JPS6157013A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置に係わる。

〔従来の技術〕　　　　　。

先ず、第３図を参照して、従来の硼気抵抗効果（以下Ｍ
Ｒという）型磁気ヘッド装置のヘッド部りの構造の一例
を説、明するに、例えばＮｉ　　Ｚｎ系フェライト、Ｍ
ｎ　−Ｚｎ系フェライト等より成る研性基板（１）上に
（この基極（１）が導電性を有する場合には、これの上
に被着された５ｊ０２等の絶縁層（２）を介して）、後
述するＭＲ感磁部（５）に対してバイアス磁界を与える
ためのべ、イア大磁界発生用の電流通路となる帯状の導
電膜より成るバイアス導体（３）が被着され、このバイ
アス導４！！−＋３１上に、絶縁層（４）を介して例え
ば、Ｎｉ　−１？ｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金等
のＭＲ磁性薄膜から成るＭＲ感磁部（５）が配される。

そして、このＭド感磁部（５）上に、薄い絶縁層（６）
を介して、各一端が跨りバイアス導体（３）及びＭＲ感
磁部（５）を横切る方向に延在して夫々磁気回路の一部
を構成する磁気コアとしての、例えばＭ。

パーマロイから成る対の磁性層（７）及び（８）が被着
される。基板（１）上には、非磁性の絶縁性保護層（９
）を介して、保護基板α〔が接合される。

しかして、一方の磁性層（７）と基板＋１１の前方端と
の間には、例えば絶縁層（６）より成る所要の厚さを有
する非磁性ギヤップスペーサ層（１１）が介在されて、
前方の磁気ギャップｇが形成される。そして、この磁気
ギャップｇが臨むように、基板（１）、ギャップスペー
サ層（１１）、磁性層（７）、保護層（９）及び保護基
板−の前方面がｒｔ７Ｆ磨されて磁気テープの如き磁気
記録媒体との対接面〈１２）が形成される。

又、磁気ギャップｇを構成する磁性層（７）の後方端と
、他方の磁性層（８）の前方端とは、夫々ＭＲ感磁部（
５）上に絶縁層（６）を介して跨るように形成されるも
、両端間には互いに離間する不連続部（１３）が形成さ
れる。両磁性層（７）及び（８）の夫々後方端及び前方
端は、絶縁層（６）の介在によって電気的には）；　　
　　　　　絶縁されるも、不連続部（１３）において磁
気的には結合されるようなされる。かくしで、基ＩＪｉ
（ｎ　−磁気ギャップｇ−磁性層＋７１−Ｍ　Ｒ感磁部
（５）−磁性層（８）一基板（１）の閉磁路から成る磁
気回路が形成される。

このようなＭＲ型磁気ヘッド部りにおいては、その磁気
記録媒体と対接する前方ギャップｇからの信号磁束が上
述の磁気回路を流れることによって、この磁気回路中の
ＭＲ感磁部（５）の抵抗値が、この信号磁束による外部
磁界に応じ°ζ変化する。

そこで、ＭＲ感磁部（５）に検出電流を流し、この抵抗
値変化をこのＭＲ感磁部（５）の両端の電圧変化として
検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行う。

この場合、ＭＲ感磁部（５）が磁気センサーとして線形
に動作し、且つ高感度とするためには、このＭＲ感磁部
（５）を磁気的にバイアスする必要がある。

このパイアズ磁界は、バイアス導体（３）への通電によ
って発生ずる磁界と、ＭＲ感磁部（５）に通ずる検出電
流によってそれ自体が発生ずる磁界とによって与えられ
る直流磁界である。

即ち、この種のＭＲ型（ｄ気ヘッド装置は、第４図にそ
の概略的構成を示ずよらに、ＭＲ感磁部（５）に、バイ
アス導体（３）への直流電流ｔＢの通電によって発生し
た磁界と、ＭＲ感磁部（５）への検出電流ｉｎｎの通電
によっ”ζ発生した磁界とによってバイアス磁界Ｈｅが
与えられた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界Ｈ
３が峠えられる。そして、この信号磁界Ｈ８による抵抗
変化に基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、すなわちＡ
点の電位の変化を、低域阻ＩＦ用コンデンサ（１６１を
介して増幅器（１４）に供給して増幅して出力端子（１
５）より出力するものである。

第５図は、このＭＲ感磁部（５１に与える磁界Ｈと、そ
の抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図を示し、この
補線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範囲−ＨＢＲ〜十ＨＢ
Ｈにおいて上に凸の２次曲線を示すが、磁界Ｈの絶対値
が大とな゛って、この範囲から外れると、ＭＲ感磁部（
５）を構成するＭＲ磁性薄膜の中央部分の磁化が磁気回
頭方向に飽和しはじめ、２次曲線から離れてその抵抗Ｒ
は最小値Ｒａ１ｎに漸近する。因のに、この抵抗Ｒの最
大（＋Ｉ￥　Ｒｍａｘば、ＭＲ磁性薄股の磁４Ｂがすべ
て電流方向に向いた状態に於ける値である。そし°ζ、
この動作特性曲線における２次曲線の特性部分で、前述
したバイアス磁界ＨＲが与えられた状態で、＠５図にお
いて符号（１７）を付して示す磁気媒体からの信号磁界
が与えられるようにして、これに応じ゛ζ同図中符号（
１日）で示す抵抗値変化に基づく出力を得るようにして
いる。この□場合は、信号磁界の大きさが大となるほど
２次高調□波歪が大となることが分る。

又ミ上述のＭＲ型磁気ヘッド装置における第４図のＡ点
の電位は、ＭＲ感磁部（５）の抵抗の固定分と変化分と
の合成によって決まる電位となるが、この場合、その固
定分は９８％程度にも及ぶものであり、この抵抗の固定
分の温度依存性が大きいので、Ａ点における電位の温度
ドリフトが大きいという欠点がある。このＭＲ感磁部（
５）の抵抗値Ｒは、Ｒ＝Ｒｏ（１・＋αｃｏｓ２θ） （但し、Ｒｏは抵抗の固定分、αは最大抵抗変化率、θ
はＭＲ感磁部（５）における電流方向と研化方向とのな
す角度である）で表され、例えばＭＲ感磁部（５）が８
１Ｎ＋　−１９Ｆｅ　（パーマロイ）合金による厚さ２
５０人のＭＲ磁性薄躾から成る場合のαの実測値はα−
０，０１７程度である。このαの値は、ＭＲ感磁部（５
）のＭＲ磁性薄膜の膜厚や材料によって多少の相違はあ
るものの高々α−０，０５程度である。

一方、この抵抗の固定骨Ｒｏは Ｒｏ＝Ｒｉ（１＋ａΔｔ） （但し、Ｒｉは抵抗の初期値で、ａは温度係数、Δｔは
温度変化分である）で与えられ、上述のＭＲ感磁部（５
）の例における温度係数ａの実測値は、ａ　＝　０．０
０２７／　ｄｅｇ程度である。このことは直流磁界の検
出において大きなノイズとなる。

更に、この種のＭＲ型磁気ヘッド部による場合、上述し
たようにその温度係数が大きいために、例えばＭＲ感磁
部（５）への通電、或いはバイアス導体（３）へのバイ
アス電流等によって発生する熱が、ヘッド部の磁気記録
媒体との摺接によって不安定に放熱されてヘッドの温度
が変化する場合、大きな、丹　　　　　　ノイズ、所謂
摺動ノイズを生ずることになる。

又、第４図の構成における増幅器（１４）が低インピー
ダンス入力を呈する場合、ＭＲｉ＆１部（５）及びコン
デンサ（１６）から成る高域通過フィルタのカットオフ
周波数をｆＯとすると、このコンデン−’＋（１６）に
必要な容量Ｃは、ＲをＭＲ感磁部（５）の抵抗とすると
、 Ｃ＝　　− Ｒω０ （ωｏ＝２πｆｏ）となる。今、ＭＲ感磁部（５）が前
述した厚さ　２５０人のパーマロイより成り、その長さ
が５０μｍとなると、その抵抗Ｒは１０００程度となる
ので、ｆ　ｏ　＝１　ｋｌｌｚとすると、コンデンサ（
１６）としてはＣ＝ｔ、ａμＦという大きな値のものが
必要となり、特にマルチトラック型のデジタルオーディ
オ信号用磁気ヘッド装置を構成する場合には問題となる
ものである。

又、磁気回路における透磁率、特に比較的肉薄で断面積
が小さい磁性層（７）及び（８）における透磁率は、こ
れができるだけ大であることが望まれ、この透磁率は外
部磁界が零のとき最大となるので、上述したようなバイ
アス磁界を与えることは透磁率の低下を招来する。

上述の直流バイアス式ＭＲ型磁気ヘッド装置は、有効ト
ラック幅が広く、秋トラック化が容易であるという利点
がある反面、直線性が悪く、直流再生が困難で、摺動ノ
イズが大き・く、パルクツ＼ウゼンノイズが大きく、出
力のばらつきが大きいという欠点がある。

その他の従来のＭＲ型磁気ヘッド装置としては、差動式
ＭＲ型磁気ヘッド装置、バーバボール式ＭＲ型磁気ヘッ
ド装置等が提案されている。差動式ＭＲ型磁気ヘッド装
置は、そのＭＲ型磁気へ・ノド部に於いて、ＭＲ感磁部
を一対設け、一対のＭＲ感磁部に対しては共通のバイア
ス導体により互いに逆のバイアス磁界を与え、一対のＭ
Ｒ感磁部に同じ信号磁界を与えて、一対のＭＲ感磁部か
ら信号磁界に対応した差動出力が得られるようになし、
その差動出力を差動増幅器に供給し、その差動増幅器よ
り再生信号を得るようにしたものである。

この差動式ＭＲ型磁気ヘッド装置は、直流再生が可能（
但し、オフセットのばらつきが大きい）、バルクハウゼ
ンノイズが少ない、２次高調波歪が除去される、出力の
ばらつきが少ない、回路としては差動増幅器だけで良い
という利点がある反面、摺動ノイズの軽減効果が小さく
、有効トラ・ツク幅が狭く、秋トラック化が困難である
という欠点がある。

又、バーバーポール弐ＭＲ磁気ヘッド装置は、そのＭＲ
型磁気ヘッド部に於けるＭＲ感研部に、その長平方向に
斜めとなる如く、金等より成る多数の互いに平行な導体
バーを被着形成したものである。

このバーバーポール式ＭＲ型磁気へ・ノド装置は、バル
クハウゼンノイズが少なく、出力のばらつきが少なく、
回路としては増幅器だけで良いという利点がある反面、
直流再生が困難、摺動ノイズが大きい、狭トラツク化が
困難、有効トラック幅があまり広くないという欠点があ
る。

そこで、上述した欠点を解消ないしは改善するために、
先に本出願人は新規な磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を
特願昭５９−３８９８０号として出願した。

以下に第６図を参照して、先に提案したＭＲ型磁気ヘッ
ド装置の一例を説明する。この例においては、そのＭＲ
型磁気ヘッド部りは第３図及び第４図で説明したと同様
の構成を採るもので、第６図において第３図及び第４図
と対応する部分に同一符号を付して重複説明を省略する
。この例においては、ＭＲ型磁気ヘッド部りのバイアス
導体（３）に、高周波数ｆｃ（信号磁界の最大周波数の
３倍以上の周波数）の交流バイアス電流ｉ＾を流して、
交流磁界をＭＲ感磁部（５）に与える。ここに交流バイ
アス電流ｉＡの波形、したがって交流磁界の波形は正弦
波、矩形波等その波形の如何を問わないものである。

そして、ＭＲ感磁部（５）の出力をコンデンサ（１６）
を介して周波数ｆｃの成分を通過させる高域通過フィル
タ（Ｉ９）に供給し、その出力Ｙを掛算器ｖｌ　　　　
　　　　　（２２）に供給して、上述の交流バイアス磁
界と同相同周波数の交流信号Ｘと掛算する。その掛算出
力ＸＹを低域通過フィルタ（２１）に供給することによ
り、出力端子（１５）にＭＲ感磁部（５）に与えられた
信号磁界Ｉｔｓに対応した信号出力が得られる。

先に提案したＭＲ型磁気ヘッド装置によれば、直線性に
すぐれた歪の小さい出力を得ることができ、直流再生が
可能で、温度ドリフトが小さく、摺動ノイズが改善され
、有効トランク幅が大で、狭トラツク化可能であり、更
にコンデンサの容量を小さくできるなどの利益を有する
と共に、ダイナミックレンジを大きくとることができ、
また成る場合は磁気回路の透磁率低下を回避することも
できる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、第６図の先に提案したＭＲ型磁気ヘッド装置
を多チャンネル化する場合、そのチャンネル数に応じた
個数の回路が必要となる。

かかる点に鑑み本発明は、２チヤンネルのＭＲ型磁気ヘ
ッド装置の・回路の一部を共用化することのできるＭＲ
型磁気ヘッド装置を提案しようとずｌす るものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によるＭＲ型磁気ヘッド装置は、第１及び第２の
信号磁界ＨＳｌ　、　Ｈｓ２が各別に与えられる第１及
び第２の磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）（５ｚ　）
　、　　（５２）と、第１及び第２のＭＲ感磁部（５１
）、　　（５２）に同一周波数で互いに９０”の位相差
を有する第１及び第２の交流バイアス磁界を与える第１
及び第２のバイアス磁界発生手段（２４Ａ）（又は（２
４Ｂ））、　　（３１）、　　（３２）と、第１及び第
２のＭＲ感磁部（５ｒ　）　、　　（５２）の各出力か
ら第１及び第２の信号磁界Ｈｓｉ　、　ＨＳ’２に対応
した信号出力の合成信号を取出す信号取出手段（２２）
と、第１及び第２の交流バイアス磁界に同期した第１及
び第２の交流信号と合成信号とを掛算する第１及び第２
の掛算手段（２３１）　。

（２３２）と、この第１及び第２の掛算手段（２３ｉ　
）　。

（２３２）の各出力が供給される第１及び第２の低域通
過フィルタ（２ｈ　）　、（２１２）とを有し、この第
１及び第２の低域通過フィルタ（２ｈ　）　。

（２１２）より第１及び第２の信号磁界Ｈｓｔ、　Ｈｓ
２に対応した第１及び第２の信号出力を得るようにした
ものである。

〔作用〕

かかる本発明によれば、第１及び第２のＭＲ感磁部（５
１）、　　（５２）の各出力から、共通の信号取出し手
段（２２）によって、第１及び第２の信号磁界に対応し
た信号出力の合成信号を取出し、この合成信号を第１及
び第２の掛算手段（２３＋　）　。

（２３２）に供給して、第１及び第２のＭＲ感磁部（５
１）、　　（５２）・に与える、同一周波数で犀いに９
０°の位相差を有する第１及び第２の交流バイアス磁界
に同期した第１及び第２の交流信号と掛算し、その各掛
算出力を第１及び第２の低域通過フィルタ（２１ｚ　）
　、　　（２１２）に供給することにより、その第１及
び第２の低域通過フィルタ（２１１）。

（２１２）より、第１及び第２のＭＲ感磁部（５１・）
。

（５２）に与えられる第１及び第２の信号磁界Ｈ３１，
Ｈ３２に対応した第１及び第２の信号出力を各別に得る
ことができる。

〔実施例〕

以下に第１図を参照して、本発明の一実施例を説明する
。ｈｘ、ｈ２は夫々第１及び第２のヘッド部で、夫々第
１及び第２のバイアス導体（３ｚ　）　。

（３２）並びに第１及び第２のＭＲ感磁部（５１）。

（５２）を有しており、その構造は第３図と同様である
。直流的に並列接続（直列接続も可）された第１及び第
２のＭＲ感磁部（５ｚ　）　、　　（５２）に検出直流
電流ｉ　ＭＲが流される。正弦波・余弦波発振器（２４
Ａ　）からの同一周波数ｆｃの正弦波及び余弦波信号Ｘ
ｉ、Ｘ２がバッファ回路（２５１）。

（２５２）に供給され、これよりの正弦波及び余弦波バ
イアス電流が夫々バイアス導体（３１）　。

（３２）に流される。第１及び第２のＭＲ感磁部（５１
）、　　（５２）には第１及び第２の信号磁界Ｈ８１，
Ｈｓ２が各別に与えられる。

（１６）　、　　（１９）は信号取出手段（２２）を構
成する夫々コンデンサ及び高域通過フィルタである。

第１及び第２のＭＲ感磁部（５１）、　　（５２）の１
１　　　　　　　各出力の合成したものをコンデンサ（
１６）を共通に介して、周波数ｆｃの成分を通過させる
酋域通過フィルタ（１９）に供給し、その出力Ｙを第１
及び第２の掛算器（２３１）　、　　（２３２）に供給
して、夫々正弦波及び余弦波信号Ｘｌ、Ｘ２と掛算する
。

この掛算出力ＸＩＹ、Ｘ２　Ｙを第１及び第２の低域通
過フィルタ（２１１）　、　　（２１２）に供給するこ
とにより、第１及び第２の出力端子（１５１）　。

（１５２）に第１及び第２のＭＲ感磁部（５）に与えら
れた第１及び第２の信号磁界Ｈ３１，Ｈ８２に対応した
第１及び第２の信号出力が得られる。

次に、第１図の実施例の動作を数式を用いて解析する。

先ず、ＭＲ感磁部の最大抵抗をＲｎ、最大抵抗変化率を
ａｆｉ異方性磁界をＨｋｎ、バイアス磁界の振幅をＩ（
ＢＯＴＩ、信号磁界をＨＳｎ　（ｔ）、ＭＲ感磁部（５
１）、　　（５２）に流す検出電流をｔ１＋ｉ２　（ｉ
ｔ　＝ｉ２）とする。又、第５図の磁界Ｈ−抵抗ｒｎ特
性曲線の関係は、次式の通りである。

又、ＭＲ感磁部（５１）　、　　（５２）にり、えるバ
　　　　　　　１イアス磁界ＨＢｔ、　ＭＲ２を次式の
ように表わす。

ＨＢ１＝ＨＢｏ１ｓｉｎ　　（ｗｔ）　　　　　　　−
・−＋２１ＨＢ２＝ＨＢＯ２Ｃ（１！ｌ　　（ｉ＊ｔ）
　　　、　　　　　−−（３１ＭＲ感磁部（５１）＋、
（５２）に与えられるＨｓｎ（ｔｌ　（Ｈｓｚ（ｔ）、
　　Ｈｓ２（１１）の周波数スペクトルは最大信号周波
数ｆｓ以下のみを持つものとし、バイアス周波数ｆｃは
、ｆｃ＞３ｆｓに選択する。この時のＭＲ感磁部の出力
ＶＭＲｎは、次式のように表わされる。

ＶＭＲｎ　＝　ｔｎ　ｘ　ｒＴｌ ・・・・・・（４） ＭＲ感磁部の出力の変動分のみ評価すると、次式が得ら
れる。

ここで、Ｈｎに（２）式を代入すると、次式が得られる
。

・・・・・・（６） さて、ＭＲ感磁部（５１）、　　（５２）を直列に接続
した場合の出力の変動分ＶＡは次式のように表わされる
。

ＶＡ　＝ＶｔｌＲｔ　＋ｖｔｌＲ２ とおくと、（７）式は次式のように表わされる。

ＶＡ　＝に１　　（、、ＨＢｔ＋ｊ（ｓｔ（ｔｌ）２＋
に２　　（ＨＢ２＋Ｈｓ２（ｔ））２−＝（８１この（
８）式に（２１，（３１式を代入すると、（８）式は次
式のように表わされる。

ＶＡ　＝に１　　（Ｈｓｏｔ　ｓｉｎ　　（ｗｔ）　＋
Ｈｓ１（ｔｌ）　”＋Ｋ　（ＨＢＯ２ｃｏｓ　　（ｗｔ
）　＋Ｈｓ２Ｔｔ））　２＝Ｋｘ　　（ＨＢＯｔ　　ｓ
ｉｎ　２（ｗｔ）　　＋２１１ｅ６ｘ　　Ｈｓｌ（ｔｌ
　　ｓｉｎ　（ｗｔ）＋　　（ＨｓＩＴｔ））　　２）
　　＋に２　　（ＨＢ０２ｃｏｓ　２（ｗｔ）＋２ＨＢ
Ｏ２Ｈｓｔ（ｔ）　　ｃｏｓ　（ｗｔ）　　＋　　（Ｈ
ｓｔ（ｔｌ）　　２）・・・・・・（９） この電圧ＶＡが増幅器（増幅率をＡとする）によって増
幅される。さて、このＶＡに掛算器（２３ｚ）によって
、ｓｉｎ（ｗｔ）が掛算される場合を考えると、その掛
算出力ｚ１は次式のように表わされる。

ｚｌ　；Ａ−ｖ＾　リｓｉｎ　ｗｔ ＝ＡＫｚ　　（Ｈｌｌｏｚ　　ｓｉｎ３（ｗｔ）　＋２
＋Ｉａｏｔ　Ｈｓｔ（ｔｌｓｉｎ２（ｗｔ）　＋　（Ｈ
ｓｔ（ｔｌ）　２ｓｉｎ　（ｗｔ）　）＋４に２　　　
（Ｈ？ｒ６２　　ｃｏｓ２（ｗｔ）　　　ｓｉｎ　　（
ｗｔ）＋２ＨＢＯ２Ｈｓｔ（ｔ）　ｃｏｓ　（ｗｔ）　
　ｓｉｎ　（ｗｔ）＋　’（Ｈｓｔ（ｔ））　２ｓｉｎ
　（ｗｔ）　）　　　−−０［ｅこの出力ｚ１を低域通
過フィルタ（２ｈ）を通してω成分以上を遮断すると、 ｓｉｎ”（ｗｔ）の項→０ ｓｉｎ２（Ｗｔ）の項→２ ｓｉｎ　　賀ｔ　の項→０ ｃｏｓ２（賀ｔ）　ｓｉｎ　ｗｔの項は（１−５ｉｎ２
（賀ｔ））ｓｉｎ　　ｗｔ　　＝ｓｉｎ　　ｗｔ−ｓｉ
ｎ”（ｗｔ）　　→０２ｃｏｓ　（ｗｔ）　　　ｓｉｎ
　（ｗｔ）　　＝２ｓｉｎ　（２ｗｔ　）　　→０とな
り、その結果フィルタ（２ｈ　）の出力ｖ１は次式のよ
うに表わされる。

Ｖ＋＝ＡＫｔ・Ｈｓｏ＋・ＨｓＩＴｔ１−・・・−−（
１１）同様に、フィルタ（２１２）の出力ｖ２も次式の
ように表わされる。

Ｖ２　＝ＡＫ２　　・ＨＢＯｔ・Ｈｓｔ（１１−−（１
２）次に第２図を参照して、本発明の他の実施例を説明
するも、第１図と対応する部分には同一符号を付して重
複説明を省略する。この実施例では、第１図の正弦波・
余弦波発振器（２４Ａ）の代りに、同一周波数で互いに
９０°の位相差を有する第１及び第２の矩形波信号を発
生ずる矩形波発振器（２４Ｂ）を設ける。信号取出手段
（２２）をコンデンサ（１６）及び増幅器（１４）にて
構成する。又、第１及び第２の掛算器（２３ｔ　）　、
・（２３２）は、インバータ（２６）と、増幅器（１４
）の反転、非反転出力を、夫々互いに９０”の位相差を
有する第１及び第２のす 矩形波信号によって切換制御する第１及び第２の切換ス
イッチ（２７１）　、　　（２７２）にて構成する。

第１及び第２の切換スイッチ（２７ｚ　）　、　　（２
７２）の各出力を第１及び第２の低域通過フィルタ（２
１１）。

（２１２）に供給する。

この第２図の実施例では、差動式ＭＲ型磁気ベッド装置
と同様の２次高調波歪を除去できる等の利点があると共
に、有効トラック幅が広く、狭トラツクが可能であると
いう、差動式ＭＲ型磁気ヘッド装置には無い利点を有す
る。

再生信号としてはデジタル／アナログのオーディオ／ビ
デオ信号が可能である＝□ 〔発明の効果〕 上述せる本発明によれば、２チヤンネルのＭＲ型磁気ヘ
ッド装置の回路の一部、即ち信号取出回路を共用化する
ことのできる、ＭＲ型磁気ヘッド装置を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド装置の各実施例を示子少ロック線図、第３図は従来
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置のヘッド部の構造を禾
す断面図、第４図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッド装
置を示すブロック線図、第５図は磁気抵抗効果゛感磁部
の磁界−抵抗特性を示す特性曲線図、第６図は先に提案
した磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を示す回路図である
。 （３’ｚ　）　、　　（３’２　）は第１及び第２のバ
イアス導体、（５１）、”’（５２）は第１及び第２の
磁気抵抗効果感磁部、（２ｂ　）’　、　　（２１２）
は第１及び第２の低域通過フィルタ、（２２）は信号取
出手段、（２３１）　、　　（２３２）は第１及び第２
の掛算器である。 手続補正書 昭和５９年１２月　１０日 昭和５９年特　許　願第１７８８３３号２、発明の名称 磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住　所　東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２
１８）ソニー株式会社 代表取締役　大　賀　典　雄 ４、代理人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目８番１号置　０３−
３４３−５８２１＆ｔ’ｌ　　（新宿ビル）６、補正に
より増加する発明の数 ８、補正の内容 ｉｌ＋　　明細書中、第１１頁１８行〜１９行及び第１
６頁１〜２行［周波数・・・フィルタ（１り）Ｊとある
を夫々［増幅器（１４）Ｊと訂ＩＥする。 ＋２）　　同、第１６頁１〜行ｒ（１９）は」とあるを
ｒ（１４）は」と訂正する。 （３）同、同頁１８行「高域通過フィルタ」とあるを「
増幅器」と訂正する。 （４）図面中、第１図及び第６図を別紙の如く訂正する
。 以　　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１及び第２の信号磁界が各別に与えられる第１及び第
   ２の磁気抵抗効果感磁部と、該第１及び第２の磁気抵抗
   効果感磁部に同一周波数で互いに９０°の位相差を有す
   る第１及び第２の交流バイアス磁界を与える第１及び第
   ２のバイアス磁界発生手段と、上記第１及び第２の磁気
   抵抗効果感磁部の各出力から上記第１及び第２の信号磁
   界に対応した信号出力の合成信号を取出す信号取出手段
   と、上記第１及び第２の交流バイアス磁界に同期した第
   １及び第２の交流信号と上記合成信号とを掛算する第１
   及び第２の掛算手段と、該第１及び第２の掛算手段の各
   出力が供給される第１及び第２の低域通過フィルタとを
   有し、該第１及び第２の低域通過フィルタより上記第１
   及び第２の信号磁界に対応した第１及び第２の信号出力
   を得るようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気
   ヘッド装置。