JPH0542049B2 - - Google Patents
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- JPH0542049B2 JPH0542049B2 JP13667884A JP13667884A JPH0542049B2 JP H0542049 B2 JPH0542049 B2 JP H0542049B2 JP 13667884 A JP13667884 A JP 13667884A JP 13667884 A JP13667884 A JP 13667884A JP H0542049 B2 JPH0542049 B2 JP H0542049B2
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- magnetic
- magnetic field
- bias
- magnetic head
- signal
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気抵抗効果（以下MRと略称す
る）型磁気ヘツド装置、特にそのMR型磁気ヘツ
ド素子に、これよりの信号出力に応じた負帰還磁
界を与えるバイアス磁界発生用導体を具備する
MR型磁気ヘツドに係わる。
る）型磁気ヘツド装置、特にそのMR型磁気ヘツ
ド素子に、これよりの信号出力に応じた負帰還磁
界を与えるバイアス磁界発生用導体を具備する
MR型磁気ヘツドに係わる。
背景技術とその問題点
先ず、第１図を参照して、通常のMR型磁気ヘ
ツド装置のヘツド部ｈの構造の一例を説明する。
例えばNi−Zn系フエライト、Mn−Zn系フエラ
イト等より成る磁性基板１上に（この基板１が導
電性を有する場合には、これの上に被着された
SiO2等の絶縁層２を介して）、後述するMR感磁
部５に対してバイアス磁界を与えるためのバイア
ス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜より
成るバイアス磁界発生用の導体３が被着され、こ
のバイアス導体３上に、絶縁層４を介して例え
ば、Ni−Fe系合金、或いはNi−Co系合金等の
MR磁性薄膜から成るMR感磁部５が配される。
そして、このMR感磁部５上に、薄い絶縁層６を
介して、各一端が跨りバイアス導体３及びMR感
磁部５を横切る方向に延在して夫々磁気回路の一
部を構成する磁気コアとしての、例えばMoパー
マロイから成る対の磁性層７及び８が被着され
る。基板１上には、非磁性の絶縁性保護層９を介
して、保護基板１０が接合される。
ツド装置のヘツド部ｈの構造の一例を説明する。
例えばNi−Zn系フエライト、Mn−Zn系フエラ
イト等より成る磁性基板１上に（この基板１が導
電性を有する場合には、これの上に被着された
SiO2等の絶縁層２を介して）、後述するMR感磁
部５に対してバイアス磁界を与えるためのバイア
ス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜より
成るバイアス磁界発生用の導体３が被着され、こ
のバイアス導体３上に、絶縁層４を介して例え
ば、Ni−Fe系合金、或いはNi−Co系合金等の
MR磁性薄膜から成るMR感磁部５が配される。
そして、このMR感磁部５上に、薄い絶縁層６を
介して、各一端が跨りバイアス導体３及びMR感
磁部５を横切る方向に延在して夫々磁気回路の一
部を構成する磁気コアとしての、例えばMoパー
マロイから成る対の磁性層７及び８が被着され
る。基板１上には、非磁性の絶縁性保護層９を介
して、保護基板１０が接合される。
一方の磁性層７と基板１の前方端との間には、
例えば絶縁層６より成る所要の厚さを有する非磁
性ギヤツプスペーサ層１１が介在されて、前方の
磁気ギヤツプｇが形成される。そして、この磁気
ギヤツプｇが臨むように、基板１、ギヤツプスペ
ーサ層１１、磁性層７、保護層９及び保護基板１
０の前方面が研磨されて磁気記録媒体との対接面
１２が形成される。
例えば絶縁層６より成る所要の厚さを有する非磁
性ギヤツプスペーサ層１１が介在されて、前方の
磁気ギヤツプｇが形成される。そして、この磁気
ギヤツプｇが臨むように、基板１、ギヤツプスペ
ーサ層１１、磁性層７、保護層９及び保護基板１
０の前方面が研磨されて磁気記録媒体との対接面
１２が形成される。
又、磁気ギヤツプｇを構成する磁性層７の後方
端と、他方の磁性層８の前方端とは、夫々MR感
磁部５上に絶縁層６を介して跨るように形成され
るが、両端間には互いに離間する不連続部１３が
形成される。両磁性層７及び８の夫々後方端及び
前方端は、絶縁層６の介存によつて電気的には絶
縁されるも、不連続部１３において磁気的には結
合するようになされる。このようにして、基板１
−磁気ギヤツプｇ−磁性層７−MR感磁部５−磁
性層８−基板１の閉磁路から成る磁気回路が形成
される。
端と、他方の磁性層８の前方端とは、夫々MR感
磁部５上に絶縁層６を介して跨るように形成され
るが、両端間には互いに離間する不連続部１３が
形成される。両磁性層７及び８の夫々後方端及び
前方端は、絶縁層６の介存によつて電気的には絶
縁されるも、不連続部１３において磁気的には結
合するようになされる。このようにして、基板１
−磁気ギヤツプｇ−磁性層７−MR感磁部５−磁
性層８−基板１の閉磁路から成る磁気回路が形成
される。
このようなMR型磁気ヘツド部ｈにおいては、
その磁気記録媒体と対接する前方ギヤツプｇから
の信号磁束が上述の磁気回路を流れることによつ
て、この磁気回路中のMR感磁部５の抵抗値が、
この信号磁束による外部磁界に応じて変化する。
そこで、MR感磁部５に検出電流を流し、この抵
抗値変化をこのMR感磁部５の両端の電圧変化と
して検出すれば、磁気媒体上の記録信号の再生を
行うことができる。
その磁気記録媒体と対接する前方ギヤツプｇから
の信号磁束が上述の磁気回路を流れることによつ
て、この磁気回路中のMR感磁部５の抵抗値が、
この信号磁束による外部磁界に応じて変化する。
そこで、MR感磁部５に検出電流を流し、この抵
抗値変化をこのMR感磁部５の両端の電圧変化と
して検出すれば、磁気媒体上の記録信号の再生を
行うことができる。
この場合、MR感磁部５が磁気センサーとして
線形に動作し、且つ高感度とするためには、この
MR感磁部５を磁気的にバイアスする必要があ
る。このバイアス磁界は、バイアス導体３への通
電によつて発生する磁界と、MR感磁部５に通ず
る検出電流によつてそれ自体が発生する磁界とに
よつて与えられる直流磁界である。
線形に動作し、且つ高感度とするためには、この
MR感磁部５を磁気的にバイアスする必要があ
る。このバイアス磁界は、バイアス導体３への通
電によつて発生する磁界と、MR感磁部５に通ず
る検出電流によつてそれ自体が発生する磁界とに
よつて与えられる直流磁界である。
即ち、この種のMR型磁気ヘツド装置は、第２
図にその概略的構成を示すように、MR感磁部５
に、バイアス導体３への直流電流iBの通電によつ
て発生した磁界と、MR感磁部５への検出電流iMR
の通電によつて発生した磁界とによつてバイアス
磁界HBが与えられた状態で、前述した磁気媒体
からの信号磁界HSが与えられる。そして、この
信号磁界HSによる抵抗変化に基づくMR感磁部５
の両端電圧、すなわちＡ点の電位の変化を、抵域
阻止用コンデンサ１６を介して増幅器１４に供給
して増幅して出力端子１５より出力するものであ
る。
図にその概略的構成を示すように、MR感磁部５
に、バイアス導体３への直流電流iBの通電によつ
て発生した磁界と、MR感磁部５への検出電流iMR
の通電によつて発生した磁界とによつてバイアス
磁界HBが与えられた状態で、前述した磁気媒体
からの信号磁界HSが与えられる。そして、この
信号磁界HSによる抵抗変化に基づくMR感磁部５
の両端電圧、すなわちＡ点の電位の変化を、抵域
阻止用コンデンサ１６を介して増幅器１４に供給
して増幅して出力端子１５より出力するものであ
る。
第３図は、このMR感磁部５に与える磁界Ｈ
と、その抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図
を示し、この曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範
囲−HBR〜＋HBRにおいて上に凸の２次曲線を示
すが、磁界Ｈの絶対値が大となつて、この範囲か
ら外れると、MR感磁部５を構成するMR磁性薄
膜の中央部分の磁化が磁気回路方向に飽和しはじ
め、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは最小値
Rminに漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最大値
Rmaxは、MR磁性薄膜の磁化がすべて電流方向
に向いた状態に於ける値である。そして、この動
作特性曲線における２次曲線の特性部分で、前述
したバイアス磁界HBが与えられた状態で、第３
図において符号１７を付して示す磁気媒体からの
信号磁界が与えられるようにして、これに応じて
同図中符号１８で示す抵抗値変化に基づく出力を
得るようにしている。この場合は、信号磁界の大
きさが大となるほど２次高調波歪が大となること
が分る。
と、その抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図
を示し、この曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範
囲−HBR〜＋HBRにおいて上に凸の２次曲線を示
すが、磁界Ｈの絶対値が大となつて、この範囲か
ら外れると、MR感磁部５を構成するMR磁性薄
膜の中央部分の磁化が磁気回路方向に飽和しはじ
め、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは最小値
Rminに漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最大値
Rmaxは、MR磁性薄膜の磁化がすべて電流方向
に向いた状態に於ける値である。そして、この動
作特性曲線における２次曲線の特性部分で、前述
したバイアス磁界HBが与えられた状態で、第３
図において符号１７を付して示す磁気媒体からの
信号磁界が与えられるようにして、これに応じて
同図中符号１８で示す抵抗値変化に基づく出力を
得るようにしている。この場合は、信号磁界の大
きさが大となるほど２次高調波歪が大となること
が分る。
又、上述のMR型磁気ヘツド装置における第２
図のＡ点の電位は、MR感磁部５の抵抗の固定分
と変化分との合成によつて決まる電位となるが、
この場合、その固定分は98％程度にも及ぶもので
あり、この抵抗の固定分の温度依存性が大きいの
で、Ａ点における電位の温度ドリフトが大きいと
いう欠点がある。このMR感磁部５の抵抗値Ｒ
は、 Ｒ＝Rp（１＋αcos2θ） ……(1) （但し、Rpは抵抗の固定分、αは最大抵抗変
化率、θはMR感磁部５における電流方向と磁化
方向とのなす角度である）で表され、例えばMR
感磁部５が81Ni−19Fe（パーマロイ）合金による
厚さ250ÅのMR磁性薄膜から成る場合のαの実
測値はα＝0.017程度である。このαの値は、
MR感磁部５のMR磁性薄膜の膜厚や材料によつ
て多少の相違はあるものの高々α＝0.05程度であ
る。一方、この抵抗の固定分R0は Rp＝Ri（１＋aΔt） ……(2) （但し、Riは抵抗の初期値で、ａは温度係数、
Δtは温度変化分である）で与えられ、上述のMR
感磁部５の例における温度係数ａの実測値は、ａ
＝0.0027／deg程度である。このことは直流磁界
の検出において大きなノイズとなる。
図のＡ点の電位は、MR感磁部５の抵抗の固定分
と変化分との合成によつて決まる電位となるが、
この場合、その固定分は98％程度にも及ぶもので
あり、この抵抗の固定分の温度依存性が大きいの
で、Ａ点における電位の温度ドリフトが大きいと
いう欠点がある。このMR感磁部５の抵抗値Ｒ
は、 Ｒ＝Rp（１＋αcos2θ） ……(1) （但し、Rpは抵抗の固定分、αは最大抵抗変
化率、θはMR感磁部５における電流方向と磁化
方向とのなす角度である）で表され、例えばMR
感磁部５が81Ni−19Fe（パーマロイ）合金による
厚さ250ÅのMR磁性薄膜から成る場合のαの実
測値はα＝0.017程度である。このαの値は、
MR感磁部５のMR磁性薄膜の膜厚や材料によつ
て多少の相違はあるものの高々α＝0.05程度であ
る。一方、この抵抗の固定分R0は Rp＝Ri（１＋aΔt） ……(2) （但し、Riは抵抗の初期値で、ａは温度係数、
Δtは温度変化分である）で与えられ、上述のMR
感磁部５の例における温度係数ａの実測値は、ａ
＝0.0027／deg程度である。このことは直流磁界
の検出において大きなノイズとなる。
更に、この種のMR型磁気ヘツド部による場
合、上述したようにその温度係数が大きいため
に、例えばMR感磁部５への通電、或いはバイア
ス導体３へのバイアス電流等によつて発生する熱
が、ヘツド部の磁気記録媒体との摺接によつて不
安定に放熱されてヘツドの温度が変化する場合、
大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ずることにな
る。
合、上述したようにその温度係数が大きいため
に、例えばMR感磁部５への通電、或いはバイア
ス導体３へのバイアス電流等によつて発生する熱
が、ヘツド部の磁気記録媒体との摺接によつて不
安定に放熱されてヘツドの温度が変化する場合、
大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ずることにな
る。
又、第２図の構成における増幅器１４が低イン
ピーダンス入力を呈する場合、MR感磁部(5)及び
コンデンサ１６から成る高域通過フイルタのカツ
トオフ周波数をpとすると、このコンデンサ１６
に必要な容量Ｃは、ＲをMR感磁部５の抵抗とす
ると、 Ｃ＝１／Rωp ……(3) （ωp＝2πp）となる。今、MR感磁部５が前述
した厚さ250Åのパーマロイより成り、その長さ
が50μmとなると、その抵抗Ｒは120Ω程度となる
ので、p＝1kHzとすると、コンデンサ１６として
はＣ＝1.3μFという大きな値のものが必要となり、
特にマルチトラツク型のデジタルオーデイオ信号
用磁気ヘツド装置を構成する場合には問題となる
ものである。
ピーダンス入力を呈する場合、MR感磁部(5)及び
コンデンサ１６から成る高域通過フイルタのカツ
トオフ周波数をpとすると、このコンデンサ１６
に必要な容量Ｃは、ＲをMR感磁部５の抵抗とす
ると、 Ｃ＝１／Rωp ……(3) （ωp＝2πp）となる。今、MR感磁部５が前述
した厚さ250Åのパーマロイより成り、その長さ
が50μmとなると、その抵抗Ｒは120Ω程度となる
ので、p＝1kHzとすると、コンデンサ１６として
はＣ＝1.3μFという大きな値のものが必要となり、
特にマルチトラツク型のデジタルオーデイオ信号
用磁気ヘツド装置を構成する場合には問題となる
ものである。
又、磁気回路における透磁率、特に比較的肉薄
で断面積が小さい磁性層７及び８における透磁率
は、これができるだけ大であることが望まれ、こ
の透磁率は外部磁界が零のとき最大となるので、
上述したようなバイアス磁界を与えることは透磁
率の抵下を招来する。
で断面積が小さい磁性層７及び８における透磁率
は、これができるだけ大であることが望まれ、こ
の透磁率は外部磁界が零のとき最大となるので、
上述したようなバイアス磁界を与えることは透磁
率の抵下を招来する。
上述の直流バイアス式MR型磁気ヘツド装置
は、有効トラツク幅が広く、狭トラツク化が容易
であるという利点がある反面、直線性が悪く、直
流再生が困難で、摺動ノイズが大きく、バルクハ
ウゼンノイズが大きく、出力のばらつきが大きい
という欠点がある。
は、有効トラツク幅が広く、狭トラツク化が容易
であるという利点がある反面、直線性が悪く、直
流再生が困難で、摺動ノイズが大きく、バルクハ
ウゼンノイズが大きく、出力のばらつきが大きい
という欠点がある。
その他のMR型磁気ヘツド装置としては、差動
式MR型磁気ヘツド装置、バーバポール式MR型
磁気ヘツド装置等が提案されている。差動式MR
型磁気ヘツド装置は、そのMR型磁気ヘツド部に
於いて、MR感磁部を一対設け、一対のMR感磁
部に対しては共通のバイアス導体により同じバイ
アス磁界を与え、MR感磁部からは同じ信号磁界
によつて差動出力が得られるようになし、その差
動出力を差動増幅器に供給し、その差動増幅器よ
り再生信号をえるようにしたものである。
式MR型磁気ヘツド装置、バーバポール式MR型
磁気ヘツド装置等が提案されている。差動式MR
型磁気ヘツド装置は、そのMR型磁気ヘツド部に
於いて、MR感磁部を一対設け、一対のMR感磁
部に対しては共通のバイアス導体により同じバイ
アス磁界を与え、MR感磁部からは同じ信号磁界
によつて差動出力が得られるようになし、その差
動出力を差動増幅器に供給し、その差動増幅器よ
り再生信号をえるようにしたものである。
この差動式MR型磁気ヘツド装置は、直流再生
が可能（但し、オフセツトのばらつきが大きい）、
バルクハウゼンノイズが少ない、出力のばらつき
が少ない、回路としては増幅器だけで良いという
利点がある反面、摺動ノイズの軽減効果が小さ
く、有効トラツク幅が狭く、狭トラツク化が困難
であるという欠点がある。
が可能（但し、オフセツトのばらつきが大きい）、
バルクハウゼンノイズが少ない、出力のばらつき
が少ない、回路としては増幅器だけで良いという
利点がある反面、摺動ノイズの軽減効果が小さ
く、有効トラツク幅が狭く、狭トラツク化が困難
であるという欠点がある。
又、バーバーポール式MR磁気ヘツド装置は、
そのMR型磁気ヘツド部に於けるMR感磁部に、
その長手方向に斜めとなる如く、金等より成る多
数の互いに平行な導体バーを被着形成したもので
ある。
そのMR型磁気ヘツド部に於けるMR感磁部に、
その長手方向に斜めとなる如く、金等より成る多
数の互いに平行な導体バーを被着形成したもので
ある。
このバーバーポール式MR型磁気ヘツド装置
は、バルクハウゼンノイズが少なく、出力のばら
つきが少なく、回路としては増幅器だけで良いと
いう利点がある反面、直流再生が困難、摺動ノイ
ズが大きい、狭トラツク化が困難、有効トラツク
幅があまり広くないという欠点がある。
は、バルクハウゼンノイズが少なく、出力のばら
つきが少なく、回路としては増幅器だけで良いと
いう利点がある反面、直流再生が困難、摺動ノイ
ズが大きい、狭トラツク化が困難、有効トラツク
幅があまり広くないという欠点がある。
そこで、上述した欠点を解消ないしは改善する
ために、先に本出願人は新規な磁気抵抗効果型磁
気ヘツド装置を特願昭59−38980号として出願し
た。第４図を参照して、このMR型磁気ヘツド装
置の一例を説明する。この例においては、その
MR型磁気ヘツド部ｈは第１図及び第２図で説明
したと同様の構成を採るもので、第４図において
第１図及び第２図と対応する部分に同一符号を付
して重複説明を省略する。この例においては、
MR型磁気ヘツド部ｈのバイアス導体３に、直流
バイアス電流iBに重畳して高周波数cのレベルの
小さい交流バイアス電流iAを流して、直流磁界に
重畳して高周波磁界をMR感磁部５に与える。こ
こに交流バイアス電流iAの波形、したがつて交流
磁界の波形は正弦波、矩形波等その波形の如何を
問わないものである。
ために、先に本出願人は新規な磁気抵抗効果型磁
気ヘツド装置を特願昭59−38980号として出願し
た。第４図を参照して、このMR型磁気ヘツド装
置の一例を説明する。この例においては、その
MR型磁気ヘツド部ｈは第１図及び第２図で説明
したと同様の構成を採るもので、第４図において
第１図及び第２図と対応する部分に同一符号を付
して重複説明を省略する。この例においては、
MR型磁気ヘツド部ｈのバイアス導体３に、直流
バイアス電流iBに重畳して高周波数cのレベルの
小さい交流バイアス電流iAを流して、直流磁界に
重畳して高周波磁界をMR感磁部５に与える。こ
こに交流バイアス電流iAの波形、したがつて交流
磁界の波形は正弦波、矩形波等その波形の如何を
問わないものである。
このように、MR感磁部５に直流バイアス磁界
に重畳して交流バイアス磁界が与えられるので、
このMR感磁部５の両端間、即ち第４図における
Ａ点には周波数cの交流信号が取り出される。
に重畳して交流バイアス磁界が与えられるので、
このMR感磁部５の両端間、即ち第４図における
Ａ点には周波数cの交流信号が取り出される。
第５図Ａは、直流バイアス磁界HBと、信号磁
界HSに交流バイアス磁界HAが重畳された状態で
の磁界ＨとMR感磁部５の抵抗Ｒとの関係を示し
ている。ここで交流バイアス磁界HAの変化分ΔH
が小さい時には、或る瞬間での交流バイアス磁界
の変化に対する抵抗変化の大きさΔRは、第５図
Ａの２次曲線の微分の絶対値として得られ、第５
図Ｂに示すように、直流バイアス磁界HBと信号
磁界HSの大きさと出力たる抵抗変化分との関係
は、原理的には直線となる。従つて、第４図にお
けるＡ点に得られる交流信号の大きさは、直流バ
イアス磁界HBと、磁気記録媒体からの信号磁界
HSの和の変化に応じて変化する出力となる。
界HSに交流バイアス磁界HAが重畳された状態で
の磁界ＨとMR感磁部５の抵抗Ｒとの関係を示し
ている。ここで交流バイアス磁界HAの変化分ΔH
が小さい時には、或る瞬間での交流バイアス磁界
の変化に対する抵抗変化の大きさΔRは、第５図
Ａの２次曲線の微分の絶対値として得られ、第５
図Ｂに示すように、直流バイアス磁界HBと信号
磁界HSの大きさと出力たる抵抗変化分との関係
は、原理的には直線となる。従つて、第４図にお
けるＡ点に得られる交流信号の大きさは、直流バ
イアス磁界HBと、磁気記録媒体からの信号磁界
HSの和の変化に応じて変化する出力となる。
そして、この出力は、第４図に示すように上述
した周波数cの成分を通す高域通過フイルタ（前
置増幅器）１９を介して整流器２０に供給して整
流し、その整流出力を低域通過フイルタ２１に供
給するものである。このようにすれば、磁気媒体
からの信号磁界HSに応じた信号出力がとり出せ
る。この場合、交流電流iAの周波数cは、今例え
ば最終的に出力端子１５から得る出力の帯域が０
〜100kHz必要である場合、これより十分高い周
波数、例えばc＝1MHzに選定すれば良い。この
場合高域通過フイルタ１９は低域カツトオフ周波
数を100kHzより高く、且つ周波数c、例えば1M
Hzより低い例えば500kHzに選んでおくものとす
る。しかして、高域通過フイルタの出力を前述し
たように整流器２０によつて整流して後、カツト
オフ周波数が100kHzの低域通過フイルタ２１を
通すことにより、出力端子１５に０〜100kHzの
帯域の信号が得られる。
した周波数cの成分を通す高域通過フイルタ（前
置増幅器）１９を介して整流器２０に供給して整
流し、その整流出力を低域通過フイルタ２１に供
給するものである。このようにすれば、磁気媒体
からの信号磁界HSに応じた信号出力がとり出せ
る。この場合、交流電流iAの周波数cは、今例え
ば最終的に出力端子１５から得る出力の帯域が０
〜100kHz必要である場合、これより十分高い周
波数、例えばc＝1MHzに選定すれば良い。この
場合高域通過フイルタ１９は低域カツトオフ周波
数を100kHzより高く、且つ周波数c、例えば1M
Hzより低い例えば500kHzに選んでおくものとす
る。しかして、高域通過フイルタの出力を前述し
たように整流器２０によつて整流して後、カツト
オフ周波数が100kHzの低域通過フイルタ２１を
通すことにより、出力端子１５に０〜100kHzの
帯域の信号が得られる。
このような構成による磁気ヘツド装置において
は、第６図Ａに示す外部磁界（信号磁界＋バイア
ス磁界）がMR感磁部５に与えられた場合、第４
図における点Ｂにおいては第６図Ｂに示すよう
に、周波数cのキヤリアを信号で振幅変調した出
力が得られ、第６図Ｃに示すように出力端子１５
においては、信号磁界に応じた出力がとり出され
る。
は、第６図Ａに示す外部磁界（信号磁界＋バイア
ス磁界）がMR感磁部５に与えられた場合、第４
図における点Ｂにおいては第６図Ｂに示すよう
に、周波数cのキヤリアを信号で振幅変調した出
力が得られ、第６図Ｃに示すように出力端子１５
においては、信号磁界に応じた出力がとり出され
る。
かかる磁気ヘツド装置によれば、MR感磁部５
の磁界対抵抗２次特性曲線による動作特性の微分
に相当する直線的動作特性による出力がとり出さ
れるので、歪のない再生信号をとり出すことがで
きるものである。
の磁界対抵抗２次特性曲線による動作特性の微分
に相当する直線的動作特性による出力がとり出さ
れるので、歪のない再生信号をとり出すことがで
きるものである。
又、MR感磁部５の抵抗の固定分について温度
依存性が大であつても、MR感磁部５の動作特性
曲線を微分した特性によつているので、この抵抗
の固定分の温度ドリフトによる影響を格段に低減
することができる。
依存性が大であつても、MR感磁部５の動作特性
曲線を微分した特性によつているので、この抵抗
の固定分の温度ドリフトによる影響を格段に低減
することができる。
更に、上述したようにMR感磁部５の抵抗固定
分の温度依存性による影響を排除したことによつ
て、MR型磁気ヘツド部の前述した磁気媒体との
摺動によるノイズの発生を少なくすることができ
る。
分の温度依存性による影響を排除したことによつ
て、MR型磁気ヘツド部の前述した磁気媒体との
摺動によるノイズの発生を少なくすることができ
る。
又、かかる磁気ヘツド装置におけるコンデンサ
１６は、周波数cの成分を通過させれば良いか
ら、例えばc＝500kHzとすると、このコンデンサ
１６の容量Ｃは、Ｃ＝2600pFで良いことになる。
そして、この周波数cを更に上げれば、この容量
Ｃは更に小さくできるものである。
１６は、周波数cの成分を通過させれば良いか
ら、例えばc＝500kHzとすると、このコンデンサ
１６の容量Ｃは、Ｃ＝2600pFで良いことになる。
そして、この周波数cを更に上げれば、この容量
Ｃは更に小さくできるものである。
第７図は先に提案したMR型磁気ヘツド装置の
他の例を示し、第７図において第４図と対応する
部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この場合は、バイアス導体３には、直流バイアス
電流は流されずに、交流バイアス電流iAのみを流
すようにする。この動作を模式的に示したのが第
８図である。この図において、実線の曲線が、実
際のMR感磁部の磁界対抵抗の動作特性曲線であ
るが、この特性の２次曲線部分を外挿すると破線
図示のようになり、これによる最小抵抗値Rmin
に対応する磁界を＋HO及び−HOとする。この例
では信号磁界HSに重畳して交流バイアス磁界HA
が与えられ、信号磁界の極性と大きさとに対応し
且つ交流バイアス磁界に応じたMR感磁部５の抵
抗変化が得られる。
他の例を示し、第７図において第４図と対応する
部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この場合は、バイアス導体３には、直流バイアス
電流は流されずに、交流バイアス電流iAのみを流
すようにする。この動作を模式的に示したのが第
８図である。この図において、実線の曲線が、実
際のMR感磁部の磁界対抵抗の動作特性曲線であ
るが、この特性の２次曲線部分を外挿すると破線
図示のようになり、これによる最小抵抗値Rmin
に対応する磁界を＋HO及び−HOとする。この例
では信号磁界HSに重畳して交流バイアス磁界HA
が与えられ、信号磁界の極性と大きさとに対応し
且つ交流バイアス磁界に応じたMR感磁部５の抵
抗変化が得られる。
この場合の動作特性曲線は２次曲線で、この
MR感磁部５の抵抗値Ｒは、次のように表され
る。
MR感磁部５の抵抗値Ｒは、次のように表され
る。
Ｒ＝Rmax−ΔRmax（Ｈ／HO）2 ……(4)
ここに、ΔRmaxはΔRmax＝Rmax−Rminで
与えられる。MR感磁部５に与えられる磁界Ｈ
は、次式に示すようにバイアス磁界HA（ｔ）と、
信号磁界HS（ｔ）との和で表される。
与えられる。MR感磁部５に与えられる磁界Ｈ
は、次式に示すようにバイアス磁界HA（ｔ）と、
信号磁界HS（ｔ）との和で表される。
Ｈ（ｔ）＝HA（ｔ）＋HS（ｔ） ……(5)
ここに磁界HA（ｔ）は、バイアス導体３に流さ
れる電流によつて得られ、 HA（ｔ）＝HAO・sin（ωCｔ） ……(6) の如く表される。但し、角周波数ωCは次式のよ
うに表される。
れる電流によつて得られ、 HA（ｔ）＝HAO・sin（ωCｔ） ……(6) の如く表される。但し、角周波数ωCは次式のよ
うに表される。
ωC＝2πc ……(7)
MR感磁部５の出力電圧Ｖ（ｔ）は、MR検出
電流をＩとすると、 Ｖ（ｔ）＝Ｉ・Ｒ ……(8) であり、上記(4)，(5)，(6)式から次のように表され
る。
電流をＩとすると、 Ｖ（ｔ）＝Ｉ・Ｒ ……(8) であり、上記(4)，(5)，(6)式から次のように表され
る。
Ｖ（ｔ）＝Ｉ・Rmax−Ｉ・ΔRmax／Hp 2×〔HAO 2・
sin2ωC＋2HAO・HS（ｔ）×sinωC＋｛HS（ｔ）2〕
……(9) 次に、この出力電圧Ｖ（ｔ）と、交流バイアス
磁界HAと同相同周波数の信号、例えばsin（ωCｔ）
を乗算器２２によつて乗算する。その出力Vz
（ｔ）は、次式のように表される。
……(9) 次に、この出力電圧Ｖ（ｔ）と、交流バイアス
磁界HAと同相同周波数の信号、例えばsin（ωCｔ）
を乗算器２２によつて乗算する。その出力Vz
（ｔ）は、次式のように表される。
Vz（ｔ）＝Ｖ（ｔ）・sin（ωCｔ）
＝Ｉ・Rmax・sin（ωCｔ）−ＩΔRmax／HO 2・
〔HAO 2・sin2（ωCｔ）＋2HAO・HS（ｔ）・sin（ωCｔ
）
＋｛HS（ｔ））｝2〕・sin（ωCｔ） ……(10) そして、これを低域通過フイルタ２１に通ずる
と、次(10)においてωC成分を有する項 Ｉ・Rmax・sin（ωCｔ）＝０ ……(11) HAO 2・sin（ωCｔ） ＝HAO／２｛sin（ωt）−cos（2ωt）×sin（ωt）｝
＝０ ……(12) 2HAO・HS（ｔ）・sin2（ωt） ＝HAO・HS（ｔ）・｛１−cos（2ωt）｝ ＝HAO・HS（ｔ） ……(13) ｛HS（ｔ）｝2・sin（ωt）＝０ ……(14) となる。従つて、端子１５で得られる出力電圧
Vp（ｔ）は、 Vp（ｔ）＝−Ｉ・ΔRmax×HAO・HS（ｔ）／Hp 2 ……(15) となり、信号磁界HS（ｔ）に比例する電圧が得ら
れる。尚、この場合、乗算器２２への入力に、信
号磁界成分HS（ｔ）が含まれていても、出力に混
入する虞は少ないので、高域通過フイルタ１９を
省略することもできる。
）
＋｛HS（ｔ））｝2〕・sin（ωCｔ） ……(10) そして、これを低域通過フイルタ２１に通ずる
と、次(10)においてωC成分を有する項 Ｉ・Rmax・sin（ωCｔ）＝０ ……(11) HAO 2・sin（ωCｔ） ＝HAO／２｛sin（ωt）−cos（2ωt）×sin（ωt）｝
＝０ ……(12) 2HAO・HS（ｔ）・sin2（ωt） ＝HAO・HS（ｔ）・｛１−cos（2ωt）｝ ＝HAO・HS（ｔ） ……(13) ｛HS（ｔ）｝2・sin（ωt）＝０ ……(14) となる。従つて、端子１５で得られる出力電圧
Vp（ｔ）は、 Vp（ｔ）＝−Ｉ・ΔRmax×HAO・HS（ｔ）／Hp 2 ……(15) となり、信号磁界HS（ｔ）に比例する電圧が得ら
れる。尚、この場合、乗算器２２への入力に、信
号磁界成分HS（ｔ）が含まれていても、出力に混
入する虞は少ないので、高域通過フイルタ１９を
省略することもできる。
かかるMR型磁気ヘツド装置によれば、外部磁
界の極性に応じた出力をとり出せることになり、
先の例と同様の利点に加えて、ダイナミツクレン
ジが大となるという利点がある。また、この場
合、磁気的バイアスを交流成分のみとすることに
よつて直流バイアスによる磁気回路の透磁率低下
を回避できる利益もある。
界の極性に応じた出力をとり出せることになり、
先の例と同様の利点に加えて、ダイナミツクレン
ジが大となるという利点がある。また、この場
合、磁気的バイアスを交流成分のみとすることに
よつて直流バイアスによる磁気回路の透磁率低下
を回避できる利益もある。
このような交流バイアスを与えるようにした
RM型磁気ヘツド装置によれば、直線性にすぐれ
た歪の小さい出力を得ることができ、直流再生が
可能で、温度ドリフトが小さく、摺動ノイズが改
善され、有効トラツク幅が大で、狭トラツク化可
能であり、更にコンデンサの容量を小さくできる
などの利益を有すると共に、更に第７図で説明し
た構成とするときは、ダイナミツクレンジを大き
くとることができ、また或る場合は磁気回路の透
磁率低下を回避することもできる。
RM型磁気ヘツド装置によれば、直線性にすぐれ
た歪の小さい出力を得ることができ、直流再生が
可能で、温度ドリフトが小さく、摺動ノイズが改
善され、有効トラツク幅が大で、狭トラツク化可
能であり、更にコンデンサの容量を小さくできる
などの利益を有すると共に、更に第７図で説明し
た構成とするときは、ダイナミツクレンジを大き
くとることができ、また或る場合は磁気回路の透
磁率低下を回避することもできる。
そして、更に本出願人は、このようなMR感磁
部に交流バイアス磁界を与えるようにしたMR型
磁気ヘツド装置に於いて、直線性が一層向上して
歪が一層少なくなり、バルクハウゼンノイズの発
生が少なくなり、ダイナミツクレンジが一層広く
なり、出力のばらつきを小さくするようにした
MR型磁気ヘツド装置を、昭和59年６月８日付け
特許出願「磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置」にお
いて提案した。このMR型磁気ヘツド装置は、信
号磁界の与えられるMR感磁部と、このMR感磁
部に交流バイアス磁界を与える交流磁界発生手段
と、MR感磁部の出力から信号磁界に応じた信号
出力を取出す信号取出し手段と、この信号取出し
手段からの信号出力に応じた負帰還磁界をMR感
磁部に与える負帰還磁界発生手段とを有すること
を特徴とするものである。
部に交流バイアス磁界を与えるようにしたMR型
磁気ヘツド装置に於いて、直線性が一層向上して
歪が一層少なくなり、バルクハウゼンノイズの発
生が少なくなり、ダイナミツクレンジが一層広く
なり、出力のばらつきを小さくするようにした
MR型磁気ヘツド装置を、昭和59年６月８日付け
特許出願「磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置」にお
いて提案した。このMR型磁気ヘツド装置は、信
号磁界の与えられるMR感磁部と、このMR感磁
部に交流バイアス磁界を与える交流磁界発生手段
と、MR感磁部の出力から信号磁界に応じた信号
出力を取出す信号取出し手段と、この信号取出し
手段からの信号出力に応じた負帰還磁界をMR感
磁部に与える負帰還磁界発生手段とを有すること
を特徴とするものである。
これによれば、MR感磁部に交流バイアス磁界
を与えるようにしたMR型磁気ヘツド装置に於い
て、直線性が一層向上して歪が一層少なくなり、
バルクハウゼンノイズの発生が少なくなり、ダイ
ナミツクレンジが一層広くなり、出力のばらつき
が少なくなるものを得ることができる。
を与えるようにしたMR型磁気ヘツド装置に於い
て、直線性が一層向上して歪が一層少なくなり、
バルクハウゼンノイズの発生が少なくなり、ダイ
ナミツクレンジが一層広くなり、出力のばらつき
が少なくなるものを得ることができる。
更に、第９図を参照して、このMR型磁気ヘツ
ドの具体的構成例を説明する。この例は、第７図
の磁気抵抗効果型磁気ヘツドに適用した場合で、
第９図に於いて第７図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。即ち、低域通過
フイルタ２１よりの信号出力をバツフア増幅器２
３に供給し、これよりの電流iFBをバイアス導体
３に流して、このバイアス導体３（別個のバイア
ス導体を設けて、これに電流iFBを流すこともで
きる）から負帰還磁界HFBを発生させて、MR感
磁部５に与えるようにする。
ドの具体的構成例を説明する。この例は、第７図
の磁気抵抗効果型磁気ヘツドに適用した場合で、
第９図に於いて第７図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。即ち、低域通過
フイルタ２１よりの信号出力をバツフア増幅器２
３に供給し、これよりの電流iFBをバイアス導体
３に流して、このバイアス導体３（別個のバイア
ス導体を設けて、これに電流iFBを流すこともで
きる）から負帰還磁界HFBを発生させて、MR感
磁部５に与えるようにする。
第１０図は第９図のMR型磁気ヘツド装置の等
価回路を示し、走行している磁気テープの記録信
号Ｍ（ｘ）に基づいて、信号磁界HS（ｔ）として、 HS（ｔ）＝Ｍ（ｘ）・φn（j2π／λ） ……(16) が発生すると共に、帰還磁界−HFB（ｔ）が発生
する。かくして、MR感磁部５から出力電圧Ｖ
（ｔ）として、 Ｖ（ｔ）＝φh・（HS（ｔ）−HFB（ｔ）） ……(17) が得られる。又、信号取出し手段（回路１６，１
９，２２，２１から成る）から出力信号Vp（ｔ）
として、 Vp（ｔ）＝Ａ（jω）・Ｖ（ｔ） ……(18) が得られる。又、帰還磁界−HFB（ｔ）は、 −HFB（ｔ）＝Ｋ・Ａ（jω） ……(19) で表される。
価回路を示し、走行している磁気テープの記録信
号Ｍ（ｘ）に基づいて、信号磁界HS（ｔ）として、 HS（ｔ）＝Ｍ（ｘ）・φn（j2π／λ） ……(16) が発生すると共に、帰還磁界−HFB（ｔ）が発生
する。かくして、MR感磁部５から出力電圧Ｖ
（ｔ）として、 Ｖ（ｔ）＝φh・（HS（ｔ）−HFB（ｔ）） ……(17) が得られる。又、信号取出し手段（回路１６，１
９，２２，２１から成る）から出力信号Vp（ｔ）
として、 Vp（ｔ）＝Ａ（jω）・Ｖ（ｔ） ……(18) が得られる。又、帰還磁界−HFB（ｔ）は、 −HFB（ｔ）＝Ｋ・Ａ（jω） ……(19) で表される。
尚、φn（j2π／λ）はMR感磁部５に於ける入力
側の伝達関数（但し、λは波長）、φhはMR感磁
部５の出力側の伝達関数、Ａ（jω）は信号取出し
手段の伝達関数、Ｋはバツフア増幅器２３の伝達
関数、φiはバイアス導体３の伝達関数である。
側の伝達関数（但し、λは波長）、φhはMR感磁
部５の出力側の伝達関数、Ａ（jω）は信号取出し
手段の伝達関数、Ｋはバツフア増幅器２３の伝達
関数、φiはバイアス導体３の伝達関数である。
第１１図Ａに、MR感磁部５の磁界対抵抗の特
性曲線を示すが、MR感磁部５に、第１１図Ｂに
示す如き大レベルの矩形波交流磁界HB（ｔ）及び
信号磁界HS（ｔ）の重畳磁界を与えた場合、MR
感磁部５からは第１１図Ｃに示す如き出力電圧Ｖ
（ｔ）が得られる。乗算器２２な於いて、この出
力電圧Ｖ（ｔ）と、第１１図Ｄに示す矩形波交流
電流を掛算することにより、低域通過フイルタ２
１の出力側には、第１１図Ｂの信号磁界HS（ｔ）
に対応した信号出力Vp（ｔ）が出力される。
性曲線を示すが、MR感磁部５に、第１１図Ｂに
示す如き大レベルの矩形波交流磁界HB（ｔ）及び
信号磁界HS（ｔ）の重畳磁界を与えた場合、MR
感磁部５からは第１１図Ｃに示す如き出力電圧Ｖ
（ｔ）が得られる。乗算器２２な於いて、この出
力電圧Ｖ（ｔ）と、第１１図Ｄに示す矩形波交流
電流を掛算することにより、低域通過フイルタ２
１の出力側には、第１１図Ｂの信号磁界HS（ｔ）
に対応した信号出力Vp（ｔ）が出力される。
次に、磁気テープに315Hzの単一周波数の信号
を記録し、それを各種磁気ヘツド装置で再生した
場合の、記録レベルに対する信号出力の２次及び
３次高調波歪の特性を第１２図に示す。この場
合、磁気媒体としてはメタルテープを用いた。テ
ープ速度は4.7cm／secであつた。記録用磁気ヘツ
ドは通常のリング形磁気ヘツドであつた。MR型
磁気ヘツド装置の場合、そのMR感磁部５に流す
検出電流iMRが5mA、バイアス導体３に流する矩
形波交流電流iAが5mA、その周波数が250kHzで
あつた。
を記録し、それを各種磁気ヘツド装置で再生した
場合の、記録レベルに対する信号出力の２次及び
３次高調波歪の特性を第１２図に示す。この場
合、磁気媒体としてはメタルテープを用いた。テ
ープ速度は4.7cm／secであつた。記録用磁気ヘツ
ドは通常のリング形磁気ヘツドであつた。MR型
磁気ヘツド装置の場合、そのMR感磁部５に流す
検出電流iMRが5mA、バイアス導体３に流する矩
形波交流電流iAが5mA、その周波数が250kHzで
あつた。
曲線B2，B3は夫々第７図のMR型磁気ヘツド
装置による出力信号の２次及び３次高調波歪の特
性曲線を示し、曲線A2，A3にて示す通常のリン
グ形磁気ヘツド装置による出力信号の２次及び３
次高調波歪の特性曲線に比較して、いずれも歪が
かなり大きいことが分る。
装置による出力信号の２次及び３次高調波歪の特
性曲線を示し、曲線A2，A3にて示す通常のリン
グ形磁気ヘツド装置による出力信号の２次及び３
次高調波歪の特性曲線に比較して、いずれも歪が
かなり大きいことが分る。
これに対し、曲線C2，C3は夫々第９図のMR型
磁気ヘツド装置による出力信号の２次及び３次高
調波歪の特性曲線を示し、曲線A2，A3にて示す
通常のリング形磁気ヘツド装置による出力信号の
２次及び３次高調波歪の特性曲線に比較して、同
程度に歪が小さいことが分る。
磁気ヘツド装置による出力信号の２次及び３次高
調波歪の特性曲線を示し、曲線A2，A3にて示す
通常のリング形磁気ヘツド装置による出力信号の
２次及び３次高調波歪の特性曲線に比較して、同
程度に歪が小さいことが分る。
次に、第１３図を参照して、他の例を説明す
る。この例は、第４図の磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ド装置に適用した場合で、第１３図に於いて第４
図と対応する部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。即ち、低域通過フイルタ２１よりの
信号出力をバツフア増幅器２３に供給し、これよ
りの電流iFBをバイアス導体３に流して、このバ
イアス導体３（別個のバイアス導体を設けて、こ
れに電流iFBを流すこともできる）から負帰還磁
界HFBを発生させて、MR感磁部５に与えるよう
にする。尚、その他の説明は、第９図の例の説明
を援用する。
る。この例は、第４図の磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ド装置に適用した場合で、第１３図に於いて第４
図と対応する部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。即ち、低域通過フイルタ２１よりの
信号出力をバツフア増幅器２３に供給し、これよ
りの電流iFBをバイアス導体３に流して、このバ
イアス導体３（別個のバイアス導体を設けて、こ
れに電流iFBを流すこともできる）から負帰還磁
界HFBを発生させて、MR感磁部５に与えるよう
にする。尚、その他の説明は、第９図の例の説明
を援用する。
尚、再生信号はデジタルオーデイオ信号に限ら
ず、デジタルビデオ信号、アナログオーデイオ／
ビデオ信号等も可能である。
ず、デジタルビデオ信号、アナログオーデイオ／
ビデオ信号等も可能である。
上述したようなMR感磁部に交流バイアス磁界
を与えると共に出力に応じた負帰還磁界を与える
ようにした、MR型磁気ヘツド装置は、直線性が
一層向上して歪が一層少なくなり、バルクハウゼ
ンノイズの発生が少なくなり、ダイナミツクレン
ジが一層広くなり、出力のばらつきが少なくなる
という利点を有する。
を与えると共に出力に応じた負帰還磁界を与える
ようにした、MR型磁気ヘツド装置は、直線性が
一層向上して歪が一層少なくなり、バルクハウゼ
ンノイズの発生が少なくなり、ダイナミツクレン
ジが一層広くなり、出力のばらつきが少なくなる
という利点を有する。
ところが、このようなMR型磁気ヘツドにおい
て、夫々MR感磁部を有する複数のMR磁気ヘツ
ド部を必要とする多素子磁気ヘツド構成とする場
合、各磁気ヘツド部に関して夫々独立に負帰還磁
界を与えることができるように、夫々独立にバイ
アス線路を設ける必要がある。今、例えば夫々左
右各信号トラツクＬ及びＲより成るアナログステ
レオ回線が２チヤンネルch1及びch2あるトラツク
構成の再生磁気ヘツドについてみると、この場
合、第１４図に示すように、各チヤンネルch1及
びch2の各トラツクＬ及びＲに対応して４個の
MR磁気ヘツド部h1L及びh1R，h2L及びh2Rが設け
られる。この場合、各MR磁気ヘツド部h1L，h1R，
h2L，h2Rに関し、各MR感磁部５から夫々端子
Tb1L，Tb1R，Tb2L，Tb2Rを導出すると共に、
夫々独立にバイアス導体３を設け、これらから
夫々端子TM1L，TM1R，TM2L，TM2Rを導出する必
要がある。Tcは全MR磁気ヘツド部の各MR感磁
部５及びバイアス導体３の各一端を共通に接続し
た共通端子、例えば接地端子を示す。
て、夫々MR感磁部を有する複数のMR磁気ヘツ
ド部を必要とする多素子磁気ヘツド構成とする場
合、各磁気ヘツド部に関して夫々独立に負帰還磁
界を与えることができるように、夫々独立にバイ
アス線路を設ける必要がある。今、例えば夫々左
右各信号トラツクＬ及びＲより成るアナログステ
レオ回線が２チヤンネルch1及びch2あるトラツク
構成の再生磁気ヘツドについてみると、この場
合、第１４図に示すように、各チヤンネルch1及
びch2の各トラツクＬ及びＲに対応して４個の
MR磁気ヘツド部h1L及びh1R，h2L及びh2Rが設け
られる。この場合、各MR磁気ヘツド部h1L，h1R，
h2L，h2Rに関し、各MR感磁部５から夫々端子
Tb1L，Tb1R，Tb2L，Tb2Rを導出すると共に、
夫々独立にバイアス導体３を設け、これらから
夫々端子TM1L，TM1R，TM2L，TM2Rを導出する必
要がある。Tcは全MR磁気ヘツド部の各MR感磁
部５及びバイアス導体３の各一端を共通に接続し
た共通端子、例えば接地端子を示す。
すなわち、上述の構成による場合、チヤンネル
数をＮ個（第１４図の例ではＮ＝２）とし、各チ
ヤンネルのトラツク数をｍ個（第１４図の例では
ｍ＝２）とすると端子数は 2mN＋１ ……(20) とする。
数をＮ個（第１４図の例ではＮ＝２）とし、各チ
ヤンネルのトラツク数をｍ個（第１４図の例では
ｍ＝２）とすると端子数は 2mN＋１ ……(20) とする。
発明の目的
本発明は上述したMR型磁気ヘツドにおいて、
その独立の線路数、すなわち端子数の減少化をは
かるものである。
その独立の線路数、すなわち端子数の減少化をは
かるものである。
発明の概要
本発明においては、同時に動作するｍ個のトラ
ツクに対応する磁気抵抗効果型磁気ヘツド部がＮ
個のチヤンネル数分設けられ、これらＮ個のチヤ
ンネルのうちの１個のチヤンネルが選択的に使用
される磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置において、
Ｎ個の各チヤンネルの、夫々対応する各トラツク
に関する磁気ヘツド素子のバイアス磁界発生用導
体が相互に直列に結線され、ｍ個の独立したバイ
アス磁界発生用の導体線路を形成する。
ツクに対応する磁気抵抗効果型磁気ヘツド部がＮ
個のチヤンネル数分設けられ、これらＮ個のチヤ
ンネルのうちの１個のチヤンネルが選択的に使用
される磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置において、
Ｎ個の各チヤンネルの、夫々対応する各トラツク
に関する磁気ヘツド素子のバイアス磁界発生用導
体が相互に直列に結線され、ｍ個の独立したバイ
アス磁界発生用の導体線路を形成する。
すなわち、本発明においては、例えば前述した
各磁気ヘツド部のMR感磁部に夫々その出力に応
じた負帰還磁界を印加するバイアス磁界発生用の
導体を設ける構成による場合においても、例えば
第１４図で説明したような、例えば２チヤンネル
ステレオのトラツク構成を採る磁気ヘツド部にお
いては、その２チヤンネルのうち、１つのチヤン
ネルの２つのトラツクについてのみ、動作される
こと、云い換えれば、他のチヤンネルのトラツク
のバイアス導体は利用されていないことから、互
いに各チヤンネルの対応するトラツクに関する
MR磁気ヘツド部のバイアス導体を直列に接続し
て、実質的に線路数の減少をはかる。
各磁気ヘツド部のMR感磁部に夫々その出力に応
じた負帰還磁界を印加するバイアス磁界発生用の
導体を設ける構成による場合においても、例えば
第１４図で説明したような、例えば２チヤンネル
ステレオのトラツク構成を採る磁気ヘツド部にお
いては、その２チヤンネルのうち、１つのチヤン
ネルの２つのトラツクについてのみ、動作される
こと、云い換えれば、他のチヤンネルのトラツク
のバイアス導体は利用されていないことから、互
いに各チヤンネルの対応するトラツクに関する
MR磁気ヘツド部のバイアス導体を直列に接続し
て、実質的に線路数の減少をはかる。
実施例
第１５図を参照して本発明の一例を説明する。
この例においては、夫々左右各信号トラツクＬ及
びＲより成るアナログステレオ回線が２チヤンネ
ルch1及びch2あるトラツク構成に適用した場合で
ある。この場合、第１４図で説明したと同様に、
各チヤンネルch1及びch2の各トラツクＬ及びＲに
対応して４個のMR磁気ヘツド部h1L，h1R，h2L，
h2Rが設けられて成り、各MR磁気ヘツド部h1L，
h1R，h2L，h2Rに関して夫々MR感磁部５と、これ
に対するバイアス磁界発生用導体３とが設けられ
ている。この構成において、各チヤンネルch1及
びch2の対応する各トラツク、すなわちトラツク
Ｌ同士、トラツクＲ同士を直列に連結する。この
ようにすれば、バイアス導体の独立した線路数、
すなわち端子数は、１チヤンネルにおけるトラツ
ク数ｍ、この例では２個の端子TbL及びTbRのみ
となる。そして、各MR感磁部５に関しては、
夫々端子TM1L，TM1R，TM2L，TM2Rの導出、すな
わち、チヤンネル数Ｎ個の端子の導出を行う。そ
して、各バイアス導体３の各線路の各他端と各感
磁部５の各他端より共通の端子TC、すなわち１
個の端子を導出する。
この例においては、夫々左右各信号トラツクＬ及
びＲより成るアナログステレオ回線が２チヤンネ
ルch1及びch2あるトラツク構成に適用した場合で
ある。この場合、第１４図で説明したと同様に、
各チヤンネルch1及びch2の各トラツクＬ及びＲに
対応して４個のMR磁気ヘツド部h1L，h1R，h2L，
h2Rが設けられて成り、各MR磁気ヘツド部h1L，
h1R，h2L，h2Rに関して夫々MR感磁部５と、これ
に対するバイアス磁界発生用導体３とが設けられ
ている。この構成において、各チヤンネルch1及
びch2の対応する各トラツク、すなわちトラツク
Ｌ同士、トラツクＲ同士を直列に連結する。この
ようにすれば、バイアス導体の独立した線路数、
すなわち端子数は、１チヤンネルにおけるトラツ
ク数ｍ、この例では２個の端子TbL及びTbRのみ
となる。そして、各MR感磁部５に関しては、
夫々端子TM1L，TM1R，TM2L，TM2Rの導出、すな
わち、チヤンネル数Ｎ個の端子の導出を行う。そ
して、各バイアス導体３の各線路の各他端と各感
磁部５の各他端より共通の端子TC、すなわち１
個の端子を導出する。
したがつて、この構成によれば、その端子数
は、 （ｍ＋mN＋１） ……(21) となり、上述のｍ＝２，Ｎ＝２、すなわち２個の
トラツクを有する２チヤンネル構成においては、
その端子は７個となる。したがつて、第１４図で
説明した場合に比し、２個の端子数の減少化がは
かられる。
は、 （ｍ＋mN＋１） ……(21) となり、上述のｍ＝２，Ｎ＝２、すなわち２個の
トラツクを有する２チヤンネル構成においては、
その端子は７個となる。したがつて、第１４図で
説明した場合に比し、２個の端子数の減少化がは
かられる。
つまり、本発明構成によれば、前記(20)式と(2
１）式の差のｍ（Ｎ−１）個の端子数の減少をはか
ることができることになり、チヤンネル数及び各
チヤンネルのトラツク数が多くなるほど端子数減
少の効果は大となる。
１）式の差のｍ（Ｎ−１）個の端子数の減少をはか
ることができることになり、チヤンネル数及び各
チヤンネルのトラツク数が多くなるほど端子数減
少の効果は大となる。
発明の効果
上述したように本発明によれば、バイアス線路
の減少、したがつて端子数の減少をはかることが
できることによつて磁気ヘツド装置の端子部の占
有面積の縮減化をはかることができ、これに伴つ
て例えば第１図で説明した基板１の面積を小さく
でき磁気ヘツドチツプの小型化、構成の簡易化な
どの多くの利益をもたらすことができる。
の減少、したがつて端子数の減少をはかることが
できることによつて磁気ヘツド装置の端子部の占
有面積の縮減化をはかることができ、これに伴つ
て例えば第１図で説明した基板１の面積を小さく
でき磁気ヘツドチツプの小型化、構成の簡易化な
どの多くの利益をもたらすことができる。
第１図は本発明の説明に供する磁気抵抗効果型
磁気ヘツド装置の略線的拡大断面図、第２図は従
来の磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置の構成図、第
３図は磁気抵抗効果型感磁部の特性曲線図、第４
図は先に提案した磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置
の一例の構成図、第５図Ａ及びＢはその動作特性
曲線図、第６図はその動作の説明に供する波形
図、第７図は先に提案した磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツド装置の他の例の構成図、第８図はその説明に
供する特性曲線図、第９図は本発明による磁気抵
抗効果型磁気ヘツド装置の一実施例を示す構成
図、第１０図はその等価回路を示す回路図、第１
１図は第９図の装置の動作説明に供する波形図、
第１２図は第９図の装置の特性の説明に供給する
特性曲線図、第１３図は本発明による磁気抵抗効
果型磁気ヘツド装置の他の実施例を示す構成図、
第１４図は本発明の説明に供する端子導出配線パ
ターン図、第１５図は本発明装置の一例の配線パ
ターン図である。 ｈは磁気ヘツド部、１は基板、３はバイアス導
体、５は磁気抵抗効果感磁部、７及び８は磁性
層、１９は高域通過フイルタ、２０は整流器、２
１は低域通過フイルタ、２２は乗算器、２３はバ
ツフア増幅器、TbL，TbR，TM1L，TM1R，TM2L，
TM2Rは端子である。
磁気ヘツド装置の略線的拡大断面図、第２図は従
来の磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置の構成図、第
３図は磁気抵抗効果型感磁部の特性曲線図、第４
図は先に提案した磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置
の一例の構成図、第５図Ａ及びＢはその動作特性
曲線図、第６図はその動作の説明に供する波形
図、第７図は先に提案した磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツド装置の他の例の構成図、第８図はその説明に
供する特性曲線図、第９図は本発明による磁気抵
抗効果型磁気ヘツド装置の一実施例を示す構成
図、第１０図はその等価回路を示す回路図、第１
１図は第９図の装置の動作説明に供する波形図、
第１２図は第９図の装置の特性の説明に供給する
特性曲線図、第１３図は本発明による磁気抵抗効
果型磁気ヘツド装置の他の実施例を示す構成図、
第１４図は本発明の説明に供する端子導出配線パ
ターン図、第１５図は本発明装置の一例の配線パ
ターン図である。 ｈは磁気ヘツド部、１は基板、３はバイアス導
体、５は磁気抵抗効果感磁部、７及び８は磁性
層、１９は高域通過フイルタ、２０は整流器、２
１は低域通過フイルタ、２２は乗算器、２３はバ
ツフア増幅器、TbL，TbR，TM1L，TM1R，TM2L，
TM2Rは端子である。
Claims (1)
- １ 同時に動作するｍ個のトラツクに対応する磁
気抵抗効果型磁気ヘツド部がＮ個のチヤンネル数
分設けられ、該Ｎ個のチヤンネルのうちの１個の
チヤンネルが選択的に使用される磁気抵抗効果型
磁気ヘツド装置において、上記Ｎ個の各チヤンネ
ルの、夫々対応する各トラツクに関する磁気ヘツ
ド素子のバイアス磁界発生用導体が相互に直列に
結線され、ｍ個の独立したバイアス磁界発生用の
導体線路を形成して成る磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13667884A JPS6116009A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13667884A JPS6116009A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116009A JPS6116009A (ja) | 1986-01-24 |
| JPH0542049B2 true JPH0542049B2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=15180913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13667884A Granted JPS6116009A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116009A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552950A (en) * | 1994-11-30 | 1996-09-03 | International Business Machines Corporation | Direct access storage device with magneto-resistive transducing head apparatus and a common read return signal line |
| US8975891B2 (en) * | 2011-11-04 | 2015-03-10 | Honeywell International Inc. | Apparatus and method for determining in-plane magnetic field components of a magnetic field using a single magnetoresistive sensor |
| US8829901B2 (en) * | 2011-11-04 | 2014-09-09 | Honeywell International Inc. | Method of using a magnetoresistive sensor in second harmonic detection mode for sensing weak magnetic fields |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP13667884A patent/JPS6116009A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6116009A (ja) | 1986-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |