｎ2 Ｏ
3 （酸化インジウム）、ＳｎＯ2 （酸化スズ）、または
Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 の混合物（以下ＩＴＯという）か
らなる層が好ましく、ＩＴＯからなる層が最も好まし
い。上記導電層の膜厚は、本発明の性能を発揮できる程
度の膜厚であれば特に限定されるものではないが、通常
５００Å〜５０００Å、膜密着性、透明性の点から７０
０Å〜２０００Åが好ましい。上記ＩＴＯからなる層
は、一般にスパッタリング法や酸素プラズマ中でのイオ
ンプレーティング法などにより形成することができる。
けられ透明無機導電層とは、濁りなどのない実質的に可
視光線を透過する無機質のものであればいかなるもので
あってもよいが、透明性、機械的強度の点からＩｎ2 Ｏ
3 （酸化インジウム）、ＳｎＯ2 （酸化スズ）、または
Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 の混合物（以下ＩＴＯという）か
らなる層が好ましく、ＩＴＯからなる層が最も好まし
い。上記導電層の膜厚は、本発明の性能を発揮できる程
度の膜厚であれば特に限定されるものではないが、通常
５００Å〜５０００Å、膜密着性、透明性の点から７０
０Å〜２０００Åが好ましい。上記ＩＴＯからなる層
は、一般にスパッタリング法や酸素プラズマ中でのイオ
ンプレーティング法などにより形成することができる。
【０００８】本発明で用いる前記導電層よりも低い屈折
率の層とは、特に限定されるものではないが、例えば、
ＳｉＯ2 （二酸化珪素）、ＭｇＦ2 （フッ化マグネシウ
ム）、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウム）などの無機誘電
体、有機ポリシロキサン重縮合膜、メタクリル酸エステ
ル化合物の架橋膜などの有機物塗膜などからなる層であ
る。これらのうち、反射防止性能と耐擦傷性などの機械
的強度の点でＳｉＯ2からなる層が最も好ましい。上記
低屈折率層の膜厚は可視光線の反射を防止できる程度で
あれば特に限定されるものではないが、可視光線領域に
おける光学膜厚（幾何学膜厚×膜の屈折率）がλ／４と
なる膜厚が最も好ましい（ここでλは光線の波長（ｎ
ｍ）である）。無機誘電体からなる層の形成方法として
は、スパッタリング法、イオンプレーティング法あるい
は真空蒸着法があげられるが、これらの方法により形成
された無機誘電体層は、ＩＴＯ膜との密着性が十分とは
いえず、使用状態によっては無機誘電体層がＩＴＯ膜か
ら剥離したり、傷がついたりする可能性があり、膜強度
の点で、透明無機導電層の表面に前記無機誘電体層を形
成する前に、透明導電層の表面を低温プラズマに曝す処
理を施すことがより好ましい。特に成膜装置の制限、ラ
ンニングコスト、装置メンテナンス等の点で最も有利な
真空蒸着法によって密着性良好な上記無機誘電体層を形
成する場合には、上記低温プラズマによる透明無機導電
層の表面前処理が必要である。低温プラズマは、減圧状
態の槽内にガスを導入し、槽内の電極に、直流、交流、
高周波電圧を印加することによって発生される。ここで
使用されるガスは、特に限定されるものではないが、好
ましくは酸素、アルゴンであり、ＩＴＯ膜の電気的特性
劣化の危険性をなくする目的からアルゴンガスが最も好
ましい。用いられるガスの圧力は、プラズマ状態が安定
する範囲であれば特に限定されるものではないが、好ま
しくは５×１０-5〜１×１０-1Ｔｏｒｒである。低温プ
ラズマ処理時間は、プラズマの状態により異なるが、通
常約１０秒以上で十分な処理効果が得られる。無機誘電
体層の形成は、透明無機導電層の表面を低温プラズマ処
理した後に一旦大気中にさらした後でもさしつかえない
が、大気中のゴミによる汚染を防ぐ目的から、透明無機
導電層の表面を低温プラズマ処理した直後に行うことが
より好ましい。
率の層とは、特に限定されるものではないが、例えば、
ＳｉＯ2 （二酸化珪素）、ＭｇＦ2 （フッ化マグネシウ
ム）、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウム）などの無機誘電
体、有機ポリシロキサン重縮合膜、メタクリル酸エステ
ル化合物の架橋膜などの有機物塗膜などからなる層であ
る。これらのうち、反射防止性能と耐擦傷性などの機械
的強度の点でＳｉＯ2からなる層が最も好ましい。上記
低屈折率層の膜厚は可視光線の反射を防止できる程度で
あれば特に限定されるものではないが、可視光線領域に
おける光学膜厚（幾何学膜厚×膜の屈折率）がλ／４と
なる膜厚が最も好ましい（ここでλは光線の波長（ｎ
ｍ）である）。無機誘電体からなる層の形成方法として
は、スパッタリング法、イオンプレーティング法あるい
は真空蒸着法があげられるが、これらの方法により形成
された無機誘電体層は、ＩＴＯ膜との密着性が十分とは
いえず、使用状態によっては無機誘電体層がＩＴＯ膜か
ら剥離したり、傷がついたりする可能性があり、膜強度
の点で、透明無機導電層の表面に前記無機誘電体層を形
成する前に、透明導電層の表面を低温プラズマに曝す処
理を施すことがより好ましい。特に成膜装置の制限、ラ
ンニングコスト、装置メンテナンス等の点で最も有利な
真空蒸着法によって密着性良好な上記無機誘電体層を形
成する場合には、上記低温プラズマによる透明無機導電
層の表面前処理が必要である。低温プラズマは、減圧状
態の槽内にガスを導入し、槽内の電極に、直流、交流、
高周波電圧を印加することによって発生される。ここで
使用されるガスは、特に限定されるものではないが、好
ましくは酸素、アルゴンであり、ＩＴＯ膜の電気的特性
劣化の危険性をなくする目的からアルゴンガスが最も好
ましい。用いられるガスの圧力は、プラズマ状態が安定
する範囲であれば特に限定されるものではないが、好ま
しくは５×１０-5〜１×１０-1Ｔｏｒｒである。低温プ
ラズマ処理時間は、プラズマの状態により異なるが、通
常約１０秒以上で十分な処理効果が得られる。無機誘電
体層の形成は、透明無機導電層の表面を低温プラズマ処
理した後に一旦大気中にさらした後でもさしつかえない
が、大気中のゴミによる汚染を防ぐ目的から、透明無機
導電層の表面を低温プラズマ処理した直後に行うことが
より好ましい。
【０００９】本発明によれば、透明無機導電層を導線な
どで接地しなくても電磁波シールド効果が発現すること
が確認されている。しかし、帯電防止性や加温による防
曇性等の付与のために、透明無機導電層の接地や導線と
の接続を必要とする場合は、各々目的に適したマスク技
術により、導電層の一部が絶縁体層に被覆されないよう
な工夫をすることができる。
どで接地しなくても電磁波シールド効果が発現すること
が確認されている。しかし、帯電防止性や加温による防
曇性等の付与のために、透明無機導電層の接地や導線と
の接続を必要とする場合は、各々目的に適したマスク技
術により、導電層の一部が絶縁体層に被覆されないよう
な工夫をすることができる。
【００１０】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００１１】実施例１、比較例１ 市販のＰＥＴフィルム（東レ株式会社製“ルミラー”Ｔ
タイプ）の５０μｍ品の片面にＩＴＯ膜をイオンプレー
ティング法で成膜した。ＩＴＯは、ＳｎＯ2 ５重量％含
有の焼結ペレット品を使用し、酸素低温プラズマ中で、
電子ビームで加熱し蒸発させた。ＰＥＴフィルム上への
堆積速度は約１．５Å／秒、膜厚は約８００Åであっ
た。一旦大気中に取りだし、次にＩＴＯ膜付きＰＥＴフ
ィルムを真空蒸着装置（（株）昭和真空製ＳＧＣー１６
ＷＡ）の真空槽内のプラネタリーに取付け、真空槽内を
真空ポンプで排気し、３×１０-5Ｔｏｒｒに到達したと
ころでアルゴンガスを１×１０-4Ｔｏｒｒまで槽内に導
入しながら、槽内に配置したコイル状電極に１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を出力６００Ｗ印加したところ、真
空槽内全体に赤紫色のプラズマが発生した。ＩＴＯ膜面
を上記プラズマ雰囲気に１分間曝した後、電極への高周
波電力の印加とアルゴンガスの導入を停止しプラズマ処
理を終えた。真空槽内の圧力は５×１０-5Ｔｏｒｒであ
った。続いてＳｉＯ2 を電子ビームで加熱蒸発させ上記
ＩＴＯ膜上に堆積させた。堆積速度は約１８Å／秒、膜
厚は約９４０Åであった。得られた表面処理フィルムに
ついて５度正光線反射率、膜の密着性、表面の耐擦傷
性、および電磁波シールド性の各項目について評価し
た。５度正光線反射率は日立製作所製自記分光光度計Ｕ
−３４００型で測定した。ＳｉＯ2 膜を形成する前のフ
ィルムの可視光線領域の分光光線反射率スペクトル（Ｉ
ＴＯ膜側から測定）を図１に、ＩＴＯ膜上にＳｉＯ2 膜
を形成したフィルムの可視光線領域の分光光線反射率ス
ペクトル（ＳｉＯ2膜側から測定）を図２に示す。５５
０ｎｍ波長での光線反射率は、ＳｉＯ2 膜を形成する前
は約２０％（裏面反射を含む）であった（比較例１）の
に対し、ＩＴＯ膜上にＳｉＯ2 膜を形成したフィルムの
それは約６％（裏面反射を含む）に低減し、光線反射に
よるギラつき感は全く感じられなかった。膜の密着性
は、ＩＴＯ膜およびＳｉＯ2 膜側からカッターナイフに
よって約１ｃｍ2面積中に１００ケの碁盤目を切り込
み、その上にセロハンテープを均一に貼り付けた後に９
０度の角度ですばやく引き剥がす方法で評価したとこ
ろ、共に膜の剥離はなく、密着性良好であった。表面の
耐擦傷性は、ネル布で４００ｇ／ｃｍ2の荷重をかけな
がら１００往復擦ったときの傷の発生状況を観察する方
法で評価したところ、共に傷の発生はなく良好であっ
た。電磁波シールド性は、（財）関西電子工業振興セン
ター法のセルを使用した近接電界シールド効果測定にて
評価したところ、周波数３００ＭＨｚにおける電磁波の
減衰率は、共に１７デシベルであった。さらに、５０℃
・９０％ＲＨの環境下に９６時間放置した後に同様の評
価をおこなったが、いずれの項目も変化なく、耐久性も
良好であることがわかった。以上の結果を表１に示し
た。
タイプ）の５０μｍ品の片面にＩＴＯ膜をイオンプレー
ティング法で成膜した。ＩＴＯは、ＳｎＯ2 ５重量％含
有の焼結ペレット品を使用し、酸素低温プラズマ中で、
電子ビームで加熱し蒸発させた。ＰＥＴフィルム上への
堆積速度は約１．５Å／秒、膜厚は約８００Åであっ
た。一旦大気中に取りだし、次にＩＴＯ膜付きＰＥＴフ
ィルムを真空蒸着装置（（株）昭和真空製ＳＧＣー１６
ＷＡ）の真空槽内のプラネタリーに取付け、真空槽内を
真空ポンプで排気し、３×１０-5Ｔｏｒｒに到達したと
ころでアルゴンガスを１×１０-4Ｔｏｒｒまで槽内に導
入しながら、槽内に配置したコイル状電極に１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を出力６００Ｗ印加したところ、真
空槽内全体に赤紫色のプラズマが発生した。ＩＴＯ膜面
を上記プラズマ雰囲気に１分間曝した後、電極への高周
波電力の印加とアルゴンガスの導入を停止しプラズマ処
理を終えた。真空槽内の圧力は５×１０-5Ｔｏｒｒであ
った。続いてＳｉＯ2 を電子ビームで加熱蒸発させ上記
ＩＴＯ膜上に堆積させた。堆積速度は約１８Å／秒、膜
厚は約９４０Åであった。得られた表面処理フィルムに
ついて５度正光線反射率、膜の密着性、表面の耐擦傷
性、および電磁波シールド性の各項目について評価し
た。５度正光線反射率は日立製作所製自記分光光度計Ｕ
−３４００型で測定した。ＳｉＯ2 膜を形成する前のフ
ィルムの可視光線領域の分光光線反射率スペクトル（Ｉ
ＴＯ膜側から測定）を図１に、ＩＴＯ膜上にＳｉＯ2 膜
を形成したフィルムの可視光線領域の分光光線反射率ス
ペクトル（ＳｉＯ2膜側から測定）を図２に示す。５５
０ｎｍ波長での光線反射率は、ＳｉＯ2 膜を形成する前
は約２０％（裏面反射を含む）であった（比較例１）の
に対し、ＩＴＯ膜上にＳｉＯ2 膜を形成したフィルムの
それは約６％（裏面反射を含む）に低減し、光線反射に
よるギラつき感は全く感じられなかった。膜の密着性
は、ＩＴＯ膜およびＳｉＯ2 膜側からカッターナイフに
よって約１ｃｍ2面積中に１００ケの碁盤目を切り込
み、その上にセロハンテープを均一に貼り付けた後に９
０度の角度ですばやく引き剥がす方法で評価したとこ
ろ、共に膜の剥離はなく、密着性良好であった。表面の
耐擦傷性は、ネル布で４００ｇ／ｃｍ2の荷重をかけな
がら１００往復擦ったときの傷の発生状況を観察する方
法で評価したところ、共に傷の発生はなく良好であっ
た。電磁波シールド性は、（財）関西電子工業振興セン
ター法のセルを使用した近接電界シールド効果測定にて
評価したところ、周波数３００ＭＨｚにおける電磁波の
減衰率は、共に１７デシベルであった。さらに、５０℃
・９０％ＲＨの環境下に９６時間放置した後に同様の評
価をおこなったが、いずれの項目も変化なく、耐久性も
良好であることがわかった。以上の結果を表１に示し
た。
【００１２】実施例２ ＰＥＴフィルムにＩＴＯ膜を成膜する代わりに市販の透
明導電膜（ＩＴＯ）付ＰＥＴフィルム（東洋メタライジ
ング（株）製“メタクリスタ”Ｔ−Ｒ６０、ＰＥＴの厚
み５０μｍ）を用いる以外は、実施例１と同様にして、
ＩＴＯ膜面をアルゴンガス低温プラズマ処理し、ＳｉＯ
2 膜を蒸着した。得られた表面処理フィルムの性能を実
施例１と同様の方法で評価したとこころ、６００ｎｍ波
長での光線反射率は約６％（裏面反射を含む）であり、
光線反射によるギラつき感は全く感じられなかった。Ｓ
ｉＯ2 膜の密着性、耐擦傷性共に良好であり、周波数３
００ＭＨｚにおける電磁波の減衰率は１９デシベルであ
った。さらに、５０℃・９０％ＲＨの環境下に９６時間
放置した後に同様の評価をおこなったが、いずれの項目
も変化なく、耐久性も良好であることがわかった。以上
の結果の表１に示した。
明導電膜（ＩＴＯ）付ＰＥＴフィルム（東洋メタライジ
ング（株）製“メタクリスタ”Ｔ−Ｒ６０、ＰＥＴの厚
み５０μｍ）を用いる以外は、実施例１と同様にして、
ＩＴＯ膜面をアルゴンガス低温プラズマ処理し、ＳｉＯ
2 膜を蒸着した。得られた表面処理フィルムの性能を実
施例１と同様の方法で評価したとこころ、６００ｎｍ波
長での光線反射率は約６％（裏面反射を含む）であり、
光線反射によるギラつき感は全く感じられなかった。Ｓ
ｉＯ2 膜の密着性、耐擦傷性共に良好であり、周波数３
００ＭＨｚにおける電磁波の減衰率は１９デシベルであ
った。さらに、５０℃・９０％ＲＨの環境下に９６時間
放置した後に同様の評価をおこなったが、いずれの項目
も変化なく、耐久性も良好であることがわかった。以上
の結果の表１に示した。
【００１３】実施例３ ＩＴＯ膜面のアルゴンガス低温プラズマ処理条件を、真
空槽内の到達圧力３×１０-5Ｔｏｒｒ、アルゴンガス導
入後圧力１×１０-4Ｔｏｒｒ、周波数１３．５６ＭＨ
ｚ、出力２００Ｗで処理時間１５秒とした以外は実施例
２と同様にしてＰＥＴ／ＩＴＯ／ＳｉＯ2 フィルムを得
た。得られた表面処理フィルムの性能を実施例１と同様
の方法で評価したとこころ、６００ｎｍ波長での光線反
射率は約６％（裏面反射を含む）であり、光線反射によ
るギラつき感は全く感じられなかった。ＳｉＯ2 膜の密
着性、耐擦傷性共に良好であり、周波数３００ＭＨｚに
おける電磁波の減衰率は１９デシベルであった。さら
に、５０℃・９０％ＲＨの環境下に９６時間放置した後
に同様の評価をおこなったが、いずれの項目も変化な
く、耐久性も良好であることがわかった。以上の結果を
表１に示した。
空槽内の到達圧力３×１０-5Ｔｏｒｒ、アルゴンガス導
入後圧力１×１０-4Ｔｏｒｒ、周波数１３．５６ＭＨ
ｚ、出力２００Ｗで処理時間１５秒とした以外は実施例
２と同様にしてＰＥＴ／ＩＴＯ／ＳｉＯ2 フィルムを得
た。得られた表面処理フィルムの性能を実施例１と同様
の方法で評価したとこころ、６００ｎｍ波長での光線反
射率は約６％（裏面反射を含む）であり、光線反射によ
るギラつき感は全く感じられなかった。ＳｉＯ2 膜の密
着性、耐擦傷性共に良好であり、周波数３００ＭＨｚに
おける電磁波の減衰率は１９デシベルであった。さら
に、５０℃・９０％ＲＨの環境下に９６時間放置した後
に同様の評価をおこなったが、いずれの項目も変化な
く、耐久性も良好であることがわかった。以上の結果を
表１に示した。
【００１４】実施例４ ＩＴＯ膜面のアルゴンガス低温プラズマ処理条件を、真
空槽内の到達圧力３×１０-5Ｔｏｒｒ、アルゴンガス導
入後圧力１×１０-4Ｔｏｒｒ、周波数１３．５６ＭＨ
ｚ、出力８００Ｗで処理時間５分とした以外は実施例２
と同様にしてＰＥＴ／ＩＴＯ／ＳｉＯ2 フィルムを得
た。得られた表面処理フィルムの性能を実施例１と同様
の方法で評価したとこころ、６００ｎｍ波長での光線反
射率は約６％（裏面反射を含む）であり、光線反射によ
るギラつき感は全く感じられなかった。ＳｉＯ2 膜の密
着性、耐擦傷性共に良好であり、周波数３００ＭＨｚに
おける電磁波の減衰率は１９デシベルであった。さら
に、５０℃・９０％ＲＨの環境下に９６時間放置した後
に同様の評価をおこなったが、いずれの項目も変化な
く、耐久性も良好であることがわかった。以上の結果を
表１に示した。
空槽内の到達圧力３×１０-5Ｔｏｒｒ、アルゴンガス導
入後圧力１×１０-4Ｔｏｒｒ、周波数１３．５６ＭＨ
ｚ、出力８００Ｗで処理時間５分とした以外は実施例２
と同様にしてＰＥＴ／ＩＴＯ／ＳｉＯ2 フィルムを得
た。得られた表面処理フィルムの性能を実施例１と同様
の方法で評価したとこころ、６００ｎｍ波長での光線反
射率は約６％（裏面反射を含む）であり、光線反射によ
るギラつき感は全く感じられなかった。ＳｉＯ2 膜の密
着性、耐擦傷性共に良好であり、周波数３００ＭＨｚに
おける電磁波の減衰率は１９デシベルであった。さら
に、５０℃・９０％ＲＨの環境下に９６時間放置した後
に同様の評価をおこなったが、いずれの項目も変化な
く、耐久性も良好であることがわかった。以上の結果を
表１に示した。
【００１５】実施例５ ＳｉＯ2 の代わりにＭｇＦ2 （フッ化マグネシウム）を
真空蒸着法で成膜する以外は実施例２と同様にしてＰＥ
Ｔ／ＩＴＯ／ＭｇＦ2 フィルムを得た。成膜条件は、真
空槽内圧力５×１０-5Ｔｏｒｒ、電子ビーム加熱、堆積
速度は約２５Å／秒、膜厚は約１０００Åであった。こ
のフィルムの性能を実施例１と同様の方法で評価したと
ころ、６００ｎｍ波長での光線反射率は約６％（裏面反
射を含む）であり、光線反射によるギラつき感は全く感
じられなかった。ＭｇＦ2 膜の密着性、耐擦傷性共に良
好であり、周波数３００ＭＨｚにおける電磁波の減衰率
は１９デシベルであった。５０℃・９０％ＲＨの環境下
に９６時間放置した後に同様の評価をおこなったとこ
ろ、耐擦傷性試験において若干の傷の発生が見られた。
しかし、それ以外は、変化なく耐久性も良好であった。
以上の結果を表１に示した。
真空蒸着法で成膜する以外は実施例２と同様にしてＰＥ
Ｔ／ＩＴＯ／ＭｇＦ2 フィルムを得た。成膜条件は、真
空槽内圧力５×１０-5Ｔｏｒｒ、電子ビーム加熱、堆積
速度は約２５Å／秒、膜厚は約１０００Åであった。こ
のフィルムの性能を実施例１と同様の方法で評価したと
ころ、６００ｎｍ波長での光線反射率は約６％（裏面反
射を含む）であり、光線反射によるギラつき感は全く感
じられなかった。ＭｇＦ2 膜の密着性、耐擦傷性共に良
好であり、周波数３００ＭＨｚにおける電磁波の減衰率
は１９デシベルであった。５０℃・９０％ＲＨの環境下
に９６時間放置した後に同様の評価をおこなったとこ
ろ、耐擦傷性試験において若干の傷の発生が見られた。
しかし、それ以外は、変化なく耐久性も良好であった。
以上の結果を表１に示した。
【００１６】比較例２ ＩＴＯ膜面のアルゴンガス低温プラズマ処理を実施しな
い以外は実施例１と同様にしてＰＥＴ／ＩＴＯ／ＳｉＯ
2 フィルムを得た。ＳｉＯ2 膜の密着性を実施例１と同
様に評価したところ、セロハンテープに密着した全面積
でＳｉＯ2 膜が剥離した。結果を表１に示した。
い以外は実施例１と同様にしてＰＥＴ／ＩＴＯ／ＳｉＯ
2 フィルムを得た。ＳｉＯ2 膜の密着性を実施例１と同
様に評価したところ、セロハンテープに密着した全面積
でＳｉＯ2 膜が剥離した。結果を表１に示した。
【００１７】比較例３ ＩＴＯ膜面のアルゴンガス低温プラズマ処理を実施しな
い以外は、実施例５と同様にしてＰＥＴ／ＩＴＯ／Ｍｇ
Ｆ2フィルムを得た。ＭｇＦ2 膜の密着性を実施例１と
同様に評価したところ、セロハンテープに密着した全面
積でＭｇＦ2 膜が剥離した。結果を表１に示した。
い以外は、実施例５と同様にしてＰＥＴ／ＩＴＯ／Ｍｇ
Ｆ2フィルムを得た。ＭｇＦ2 膜の密着性を実施例１と
同様に評価したところ、セロハンテープに密着した全面
積でＭｇＦ2 膜が剥離した。結果を表１に示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】本発明は以上述べたように、透明合成樹
脂フィルムの表面に透明無機導電層を設け、その表層に
前記導電層よりも低い屈折率の層を設けた構成を有する
電磁波シールドフィルムであるから、電磁波シールド性
を有し、かつ視認性に優れ、導電層の光線反射を防止し
た電磁波シールドフィルムを提供することができる。さ
らに、透明無機導電層の表面をアルゴンガスなどの低温
プラズマに曝した後に、透明無機導電層の表面に導電層
よりも低い屈折率の層を形成する方法により、膜密着
性、耐擦傷性などの膜強度の耐久性が優れた、電磁波シ
ールド性を有し、かつ視認性に優れ、導電層の光線反射
を防止した電磁波シールドフィルムを提供することがで
きる。
脂フィルムの表面に透明無機導電層を設け、その表層に
前記導電層よりも低い屈折率の層を設けた構成を有する
電磁波シールドフィルムであるから、電磁波シールド性
を有し、かつ視認性に優れ、導電層の光線反射を防止し
た電磁波シールドフィルムを提供することができる。さ
らに、透明無機導電層の表面をアルゴンガスなどの低温
プラズマに曝した後に、透明無機導電層の表面に導電層
よりも低い屈折率の層を形成する方法により、膜密着
性、耐擦傷性などの膜強度の耐久性が優れた、電磁波シ
ールド性を有し、かつ視認性に優れ、導電層の光線反射
を防止した電磁波シールドフィルムを提供することがで
きる。
【図１】ＳｉＯ2膜を形成する前のフィルムの可視光線
領域の分光光線反射率スペクトルを示す図である。
領域の分光光線反射率スペクトルを示す図である。
【図２】ＩＴＯ膜上にＳｉＯ2膜を形成したフィルムの
可視光線領域の分光光線反射率スペクトルを示す図であ
る。
可視光線領域の分光光線反射率スペクトルを示す図であ
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 透明合成樹脂フィルムの表面に透明無機
導電層を設け、さらにその表層に導電層よりも低い屈折
率の層を設けたことを特徴とする反射防止性を有する電
磁波シールドフィルム。 - 【請求項２】 透明合成樹脂フィルムがポリエチレンテ
レフタレート樹脂フィルムであり、透明無機導電層がＩ
ｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 の混合物からなる層であり、かつ導
電層よりも低い屈折率の層がＳｉＯ2 からなる層である
請求項１記載の電磁波シールドフィルム。 - 【請求項３】 透明合成樹脂フィルム上に設けられた透
明無機導電層の表面を低温プラズマに曝した後、前記導
電層の表面に、導電層よりも低い屈折率の層を形成する
ことを特徴とする反射防止性を有する電磁波シールドフ
ィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155684A JPH05323101A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 反射防止性を有する電磁波シールドフィルムおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155684A JPH05323101A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 反射防止性を有する電磁波シールドフィルムおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05323101A true JPH05323101A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=15611304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4155684A Pending JPH05323101A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 反射防止性を有する電磁波シールドフィルムおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05323101A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997026566A1 (fr) * | 1996-01-18 | 1997-07-24 | Toyo Metallizing Co., Ltd. | Article optique en plastique a film anti-reflet multicouches |
| US6086979A (en) * | 1997-11-11 | 2000-07-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electromagnetically shielding bonding film, and shielding assembly and display device using such film |
| US6207266B1 (en) | 1997-06-03 | 2001-03-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electromagnetically shielding bonding film |
| US6583935B1 (en) * | 1998-05-28 | 2003-06-24 | Cpfilms Inc. | Low reflection, high transmission, touch-panel membrane |
| US6733869B2 (en) | 2002-02-21 | 2004-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electromagnetic shielding sheet and method of producing the same |
| US7236064B2 (en) | 2004-09-23 | 2007-06-26 | Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd. | Laminated balun transformer |
| WO2009151056A1 (ja) | 2008-06-10 | 2009-12-17 | ダイセル化学工業株式会社 | 多孔質層を有する積層体、及びそれを用いた機能性積層体 |
| US7732038B2 (en) | 2004-07-12 | 2010-06-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electromagnetic wave shielding filter |
| DE10393020B4 (de) * | 2002-08-08 | 2011-11-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Blatt zur elektromagnetischen Abschirmung und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP4155684A patent/JPH05323101A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997026566A1 (fr) * | 1996-01-18 | 1997-07-24 | Toyo Metallizing Co., Ltd. | Article optique en plastique a film anti-reflet multicouches |
| US6207266B1 (en) | 1997-06-03 | 2001-03-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electromagnetically shielding bonding film |
| US6086979A (en) * | 1997-11-11 | 2000-07-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electromagnetically shielding bonding film, and shielding assembly and display device using such film |
| US6197408B1 (en) | 1997-11-11 | 2001-03-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electromagnetically shielding bonding film, and shielding assembly and display device using such film |
| US6583935B1 (en) * | 1998-05-28 | 2003-06-24 | Cpfilms Inc. | Low reflection, high transmission, touch-panel membrane |
| US6733869B2 (en) | 2002-02-21 | 2004-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electromagnetic shielding sheet and method of producing the same |
| DE10393020B4 (de) * | 2002-08-08 | 2011-11-17 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Blatt zur elektromagnetischen Abschirmung und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US7732038B2 (en) | 2004-07-12 | 2010-06-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electromagnetic wave shielding filter |
| US7236064B2 (en) | 2004-09-23 | 2007-06-26 | Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd. | Laminated balun transformer |
| WO2009151056A1 (ja) | 2008-06-10 | 2009-12-17 | ダイセル化学工業株式会社 | 多孔質層を有する積層体、及びそれを用いた機能性積層体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6905776B1 (en) | Conductive transparent layers and method for their production | |
| JP4147743B2 (ja) | 光吸収性反射防止体とその製造方法 | |
| US5521765A (en) | Electrically-conductive, contrast-selectable, contrast-improving filter | |
| JP2000356706A (ja) | 光吸収性反射防止体とその製造方法 | |
| JPH0414761B2 (ja) | ||
| JPWO1999044080A1 (ja) | 光吸収性反射防止体とその製造方法 | |
| EP0854202B1 (en) | Organic substrate provided with a light absorptive antireflection film and process for its production | |
| Sarto et al. | Transparent films for electromagnetic shielding of plastics | |
| JPH0719551B2 (ja) | 電磁波シールド性を有する光学フィルター | |
| US20100171406A1 (en) | Electroconductive laminate | |
| JPH05323101A (ja) | 反射防止性を有する電磁波シールドフィルムおよびその製造方法 | |
| JPH0746570B2 (ja) | 電磁波シ−ルド性を有する光透過板 | |
| JPH09156964A (ja) | 光吸収性反射防止体 | |
| JPH10230558A (ja) | 光吸収性反射防止膜付き有機基体とその製造方法 | |
| JP2002371350A (ja) | 透明積層体の製造方法 | |
| JP2001353810A (ja) | 透明積層体とプラズマデイスプレイパネル用フイルタ | |
| JPH07249316A (ja) | 透明導電膜および該透明導電膜を用いた透明基体 | |
| JPH02276630A (ja) | 透明導電性積層体およびその製造方法 | |
| JP2582859B2 (ja) | 静電気、電磁波シールド材 | |
| JPH0789597B2 (ja) | 電磁波シ−ルド性を有する光透過板 | |
| JPH06130204A (ja) | 導電性を有する多層反射防止光透過板の製造方法 | |
| JP7068558B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
| JPH0685001B2 (ja) | 多層反射防止膜を有する光学物品 | |
| US20080174895A1 (en) | High reflection mirror and process for its production | |
| JP2002025362A (ja) | 銀系透明導電体薄膜と透明積層体の製造方法 |