JPH0532805B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0532805B2 JPH0532805B2 JP17883384A JP17883384A JPH0532805B2 JP H0532805 B2 JPH0532805 B2 JP H0532805B2 JP 17883384 A JP17883384 A JP 17883384A JP 17883384 A JP17883384 A JP 17883384A JP H0532805 B2 JPH0532805 B2 JP H0532805B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- signal
- bias
- magnetic field
- head device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置に係わ
る。
る。
先ず、第３図を参照して、従来の磁気抵抗効果
（以下MRという）型磁気ヘツド装置のヘツド部
ｈの構造の一例を説明するに、例えばNi−Zn系
フエライト、Mn−Zn系フエライト等より成る磁
性基板１上に（この基板１が導電性を有する場合
には、これの上に被着されたSiO2等の絶縁層２
を介して）、後述するMR感磁部５に対してバイ
アス磁界を与えるためのバイアス磁界発生用の電
流通路となる帯状の導電膜より成るバイアス導体
３が被着され、このバイアス導体３上に、絶縁層
４を介して例えば、Ni−Fe系合金、或いはNi−
Co系合金等のMR磁性薄膜から成るMR感磁部５
が配される。そして、このMR感磁部５上に、薄
い絶縁層６を介して、各一端が跨りバイアス導体
３及びMR感磁部５を横切る方向に延在して夫々
磁気回路の一部を構成する磁気コアとしての、例
えばMoパーマロイから成る対の磁性層７及び８
が被着される。基板１上には、非磁性の絶縁性保
護層９を介して、保護基板１０が接合される。
（以下MRという）型磁気ヘツド装置のヘツド部
ｈの構造の一例を説明するに、例えばNi−Zn系
フエライト、Mn−Zn系フエライト等より成る磁
性基板１上に（この基板１が導電性を有する場合
には、これの上に被着されたSiO2等の絶縁層２
を介して）、後述するMR感磁部５に対してバイ
アス磁界を与えるためのバイアス磁界発生用の電
流通路となる帯状の導電膜より成るバイアス導体
３が被着され、このバイアス導体３上に、絶縁層
４を介して例えば、Ni−Fe系合金、或いはNi−
Co系合金等のMR磁性薄膜から成るMR感磁部５
が配される。そして、このMR感磁部５上に、薄
い絶縁層６を介して、各一端が跨りバイアス導体
３及びMR感磁部５を横切る方向に延在して夫々
磁気回路の一部を構成する磁気コアとしての、例
えばMoパーマロイから成る対の磁性層７及び８
が被着される。基板１上には、非磁性の絶縁性保
護層９を介して、保護基板１０が接合される。
しかして、一方の磁性層７と基板１の前方端と
の間には、例えば絶縁層６より成る所要の厚さを
有する非磁性ギヤツプスペーサ層１１が介在され
て、前方の磁気ギヤツプｇが形成される。そし
て、この磁性ギヤツプｇが臨むように、基板１、
ギヤツプスペーサ層１１、磁性層７、保護層９及
び保護基板１０の前方面が研磨されて磁気テープ
の如き磁気記録媒体との対接面１２が形成され
る。
の間には、例えば絶縁層６より成る所要の厚さを
有する非磁性ギヤツプスペーサ層１１が介在され
て、前方の磁気ギヤツプｇが形成される。そし
て、この磁性ギヤツプｇが臨むように、基板１、
ギヤツプスペーサ層１１、磁性層７、保護層９及
び保護基板１０の前方面が研磨されて磁気テープ
の如き磁気記録媒体との対接面１２が形成され
る。
又、磁気ギヤツプｇを構成する磁性層７の後方
端と、他方の磁性層８の前方端とは、夫々MR感
磁部５上に絶縁層６を介して跨るように形成され
るも、両端間には互いに離間する不連続部１３が
形成される。両磁性層７及び８の夫々後方端及び
前方端は、絶縁層６の介存によつて電気的には絶
縁されるも、不連続部１３において磁気的には結
合されるようなされる。かくして、基板１−磁性
ギヤツプｇ−磁性層７−MR感磁部５−磁性層８
−基板１の閉磁路から成る磁気回路が形成され
る。
端と、他方の磁性層８の前方端とは、夫々MR感
磁部５上に絶縁層６を介して跨るように形成され
るも、両端間には互いに離間する不連続部１３が
形成される。両磁性層７及び８の夫々後方端及び
前方端は、絶縁層６の介存によつて電気的には絶
縁されるも、不連続部１３において磁気的には結
合されるようなされる。かくして、基板１−磁性
ギヤツプｇ−磁性層７−MR感磁部５−磁性層８
−基板１の閉磁路から成る磁気回路が形成され
る。
このようなMR型磁気ヘツド部ｈにおいては、
その磁気記録媒体と対接する前方ギヤツプｇから
の信号磁束が上述の磁気回路を流れるとによつ
て、この磁気回路中のMR感磁部５の抵抗値が、
この信号磁束による外部磁界に応じて変化する。
そこで、MR感磁部５に検出電流を流し、この抵
抗値変化をこのMR感磁部５の両端の電圧変化と
して検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行
う。
その磁気記録媒体と対接する前方ギヤツプｇから
の信号磁束が上述の磁気回路を流れるとによつ
て、この磁気回路中のMR感磁部５の抵抗値が、
この信号磁束による外部磁界に応じて変化する。
そこで、MR感磁部５に検出電流を流し、この抵
抗値変化をこのMR感磁部５の両端の電圧変化と
して検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行
う。
この場合、MR感磁部５が磁気センサーとして
線形に動作し、且つ高感度とするためには、この
MR感磁部５を磁気的にバイアスする必要があ
る。このバイアス磁界は、バイアス導体３の通電
によつて発生する磁界と、MR感磁部５に通ずる
検出電流によつてそれ自体が発生する磁界とによ
つて与えられる直流磁界である。
線形に動作し、且つ高感度とするためには、この
MR感磁部５を磁気的にバイアスする必要があ
る。このバイアス磁界は、バイアス導体３の通電
によつて発生する磁界と、MR感磁部５に通ずる
検出電流によつてそれ自体が発生する磁界とによ
つて与えられる直流磁界である。
即ち、この種のMR型磁気ヘツド装置は、第４
図にその概略的構成を示すように、MR感磁部５
に、バイアス導体３への直流電流iBの通電によつ
て発生した磁界と、MR感磁部５への検出電流iMR
の通電によつて発生した磁界とによつてバイアス
磁界HBが与えられた状態で、前述した磁気媒体
からの信号磁界HSが与えられる。そして、この
信号磁界HSによる抵抗変化に基づくMR感磁部５
の両端電圧、すなわちＡ点の電位の変化を、低域
阻止用コンデンサ１６を介して増幅器１４に供給
して増幅して出力端子１５より出力するものであ
る。
図にその概略的構成を示すように、MR感磁部５
に、バイアス導体３への直流電流iBの通電によつ
て発生した磁界と、MR感磁部５への検出電流iMR
の通電によつて発生した磁界とによつてバイアス
磁界HBが与えられた状態で、前述した磁気媒体
からの信号磁界HSが与えられる。そして、この
信号磁界HSによる抵抗変化に基づくMR感磁部５
の両端電圧、すなわちＡ点の電位の変化を、低域
阻止用コンデンサ１６を介して増幅器１４に供給
して増幅して出力端子１５より出力するものであ
る。
第５図は、このMR感磁部５に与える磁界Ｈ
と、その抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図
を示し、この曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範
囲−HBR〜＋HBRにおいて上に凸の２次曲線を示
すが、磁界Ｈの絶対値が大となつて、この範囲か
ら外れると、MR感磁部５を構成するMR磁性薄
膜の中央部分の磁化が磁気回路方に飽和しはじ
め、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは最小値Rnio
に漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最大値Rnax
は、MR磁性薄膜の磁化がすべて電流方向に向い
た状態に於ける値である。そして、この動作特性
曲線における２次曲線の特性部分で、前述したバ
イアス磁界HBが与えられた状態で、第５図にお
いて符号１７を付して示す磁気媒体からの信号磁
界が与えられるようにして、これに応じて同図中
付号１８で示す抵抗値変化に基づく出力を得るよ
うにしている。この場合は、信号磁界の大きさが
大となるほど２次高調波歪が大となることが分
る。
と、その抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図
を示し、この曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範
囲−HBR〜＋HBRにおいて上に凸の２次曲線を示
すが、磁界Ｈの絶対値が大となつて、この範囲か
ら外れると、MR感磁部５を構成するMR磁性薄
膜の中央部分の磁化が磁気回路方に飽和しはじ
め、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは最小値Rnio
に漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最大値Rnax
は、MR磁性薄膜の磁化がすべて電流方向に向い
た状態に於ける値である。そして、この動作特性
曲線における２次曲線の特性部分で、前述したバ
イアス磁界HBが与えられた状態で、第５図にお
いて符号１７を付して示す磁気媒体からの信号磁
界が与えられるようにして、これに応じて同図中
付号１８で示す抵抗値変化に基づく出力を得るよ
うにしている。この場合は、信号磁界の大きさが
大となるほど２次高調波歪が大となることが分
る。
又、上述のMR型磁気ヘツド装置における第４
図のＡ点の電位は、MR感磁部５の抵抗の固定分
と変化分との合成によつて決まる電位となるが、
この場合、その固定分は98％程度にも及ぶもので
あり、この抵抗の固定分の温度依存性が大きいの
で、Ａ点における電位の温度ドリフトが大きいと
いう欠点がある。このMR感磁部５の抵抗値Ｒ
は、 Ｒ＝Ro（１＋α cos2θ） ……(1) （但し、Roは抵抗の固定分、αは最大抵抗変
化率、θはMR感磁部５における電流方向と磁化
方向とのなす角度である）で表され、例えばMR
感磁部５が81Ni−19Fe（パーマロイ）合金よる厚
さ250ÅのMR磁性薄膜から成る場合のαの実測
値はα＝0.017程度である。このαの値は、MR
感磁部５のMR磁性薄膜の膜厚や材料によつて多
少の相違はあるものの高々α＝0.05程度である。
一方、この抵抗の固定分Roは Ro＝Ri（１＋aΔt） ……(2) （但し、Riは抵抗の初期値で、ａは温度係数、
Δtは温度変化分である）で与えられ、上述のMR
感磁部５の例における温度係数ａの実測値は、ａ
＝0.0027／deg程度である。このことは直流磁界
の検出において大きなノイズとなる。
図のＡ点の電位は、MR感磁部５の抵抗の固定分
と変化分との合成によつて決まる電位となるが、
この場合、その固定分は98％程度にも及ぶもので
あり、この抵抗の固定分の温度依存性が大きいの
で、Ａ点における電位の温度ドリフトが大きいと
いう欠点がある。このMR感磁部５の抵抗値Ｒ
は、 Ｒ＝Ro（１＋α cos2θ） ……(1) （但し、Roは抵抗の固定分、αは最大抵抗変
化率、θはMR感磁部５における電流方向と磁化
方向とのなす角度である）で表され、例えばMR
感磁部５が81Ni−19Fe（パーマロイ）合金よる厚
さ250ÅのMR磁性薄膜から成る場合のαの実測
値はα＝0.017程度である。このαの値は、MR
感磁部５のMR磁性薄膜の膜厚や材料によつて多
少の相違はあるものの高々α＝0.05程度である。
一方、この抵抗の固定分Roは Ro＝Ri（１＋aΔt） ……(2) （但し、Riは抵抗の初期値で、ａは温度係数、
Δtは温度変化分である）で与えられ、上述のMR
感磁部５の例における温度係数ａの実測値は、ａ
＝0.0027／deg程度である。このことは直流磁界
の検出において大きなノイズとなる。
更に、この種のMR型磁気ヘツド部による場
合、上述したようにその温度係数が大きいため
に、例えばMR感磁部５への通電、或いはバイア
ス導体３へのバイアス電流等によつて発生する熱
が、ヘツド部の磁気記録媒体との摺接によつて不
安定に放熱されてヘツドの温度が変化する場合、
大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ずることにな
る。
合、上述したようにその温度係数が大きいため
に、例えばMR感磁部５への通電、或いはバイア
ス導体３へのバイアス電流等によつて発生する熱
が、ヘツド部の磁気記録媒体との摺接によつて不
安定に放熱されてヘツドの温度が変化する場合、
大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ずることにな
る。
又、第４図の構成における増幅器１４が低イン
ピーダンス入力を呈する場合、MR感磁部５及び
コンデンサ１６から成る高域通過フイルタのカツ
トオフ周波数をfoとすると、このコンデンサ１６
に必要な容量Ｃは、ＲをMR感磁部５の抵抗とす
ると、 Ｃ＝１／R〓p ……(3) （ωo＝2πfo）となる。今、MR感磁部５が前述
した厚さ250Åのパーマロイより成り、その長さ
が50μmとなると、その抵抗Ｒは120Ω程度となる
ので、fo＝1kHzとすると、コンデンサ１６とし
てはＣ＝1.3μFという大きな値のものが必要とな
り、特にマルチトラツク型のデジタルオーデイオ
信号用磁気ヘツド装置を構成する場合には問題と
なるものである。
ピーダンス入力を呈する場合、MR感磁部５及び
コンデンサ１６から成る高域通過フイルタのカツ
トオフ周波数をfoとすると、このコンデンサ１６
に必要な容量Ｃは、ＲをMR感磁部５の抵抗とす
ると、 Ｃ＝１／R〓p ……(3) （ωo＝2πfo）となる。今、MR感磁部５が前述
した厚さ250Åのパーマロイより成り、その長さ
が50μmとなると、その抵抗Ｒは120Ω程度となる
ので、fo＝1kHzとすると、コンデンサ１６とし
てはＣ＝1.3μFという大きな値のものが必要とな
り、特にマルチトラツク型のデジタルオーデイオ
信号用磁気ヘツド装置を構成する場合には問題と
なるものである。
又、磁気回路における透磁率、特に比較的肉薄
で断面積が小さい磁性層７及び８における透磁率
は、これができるだけ大であることが望まれ、こ
の透磁率は外部磁界が零のとき最大となるので、
上述したようなバイアス磁界を与えることは透磁
率の低下を招来する。
で断面積が小さい磁性層７及び８における透磁率
は、これができるだけ大であることが望まれ、こ
の透磁率は外部磁界が零のとき最大となるので、
上述したようなバイアス磁界を与えることは透磁
率の低下を招来する。
上述の直流バイアス式MR型磁気ヘツド装置
は、有効トラツク幅が広く、挾トラツク化が容易
であるという利点がある反面、直線性が悪く、直
流再生が困難で、摺動ノイズが大きく、バルクハ
ウゼンノイズが大きく、出力のばらつきが大きい
という欠点がある。
は、有効トラツク幅が広く、挾トラツク化が容易
であるという利点がある反面、直線性が悪く、直
流再生が困難で、摺動ノイズが大きく、バルクハ
ウゼンノイズが大きく、出力のばらつきが大きい
という欠点がある。
その他の従来のMR型磁気ヘツド装置として
は、差動式MR型磁気ヘツド装置、バーバポール
式MR型磁気ヘツド装置等が提案されている。差
動式MR型磁気ヘツド装置は、そのMR型磁気ヘ
ツド部に於いて、MR感磁部を一対設け、一対の
MR感磁部に対しては共通のバイアス導体により
互いに逆のバイアス磁界を与え、一対のMR感磁
部に同じ信号磁界を与えて、一対のMR感磁部か
ら信号磁界に対応した差動出力が得られるように
なし、その差動出力を差動増幅器に供給し、その
差動増幅器より再生信号を得るようにしたもので
ある。
は、差動式MR型磁気ヘツド装置、バーバポール
式MR型磁気ヘツド装置等が提案されている。差
動式MR型磁気ヘツド装置は、そのMR型磁気ヘ
ツド部に於いて、MR感磁部を一対設け、一対の
MR感磁部に対しては共通のバイアス導体により
互いに逆のバイアス磁界を与え、一対のMR感磁
部に同じ信号磁界を与えて、一対のMR感磁部か
ら信号磁界に対応した差動出力が得られるように
なし、その差動出力を差動増幅器に供給し、その
差動増幅器より再生信号を得るようにしたもので
ある。
この差動式MR型磁気ヘツド装置は、直流再生
が可能（但し、オフセツトのばらつきが大きい）、
バルクハウゼンノイズが少ない、２次高調波歪が
除去される、出力のばらつきが少ない、回路とし
ては差動増幅器だけで良いという利点がある反
面、摺動ノイズの軽減効果が小さく、有効トラツ
ク幅が挾く、挾トラツク化が困難であるという欠
点がある。
が可能（但し、オフセツトのばらつきが大きい）、
バルクハウゼンノイズが少ない、２次高調波歪が
除去される、出力のばらつきが少ない、回路とし
ては差動増幅器だけで良いという利点がある反
面、摺動ノイズの軽減効果が小さく、有効トラツ
ク幅が挾く、挾トラツク化が困難であるという欠
点がある。
又、バーバーポール式MR型磁気ヘツド装置
は、そのMR型磁気ヘツド部に於けるMR感磁部
に、その長手方向に斜めとなる如く、金等より成
る多数の互いに平行な導体バーを被着形成したも
のである。
は、そのMR型磁気ヘツド部に於けるMR感磁部
に、その長手方向に斜めとなる如く、金等より成
る多数の互いに平行な導体バーを被着形成したも
のである。
このバーバーポール式MR型磁気ヘツド装置
は、バルクハウゼンノイズが少なく、出力のばら
つきが少なく、回路としては増幅器だけで良いと
いう利点がある反面、直流再生が困難、摺動ノイ
ズが大きい、挾トラツク化が困難、有効トラツク
幅があまり広くないという欠点がある。
は、バルクハウゼンノイズが少なく、出力のばら
つきが少なく、回路としては増幅器だけで良いと
いう利点がある反面、直流再生が困難、摺動ノイ
ズが大きい、挾トラツク化が困難、有効トラツク
幅があまり広くないという欠点がある。
そこで、上述した欠点を解消ないしは改善する
ために、先に本出願人は新規な磁気抵抗効果型磁
気ヘツド装置を特願昭59−38980号として出願し
た。
ために、先に本出願人は新規な磁気抵抗効果型磁
気ヘツド装置を特願昭59−38980号として出願し
た。
以下に第６図を参照して、先に提案したMR型
磁気ヘツド装置の一例を説明する。この例におい
ては、そのMR型磁気ヘツド部ｈは第３図及び第
４図で説明したと同様の構成を採るもので、第６
図において第３図及び第４図と対応する部分に同
一符号を付して重複説明を省略する。この例にお
いては、MR型磁気ヘツド部ｈのバイアス導体３
に、高周波数fc（信号磁界の最大周波数の３倍以
上の周波数）の交流バイアス電流iAを流して、直
流磁界をMR感磁部５に与える。ここに交流バイ
アス電流iAの波形、したがつて交流磁界の波形は
正弦波、矩形波等その波形の如何を問わないもの
である。
磁気ヘツド装置の一例を説明する。この例におい
ては、そのMR型磁気ヘツド部ｈは第３図及び第
４図で説明したと同様の構成を採るもので、第６
図において第３図及び第４図と対応する部分に同
一符号を付して重複説明を省略する。この例にお
いては、MR型磁気ヘツド部ｈのバイアス導体３
に、高周波数fc（信号磁界の最大周波数の３倍以
上の周波数）の交流バイアス電流iAを流して、直
流磁界をMR感磁部５に与える。ここに交流バイ
アス電流iAの波形、したがつて交流磁界の波形は
正弦波、矩形波等その波形の如何を問わないもの
である。
そして、MR感磁部５の出力をコンデンサ１６
を介して増幅器１４に供給し、その出力Ｙを掛算
器２２に供給して、上述の交流バイアス磁界と同
相同周波数の交流信号Ｘと掛算する。その掛算出
力XYを低域通過フイルタ２１に供給することに
より、出力端子１５にMR感磁部５に与えられた
信号磁界HSに対応した信号出力が得られる。
を介して増幅器１４に供給し、その出力Ｙを掛算
器２２に供給して、上述の交流バイアス磁界と同
相同周波数の交流信号Ｘと掛算する。その掛算出
力XYを低域通過フイルタ２１に供給することに
より、出力端子１５にMR感磁部５に与えられた
信号磁界HSに対応した信号出力が得られる。
先に提案したMR型磁気ヘツド装置によれば、
直線性にすぐれた歪の小さい出力を得ることがで
き、直流再生が可能で、温度ドリフトが小さく、
摺動ノイズが改善され、有効トラツク幅が大で、
挾トラツク化可能であり、更にコンデンサの容量
を小さくできるなどの利益を有すると共に、ダイ
ナミツクレンジを大きくとることができ、また或
る場合は磁気回路の透磁率低下を回避することも
できる。
直線性にすぐれた歪の小さい出力を得ることがで
き、直流再生が可能で、温度ドリフトが小さく、
摺動ノイズが改善され、有効トラツク幅が大で、
挾トラツク化可能であり、更にコンデンサの容量
を小さくできるなどの利益を有すると共に、ダイ
ナミツクレンジを大きくとることができ、また或
る場合は磁気回路の透磁率低下を回避することも
できる。
ところで、第６図の先に提案したMR型磁気ヘ
ツド装置を多チヤンネル化する場合、そのチヤン
ネル数に応じた個数の回路が必要となる。
ツド装置を多チヤンネル化する場合、そのチヤン
ネル数に応じた個数の回路が必要となる。
かかる点に鑑み本発明は、２チヤンネルのMR
型磁気ヘツド装置の回路の一部を共用化すること
のできるMR型磁気ヘツド装置を提案しようとす
るものである。
型磁気ヘツド装置の回路の一部を共用化すること
のできるMR型磁気ヘツド装置を提案しようとす
るものである。
本発明によるMR型磁気ヘツド装置は、第１及
び第２の信号磁界HS1，HS2が各別に与えられる
第１及び第２の磁気抵抗効果感磁部（MR感磁
部）５1，５2と、第１及び第２のMR感磁部５1，
５2に同一周波数で互いに90゜の位相差を有する第
１及び第２の交流バイアス磁界を与える第１及び
第２のバイアス磁界発生手段２４Ａ｛又は２４
Ｂ｝，３1，３2と、第１及び第２のMR感磁部５1，
５2の各出力から第１及び第２の信号磁界HS1，
HS2に対応した信号出力の合成信号を取出す信号
取出手段２２と、第１及び第２の交流バイアス磁
界に同期した第１及び第２の交流信号と合成信号
とを掛算する第１及び第２の掛算手段２３1，２
３2と、この第１及び第２の掛算手段２３1，２３
２の各出力が供給される第１及び第２の低域通過
フイルタ２１1，２１2とを有し、この第１及び第
２の低域通過フイルタ２１1，２１2より第１及び
第２の信号磁界HS1，HS2に対応した第１及び第
２の信号出力を得るようにしたものである。
び第２の信号磁界HS1，HS2が各別に与えられる
第１及び第２の磁気抵抗効果感磁部（MR感磁
部）５1，５2と、第１及び第２のMR感磁部５1，
５2に同一周波数で互いに90゜の位相差を有する第
１及び第２の交流バイアス磁界を与える第１及び
第２のバイアス磁界発生手段２４Ａ｛又は２４
Ｂ｝，３1，３2と、第１及び第２のMR感磁部５1，
５2の各出力から第１及び第２の信号磁界HS1，
HS2に対応した信号出力の合成信号を取出す信号
取出手段２２と、第１及び第２の交流バイアス磁
界に同期した第１及び第２の交流信号と合成信号
とを掛算する第１及び第２の掛算手段２３1，２
３2と、この第１及び第２の掛算手段２３1，２３
２の各出力が供給される第１及び第２の低域通過
フイルタ２１1，２１2とを有し、この第１及び第
２の低域通過フイルタ２１1，２１2より第１及び
第２の信号磁界HS1，HS2に対応した第１及び第
２の信号出力を得るようにしたものである。
かかる本発明によれば、第１及び第２のMR感
磁部５1，５2の各出力から、共通の信号取出し手
段２２によつて、第１及び第２の信号磁界に対応
した信号出力の合成信号を取出し、この合成信号
を第１及び第２の掛算手段２３1，２３2に供給し
て、第１及び第２のMR感磁部５1，５2に与え
る、同一周波数で互いに90゜の位相差を有する第
１及び第２の交流バイアス磁界に同期した第１及
び第２の交流信号と掛算し、その各掛算出力を第
１及び第２の低域通過フイルタ２１1，２１2に供
給することにより、その第１及び第２の低域通過
フイルタ２１1，２１2より、第１及び第２のMR
感磁部５1，５2に与えられる第１及び第２の信号
磁界HS1，HS2に対応した第１及び第２の信号出
力を各別に得ることができる。
磁部５1，５2の各出力から、共通の信号取出し手
段２２によつて、第１及び第２の信号磁界に対応
した信号出力の合成信号を取出し、この合成信号
を第１及び第２の掛算手段２３1，２３2に供給し
て、第１及び第２のMR感磁部５1，５2に与え
る、同一周波数で互いに90゜の位相差を有する第
１及び第２の交流バイアス磁界に同期した第１及
び第２の交流信号と掛算し、その各掛算出力を第
１及び第２の低域通過フイルタ２１1，２１2に供
給することにより、その第１及び第２の低域通過
フイルタ２１1，２１2より、第１及び第２のMR
感磁部５1，５2に与えられる第１及び第２の信号
磁界HS1，HS2に対応した第１及び第２の信号出
力を各別に得ることができる。
以下に第１図を参照して、本発明の一実施例を
説明する。h1，h2は夫々第１及び第２のヘツド部
で、夫々第１及び第２のバイアス導体３1，３2並
びに第１及び第２のMR感磁部５1，５2を有して
おり、その構造は第３図と同様である。直流的に
並列接続（直列接続も可）された第１及び第２の
MR感磁部５1，５2に検出直流電流iMRが流され
る。正弦波・余弦波発振器２４Ａからの同一周波
数fcの正弦波及び余弦波信号X1，X2がバツフア
回路２５1，２５2に供給され、これよりの正弦波
及び余弦波バイアス電流が夫々バイアス導体３1，
３2に流される。第１及び第２のMR感磁部５1，
５2には第１及び第２の信号磁界HS1，HS2が各別
に与えられる。
説明する。h1，h2は夫々第１及び第２のヘツド部
で、夫々第１及び第２のバイアス導体３1，３2並
びに第１及び第２のMR感磁部５1，５2を有して
おり、その構造は第３図と同様である。直流的に
並列接続（直列接続も可）された第１及び第２の
MR感磁部５1，５2に検出直流電流iMRが流され
る。正弦波・余弦波発振器２４Ａからの同一周波
数fcの正弦波及び余弦波信号X1，X2がバツフア
回路２５1，２５2に供給され、これよりの正弦波
及び余弦波バイアス電流が夫々バイアス導体３1，
３2に流される。第１及び第２のMR感磁部５1，
５2には第１及び第２の信号磁界HS1，HS2が各別
に与えられる。
１６，１４は信号取出手段２２を構成する夫々
コンデンサ及び増幅器である。第１及び第２の
MR感磁部５1，５2の各出力の合成したものをコ
ンデンサ１６を共通に介して、増幅器１４に供給
し、その出力Ｙを第１及び第２の掛算器２３1，
２３2に供給して、夫々正弦波及び余弦波信号
X1，X2と掛算する。この掛算出力X1Y，X2Yを
第１及び第２の低域通過フイルタ２１1，２１2に
供給することにより、第１及び第２の出力端子１
５1，１５2に第１及び第２のMR感磁部５に与え
られた第１及び第２の信号磁界HS1，HS2に対応
した第１及び第２の信号出力が得られる。
コンデンサ及び増幅器である。第１及び第２の
MR感磁部５1，５2の各出力の合成したものをコ
ンデンサ１６を共通に介して、増幅器１４に供給
し、その出力Ｙを第１及び第２の掛算器２３1，
２３2に供給して、夫々正弦波及び余弦波信号
X1，X2と掛算する。この掛算出力X1Y，X2Yを
第１及び第２の低域通過フイルタ２１1，２１2に
供給することにより、第１及び第２の出力端子１
５1，１５2に第１及び第２のMR感磁部５に与え
られた第１及び第２の信号磁界HS1，HS2に対応
した第１及び第２の信号出力が得られる。
次に、第１図の実施例の動作を数式を用いて解
析する。先ず、MR感磁部の最大抵抗をRo、最大
抵抗変化率をao異方性磁界をHko、バイアス磁界
の振幅をHBOo、信号磁界をHso(t)、MR感磁部５
１，５2に流す検出電流をi1，i2（i1＝i2）とする。
又、第５図の磁界Ｈ−抵抗ro特性曲線の関係は、
次式の通りである。
析する。先ず、MR感磁部の最大抵抗をRo、最大
抵抗変化率をao異方性磁界をHko、バイアス磁界
の振幅をHBOo、信号磁界をHso(t)、MR感磁部５
１，５2に流す検出電流をi1，i2（i1＝i2）とする。
又、第５図の磁界Ｈ−抵抗ro特性曲線の関係は、
次式の通りである。
ro＝Ro｛１−ao（Ｈ／Hko）2｝ ……(1)
又、MR感磁部５1，５2に与えるバイアス磁界
HB1，HB2を次式のように表わす。
HB1，HB2を次式のように表わす。
HB1＝HBO1sin（wt） ……(2)
HB2＝HBO2oos（wt） ……(3)
MR感磁部５1，５2に与えられるHSo(t)｛HS1
(t)，HS2(t)｝の周波数スペクトルは最大信号周波
数fs以下のみを持つものとし、バイアス周波数fc
は、fc＞3fsに選択する。この時のMR感磁部の出
力vMRoは、次式のように表わされる。
(t)，HS2(t)｝の周波数スペクトルは最大信号周波
数fs以下のみを持つものとし、バイアス周波数fc
は、fc＞3fsに選択する。この時のMR感磁部の出
力vMRoは、次式のように表わされる。
vMRo＝io×ro＝io・Ro｛１−ao（Ｈ／Hko）2｝……(4
) MR感磁部の出力の変動分のみ評価すると、次
式が得られる。
) MR感磁部の出力の変動分のみ評価すると、次
式が得られる。
vMRo＝−io・Ro・ao（Ho／Hko）2｝ ……(5)
ここで、Hoに(2)式を代入すると、次式が得ら
れる。
れる。
vMRo＝−io・Ro・ao（HBo＋HSo(t)）2／Hko 2 ……(6)
さて、MR感磁部５1，５2を直列に接続した場
合の出力の変動分vAは次式のように表わされる。
合の出力の変動分vAは次式のように表わされる。
vA＝vMR1＋vMR2＝−i1R1a1／H2／k1（HB1＋HS1(t)）2
−i2R2a2／H2／k2（HB2＋HS2(t)）……(7) ここで、K1≡−i1R1a1／H2／k1，K2≡i2R2a2／H2／k2
とおく と、(7)式は次式のように表わされる。
−i2R2a2／H2／k2（HB2＋HS2(t)）……(7) ここで、K1≡−i1R1a1／H2／k1，K2≡i2R2a2／H2／k2
とおく と、(7)式は次式のように表わされる。
vA＝K1（HB1＋HS1(t)）2
＋K2（HB2＋HS2（ｔ））2 ……(8)
この(8)式に(2)，(3)式を代入すると、(8)式は次式
のように表わされる。
のように表わされる。
vA＝K1｛HBO1sin（wt）＋HS1(t)｝2＋Ｋ｛HBO2cos（wt
） ＋HS2(t)｝2＝K1〔H2 BO1sin2（wt）＋2HBO1HS1(t)sin
（wt）＋｛HS1(t)｝2〕 ＋K2〔H2 BO2cos2（wt）＋2HBO2HS2(t)cos（wt）＋｛H
S2(t)｝2〕……(9) この電圧vAが増幅器（増幅率をＡとする）によ
つて増幅される。さて、このvAに掛算器２３1に
よつて、sin（wt）が掛算される場合を考えると、
その掛算出力Z1は次式のように表わされる。
） ＋HS2(t)｝2＝K1〔H2 BO1sin2（wt）＋2HBO1HS1(t)sin
（wt）＋｛HS1(t)｝2〕 ＋K2〔H2 BO2cos2（wt）＋2HBO2HS2(t)cos（wt）＋｛H
S2(t)｝2〕……(9) この電圧vAが増幅器（増幅率をＡとする）によ
つて増幅される。さて、このvAに掛算器２３1に
よつて、sin（wt）が掛算される場合を考えると、
その掛算出力Z1は次式のように表わされる。
Z1＝Ａ・vA・sinwt＝AK1〔H2 BO1sin3（wt）
＋2HBO1HS1(t)sin2（wt）
＋｛HS1(t)｝2sin（wt）〕
＋AK2〔H2 BO2cos2（wt）sin（wt）
＋2HBO2HS2(t)cos（wt）sin（wt）
＋｛HS2(t)｝2sin（wt）〕 ……(10)
この出力Z1を低域通過フイルタ２１1を通して
ω成分以上を遮断すると、 sin3（wt）の項→０ sin2（wt）の項→1/2 sin wtの項→０ cos2（wt）sin wtの項は（１−sin2（wt）） sin wt＝sin wt−sin3（wt）→０ 2cos（wt）sin（wt）＝2sin（2wt）→０ となり、その結果フイルタ２１1の出力V1は次
式のように表わされる。
ω成分以上を遮断すると、 sin3（wt）の項→０ sin2（wt）の項→1/2 sin wtの項→０ cos2（wt）sin wtの項は（１−sin2（wt）） sin wt＝sin wt−sin3（wt）→０ 2cos（wt）sin（wt）＝2sin（2wt）→０ となり、その結果フイルタ２１1の出力V1は次
式のように表わされる。
V1＝AK1・HBO1・HS1(t) ……(11)
同様に、フイルタ２１2の出力V2も次式のよう
に表わされる。
に表わされる。
V2＝AK2・HBO2・HS2(t) ……(12)
次に第２図を参照して、本発明の他の実施例を
説明するも、第１図と対応する部分には同一符号
を付して重複説明を省略する。この実施例では、
第１図の正弦波・余弦波発振器２４Ａの代りに、
同一周波数で互いに90゜の位相差を有する第１及
び第２の矩形波信号を発生する矩形波発振器２４
Ｂを設ける。信号取出手段２２をコンデンサ１６
及び増幅器１４にて構成する。又、第１及び第２
の掛算器２３1，２３2は、インバータ２６と、増
幅器１４の反転、非反転出力を、夫々互いに90゜
の位相差を有する第１及び第２の矩形波信号によ
つて切換制御する第１及び第２の切換スイツチ２
７1，２７2にて構成する。第１及び第２の切換ス
イツチ２７1，２７2の各出力を第１及び第２の低
域通過フイルタ２１1，２１2に供給する。
説明するも、第１図と対応する部分には同一符号
を付して重複説明を省略する。この実施例では、
第１図の正弦波・余弦波発振器２４Ａの代りに、
同一周波数で互いに90゜の位相差を有する第１及
び第２の矩形波信号を発生する矩形波発振器２４
Ｂを設ける。信号取出手段２２をコンデンサ１６
及び増幅器１４にて構成する。又、第１及び第２
の掛算器２３1，２３2は、インバータ２６と、増
幅器１４の反転、非反転出力を、夫々互いに90゜
の位相差を有する第１及び第２の矩形波信号によ
つて切換制御する第１及び第２の切換スイツチ２
７1，２７2にて構成する。第１及び第２の切換ス
イツチ２７1，２７2の各出力を第１及び第２の低
域通過フイルタ２１1，２１2に供給する。
この第２図の実施例では、差動式MR型磁気ヘ
ツド装置と同様の２次高調波歪を除去できる等の
利点があると共に、有効トラツク幅が広く、狭ト
ラツクが可能であるという、差動式MR型磁気ヘ
ツド装置には無い利点を有する。
ツド装置と同様の２次高調波歪を除去できる等の
利点があると共に、有効トラツク幅が広く、狭ト
ラツクが可能であるという、差動式MR型磁気ヘ
ツド装置には無い利点を有する。
再生信号としてはデジタル／アナログのオーデ
イオ／ビデオ信号が可能である。
イオ／ビデオ信号が可能である。
上述せる本発明によれば、２チヤンネルのMR
型磁気ヘツド装置の回路の一部、即ち信号取出回
路を共用化することのできる。MR型磁気ヘツド
装置を得ることができる。
型磁気ヘツド装置の回路の一部、即ち信号取出回
路を共用化することのできる。MR型磁気ヘツド
装置を得ることができる。
第１図及び第２図は本発明による磁気抵抗効果
型磁気ヘツド装置の各実施例を示すブロツク線
図、第３図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘツド装
置のヘツド部の構造を示す断面図、第４図は従来
の磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置を示すブロツク
線図、第５図は磁気抵抗効果感磁部の磁界−抵抗
特性を示す特性曲線図、第６図は先に提案した磁
気抵抗効果型磁気ヘツド装置を示す回路図であ
る。 ３1，３2は第１及び第２のバイアス導体、５1，
５2は第１及び第２の磁気抵抗効果感磁部、２１
１，２１2は第１及び第２の低域通過フイルタ、２
２は信号取出手段、２３1，２３2は第１及び第２
の掛算器である。
型磁気ヘツド装置の各実施例を示すブロツク線
図、第３図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘツド装
置のヘツド部の構造を示す断面図、第４図は従来
の磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置を示すブロツク
線図、第５図は磁気抵抗効果感磁部の磁界−抵抗
特性を示す特性曲線図、第６図は先に提案した磁
気抵抗効果型磁気ヘツド装置を示す回路図であ
る。 ３1，３2は第１及び第２のバイアス導体、５1，
５2は第１及び第２の磁気抵抗効果感磁部、２１
１，２１2は第１及び第２の低域通過フイルタ、２
２は信号取出手段、２３1，２３2は第１及び第２
の掛算器である。
Claims (1)
- １ 第１及び第２の信号磁界が各別に与えられる
第１及び第２の磁気抵抗効果感磁部と、該第１及
び第２の磁気抵抗効果感磁部に同一周波数で互い
に90゜の位相差を有する第１及び第２の交流バイ
アス磁界を与える第１及び第２のバイアス磁界発
生手段と、上記第１及び第２の磁気抵抗効果感磁
部の各出力から上記第１及び第２の信号磁界に対
応した信号出力の合成信号を取出す信号取出手段
と、上記第１及び第２のの交流バイアス磁界に同
期した第１及び第２の交流信号と上記合成信号と
を掛算する第１及び第２の掛算手段と、該第１及
び第２の掛算手段の各出力が供給される第１及び
第２の低域通過フイルタとを有し、該第１及び第
２の低域通過フイルタより上記第１及び第２の信
号磁界に対応した第１及び第２の信号出力を得る
ようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気
ヘツド装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17883384A JPS6157013A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
| US06/705,706 US4703378A (en) | 1984-03-01 | 1985-02-26 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| CA000475257A CA1235482A (en) | 1984-03-01 | 1985-02-27 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| DE3588065T DE3588065T2 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopfeinrichtung mit Nutzung des Magnetowiderstandseffekts. |
| EP90123594A EP0421489B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect |
| DE3587992T DE3587992T2 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopf, der einen Magnetwiderstandseffekt verwendet. |
| DE8585102282T DE3585959D1 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopf mit nutzung des magnetwiderstandseffekts. |
| EP85102282A EP0154307B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect |
| EP93100342A EP0544642B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head apparatus utilizing the magnetoresistance effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17883384A JPS6157013A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157013A JPS6157013A (ja) | 1986-03-22 |
| JPH0532805B2 true JPH0532805B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=16055460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17883384A Granted JPS6157013A (ja) | 1984-03-01 | 1984-08-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6157013A (ja) |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP17883384A patent/JPS6157013A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157013A (ja) | 1986-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0154307B1 (en) | Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect | |
| US4356523A (en) | Narrow track magnetoresistive transducer assembly | |
| EP0484474B1 (en) | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification | |
| US4343026A (en) | Magnetoresistive head employing field feedback | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| JPS60182503A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| US5535077A (en) | Magnetoresistive head having magnetically balanced magnetoresistive elements laminated on opposite sides of an electrically conductive film | |
| JPH0532805B2 (ja) | ||
| JPH0542049B2 (ja) | ||
| JPH0565922B2 (ja) | ||
| JPH0532804B2 (ja) | ||
| JPH0440776B2 (ja) | ||
| JPH0532803B2 (ja) | ||
| JP2855723B2 (ja) | 磁気テープ再生装置 | |
| JP3270174B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気ディスク装置 | |
| JPH0376536B2 (ja) | ||
| JPS60263310A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPH0542730B2 (ja) | ||
| JPS6310310A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH0378106A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JPS6157011A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPS6314315A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH03225612A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH01296422A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH03171410A (ja) | 記録再生兼用薄膜磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |