JPS60263310A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置Info
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- JPS60263310A JPS60263310A JP11762584A JP11762584A JPS60263310A JP S60263310 A JPS60263310 A JP S60263310A JP 11762584 A JP11762584 A JP 11762584A JP 11762584 A JP11762584 A JP 11762584A JP S60263310 A JPS60263310 A JP S60263310A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/027—Analogue recording
- G11B5/035—Equalising
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置に係わる。
背景技術とその問題点
先ず、第１図を参照して、従来の磁気抵抗効果（以下Ｍ
Ｒという）型磁気ヘッド装置のヘッド部りの構造の一例
を説明するに、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−
Ｚｎ系フェライト等より成る磁性基板（１）上に（この
基板（１１が導電性を有する場合には、これの上に被着
されたＳｉＯ２等の絶縁層（２）を介して）、後述する
ＭＲ感磁部（５）に対してバイアス磁界を与えるための
バイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜より
成るバイアス導体＋３１が被着され、このバイアス導体
（３）上に、絶縁層（４）を介して例えば、Ｎｌ −Ｆ
ｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金等のＭＲ磁性薄膜か
ら成るＭＲ感磁部（５）が配される。そして、このＭＲ
感磁部（５）上に、薄い絶縁層（６）を介して、各一端
が跨りバイアス導体（３）及びＭＲ感磁部（５）を横切
る方向に延在して夫々磁気回路の一部を構成する磁気コ
アとしての、例えばＭ。
Ｒという）型磁気ヘッド装置のヘッド部りの構造の一例
を説明するに、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−
Ｚｎ系フェライト等より成る磁性基板（１）上に（この
基板（１１が導電性を有する場合には、これの上に被着
されたＳｉＯ２等の絶縁層（２）を介して）、後述する
ＭＲ感磁部（５）に対してバイアス磁界を与えるための
バイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜より
成るバイアス導体＋３１が被着され、このバイアス導体
（３）上に、絶縁層（４）を介して例えば、Ｎｌ −Ｆ
ｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金等のＭＲ磁性薄膜か
ら成るＭＲ感磁部（５）が配される。そして、このＭＲ
感磁部（５）上に、薄い絶縁層（６）を介して、各一端
が跨りバイアス導体（３）及びＭＲ感磁部（５）を横切
る方向に延在して夫々磁気回路の一部を構成する磁気コ
アとしての、例えばＭ。
パーマロイから成る対の磁性層（７）及び（８）が被着
される。基板１１）上には、非磁性の絶縁性保護層（９
）を介して、保護基＠ｏｌが接合される。
される。基板１１）上には、非磁性の絶縁性保護層（９
）を介して、保護基＠ｏｌが接合される。
しかして、一方の磁性層（７）と基板（１１の前方端と
の間には、例えば絶縁層（６）より成る所要の厚さを有
する非磁性ギャップスペーサ層（１１）が介在されて、
前方の磁気ギャップｇが形成される。そして、この磁気
ギャップｇが臨むように、基板＋１１、ギャップスペー
サ層（１１） 、磁性層ｆ７１、保護層（９）及び保護
基板（１０）の前方面が研磨されて磁気テープの如き磁
気記録媒体との対接面（１２）が形成される。
の間には、例えば絶縁層（６）より成る所要の厚さを有
する非磁性ギャップスペーサ層（１１）が介在されて、
前方の磁気ギャップｇが形成される。そして、この磁気
ギャップｇが臨むように、基板＋１１、ギャップスペー
サ層（１１） 、磁性層ｆ７１、保護層（９）及び保護
基板（１０）の前方面が研磨されて磁気テープの如き磁
気記録媒体との対接面（１２）が形成される。
又、磁気ギャップｇを構成する磁性層（７）の後方端と
、他方の磁性層（８）の前方端とは、夫々ＭＲ感磁部（
５）上に絶縁層（６）を介して跨るように形成されるも
、両端間には互いに離間する不連続部（１３）が形成さ
れる。陶磁性層（７）及び（８）の夫々後方端及び前号
端は、絶縁層（６）の介在によって電気的には絶縁され
るも、不連続部（１３）において磁気的には結合される
ようなされる。かくして、基板（１）−磁気ギャソプｇ
−磁性層（７１−Ｍ Ｒ感磁部（５）−磁性層（８）一
基板＋１１の閉磁路から成る磁気回路が形成される。
、他方の磁性層（８）の前方端とは、夫々ＭＲ感磁部（
５）上に絶縁層（６）を介して跨るように形成されるも
、両端間には互いに離間する不連続部（１３）が形成さ
れる。陶磁性層（７）及び（８）の夫々後方端及び前号
端は、絶縁層（６）の介在によって電気的には絶縁され
るも、不連続部（１３）において磁気的には結合される
ようなされる。かくして、基板（１）−磁気ギャソプｇ
−磁性層（７１−Ｍ Ｒ感磁部（５）−磁性層（８）一
基板＋１１の閉磁路から成る磁気回路が形成される。
このようなＭＲ型磁気ヘッド部りにおいては、その磁気
記録媒体と対接する前方ギャップｇからの信号磁束が上
述の磁気回路を流れることによって、この磁気回路中の
ＭＲ感磁部（５）の抵抗値が、書 この信号磁束による
外部磁界に応じて変化する。
記録媒体と対接する前方ギャップｇからの信号磁束が上
述の磁気回路を流れることによって、この磁気回路中の
ＭＲ感磁部（５）の抵抗値が、書 この信号磁束による
外部磁界に応じて変化する。
そこで、ＭＲ感磁部（５）に検出電流を流し、この抵抗
値変化をこのＭＲ感磁部（５）の両端の電圧変化として
検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行う。
値変化をこのＭＲ感磁部（５）の両端の電圧変化として
検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行う。
この場合、ＭＲ感磁部（５）が磁気センサーとして線形
に動作し、且つ高感度とするためには、このＭＲ感磁部
（５）を磁気的にバイアスする必要がある。
に動作し、且つ高感度とするためには、このＭＲ感磁部
（５）を磁気的にバイアスする必要がある。
このバイアス磁界は、バイアス導体（３）への通電によ
って発生する磁界と、ＭＲ感磁部（５）に通ずる検出電
流によってそれ自体が発生する磁界とによって与えられ
る直流磁界である。
って発生する磁界と、ＭＲ感磁部（５）に通ずる検出電
流によってそれ自体が発生する磁界とによって与えられ
る直流磁界である。
即ち、この種のＭＲ型磁気ヘッド装置は、第２図にその
概略的構成を示すように、ＭＲ感磁部（５）に、バイア
ス導体（３）への直流電流ＩＢの通電によって発生した
磁界と、ＭＲ感磁部（５）への検出電流ＩＭＨの通電に
よって発生した磁界とによってバイアス磁界Ｈｅが与え
られた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界Ｈ５が
与えられる。そして、この信号磁界Ｈ３による抵抗変化
に基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、すなわちＡ点の
電位の変化を、低域阻止用コンデンサ（１６）を介して
増幅器（１４）に供給して増幅して出力端子（１５）よ
り出力するものである。
概略的構成を示すように、ＭＲ感磁部（５）に、バイア
ス導体（３）への直流電流ＩＢの通電によって発生した
磁界と、ＭＲ感磁部（５）への検出電流ＩＭＨの通電に
よって発生した磁界とによってバイアス磁界Ｈｅが与え
られた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界Ｈ５が
与えられる。そして、この信号磁界Ｈ３による抵抗変化
に基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、すなわちＡ点の
電位の変化を、低域阻止用コンデンサ（１６）を介して
増幅器（１４）に供給して増幅して出力端子（１５）よ
り出力するものである。
第３図は、このＭＲ感磁部（５）に与える磁界Ｈと、そ
の抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図を示し、この
曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範囲−ＨＢＲ〜十ＨＢ
Ｈにおいて上に凸の２次曲線を示すが、磁界Ｈの絶対値
が大となって、この範囲から外れると、ＭＲ感磁部（５
）を構成するＭＲ磁性薄膜の中央部分の磁化が磁気回路
方向に飽和しはじめ、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは
最小値Ｒｗｉｎに漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最大
値Ｒｗａｘは、ＭＲ磁性薄膜の磁化がすべて電流方向に
向いた状態に於ける値である。そして、この動作特性曲
線における２次曲線の特性部分で、前述したバイアス磁
界ＨＢが与えられた状態で、第３図において符号（１７
）を付して示す磁気媒体からの信号磁界が与えられるよ
うにして、これに応じて同図中符号（１８）で示す抵抗
値変化に基づく出力を得るようにしている。この場合は
、信号磁界の大きさが大となるほど２次高調波歪が大と
なることが分る。
の抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図を示し、この
曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範囲−ＨＢＲ〜十ＨＢ
Ｈにおいて上に凸の２次曲線を示すが、磁界Ｈの絶対値
が大となって、この範囲から外れると、ＭＲ感磁部（５
）を構成するＭＲ磁性薄膜の中央部分の磁化が磁気回路
方向に飽和しはじめ、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは
最小値Ｒｗｉｎに漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最大
値Ｒｗａｘは、ＭＲ磁性薄膜の磁化がすべて電流方向に
向いた状態に於ける値である。そして、この動作特性曲
線における２次曲線の特性部分で、前述したバイアス磁
界ＨＢが与えられた状態で、第３図において符号（１７
）を付して示す磁気媒体からの信号磁界が与えられるよ
うにして、これに応じて同図中符号（１８）で示す抵抗
値変化に基づく出力を得るようにしている。この場合は
、信号磁界の大きさが大となるほど２次高調波歪が大と
なることが分る。
又、上述のＭＲ型磁気ヘッド装置における第２図のＡ点
の電位は、ＭＲ感磁部（５）の抵抗の固定骨と変化分と
の合成によって決まる電位となるが、この場合、その固
定骨は９８％程度にも及ぶものであり、この抵抗の固定
骨の温度依存性が大きいので、Ａ点における電位の温度
ドリフトが大きいという欠点がある。このＭＲ感磁部（
５）の抵抗値Ｒは、Ｒ＝Ｒｏ （１＋ａ ｃｏｓ２θ）
−−−−（１）（但し、Ｒｏは抵抗の固定骨、αは最
大抵抗変化率、θはＭＲ感磁部（５）における電流方向
と磁化方向とのなす角度である）で表され、例えばＭＲ
感磁部（５）が８１Ｎｉ −１９Ｐｅ （パーマロイ）
合金による厚さ２５０人のＭＲ磁性−薄膜から成る場合
のαの実測値はα＝ ０．０１７程度である。このαの
値は、ＭＲ感磁部（５）のＭＲ磁性薄膜の膜厚や材料に
よって多少の相違はあるものの高々α＝ ０．０５程度
である。
の電位は、ＭＲ感磁部（５）の抵抗の固定骨と変化分と
の合成によって決まる電位となるが、この場合、その固
定骨は９８％程度にも及ぶものであり、この抵抗の固定
骨の温度依存性が大きいので、Ａ点における電位の温度
ドリフトが大きいという欠点がある。このＭＲ感磁部（
５）の抵抗値Ｒは、Ｒ＝Ｒｏ （１＋ａ ｃｏｓ２θ）
−−−−（１）（但し、Ｒｏは抵抗の固定骨、αは最
大抵抗変化率、θはＭＲ感磁部（５）における電流方向
と磁化方向とのなす角度である）で表され、例えばＭＲ
感磁部（５）が８１Ｎｉ −１９Ｐｅ （パーマロイ）
合金による厚さ２５０人のＭＲ磁性−薄膜から成る場合
のαの実測値はα＝ ０．０１７程度である。このαの
値は、ＭＲ感磁部（５）のＭＲ磁性薄膜の膜厚や材料に
よって多少の相違はあるものの高々α＝ ０．０５程度
である。
一方、この抵抗の固定骨Ｒｏは
Ｒｏ＝Ｒ１（１＋ａＡｔ） ・・・・（２＋（但し、Ｒ
ｉは抵抗の初期値で、ａは温度係数、Δｔは温度変化分
である）で与えられ、上述のＭＲ感磁部（５）の例にお
ける温度係数ａの実測値は、ａ ＝ ０．００２７／
ｄｅｇ程度である。このことは直流磁界の検出において
大きなノイズとなる。
ｉは抵抗の初期値で、ａは温度係数、Δｔは温度変化分
である）で与えられ、上述のＭＲ感磁部（５）の例にお
ける温度係数ａの実測値は、ａ ＝ ０．００２７／
ｄｅｇ程度である。このことは直流磁界の検出において
大きなノイズとなる。
更に、この種のＭＲ型磁気ヘッド部による場合、上述し
たようにその温度係数が大きいために、例えばＭＲ感磁
部（５）への通電、或いはバイアス導体（３）へのバイ
アス電流等によって発生する熱が、ヘッド部の磁気記録
媒体との摺接によって不安定に放熱されてヘッドの温度
が変化する場合、大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ず
ることになる。
たようにその温度係数が大きいために、例えばＭＲ感磁
部（５）への通電、或いはバイアス導体（３）へのバイ
アス電流等によって発生する熱が、ヘッド部の磁気記録
媒体との摺接によって不安定に放熱されてヘッドの温度
が変化する場合、大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ず
ることになる。
又、第２図の構成における増幅器（１４）が低インピー
ダンス入力を呈する場合、ＭＲ感磁部（５）及びコンデ
ンサ（１６）から成る高域通過フィルタのカットオフ周
波数をｒｏとすると、このコンデンサ（１６）に必要な
容量Ｃは、ＲをＭＲ感磁部（５）の抵抗とすると、 、 （ωｏ＝２πｆｏ）となる。今、ＭＲ感磁部（５）
が前述した厚さ２５０人のパーマロイより成り、その長
さが５０μｍとなると、その抵抗Ｒは１２０Ω程度とな
るので、ｆ ｏ ＝ １ ｋＨｚとすると、コンデンサ
（１６）としてはＣ＝１．３μＦという大きな値のもの
が必要となり、特にマルチトランク型のデジタルオーデ
ィオ信号用磁気ヘッド装置を構成する場合には問題とな
るものである。
ダンス入力を呈する場合、ＭＲ感磁部（５）及びコンデ
ンサ（１６）から成る高域通過フィルタのカットオフ周
波数をｒｏとすると、このコンデンサ（１６）に必要な
容量Ｃは、ＲをＭＲ感磁部（５）の抵抗とすると、 、 （ωｏ＝２πｆｏ）となる。今、ＭＲ感磁部（５）
が前述した厚さ２５０人のパーマロイより成り、その長
さが５０μｍとなると、その抵抗Ｒは１２０Ω程度とな
るので、ｆ ｏ ＝ １ ｋＨｚとすると、コンデンサ
（１６）としてはＣ＝１．３μＦという大きな値のもの
が必要となり、特にマルチトランク型のデジタルオーデ
ィオ信号用磁気ヘッド装置を構成する場合には問題とな
るものである。
又、磁気回路における透磁率、特に比較的肉薄で断面積
が小さい磁性層（７）及び（８）における透磁率は、こ
れができるだけ大であることが望まれ、この透磁率は外
部磁界が零のとき最大となるので、上述したようなバイ
アス磁界を与えることは透磁率の低下を招来する。
が小さい磁性層（７）及び（８）における透磁率は、こ
れができるだけ大であることが望まれ、この透磁率は外
部磁界が零のとき最大となるので、上述したようなバイ
アス磁界を与えることは透磁率の低下を招来する。
上述の直流バイアス式ＭＲ型磁気ヘッド装置は、有効ト
ラック幅が広く、挾トラック化が容易であるという利点
がある反面、直線性が悪く、直流再生が困難で、摺動ノ
イズが大きく、バルクハウゼンノイズが太き（、出力の
ばらつきが大きいという欠点がある。
ラック幅が広く、挾トラック化が容易であるという利点
がある反面、直線性が悪く、直流再生が困難で、摺動ノ
イズが大きく、バルクハウゼンノイズが太き（、出力の
ばらつきが大きいという欠点がある。
その他の従来のＭＲ型磁気ヘッド装置としては、差動式
ＭＲ型磁気ヘッド装置、バーバボール式ＭＲ型磁気ヘッ
ド装置等が提案されている。差動式ＭＲ型磁気ヘッド装
置は、そのＭＲ型磁気ヘッド部に於いて、ＭＲ感磁部を
一対設け、一対のＭＲ感磁部に対しては共通のバイアス
導体により同じバイアス磁界を与え、ＭＲ感磁部からは
同じ信号磁界によって差動出力が得られるようになし、
その差動出力を差動増幅器に供給し、その差動増幅器よ
り再生信号をえるようにしたものである。
ＭＲ型磁気ヘッド装置、バーバボール式ＭＲ型磁気ヘッ
ド装置等が提案されている。差動式ＭＲ型磁気ヘッド装
置は、そのＭＲ型磁気ヘッド部に於いて、ＭＲ感磁部を
一対設け、一対のＭＲ感磁部に対しては共通のバイアス
導体により同じバイアス磁界を与え、ＭＲ感磁部からは
同じ信号磁界によって差動出力が得られるようになし、
その差動出力を差動増幅器に供給し、その差動増幅器よ
り再生信号をえるようにしたものである。
この差動式ＭＲ型磁気ヘッド装置は、直流再生が可能（
但し、オフセントのばらつきが大きい）、バルクハウゼ
ンノイズが少ない、出力のばらつきが少ない２９回路と
しては増幅器だけで良いという利点がある反面、摺動ノ
イズの軽減効果が小さく、有効トラック幅が狭く、挾ト
ランク化が困難であるという欠点がある。
但し、オフセントのばらつきが大きい）、バルクハウゼ
ンノイズが少ない、出力のばらつきが少ない２９回路と
しては増幅器だけで良いという利点がある反面、摺動ノ
イズの軽減効果が小さく、有効トラック幅が狭く、挾ト
ランク化が困難であるという欠点がある。
又、バーバーポール式ＭＲ磁気ヘッド装置は、そのＭＲ
型磁気ヘッド部に於けるＭＲ感磁部に、その長手方向に
斜めとなる如（、金等より成る多数の互いに平行な導体
バーを被着形成したものである。 、 このバーバーポール式ＭＲ型磁気ヘッド装置は、バルク
ハウゼンノイズが少なく、出力のばらつきが少なく、回
路としては増幅器だけで良いという利点がある反面、直
流再生が困難、摺動ノイズが大きい、挾トラック化が困
難、有効トラック幅があまり広くないという欠点がある
。
型磁気ヘッド部に於けるＭＲ感磁部に、その長手方向に
斜めとなる如（、金等より成る多数の互いに平行な導体
バーを被着形成したものである。 、 このバーバーポール式ＭＲ型磁気ヘッド装置は、バルク
ハウゼンノイズが少なく、出力のばらつきが少なく、回
路としては増幅器だけで良いという利点がある反面、直
流再生が困難、摺動ノイズが大きい、挾トラック化が困
難、有効トラック幅があまり広くないという欠点がある
。
そこで、上述した欠点を解消ないしは改善するために、
先に本出願人は新規な磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を
特願昭５９−３８９８０号として出願した。
先に本出願人は新規な磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を
特願昭５９−３８９８０号として出願した。
以下に第４図を参照して、先に提案したＭＲ型磁気ヘッ
ド装置の一例を説明する。この例においては、そのＭＲ
型磁気ヘッド部りは第１図及び第２図で説明したと同様
の構成を採るもので、第４図において第１図及び第２図
と対応する部分に同一符号を付して重複説明を省略する
。この例においては、ＭＲ型磁気ヘッド部りのバイアス
導体（３）に、直流バイアス電流ＩＢに重畳して高周波
数ｆＣのレベルの小さい交流バイアス電流ＩＡを流して
、０ 直流磁界に重畳して高周波磁界をＭＲ感磁部（５）に与
える。ここに交流バイアス電流ｉＡの波形、したがって
交流磁界の波形は正弦波、矩形波等その波形の如何を問
わないものである。
ド装置の一例を説明する。この例においては、そのＭＲ
型磁気ヘッド部りは第１図及び第２図で説明したと同様
の構成を採るもので、第４図において第１図及び第２図
と対応する部分に同一符号を付して重複説明を省略する
。この例においては、ＭＲ型磁気ヘッド部りのバイアス
導体（３）に、直流バイアス電流ＩＢに重畳して高周波
数ｆＣのレベルの小さい交流バイアス電流ＩＡを流して
、０ 直流磁界に重畳して高周波磁界をＭＲ感磁部（５）に与
える。ここに交流バイアス電流ｉＡの波形、したがって
交流磁界の波形は正弦波、矩形波等その波形の如何を問
わないものである。
このように、ＭＲ感磁部（５）に直流バイアス磁界に重
畳して交流バイアス磁界が与えられるので、このＭＲ感
磁部（５）の両端間、即ち第４図におけるＡ点には周波
数ｆｃの交流信号が取り出される。
畳して交流バイアス磁界が与えられるので、このＭＲ感
磁部（５）の両端間、即ち第４図におけるＡ点には周波
数ｆｃの交流信号が取り出される。
第５図Ａは、直流バイアス磁界Ｈａと、信号磁界Ｈｓに
交流バイアス磁界ＨＡが重畳された状態での磁界ＨとＭ
Ｒ感磁部（５）の抵抗Ｒとの関係を示している。ここで
交流バイアス磁界ＨＡの変化分ΔＨが小さい時には、成
る瞬間での交流バイアス磁界の変化に対する抵抗変化の
大きさΔＲは、第５図Ａの２次曲線の微分の絶対値とし
て得られ、第５図Ｂに示すように、直流バイアス磁界Ｈ
Ｂと信号磁界Ｈ３の大きさと出力たる抵抗変化分との関
係は、原理的には直線となる。従って、第４図における
Ａ点に得られる交流信号の大きさは、直ｉ 流バイアス
磁界ＨＢと、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈ３の和の変
化に応じて変化する出力となる。
交流バイアス磁界ＨＡが重畳された状態での磁界ＨとＭ
Ｒ感磁部（５）の抵抗Ｒとの関係を示している。ここで
交流バイアス磁界ＨＡの変化分ΔＨが小さい時には、成
る瞬間での交流バイアス磁界の変化に対する抵抗変化の
大きさΔＲは、第５図Ａの２次曲線の微分の絶対値とし
て得られ、第５図Ｂに示すように、直流バイアス磁界Ｈ
Ｂと信号磁界Ｈ３の大きさと出力たる抵抗変化分との関
係は、原理的には直線となる。従って、第４図における
Ａ点に得られる交流信号の大きさは、直ｉ 流バイアス
磁界ＨＢと、磁気記録媒体からの信号磁界Ｈ３の和の変
化に応じて変化する出力となる。
そして、この出力は、第４図に示すように上述した周波
数ｆｃの成分を通す高域通過フィルタ（前置増幅器）（
１９）を介して整流器（２０）に供給して整流し、その
整流出力を低域通過フィルタ（２１）に供給するもので
ある。このようにすれば、磁気媒体からの信号磁界Ｈ３
に応じた信号出力がとり出せる。この場合、交流電流Ｉ
Ａの周波数ｆｃは、今例えば最終的に出力端子（１５）
から得る出力の帯域が０〜１００ｋＨｚ必要である場合
、これより十分高い周波数、例えばｆ ｃ −Ｉ ＭＨ
ｚに選定すれば良い。この場合高域通過フィルタ（１９
）は低域カットオフ周波数を１００ｋｔｌｚより高（、
且つ周波数ｆ Ｃ％例えばＩ Ｍｌ（ｚより低い例えば
５００ｋｌｌｚに選んでおくものとする。しかして、高
域通過フィルタの出力を前述したように整流器（２０）
によって整流して後、カットオフ周波数が１００ｋｌｌ
ｚの低域通過フィルタ（２１）を通すことにより、出力
端子（１５）に０〜１００ｋＨｚの帯域の信号が得られ
る。
数ｆｃの成分を通す高域通過フィルタ（前置増幅器）（
１９）を介して整流器（２０）に供給して整流し、その
整流出力を低域通過フィルタ（２１）に供給するもので
ある。このようにすれば、磁気媒体からの信号磁界Ｈ３
に応じた信号出力がとり出せる。この場合、交流電流Ｉ
Ａの周波数ｆｃは、今例えば最終的に出力端子（１５）
から得る出力の帯域が０〜１００ｋＨｚ必要である場合
、これより十分高い周波数、例えばｆ ｃ −Ｉ ＭＨ
ｚに選定すれば良い。この場合高域通過フィルタ（１９
）は低域カットオフ周波数を１００ｋｔｌｚより高（、
且つ周波数ｆ Ｃ％例えばＩ Ｍｌ（ｚより低い例えば
５００ｋｌｌｚに選んでおくものとする。しかして、高
域通過フィルタの出力を前述したように整流器（２０）
によって整流して後、カットオフ周波数が１００ｋｌｌ
ｚの低域通過フィルタ（２１）を通すことにより、出力
端子（１５）に０〜１００ｋＨｚの帯域の信号が得られ
る。
このような構成による磁気ヘッド装置においては、第６
図Ａに示す外部磁界（信号磁界子バイアス磁界）がＭＲ
感磁部（５）に与えられた場合、第４図における点Ｂに
おいては第６図Ｂに示すように、周波数ｆｃのキャリア
を信号で振幅変調した出力が得られ、第６図Ｃに示すよ
うに出力端子（１５）においては、信号磁界に応じた出
力がとり出される。
図Ａに示す外部磁界（信号磁界子バイアス磁界）がＭＲ
感磁部（５）に与えられた場合、第４図における点Ｂに
おいては第６図Ｂに示すように、周波数ｆｃのキャリア
を信号で振幅変調した出力が得られ、第６図Ｃに示すよ
うに出力端子（１５）においては、信号磁界に応じた出
力がとり出される。
かかる磁気ヘッド装置によれば、ＭＲ感磁部（５）の磁
界対抵抗２次特性曲線による動作特性の微分に相当する
直線的動作特性による出力がとり出されるので、歪のな
い再生信号をとり出すことができるものである。
界対抵抗２次特性曲線による動作特性の微分に相当する
直線的動作特性による出力がとり出されるので、歪のな
い再生信号をとり出すことができるものである。
又、ＭＲ感磁部（５）の抵抗の固定分について温度依存
性が大であっても、ＭＲ感磁部（５）の動作特性曲線を
微分した特性によっているので、この抵抗の固定分の温
度ドリフトによる影響を格段に低減することができる。
性が大であっても、ＭＲ感磁部（５）の動作特性曲線を
微分した特性によっているので、この抵抗の固定分の温
度ドリフトによる影響を格段に低減することができる。
更に、上述したようにＭＲ感磁部（５）の抵抗固定骨の
温度依存性による影響を排除したことによって、ＭＲ型
磁気ヘッド部の前述した磁気媒体との３ ２ 摺動によるノイズの発生を少なくすることができる。
温度依存性による影響を排除したことによって、ＭＲ型
磁気ヘッド部の前述した磁気媒体との３ ２ 摺動によるノイズの発生を少なくすることができる。
又、かかる磁気ヘッド装置におけるコンデンサ（１６）
は、周波数ｆｃの成分を通過させれば良いから、例えば
ｆ ｃ −５００ｋＨｚとすると、このコンデンサ（１
６）の容量Ｃは、Ｃ＝ ２６００ｐＦで良いことになる
。そして、この周波数ｆｃを更に上げれば、この容量Ｃ
は更に小さくできるものである。
は、周波数ｆｃの成分を通過させれば良いから、例えば
ｆ ｃ −５００ｋＨｚとすると、このコンデンサ（１
６）の容量Ｃは、Ｃ＝ ２６００ｐＦで良いことになる
。そして、この周波数ｆｃを更に上げれば、この容量Ｃ
は更に小さくできるものである。
第７図は先に提案したＭＲ型磁気ヘッド装置の他の例を
示し、第７図において第４図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。
示し、第７図において第４図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。
この場合は、バイアス導体（３）には、直流バイアス電
流は流されずに、交流バイアス電流ＩＡのみを流すよう
にする。この動作を模式的に示したのが第８図である。
流は流されずに、交流バイアス電流ＩＡのみを流すよう
にする。この動作を模式的に示したのが第８図である。
この図において、実線の曲線が、実際のＭＲ感磁部の磁
界対抵抗の動作特性曲線であるが、この特性の２次曲線
部分を外挿すると破線図示のようになり、これによる最
小抵抗値Ｒｌｌ１ｉｎに対応する磁界を＋Ｈｏ及び−Ｈ
ｏとする。この例では信号磁界Ｈ９に重畳して交流バイ
アス磁界４ ＨＡが与えられ、信号磁界の極性と大きさとに対応し且
つ交流バイアス磁界に応じたＭＲ感磁部（５）の抵抗変
化が得られる。
界対抵抗の動作特性曲線であるが、この特性の２次曲線
部分を外挿すると破線図示のようになり、これによる最
小抵抗値Ｒｌｌ１ｉｎに対応する磁界を＋Ｈｏ及び−Ｈ
ｏとする。この例では信号磁界Ｈ９に重畳して交流バイ
アス磁界４ ＨＡが与えられ、信号磁界の極性と大きさとに対応し且
つ交流バイアス磁界に応じたＭＲ感磁部（５）の抵抗変
化が得られる。
この場合の動作特性曲線は２次曲線で、このＭＲ感磁部
（５）の抵抗値Ｒは、次のように表される。
（５）の抵抗値Ｒは、次のように表される。
ここに、ΔＲｍａｘはΔＲｍａｘ ＝Ｒｍａｘ −Ｒｍ
ｉｎで与えられる。ＭＲ感磁部（５）に与えられる磁界
Ｈは、次式に示すようにバイアス磁界ＨＡ（ｔ）と、信
号磁界Ｈｓ（ｔｌとの和で表される。
ｉｎで与えられる。ＭＲ感磁部（５）に与えられる磁界
Ｈは、次式に示すようにバイアス磁界ＨＡ（ｔ）と、信
号磁界Ｈｓ（ｔｌとの和で表される。
Ｈ（ｔｌ＝ＨＡｉｔ）＋）（ｓ （ｔｌ ”（５）ここ
に磁界ＨＡ（ｔ）は、バイアス導体（３）に流される電
流によって得られ、 ＨＡ （ｔ）＝ ＨＡＯ−ｓｉｎ （ωａｔ） ・・・
・（６１の如く表される。但し、角周波数ωＧは次式の
ように表される。
に磁界ＨＡ（ｔ）は、バイアス導体（３）に流される電
流によって得られ、 ＨＡ （ｔ）＝ ＨＡＯ−ｓｉｎ （ωａｔ） ・・・
・（６１の如く表される。但し、角周波数ωＧは次式の
ように表される。
ωｃ＝２πｆＣ・・・・（７）
ＭＲ感磁部（５）の出力電圧Ｖ （ｔ）は、ＭＲ検出電
流をＩとすると、 ５ １ｔｌ＝Ｉ ・ Ｒ・・・・（８） であり、上記（４）、（５）、（６）式から次のように
表される。
流をＩとすると、 ５ １ｔｌ＝Ｉ ・ Ｒ・・・・（８） であり、上記（４）、（５）、（６）式から次のように
表される。
Ｘ５ｉｎ ωｃ十（Ｈｓ （ｔｌ） ２）・・・・（９
） 次に、この出力電圧Ｖ （ｔｌと、交流バイアス磁界Ｈ
Ａと同相同曲波数の信号、例えばｓｉｎ （ωａｔ）を
乗算器（２２）によって乗算する。その出力Ｖ ｚ ｌ
）は、次式のように表される。
） 次に、この出力電圧Ｖ （ｔｌと、交流バイアス磁界Ｈ
Ａと同相同曲波数の信号、例えばｓｉｎ （ωａｔ）を
乗算器（２２）によって乗算する。その出力Ｖ ｚ ｌ
）は、次式のように表される。
Ｖｚ （ｔｌ＝Ｖ（ｔ）・ｓｉｎ （ａｌ（Ｈｔ）＋２
ＨＡｏ−Ｈｓ（ｔｌ・ｓｉｎ （ωｃ ｔ） ＋（Ｈｓ
（ｔｌ） ２） ・ｓｉｎ ＜６）ｃ ｔ）・・・・０
１ｌｌ そして、これを低域通過フィルタ（２１）に通ずルト、
次αΦにおいてωＣ成分を有する項１−Ｒｎｓａｘ ・
ｓｉｎ （ａｌｃ ｔ） ＝Ｏ”・・（ＩＤ ６ ＨＡ♂・５ｉｒＩ２（ωａｔ） ＨＡＯ ＝ −（ｓｉｎ （ωｔ） −ｃｏｓ （２ω１）Ｘｓ
ｉｎ（ωｔ））＝−０・・・・（１り ２ ＨＡＯ−Ｈ３Ｔｔｌ ・５ｉｎ２（ωｔ ）＝ＨＡ
ｏ−Ｈｓ（ｔｉ （ｌ −ｃｏｓ（２ａ＋ｔ））＝ Ｈ
ＡＯ−Ｈｓ （ｔ） ” ・・（１３）（）（ｓ （ｔ
ｉｔ ２・ｓｉｎ （ωｔ） −〇 ・・・・（１４）
となる。従って、端子（１５）で得られる出力電圧Ｖｏ
（ｔｌは、 ・・・・ （１５） となり、信号磁界ＨｓＴｔｌに比例する電圧が得られる
。尚、この場合、乗算器（２２）への入力に、信号磁界
成分Ｈｓ（ｔｌが含まれていても、出力に混入する虞は
少ないので、高域通過フィルタ（１９）を省略すること
もできる。
ＨＡｏ−Ｈｓ（ｔｌ・ｓｉｎ （ωｃ ｔ） ＋（Ｈｓ
（ｔｌ） ２） ・ｓｉｎ ＜６）ｃ ｔ）・・・・０
１ｌｌ そして、これを低域通過フィルタ（２１）に通ずルト、
次αΦにおいてωＣ成分を有する項１−Ｒｎｓａｘ ・
ｓｉｎ （ａｌｃ ｔ） ＝Ｏ”・・（ＩＤ ６ ＨＡ♂・５ｉｒＩ２（ωａｔ） ＨＡＯ ＝ −（ｓｉｎ （ωｔ） −ｃｏｓ （２ω１）Ｘｓ
ｉｎ（ωｔ））＝−０・・・・（１り ２ ＨＡＯ−Ｈ３Ｔｔｌ ・５ｉｎ２（ωｔ ）＝ＨＡ
ｏ−Ｈｓ（ｔｉ （ｌ −ｃｏｓ（２ａ＋ｔ））＝ Ｈ
ＡＯ−Ｈｓ （ｔ） ” ・・（１３）（）（ｓ （ｔ
ｉｔ ２・ｓｉｎ （ωｔ） −〇 ・・・・（１４）
となる。従って、端子（１５）で得られる出力電圧Ｖｏ
（ｔｌは、 ・・・・ （１５） となり、信号磁界ＨｓＴｔｌに比例する電圧が得られる
。尚、この場合、乗算器（２２）への入力に、信号磁界
成分Ｈｓ（ｔｌが含まれていても、出力に混入する虞は
少ないので、高域通過フィルタ（１９）を省略すること
もできる。
かかるＭＲ型磁気ヘッド装置によれば、外部磁界の極性
に応じた出力をとり出せることになり、７ 先の例と同様の利点に加えて、ダイナミックレンジが大
となるという利点がある。また、この場合、磁気的バイ
アスを交流成分のみとすることによって直流バイアスに
よる磁気回路の透磁率低下を回避できる利益もある。
に応じた出力をとり出せることになり、７ 先の例と同様の利点に加えて、ダイナミックレンジが大
となるという利点がある。また、この場合、磁気的バイ
アスを交流成分のみとすることによって直流バイアスに
よる磁気回路の透磁率低下を回避できる利益もある。
先に提案したＭＲ型磁気ヘッド装置によれば、直線性に
すぐれた歪の小さい出力を得ることができ、直流再生が
可能で、温度ドリフトが小さく、摺動ノイズが改善され
、有効トラック幅が大で、狭トラツク化可能であり、更
にコンデンサの容量を小さくできるなどの利益を有する
と共に、更に第７図で説明した構成とするときは、ダイ
ナミックレンジを大きくとることができ、また成る場合
は磁気回路の透磁率低下を回避することもできる。
すぐれた歪の小さい出力を得ることができ、直流再生が
可能で、温度ドリフトが小さく、摺動ノイズが改善され
、有効トラック幅が大で、狭トラツク化可能であり、更
にコンデンサの容量を小さくできるなどの利益を有する
と共に、更に第７図で説明した構成とするときは、ダイ
ナミックレンジを大きくとることができ、また成る場合
は磁気回路の透磁率低下を回避することもできる。
発明の目的
本発明は磁気抵抗効果感磁部に交流バイアス磁界を与え
るようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置に於いて、
直線性が一層向上して歪が一層少なくなり、バルクハウ
ゼンノイズの発生が少なくなり、ダイナミックレンジが
一層広くなり、出力８ のばらつきが少なくなるものを提案しようとするもので
ある。
るようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置に於いて、
直線性が一層向上して歪が一層少なくなり、バルクハウ
ゼンノイズの発生が少なくなり、ダイナミックレンジが
一層広くなり、出力８ のばらつきが少なくなるものを提案しようとするもので
ある。
発明の概要
本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置は、信号磁
界の与えられる磁気抵抗効果感磁部と、この磁気抵抗効
果感磁部に交流バイアス磁界を与える交流磁界発生手段
と、磁気抵抗効果感磁部の出力から信号磁界に応じた信
号出力を取出す信号取出し手段と、この信号取出し手段
からの信号出力に応じた負帰還磁界を磁気抵抗効果感磁
部に与える負帰還磁界発生手段とを有することを特徴と
するものである。
界の与えられる磁気抵抗効果感磁部と、この磁気抵抗効
果感磁部に交流バイアス磁界を与える交流磁界発生手段
と、磁気抵抗効果感磁部の出力から信号磁界に応じた信
号出力を取出す信号取出し手段と、この信号取出し手段
からの信号出力に応じた負帰還磁界を磁気抵抗効果感磁
部に与える負帰還磁界発生手段とを有することを特徴と
するものである。
上述せる本発明によれば、磁気抵抗効果感磁部に交流バ
イアス磁界を与えるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置に於いて、直線性が一層向上して歪が一層少なく
なり、バルクハウゼンノイズの発生が少なくなり、ダイ
ナミックレンジが一層広くなり、出力のばらつきが少な
くなるものを得ることができる。
イアス磁界を与えるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置に於いて、直線性が一層向上して歪が一層少なく
なり、バルクハウゼンノイズの発生が少なくなり、ダイ
ナミックレンジが一層広くなり、出力のばらつきが少な
くなるものを得ることができる。
！ 実施例
以下に、第９図を参照して、本発明の一実施例を説明す
る。この実施例は、第７図の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
に本発明を適用した場合で、第９図に於いて第７図と対
応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
る。この実施例は、第７図の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
に本発明を適用した場合で、第９図に於いて第７図と対
応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
即ち、低域通過フィルタ（２１）よりの信号出力をバッ
ファ増幅器（２３）に供給し、これよりの電流ｉＦＢを
バイアス導体（３）に流して、このバイアス導体（３）
（別個のバイアス導体を設けて、これに電流ｉｐＢを流
すこともできる）から負帰還磁界ＨＦＢを発生させて、
ＭＲ感磁部（５）に与えるようにする。
ファ増幅器（２３）に供給し、これよりの電流ｉＦＢを
バイアス導体（３）に流して、このバイアス導体（３）
（別個のバイアス導体を設けて、これに電流ｉｐＢを流
すこともできる）から負帰還磁界ＨＦＢを発生させて、
ＭＲ感磁部（５）に与えるようにする。
第１０図は第９図の磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置の等
価回路を示し、走行している磁気テープの記録信号Ｍ
（Ｘｌに基づいて、信号磁界Ｈｓ（ｔｌとして、Ｈｓ
（ｔｌ ＝ Ｍ（ｘｉ ・φｍ （ｊ２π／λ）・・・
・（１６）が発生すると共に、帰還磁界−Ｈｐａ（ｔ）
が発生する。
価回路を示し、走行している磁気テープの記録信号Ｍ
（Ｘｌに基づいて、信号磁界Ｈｓ（ｔｌとして、Ｈｓ
（ｔｌ ＝ Ｍ（ｘｉ ・φｍ （ｊ２π／λ）・・・
・（１６）が発生すると共に、帰還磁界−Ｈｐａ（ｔ）
が発生する。
かくして、ＭＲ感磁部（５）から出力電圧Ｖ ｆｔｌと
して、Ｖ （ｔｌ−φｈ ・（Ｈｓ （ｔｌ−ＨｐＢｆ
ｔｌ） ・・・・（１７）が得られる。又、信号取出し
手段（回路（１６）。
して、Ｖ （ｔｌ−φｈ ・（Ｈｓ （ｔｌ−ＨｐＢｆ
ｔｌ） ・・・・（１７）が得られる。又、信号取出し
手段（回路（１６）。
（１９） 、（２２） 、（２１）から成る）から出力
信号９ Ｖｏ（ｔｌとして、 Ｖｏ（ｔ）＝Ａ （ｊω） ・Ｖｌｔｌ −（１Ｂ）が
得られる。又、帰還磁界−Ｈｐｓ （ｔ）は、−Ｈｐｓ
（ｔ）−Ｋ −Ａ （ｊω） ・・・・（１９）で表さ
れる。
信号９ Ｖｏ（ｔｌとして、 Ｖｏ（ｔ）＝Ａ （ｊω） ・Ｖｌｔｌ −（１Ｂ）が
得られる。又、帰還磁界−Ｈｐｓ （ｔ）は、−Ｈｐｓ
（ｔ）−Ｋ −Ａ （ｊω） ・・・・（１９）で表さ
れる。
尚、φｍ（ｊ２π／λ）はＭＲ感磁部（５）に於ける入
力側の伝達関数（但し、λは波長）、φｈはＭＲ感磁部
（５）の出力側の伝達関数、Ａ（ｊω）は信号取出し手
段の伝達関数、Ｋはバッファ増幅器（２３）の伝達関数
、φｉはバイアス導体（３）の伝達関数である。
力側の伝達関数（但し、λは波長）、φｈはＭＲ感磁部
（５）の出力側の伝達関数、Ａ（ｊω）は信号取出し手
段の伝達関数、Ｋはバッファ増幅器（２３）の伝達関数
、φｉはバイアス導体（３）の伝達関数である。
第１１図Ａに、ＭＲ感磁部（５）の磁界対抵抗の特性曲
線を示すが、ＭＲ感磁部（５）に、第１１図Ｂに示す如
き大レベルの矩形波交流磁界Ｈａ（ｔｌ及び信号磁界）
Ｔｓｆｔｌの重畳磁界を与えた場合、ＭＲ感磁部（５）
からは第１１図Ｃに示す如き出力電圧Ｖ Ｔｔｌが得ら
れる。乗算器（２２）に於いて、この出力電圧Ｖ （ｔ
）と、第１１図りに示す矩形波交流電流を掛算すること
により、低域通過フィルタ（２１）の出力側には、第】
１図Ｂのｆ＃号磁界Ｈｓ（ｔ）に対応した信号出力Ｖｏ
（ｔ）１ ０ が出力される。
線を示すが、ＭＲ感磁部（５）に、第１１図Ｂに示す如
き大レベルの矩形波交流磁界Ｈａ（ｔｌ及び信号磁界）
Ｔｓｆｔｌの重畳磁界を与えた場合、ＭＲ感磁部（５）
からは第１１図Ｃに示す如き出力電圧Ｖ Ｔｔｌが得ら
れる。乗算器（２２）に於いて、この出力電圧Ｖ （ｔ
）と、第１１図りに示す矩形波交流電流を掛算すること
により、低域通過フィルタ（２１）の出力側には、第】
１図Ｂのｆ＃号磁界Ｈｓ（ｔ）に対応した信号出力Ｖｏ
（ｔ）１ ０ が出力される。
次に、磁気テープに３１５Ｈｚの単一周波数の信号を記
録し、それを各種磁気ヘッド装置で再生した場合の、記
録レベルに対する信号出力の２次及び３次高調波歪の特
性を第１２図に示す。但し、磁気テープとしてはメタル
テープを用いた。テープ速度は４．７ｃ＋ｎ ／ ｓｅ
ｅであった。記録用磁気ヘッドは通常のリング形磁気ヘ
ッドであった。ＭＲ型磁気ヘッド装置の場合、そのＭＲ
感磁部（５）に流す検出電流ｉＭＲが５ｍＡ、バイアス
導体（３）に流する矩形波交流電流ｌＡが５１１１＾、
その周波数が２５０ｋＨｚであった。
録し、それを各種磁気ヘッド装置で再生した場合の、記
録レベルに対する信号出力の２次及び３次高調波歪の特
性を第１２図に示す。但し、磁気テープとしてはメタル
テープを用いた。テープ速度は４．７ｃ＋ｎ ／ ｓｅ
ｅであった。記録用磁気ヘッドは通常のリング形磁気ヘ
ッドであった。ＭＲ型磁気ヘッド装置の場合、そのＭＲ
感磁部（５）に流す検出電流ｉＭＲが５ｍＡ、バイアス
導体（３）に流する矩形波交流電流ｌＡが５１１１＾、
その周波数が２５０ｋＨｚであった。
曲線Ｂ２．Ｂ３は夫々第７図の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置による出力信号の２次及び３次高調波歪の特性曲
線を示し、曲線Ａ２．Ａ３にて示す通常のリング形磁気
ヘッド装置による出力信号の２次及び３次高調波歪の特
性曲線に比較して、いずれも歪がかなり大きいことが分
る。
ド装置による出力信号の２次及び３次高調波歪の特性曲
線を示し、曲線Ａ２．Ａ３にて示す通常のリング形磁気
ヘッド装置による出力信号の２次及び３次高調波歪の特
性曲線に比較して、いずれも歪がかなり大きいことが分
る。
これに対し、曲線Ｃ２，Ｃ３は夫々第９図の磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置による出力信号の２２２ ゛ 次及び３次高調波歪の特性曲線を示し、曲線Ａ２゜Ａ３
にて示す通常のリング形磁気ヘッド装置による出力信号
の２次及び３次高調波歪の特性曲線に比較して、同程度
に歪が小さいことが分る。
果型磁気ヘッド装置による出力信号の２２２ ゛ 次及び３次高調波歪の特性曲線を示し、曲線Ａ２゜Ａ３
にて示す通常のリング形磁気ヘッド装置による出力信号
の２次及び３次高調波歪の特性曲線に比較して、同程度
に歪が小さいことが分る。
次に、第１３図を参照して、本発明の他の実施例を説明
する。この実施例は、第４図の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置に本発明を適用した場合で、第１３図に於いて第
４図と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省
略する。即ち、低域通過フィルタ（２１）よりの信号出
力をバッファ増幅器（２３）に供給し、これよりの電流
ｉＦＢをバイアス導体（３）に流して、このバイアス導
体（３）（別個のバイアス導体を設けて、これに電流ｉ
ｐＢを流すこともできる）から負帰還磁界ＨＦＢを発生
させて、ＭＲ感磁部（５）に与えるようにする。尚、そ
の他の説明は、第９図の実施例の説明を援用する。
する。この実施例は、第４図の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置に本発明を適用した場合で、第１３図に於いて第
４図と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省
略する。即ち、低域通過フィルタ（２１）よりの信号出
力をバッファ増幅器（２３）に供給し、これよりの電流
ｉＦＢをバイアス導体（３）に流して、このバイアス導
体（３）（別個のバイアス導体を設けて、これに電流ｉ
ｐＢを流すこともできる）から負帰還磁界ＨＦＢを発生
させて、ＭＲ感磁部（５）に与えるようにする。尚、そ
の他の説明は、第９図の実施例の説明を援用する。
上述せる本発明によれば、磁気抵抗効果感磁部に交流バ
イアス磁界を与えるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置に於いて、直線性が一層向う 上２７歪が一層少
“くなり・パ″りパつ５７ノイズの発生が少なくなり、
ダイナミックレンジが一層広くなり、出力のばらつきが
少なくなるものを得ることができる。
イアス磁界を与えるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置に於いて、直線性が一層向う 上２７歪が一層少
“くなり・パ″りパつ５７ノイズの発生が少なくなり、
ダイナミックレンジが一層広くなり、出力のばらつきが
少なくなるものを得ることができる。
尚、再生信号はデジタルオーディオ信号に限らず、デジ
タルビデオ信号、アナログオーディオ／ビデオ信号等も
可能である。
タルビデオ信号、アナログオーディオ／ビデオ信号等も
可能である。
発明の効果
上述せる本発明によれば、磁気抵抗効果感磁部に交流バ
イアス磁界を与えるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置に於いて、直線性が一層向上して歪が一層少なく
なり、バルクハウゼンノイズの発生が少なくなり、ダイ
ナミックレンジが一層広くなり、出力のばらつきが少な
くなるものを得ることができる。
イアス磁界を与えるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置に於いて、直線性が一層向上して歪が一層少なく
なり、バルクハウゼンノイズの発生が少なくなり、ダイ
ナミックレンジが一層広くなり、出力のばらつきが少な
くなるものを得ることができる。
第１図は本発明の説明に供する磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置の路線的拡大断面図、第２図は従来の磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置の構成図、第３図は磁気抵抗効果型
感磁部の特性曲線図、第４図は先に提案した磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置３ の−例の構成図、第５図Ａ及びＢはその動作特性曲線図
、第６図はその動作の説明に供する波形図、第７図は先
に提案した磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置の他の例の構
成図、第８図はその説明に供する特性曲線図、第９図は
本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置の一実施例
を示す構成図、第１０図はその等価回路を示す回路図、
第１１図は第９図の装置の動作説明に供する波形図、第
１２図は第９図の装置の特性の説明に供給する特性曲線
図、第１３図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッド
装置の他の実施例を示す構成図である。 ｈは磁気ヘッド部、（１）は基板、（３）はバイアス導
体、（５）は磁気抵抗効果感磁部、（７）及び（８）は
磁性層、（１９）は高域通過フィルタ、（２０）は整流
器、（２１）は低域通過フィルタ、（２２）は乗算器、
（２３）はバッファ増幅器である。 ５ ４ 第１図 第２図
ド装置の路線的拡大断面図、第２図は従来の磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置の構成図、第３図は磁気抵抗効果型
感磁部の特性曲線図、第４図は先に提案した磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置３ の−例の構成図、第５図Ａ及びＢはその動作特性曲線図
、第６図はその動作の説明に供する波形図、第７図は先
に提案した磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置の他の例の構
成図、第８図はその説明に供する特性曲線図、第９図は
本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置の一実施例
を示す構成図、第１０図はその等価回路を示す回路図、
第１１図は第９図の装置の動作説明に供する波形図、第
１２図は第９図の装置の特性の説明に供給する特性曲線
図、第１３図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッド
装置の他の実施例を示す構成図である。 ｈは磁気ヘッド部、（１）は基板、（３）はバイアス導
体、（５）は磁気抵抗効果感磁部、（７）及び（８）は
磁性層、（１９）は高域通過フィルタ、（２０）は整流
器、（２１）は低域通過フィルタ、（２２）は乗算器、
（２３）はバッファ増幅器である。 ５ ４ 第１図 第２図
Claims (1)
- 信号磁界の与えられる磁気抵抗効果感磁部と、該磁気抵
抗効果感磁部に交流バイアス磁界を与える交流磁界発生
手段と、上記磁気抵抗効果感磁部の出力から上記信号磁
界に応じた信号出力を取出す信号取出し手段と、該信号
取出し手段からの信号出力に応じた負帰還磁界を上記磁
気抵抗効果感磁部に与える負帰還磁界発生手段とを有す
ることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11762584A JPS60263310A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
| US06/705,706 US4703378A (en) | 1984-03-01 | 1985-02-26 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| CA000475257A CA1235482A (en) | 1984-03-01 | 1985-02-27 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| EP90123594A EP0421489B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect |
| EP85102282A EP0154307B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect |
| EP93100342A EP0544642B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head apparatus utilizing the magnetoresistance effect |
| DE8585102282T DE3585959D1 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopf mit nutzung des magnetwiderstandseffekts. |
| DE3587992T DE3587992T2 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopf, der einen Magnetwiderstandseffekt verwendet. |
| DE3588065T DE3588065T2 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopfeinrichtung mit Nutzung des Magnetowiderstandseffekts. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11762584A JPS60263310A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263310A true JPS60263310A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14716367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11762584A Pending JPS60263310A (ja) | 1984-03-01 | 1984-06-08 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263310A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0834864A3 (en) * | 1996-10-03 | 1998-08-12 | Hewlett-Packard Company | Actively stabilized magnetoresistive head |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53139513A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | Reproducer using magnetoresistance effect type head |
| JPS53139512A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | Information detector |
| JPS5421316A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic recorder-reproducer |
| JPS551698A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-08 | Philips Nv | Magnetic reading head |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP11762584A patent/JPS60263310A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53139513A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | Reproducer using magnetoresistance effect type head |
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| JPS5421316A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic recorder-reproducer |
| JPS551698A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-08 | Philips Nv | Magnetic reading head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0834864A3 (en) * | 1996-10-03 | 1998-08-12 | Hewlett-Packard Company | Actively stabilized magnetoresistive head |
| US5930062A (en) * | 1996-10-03 | 1999-07-27 | Hewlett-Packard Company | Actively stabilized magnetoresistive head |
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