JPH05326992A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05326992A JPH05326992A JP4122271A JP12227192A JPH05326992A JP H05326992 A JPH05326992 A JP H05326992A JP 4122271 A JP4122271 A JP 4122271A JP 12227192 A JP12227192 A JP 12227192A JP H05326992 A JPH05326992 A JP H05326992A
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- impurity
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ｐ−ｉ−ｎまたはｎ−ｉ−ｐ多重接合型非単
結晶シリコン系半導体光起電力装置の変換効率の光劣化
を抑制し、高効率で安定性に優れた光起電力装置を提供
する。 【構成】 ｉ層の受光面側に、ｉ層よりバンドギャップ
の広いｐ型またはｎ型の広バンドギャップ不純物層を設
けたｐ−ｉ−ｎ型またはｎ−ｉ−ｐ型光起電力素子を多
重に接合した非単結晶シリコン系半導体装置であって、
受光面側に最近接の広バンドギャップ不純物層以外の広
バンドギャップ不純物層とｉ層の間に、ｉ層に向かって
バンドギャップを連続的に減少させたバッファー層を設
け、かつ少なくとも１つの広バンドギャップ不純物層の
受光面側に該不純物層と同一導電型の不純物濃度のより
高い高濃度不純物層を設けたことを特徴とする。
結晶シリコン系半導体光起電力装置の変換効率の光劣化
を抑制し、高効率で安定性に優れた光起電力装置を提供
する。 【構成】 ｉ層の受光面側に、ｉ層よりバンドギャップ
の広いｐ型またはｎ型の広バンドギャップ不純物層を設
けたｐ−ｉ−ｎ型またはｎ−ｉ−ｐ型光起電力素子を多
重に接合した非単結晶シリコン系半導体装置であって、
受光面側に最近接の広バンドギャップ不純物層以外の広
バンドギャップ不純物層とｉ層の間に、ｉ層に向かって
バンドギャップを連続的に減少させたバッファー層を設
け、かつ少なくとも１つの広バンドギャップ不純物層の
受光面側に該不純物層と同一導電型の不純物濃度のより
高い高濃度不純物層を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、さら
に詳しくは光電変換の半導体装置に関する。
に詳しくは光電変換の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】非単結晶の光起電力素子が安定性に欠け
ていることは一般によく知られている。特に非晶質シリ
コンの場合、照射光により伝導度が低下し150 ℃程度の
熱処理により再び伝導度が回復するというStaebler-Wro
nski効果と呼ばれる現象があるために太陽電池の変換効
率が低下する。
ていることは一般によく知られている。特に非晶質シリ
コンの場合、照射光により伝導度が低下し150 ℃程度の
熱処理により再び伝導度が回復するというStaebler-Wro
nski効果と呼ばれる現象があるために太陽電池の変換効
率が低下する。
【０００３】したがって比較的安定な素子をえるために
は、ｉ層を薄膜化することにより活性層にかかる電界強
度を強め輸送能を上げるような構造のものが考えられて
いる。さらに積層型の構造を採用することによって、受
光面側の素子はｉ層が薄膜であるために劣化が抑制さ
れ、裏面側の素子は長波長光のみが照射されるために劣
化が抑制されるので、安定性の良い素子として考えられ
ている。
は、ｉ層を薄膜化することにより活性層にかかる電界強
度を強め輸送能を上げるような構造のものが考えられて
いる。さらに積層型の構造を採用することによって、受
光面側の素子はｉ層が薄膜であるために劣化が抑制さ
れ、裏面側の素子は長波長光のみが照射されるために劣
化が抑制されるので、安定性の良い素子として考えられ
ている。
【０００４】図２に、受光面側にａ−ＳｉＣ：Ｈのよう
な広バンドギャップ半導体層を用いた従来の非晶質ｐ−
ｉ−ｎ−型多重接合型太陽電池を示す。図２において、
１はガラス基板、２は透明電極、３、13はｐ型高濃度不
純物層、４、14はｐ型高バンドギャップ不純物層、５、
15はバッファー層、６、16はｉ層、７、17はｎ型不純物
層、８は裏面電極を示す。図示したように、ｐ層４、14
とｉ層６、16のそれぞれの界面に、ｉ層にむかってバン
ドギャップを減少させたバッファー層５、15が設けられ
ており、さらに透明導電膜２と第１番目のｐ層４、第１
番目のｎ層７と第２番目のｐ層14のオーミック性を改善
するために、広バンドギャップｐ層４、14の受光面側に
高濃度の不純物層３、13が設けられている。実際に図２
の積層型太陽電池を作製し劣化促進試験を実施したとこ
ろ、20％程度の変換効率の低下が認められた。
な広バンドギャップ半導体層を用いた従来の非晶質ｐ−
ｉ−ｎ−型多重接合型太陽電池を示す。図２において、
１はガラス基板、２は透明電極、３、13はｐ型高濃度不
純物層、４、14はｐ型高バンドギャップ不純物層、５、
15はバッファー層、６、16はｉ層、７、17はｎ型不純物
層、８は裏面電極を示す。図示したように、ｐ層４、14
とｉ層６、16のそれぞれの界面に、ｉ層にむかってバン
ドギャップを減少させたバッファー層５、15が設けられ
ており、さらに透明導電膜２と第１番目のｐ層４、第１
番目のｎ層７と第２番目のｐ層14のオーミック性を改善
するために、広バンドギャップｐ層４、14の受光面側に
高濃度の不純物層３、13が設けられている。実際に図２
の積層型太陽電池を作製し劣化促進試験を実施したとこ
ろ、20％程度の変換効率の低下が認められた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決するためになされたものであり、多重接合型太陽電池
の変換効率の光劣化を抑制し、高効率で安定性に優れた
半導体装置を提供することを目的とする。
決するためになされたものであり、多重接合型太陽電池
の変換効率の光劣化を抑制し、高効率で安定性に優れた
半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
受光面側に、活性層である真性半導体のｉ層よりもバン
ドギャップの広いｐ型あるいはｎ型の不純物層を有する
ｐ−ｉ−ｎ型あるいはｎ−ｉ−ｐ型光起電力素子を多重
に接合した非単結晶のシリコン系半導体装置であって、
少なくとも一つの広バンドギャップ不純物層の受光面側
に該不純物層と同じ導電型でかつ不純物濃度の高い高濃
度不純物層を設けるとともに、受光面側に最近接の広バ
ンドギャップ不純物層以外の広バンドギャップ不純物層
とｉ層の間に、該広バンドギャップ不純物層からｉ層に
むかってバンドギャップを連続的または段階的に減少さ
せたバッファー層を設けることを特徴としている。
受光面側に、活性層である真性半導体のｉ層よりもバン
ドギャップの広いｐ型あるいはｎ型の不純物層を有する
ｐ−ｉ−ｎ型あるいはｎ−ｉ−ｐ型光起電力素子を多重
に接合した非単結晶のシリコン系半導体装置であって、
少なくとも一つの広バンドギャップ不純物層の受光面側
に該不純物層と同じ導電型でかつ不純物濃度の高い高濃
度不純物層を設けるとともに、受光面側に最近接の広バ
ンドギャップ不純物層以外の広バンドギャップ不純物層
とｉ層の間に、該広バンドギャップ不純物層からｉ層に
むかってバンドギャップを連続的または段階的に減少さ
せたバッファー層を設けることを特徴としている。
【０００７】
【作用】受光面側に最近接の広バンドギャップ不純物層
以外の広バンドギャップ不純物層とｉ層の間に、該広バ
ンドギャップ不純物層からｉ層にむかってバンドギャッ
プを減少させたバッファー層を設けることにより、受光
面側に最近接の半導体装置での光劣化が抑制され全体と
しての多重接合型半導体装置の変換効率の光劣化が抑制
され、高効率で安定性に優れたものができる。
以外の広バンドギャップ不純物層とｉ層の間に、該広バ
ンドギャップ不純物層からｉ層にむかってバンドギャッ
プを減少させたバッファー層を設けることにより、受光
面側に最近接の半導体装置での光劣化が抑制され全体と
しての多重接合型半導体装置の変換効率の光劣化が抑制
され、高効率で安定性に優れたものができる。
【０００８】
【実施例】本発明における非単結晶シリコン系半導体と
しては、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＧｅ、
ＳｉＳｎなどの水素化合金、フッ素化合金などの一般に
光起電力素子に使用されるアモルファス系、微結晶を含
むアモルファス系または多結晶系の半導体があげられ
る。
しては、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＧｅ、
ＳｉＳｎなどの水素化合金、フッ素化合金などの一般に
光起電力素子に使用されるアモルファス系、微結晶を含
むアモルファス系または多結晶系の半導体があげられ
る。
【０００９】非単結晶シリコン系半導体は、窓層材料と
してｉ層よりバンドギャップの広い広バンドギャップ半
導体を用いて、ｐ−ｉ−ｎ型あるいはｎ−ｉ−ｐ型の光
起電力素子とされ、一般にはさらに二重ないし四重にさ
れ多重接合型光起電力素子が形成される。多重接合型光
起電力素子を形成する各非単結晶シリコン系半導体の厚
さは特に限定されず、通常光起電力素子に使用される範
囲のものであれば良い。
してｉ層よりバンドギャップの広い広バンドギャップ半
導体を用いて、ｐ−ｉ−ｎ型あるいはｎ−ｉ−ｐ型の光
起電力素子とされ、一般にはさらに二重ないし四重にさ
れ多重接合型光起電力素子が形成される。多重接合型光
起電力素子を形成する各非単結晶シリコン系半導体の厚
さは特に限定されず、通常光起電力素子に使用される範
囲のものであれば良い。
【００１０】本発明においては、多重接合型光起電力素
子の受光面側のｐ／ｉまたはｎ／ｉ界面にｉ層に向かっ
てバンドギャップを減少させたバッファー層を設け、さ
らに透明導電膜およびｐ／ｎ逆接合部におけるオーミッ
ク性を改善するために、広バンドギャップ層の受光面側
に、さらに不純物濃度を高めた高濃度不純物層を設けて
いる。ここで受光面側に最近接の第１番目の光起電力素
子にはｐ／ｉまたはｎ／ｉ界面にはバッファー層は形成
しない。バッファー層のバンドギャップ幅を連続的また
は段階的に減少させる方法としては、半導体材料の組成
比を変化させる方法、不純物濃度を減少させる方法、あ
るいはこれらを併用する方法などが採用できる。前者に
ついては、たとえばＳｉＣのばあいには、成膜に際して
炭素源の供給量を徐々に減らしてＣの割合を減少させる
ことによって、バンドギャップを漸減させることができ
る。バッファー層は、そのバンドギャップの値がｉ層に
向かってほぼ広バンドギャップ層からｉ層の値に減少す
るように形成するのが好ましく、たとえば、バッファー
層の組成比を、広バンドギャップ層の組成比から実質的
にｉ層と同様の状態にまで連続的に変化させることによ
って、かかるバッファー層を形成することができる。
子の受光面側のｐ／ｉまたはｎ／ｉ界面にｉ層に向かっ
てバンドギャップを減少させたバッファー層を設け、さ
らに透明導電膜およびｐ／ｎ逆接合部におけるオーミッ
ク性を改善するために、広バンドギャップ層の受光面側
に、さらに不純物濃度を高めた高濃度不純物層を設けて
いる。ここで受光面側に最近接の第１番目の光起電力素
子にはｐ／ｉまたはｎ／ｉ界面にはバッファー層は形成
しない。バッファー層のバンドギャップ幅を連続的また
は段階的に減少させる方法としては、半導体材料の組成
比を変化させる方法、不純物濃度を減少させる方法、あ
るいはこれらを併用する方法などが採用できる。前者に
ついては、たとえばＳｉＣのばあいには、成膜に際して
炭素源の供給量を徐々に減らしてＣの割合を減少させる
ことによって、バンドギャップを漸減させることができ
る。バッファー層は、そのバンドギャップの値がｉ層に
向かってほぼ広バンドギャップ層からｉ層の値に減少す
るように形成するのが好ましく、たとえば、バッファー
層の組成比を、広バンドギャップ層の組成比から実質的
にｉ層と同様の状態にまで連続的に変化させることによ
って、かかるバッファー層を形成することができる。
【００１１】本発明の半導体装置の一実施態様を示す図
１に基づいて説明すると、広バンドギャップ不純物層
（ｐ型半導体層）４、14の受光面側に高濃度広バンドギ
ャップ半導体層である高濃度不純物層３、13が設けられ
ており、それぞれｐ型半導体層４、14と同じ導電型を示
す。広バンドギャップ不純物層４、14がｎ型半導体であ
るばあいは、高濃度不純物層３、13もｎ型半導体であ
る。さらに、受光面側に最近接の広バンドギャップ不純
物層４以外の広バンドギャップ不純物層、すなわち図１
においてはｐ型半導体層14とｉ層16との間に、ｉ層に向
かって不純物濃度および（または）組成比を連続的に変
化させて形成したバッファー層15が設けられている。な
お、図１において、１は基板、２はＳｎＯ2 透明電極、
６、16はｉ層、８は裏面電極を示す。
１に基づいて説明すると、広バンドギャップ不純物層
（ｐ型半導体層）４、14の受光面側に高濃度広バンドギ
ャップ半導体層である高濃度不純物層３、13が設けられ
ており、それぞれｐ型半導体層４、14と同じ導電型を示
す。広バンドギャップ不純物層４、14がｎ型半導体であ
るばあいは、高濃度不純物層３、13もｎ型半導体であ
る。さらに、受光面側に最近接の広バンドギャップ不純
物層４以外の広バンドギャップ不純物層、すなわち図１
においてはｐ型半導体層14とｉ層16との間に、ｉ層に向
かって不純物濃度および（または）組成比を連続的に変
化させて形成したバッファー層15が設けられている。な
お、図１において、１は基板、２はＳｎＯ2 透明電極、
６、16はｉ層、８は裏面電極を示す。
【００１２】本発明における受光面側の広バンドギャッ
プ層としては、ａ−Ｓｉ：Ｈ、好ましくはａ−ＳｉＣ：
Ｈなどにｐ型用ドーパントとして周期律表III ｂ族の元
素をドープしたもの、あるいはｎ型用ドーパントとして
周期律表Ｖｂ族の元素をドープしたものなどであり、そ
の厚さは通常80〜 300オングストロームである。通常は
広バンドギャップ層の不純物濃度は一定とされる。
プ層としては、ａ−Ｓｉ：Ｈ、好ましくはａ−ＳｉＣ：
Ｈなどにｐ型用ドーパントとして周期律表III ｂ族の元
素をドープしたもの、あるいはｎ型用ドーパントとして
周期律表Ｖｂ族の元素をドープしたものなどであり、そ
の厚さは通常80〜 300オングストロームである。通常は
広バンドギャップ層の不純物濃度は一定とされる。
【００１３】該広バンドギャップ層とｉ層の間にｉ層に
向かってバンドギャップを減少させたバッファー層が設
けられるが、その厚さは通常30〜 500オングストローム
であり、好ましくは50〜 200オングストロームである。
向かってバンドギャップを減少させたバッファー層が設
けられるが、その厚さは通常30〜 500オングストローム
であり、好ましくは50〜 200オングストロームである。
【００１４】さらに受光面側広バンドギャップ層と透明
電極の間に両層間の接触抵抗を低下する目的で、あるい
は第２番目以降の素子の広バンドギャップ層の受光面側
にｐ／ｎ逆接合部の接触抵抗を低下する目的で、該広バ
ンドギャップ層と同型でさらに高濃度の不純物層を設け
ても良い。この高濃度不純物層の厚さは、通常５〜 100
オングストローム、好ましくは10〜50オングストローム
であり、不純物濃度は受光面側広バンドギャップ層の５
〜50倍とするのが好ましい。
電極の間に両層間の接触抵抗を低下する目的で、あるい
は第２番目以降の素子の広バンドギャップ層の受光面側
にｐ／ｎ逆接合部の接触抵抗を低下する目的で、該広バ
ンドギャップ層と同型でさらに高濃度の不純物層を設け
ても良い。この高濃度不純物層の厚さは、通常５〜 100
オングストローム、好ましくは10〜50オングストローム
であり、不純物濃度は受光面側広バンドギャップ層の５
〜50倍とするのが好ましい。
【００１５】ｉ層としては、たとえばａ−Ｓｉ：Ｈ、ａ
−Ｓｉ：Ｈ：Ｆなどが用いられ、その厚さは通常300 〜
7000オングストロームである。
−Ｓｉ：Ｈ：Ｆなどが用いられ、その厚さは通常300 〜
7000オングストロームである。
【００１６】また、裏面電極側の不純物層７、17として
は、たとえばａ−Ｓｉ：Ｈや微結晶化Ｓｉなどに受光面
側と逆の導電性を示す不純物をドープしたものであり、
その厚さは80〜 300オングストロームである。なお、上
記の各層の厚さは上記の数値に限定されるものではな
い。
は、たとえばａ−Ｓｉ：Ｈや微結晶化Ｓｉなどに受光面
側と逆の導電性を示す不純物をドープしたものであり、
その厚さは80〜 300オングストロームである。なお、上
記の各層の厚さは上記の数値に限定されるものではな
い。
【００１７】本実施例では透明電極としてＳｎＯ2 を使
用しているがＩＴＯ、ＺｎＯなどあるいはこれらの複層
膜でも差し支えない。
用しているがＩＴＯ、ＺｎＯなどあるいはこれらの複層
膜でも差し支えない。
【００１８】つぎに実施例をあげて本発明の半導体装置
を説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定される
ものではない。
を説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定される
ものではない。
【００１９】実施例１ 平行平板容量結合型グロー放電装置を用いて半導体各層
を成膜形成し、図１に示す構造を有する有効面積 1.0cm
2 の太陽電池を作製した。
を成膜形成し、図１に示す構造を有する有効面積 1.0cm
2 の太陽電池を作製した。
【００２０】ＳｎＯ2 透明電極２付きガラス基板１上
に、膜厚50オングストロームの高濃度ｐ型半導体層３を
ガス流量ＳｉＨ4 （50sccm) 、ＣＨ4 （35sccm) 、Ｂ2
Ｈ6 (1000ppmH2 希釈品）(500sccm) にて反応圧力1.0To
rr 、ヒーター温度 200℃、ＲＦパワー50mW／cm2 で成
膜し、ついで膜厚 250オングストロームのｐ型半導体層
４をガス流量ＳｉＨ4 （50sccm) 、ＣＨ4 (35sccm)、Ｂ
2 Ｈ6 ( 1000ppmH2 希釈品）(100sccm) 、Ｈ2 (500scc
m) にて反応圧力1.0Torr 、ヒーター温度200 ℃、ＲＦ
パワー50mW／cm2 で成膜した。ｉ型半導体層６を、ガス
流量ＳｉＨ4 (50sccm)にて反応圧力0.3Torr 、ヒーター
温度200 ℃、ＲＦパワー50mW／cm2 で成膜した。つぎに
膜厚300 オングストロームの微結晶化ｎ型半導体層７
を、ガス流量ＳｉＨ4 (5sccm) 、ＰＨ3 （1000 ppmH2
希釈品）(100sccm) 、Ｈ2 (200sccm) にて反応圧力1.0T
orr 、ヒーター温度200 ℃、ＲＦパワー 500mW／cm2 で
成膜した。
に、膜厚50オングストロームの高濃度ｐ型半導体層３を
ガス流量ＳｉＨ4 （50sccm) 、ＣＨ4 （35sccm) 、Ｂ2
Ｈ6 (1000ppmH2 希釈品）(500sccm) にて反応圧力1.0To
rr 、ヒーター温度 200℃、ＲＦパワー50mW／cm2 で成
膜し、ついで膜厚 250オングストロームのｐ型半導体層
４をガス流量ＳｉＨ4 （50sccm) 、ＣＨ4 (35sccm)、Ｂ
2 Ｈ6 ( 1000ppmH2 希釈品）(100sccm) 、Ｈ2 (500scc
m) にて反応圧力1.0Torr 、ヒーター温度200 ℃、ＲＦ
パワー50mW／cm2 で成膜した。ｉ型半導体層６を、ガス
流量ＳｉＨ4 (50sccm)にて反応圧力0.3Torr 、ヒーター
温度200 ℃、ＲＦパワー50mW／cm2 で成膜した。つぎに
膜厚300 オングストロームの微結晶化ｎ型半導体層７
を、ガス流量ＳｉＨ4 (5sccm) 、ＰＨ3 （1000 ppmH2
希釈品）(100sccm) 、Ｈ2 (200sccm) にて反応圧力1.0T
orr 、ヒーター温度200 ℃、ＲＦパワー 500mW／cm2 で
成膜した。
【００２１】さらに上記と同様にして、高濃度ｐ型半導
体層13、ｐ型半導体層14、ｉ型半導体層16、微結晶化ｎ
型半導体層17を成膜した。ただし、ｐ型半導体層14の成
膜後に該層14とｉ型半導体層16の界面に、膜厚200 オン
グストロームのバッファー層15を、初期成膜条件はｐ型
半導体層14と同一とし、ドーパント濃度およびＣＨ4濃
度を徐々に減少させながら原料ガスを供給し、最終成膜
条件はｐ型半導体層14の成膜条件からＣＨ4 、Ｂ2 Ｈ6
がない条件で成膜した。さらに、ｎ型半導体層17の成膜
後裏面電極８を形成して太陽電池をえた。
体層13、ｐ型半導体層14、ｉ型半導体層16、微結晶化ｎ
型半導体層17を成膜した。ただし、ｐ型半導体層14の成
膜後に該層14とｉ型半導体層16の界面に、膜厚200 オン
グストロームのバッファー層15を、初期成膜条件はｐ型
半導体層14と同一とし、ドーパント濃度およびＣＨ4濃
度を徐々に減少させながら原料ガスを供給し、最終成膜
条件はｐ型半導体層14の成膜条件からＣＨ4 、Ｂ2 Ｈ6
がない条件で成膜した。さらに、ｎ型半導体層17の成膜
後裏面電極８を形成して太陽電池をえた。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように受光面側に最近接の
広バンドギャップ不純物層以外の広バンドギャップ不純
物層とｉ層の間にｉ層にむかってバンドギャップを連続
的または段階的に減少させたバッファー層を設けたた
め、受光面側に最近接の半導体装置での光劣化が抑制さ
れ全体としての多重複合型半導体装置の変換効率の光劣
化が抑制され、高効率で安定性に優れたものができる。
広バンドギャップ不純物層以外の広バンドギャップ不純
物層とｉ層の間にｉ層にむかってバンドギャップを連続
的または段階的に減少させたバッファー層を設けたた
め、受光面側に最近接の半導体装置での光劣化が抑制さ
れ全体としての多重複合型半導体装置の変換効率の光劣
化が抑制され、高効率で安定性に優れたものができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の一実施例である太陽電池
の構成を示す説明図である。
の構成を示す説明図である。
【図２】従来の太陽電池の構成を示す説明図である。
１ 基板 ２ 透明電極 ３、13 高濃度ｐ型半導体層 ４、14 ｐ型半導体層 ５、15 バッファー層 ６、16 ｉ型半導体層 ７、17 ｎ型半導体層 ８ 裏面電極
Claims (2)
- 【請求項１】 受光面側に、活性層である真性半導体の
ｉ層よりもバンドギャップの広いｐ型あるいはｎ型の不
純物層を有するｐ−ｉ−ｎ型あるいはｎ−ｉ−ｐ型光起
電力素子を多重に接合した非単結晶のシリコン系半導体
装置であって、少なくとも一つの広バンドギャップ不純
物層の受光面側に該不純物層と同じ導電型でかつ不純物
濃度の高い高濃度不純物層を設けるとともに、受光面側
に最近接の広バンドギャップ不純物層以外の広バンドギ
ャップ不純物層とｉ層の間に、該広バンドギャップ不純
物層からｉ層にむかってバンドギャップを連続的または
段階的に減少させたバッファー層を設けることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】 広バンドギャップ不純物層がａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈである請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4122271A JPH05326992A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4122271A JPH05326992A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326992A true JPH05326992A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14831835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4122271A Pending JPH05326992A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326992A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006368A1 (ja) * | 2004-07-12 | 2006-01-19 | Kaneka Corporation | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
| KR101233205B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2013-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 적층형 광기전력 변환장치 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP4122271A patent/JPH05326992A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006368A1 (ja) * | 2004-07-12 | 2006-01-19 | Kaneka Corporation | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
| KR101233205B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2013-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 적층형 광기전력 변환장치 및 그 제조방법 |
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