JPH0533231B2 - - Google Patents

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JPH0533231B2
JPH0533231B2 JP59094371A JP9437184A JPH0533231B2 JP H0533231 B2 JPH0533231 B2 JP H0533231B2 JP 59094371 A JP59094371 A JP 59094371A JP 9437184 A JP9437184 A JP 9437184A JP H0533231 B2 JPH0533231 B2 JP H0533231B2
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Takeo Fujii
Masahisa Shiotani
Shinichi Yago
Tamaki Ishii
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、一般式() (式中、Rは水素原子またはC1〜C3のアルキ
ル基を示す。) で示されるピペリジン誘導体、その製造法および
これを有効成分とする合成高分子用安定剤に関す
る。 ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリウレタン、ABS樹脂等の合成高分子は
光により劣化し、軟化、脆化または変色などの現
象を伴つてその物性が著しく低下することはよく
知られている。 このような光による劣化を防止する目的で、従
来より各種の光安定剤、例えば2−ヒドロキシ−
4−メトキシベンゾフエノン、2−ヒドロキシ−
4−n−オクトキシベンゾフエノン、2−(2−
ヒドロキシ−5−メチルフエニル)ベンゾトリア
ゾール、2−(2−ヒドロキシ−3−t−ブチル
−5−メチルフエニル)−5−クロロベンゾトリ
アゾール、2−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−
t−ペンチルフエニル)ベンゾトリアゾール、エ
チル2−シアノ−3,3−ジフエニルアクリレー
ト、2,4−ジ−t−ブチルフエニル3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシベンゾエート、
〔2,2′−チオビス(4−t−オクチルフエノラ
ト)〕−n−ブチルアミン・ニツケル()、ビス
(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベン
ジルホスホリツクアシド)モノエチルエステルの
Ni塩、ビス(2,2,6,6)−テトラメチル−
4−ピペリジル)セバケートなどを使用すること
が知られているが、これらの光安定剤は耐光性の
点でまだ充分満足すべきものではない。 本発明者らはこれらの点に解決を与えるべく
種々検討の結果、前記一般式()で示されるピ
ペリジン誘導体が、合成高分子に対する光による
劣化の防止に非常にすぐれた効果を有することを
見出し、本発明に至つた。 本発明の前記一般式()で示されるピペリジ
ン誘導体は本発明者らによつて初めて合成された
新規物質であり、一般式() (式中、Rは前記と同じ意味を有する。) で示されるトリアセトンアミン誘導体もしくはそ
の塩と式() で示されるソルビトールを反応させることにより
製造することができる。 ここで、トリアセトンアミン誘導体の塩として
は、塩酸、リン酸、硫酸などの鉱酸、酢酸、シユ
ウ酸などのカルボン酸、パラトルエンスルホン酸
などのスルホン酸による塩が例示される。 また、C1〜C3のアルキル基としてはメチル基、
エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基など
である。 この反応は酸性触媒あるいは脱水剤の存在下、
溶媒中または無溶媒で行われる。 溶媒を用いる場合、溶媒としてはヘキサン、ヘ
プタンのような脂肪族炭化水素、ベンゼン、トル
エン、キシレンのような芳香族炭化水素、シクロ
ヘキサン等の脂環式炭化水素、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサ
ン、スルホラン等の水溶性極性溶媒、メタノー
ル、エタノール、プロパノール、イソプロピルア
ルコール、ブタノール、t−ブタノール、n−ア
ミルアルコール、イソアミルアルコール、2−エ
チルヘキシルアルコール、シクロヘキサノールな
どのアルコール類、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル、エチレングリコールモノブチルエーテル等
のグリコールエーテル類などが例示され、これら
は単独あるいは2種以上を組合わせて使用され
る。 酸性触媒としては塩酸、硫酸、リン酸、ポリリ
ン酸、臭化水素酸、パラトルエンスルホン酸、塩
化亜鉛、三弗化硼素、カチオン交換樹脂、塩化ア
ルミニウムのポリマー錯体、酸化セレンおよび塩
化アンモニウム等が例示され、脱水剤としては塩
化カルシウムが例示される。 かかるトリアセトンアミン誘導体もしくはその
塩とソルビトールとの反応は、ソルビトール1分
子中に6個ある水酸基のうち、ほぼ2個が残るよ
うな条件で実施される。具体的には、ソルビトー
ル1モルあたり、トリアセトンアミン誘導体もし
くはその塩を1.8〜2.2モル用いて反応が行われ
る。また、酸性触媒あるいは脱水剤は、ソルビト
ール1モルあたり0.01〜4モル、好ましくは0.1
〜3モル使用される。 反応温度は10〜300℃、好ましくは60〜200℃で
ある。反応終了後、反応混合物から目的物を単離
するには、たとえば反応混合物をアルカリ性と
し、有機層から溶媒を除去し、必要により適当な
溶媒で再結晶処理する等の方法により行うことが
できる。 かくして得られる本発明のピペリジン誘導体と
しては1,3:2,4−ビス−O−(2,2,6,
6−テトラメチル−4−ピペリジリデン)ソルビ
トール、1,3,:2,4−ビス−O−(1,2,
2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジリデ
ン)ソルビトール、1,3:2,4−ビス−O−
(2,2,6,6−テトラメチル−1−プロピル
−4−ピペリジリデン)ソルビトール等が例示さ
れるが本発明の方法による場合、反応条件等によ
つては、本発明者らの出願になる特願昭58−
163734号記載の化合物が同時に生成し、本発明化
合物との混合物として得られることもあるが、安
定剤等の用途に使用する場合にはかかる混合物を
そのまま用いても特に問題はない。 本発明のピペリジン誘導体を合成高分子用安定
剤として使用する場合、その配合量は合成高分子
100重量部に対して通常0.01〜5重量部、好まし
くは0.05〜2重量部であり、その配合方法として
は合成高分子中に安定剤、顔料、充填剤等を混和
配合するための公知の装置および操作法が殆んど
そのまま適用できる。 本発明の合成高分子用安定剤を使用するにあた
つては他の添加剤、たとえば酸化防止剤、光安定
剤、金属不活性化剤、金属石ケン類、造核剤、滑
剤、帯電防止剤、難燃剤、顔料および充填剤など
を併用してもよい。 とりわけフエノール系酸化防止剤を併用するこ
とによつて熱および酸化安定性を改善することが
できる。これらのフエノール系酸化防止剤として
は、例えば、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチ
ルフエノール、n−オクタデシル 3−(3,5
−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフエニル)プ
ロピオネート、2,2′−メチレンビス(4−メチ
ル−6−t−ブチルフエノール)、4,4′−ブチ
リデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフエノ
ール)、4,4′−チオビス(3−メチル−6−t
−ブチルフエノール)、2−t−ブチル−6−(3
−t−ブチル−5−メチル−2−ヒドロキシベン
ジル)−4−メチルフエニル アクリレート、1,
1,3−トリス(2−メチル−4−ヒドロキシ−
5−t−ブチルフエニル)ブタン、1,3,5−
トリメチル−2,4,6−トリス(3−アルキル
−5−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベ
ンゼン、1,3,5−トリス(3−アルキル−5
−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)イソシ
アヌレート、1,3,5−トリス(3−(3−ア
ルキル−5−t−ブチル−4−ヒドロキシフエニ
ル)プロピオニルオキシエチル)イソシアヌレー
ト、エチレングリコール ビス(3,3−ビス
(4−ヒドロキシ−3−t−ブチルフエニル)ブ
タネート)、ペンタエリスリトール テトラキス
(3−(3−アルキル−5−t−ブチル−4−ヒド
ロキシフエニル)プロピオネート)などがあげら
れる。 また、ホスフアイト系酸化防止剤を併用するこ
とによつて、その色相を改善することができる。 これらのホスフアイト系酸化防止剤としては、
たとえばトリス(ノニルフエニル)ホスフアイ
ト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスフ
アイト、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフエニ
ル)ホスフアイト、トリス(2−t−ブチル−4
−メチルフエニル)ホスフアイト、ビス(2,4
−ジ−t−ブチルフエニル)ペンタエリスリトー
ルジホスフアイト、テトラキス(2,4−ジ−t
−ブチルフエニル)−4,4′−ビフエニレンジホ
スフオナイトなどがあげられる。 またジラウリルチオジプロピオネート、ジミリ
スチルチオジプロピオネート、ジステアリルチオ
ジプロピオネート、ペンタエリスリトール テト
ラキス(3−ドデシルチオプロピオネート)、3,
9−ビス(2−ドデシルチオエチル)−2,4,
8,10−テトラオキサスピロ〔5,5〕ウンデカ
ンなどのイオウ系酸化防止剤を併用することもで
きる。 またヒンダードピペリジン系化合物以外の光安
定剤を添加することによつてその耐光性をさらに
改善せしるめることができる。 これらの光安定剤としては例えば2−ヒドロキ
シ−4−メトキシベンゾフエノン、2−ヒドロキ
シ−4−n−オクトキシベンゾフエノン、2,
2′−ジヒドロキシ−4,4′−ジメトキシベンゾフ
エノン等のベンゾフエノン系化合物、2−(2−
ヒドロキシ−3−t−ブチル−5−メチルフエニ
ル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2−
ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ペンチルフエニ
ル)ベンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ
−3−t−ブチル−5−メチルフエニル)ベンゾ
トリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−5−メチ
ルフエニル)ベンゾトリアゾール、2−(2−ヒ
ドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルフエニル)ベ
ンゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−3,
5−ジ−t−ブチルフエニル)−5−クロロベン
ゾトリアゾール、2−(2−ヒドロキシ−5−t
−オクチルフエニル)ベンゾトリアゾール、2−
(2−ヒドロキシ−3,5−ビス(α,α−ジメ
チルベンジル)フエニル)ベンゾトリアゾール等
のベンゾトリアゾール系化合物、フエニルサリシ
レート、p−t−ブチルフエニルサリシレート、
2,4−ジ−t−ブチルフエニル 3′,5′−ジ−
t−ブチル−4′−ヒドロキシベンゾエート、ヘキ
サデシル 3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシベンゾエート等のベンゾエート系化合物、ジ
ブチル−ジチオカルバミン酸のNi塩、〔2,2′−
チオビス(4−t−オクチルフエノラート)〕−n
−ブチルアミンNi錯体、ビス(3,5−ジ−t
−ブチル−4−ヒドロキシベンジルホスホリツク
アシツド)モノエチルエステルのNi塩などのNi
系化合物、エチル 2−シアノ−3,3−ジフエ
ニルアクリレート等のシアノアクリレート系化合
物およびN−2−エチルフエニル−N′−2−エ
トキシ−5−t−ブチルフエニルシユウ酸ジアミ
ド、N−2−エチルフエニル−N′−2−エトキ
シフエニルシユウ酸ジアミド等のシユウ酸ジアミ
ド類が例示できる。 本発明のピペリジン誘導体により安定化される
合成高分子としては低密度ポリエチレン、中高密
度ポリエチレン、リニヤー低密度ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリブテン−1などのポリα−
オレフイン、プロピレン−エチレンランダムまた
はブロツク共重合体、エチレン−ブテン−1ラン
ダム共重合体などのポリα−オレフイン共重合
体、無水マレイン酸変性ポリプロピレンなどのポ
リα−オレフインとビニルモノマーの共重合体お
よびこれらの混合物、塩素化ポリエチレン、
EVA樹脂、ポリ塩化ビニル、メタクリル樹脂、
ポリスチレン、耐衝撃性ポリスチレン、ABS樹
脂、AES樹脂、MBS樹脂、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリア
ミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアセ
タール、ポリウレタン、不飽和ポリエステル樹
脂、更には、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、
アクリロニトリル−ブタジエン共重合ゴム、スチ
レン−ブタジエン共重合ゴムなどのゴム類やこれ
らの樹脂のブレンド品などがあげられる。 次に実施例を挙げて本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれにより限定されるものではな
い。 実施例 1 温度計、攪拌装置および冷却管を備えた四口フ
ラスコにトリアセトンアミン塩酸塩100g(0.52モ
ル)、ソルビトール45.5g(0.25モル)およびトル
エン300gを仕込み、攪拌しながらパラトルエン
スルホン酸−水和物100.8gを仕込む。昇温し110
℃で1時間反応させる。 反応終了後、水酸化ナトリウム水溶液を反応液
に加え、生成物をトルエンに可溶化させる。生成
物の溶解したトルエン層は分液後、水洗、乾燥
し、次いでトルエンを留去することにより、黄色
結晶として1,3:2,4−ビス−O−(2,2,
6.6−テトラメチル−4−ピペリジリデン)ソル
ビト−ル71g(収率62.3%対ソルビトール)を得
た。 この黄色結晶はトルエンに溶解し、活性炭で処
理することにより淡黄色結晶を得ることができ
た。融点167−173℃ FD−MSにて親イオンピーク456を確認した。 1H−NMR(DMSO,D2O,TSP) δ 1.16 24H s δ 1.53 8H s δ 3.66 5H d δ 4.00 3H s 実施例 2 実施例1と同様のフラスコにトリアセトンアミ
ン80.7g(0.52モル)、ソルビトール45.5g(0.25モ
ル)およびトルエン300gを仕込み、攪拌しなが
らパラトルエンスルホン酸−水和物100.8gを仕込
む。 昇温し、110℃で1時間反応させる。 反応終了後は実施例1と同様に後処理して黄色
結晶として1,3:2,4−ビス−O−(2,2,
6.6,テトラメチル−4−ピペリジリデン)ソル
ビト−ル68g(60%対ソルビトール)を得た。こ
のものの物性は実施例1で得た生成物と同一であ
つた。 実施例 3 実施例1と同様のフラスコに1,2,2,6,
6−ペンタメチル−4−ピペリドン102.4g(0.6モ
ル)、ソルビトール54.7g(0.3モル)およびキシレ
ン300mlを仕込み、攪拌しながらパラトルエンス
ルホン酸−水和物116.0gを仕込む。昇温し、120
℃で1時間反応させる。 反応終了後は実施例1と同様に後処理し、精製
することにより、淡黄色油状の1,3:2,4−
ビス−O−(1,2,2,6,6−ペンタメチル
−4−ピペリジリデン)ソルビトール110.4g(76
%対ソルビトール)を得た。 FD−MSにてM+1(485)を確認した。 1H−NMR(DMSO,D2O,TSP) δ 1.11 24H s δ 1.52 8H s δ 2.22 6H s δ 3.63 5H d δ 4.03 3H s 元素分析 C26H48N2O6( )内計算値 C 64.00% (64.43%) H 9.72% ( 9.98%) N 5.00% ( 5.78%) 実施例 4 下記配合物をミキサーで5分間混和した後、
180℃ミキシングロールで溶融混練して得たコン
パウンドを、210℃の熱プレスで厚さ1mmのシー
トに成形し、150×30×1mmの試験片を作成した。 この試験片をサンシヤインウエザーメーター
(光源:カーボンアーク、ブラツクパネル温度:
83±3℃、スプレー周期:120分、スプレー時
間:18分)中で光照射させ、60時間毎にエビ状に
折り曲げ、折れ切れるまでの時間を測定し、耐候
性を評価した。 その結果を表−1に示す。 〈配合〉 未安定化ポリプロピレン 100重量部 ステアリン酸カルシウム 0.1 〃 2,6−ジ−t−ブチル−4−メチル フエノール 0.05 〃 供 試 化 合 物 0.2 〃 なお、表においてUVA−1〜9およびI−1
〜2は以下の化合物を示すものである。 UVA−1 2−ヒドロキシ−4−メトキシ ベンゾフエノン UVA−2 2−ヒドロキシ−4−n−オク トキシベンゾフエノン UVA−3 2−(2−ヒドロキシ−5−メ チルフエニル)ベンゾトリアゾ ール UVA−4 2−(2−ヒドロキシ−3−t −ブチル−5−メチルフエニル) −5−クロロベンゾトリアゾー ル UVA−5 2−(2−ヒドロキシ−3,5 −ジ−t−ペンチルフエニル)ベ
ンゾ トリアゾール UVA−6 エチル 2−シアノ−3,3′− ジフエニルアクリレート UVA−7 ビス(3,5−ジ−t−ブチル −4−ヒドロキシベンジルホス ホリツクアシツド)モノエチル エステルのNi塩 UVA−8 ビス(2,2,6,6−テトラ メチル−4−ピペリジル)セバ ケート UVA−9 ビス−O−(2,2,6,6− テトラメチル−4−ピペリジ リデン)ペンタエリスリトール −1 1,3:2,4−ビス−O− (実施例1化合物)(2,2,6,6−テトラ メチル−4−ピペリジニリ デン)ソルビトール −2 1,3:2,4−ビス−O− (実施例3化合物)(1,2,2,6,6−ぺ ンタメチル−4−ピペリジ リデン)ソルビトール
【表】
【表】 実施例 5 25%ウレタンドープ(25部のポリウレタン樹
脂、3.75部のジメチルホルムアミドおよび71.25
部のテトラヒドロフラン)に表−2に示す供試化
合物を上記ポリウレタン樹脂に対して1%添加し
た後、ポリエステルフイルム上に1.2mm厚にコー
デイングし、45℃の乾燥器中で1時間乾燥した。
こうして得られたシートを3号ダンベルで打抜
き、フエードメーター(光源:紫外線カーボンア
ーク、ブラツクパネル温度:63±3℃)で60時間
および120時間光照射後、引張り試験(引張り速
度:200mm/min、測定温度:25℃)を行ない、
破断強度保持率を求めた。 その結果を表−2に示す。
【表】 実施例 6 下記配合物を150℃ミキシングロールで溶融混
練したのち160℃の熱プレスで厚さ0.5mmのシート
を作成した。 このシートをサンシヤインウエザーメーター
(光源:カーボンアーク、ブラツクパネル温度:
63±3℃、スプレー周期:120分、スプレー時
間:18分)中で1200時間照射し、変色の度合を観
察した。 その結果を表−3に示す。 〈配合〉 ポリ塩化ビニル 100重量部 ジオクチルフタレート 38 〃 エポキシ化大豆油 2 〃 ステアリン酸バリウム 1 〃 ステアリン酸亜鉛 0.3 〃 供 試 化 合 物 0.2 〃
【表】
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、Rは水素原子またはC1〜C3のアルキ
    ル基を示す。) で示されるピペリジン誘導体。 2 一般式 (式中、Rは水素原子またはC1〜C3のアルキ
    ル基を示す。) で示されるトリアセトンアミン誘導体もしくはそ
    の塩とソルビトールとを、ソルビトール1モルあ
    たりトリアセトンアミン誘導体もしくはその塩を
    1.8〜2.2モル用いて反応させることを特徴とする
    一般式 (式中、Rは前記と同じ意味を有する。) で示されるピペリジン誘導体の製造法。 3 一般式 (式中、Rは水素原子またはC1〜C3のアルキ
    ル基を示す。) で示されるピペリジン誘導体を有効成分とする合
    成高分子用安定剤。
JP9437184A 1983-09-05 1984-05-10 ピペリジン誘導体、その製造法およびこれを有効成分とする合成高分子用安定剤 Granted JPS60237088A (ja)

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CA000461765A CA1267900A (en) 1983-09-05 1984-08-24 Piperidine derivatives, their production and stabilized polymer compositions containing same
US06/644,680 US4578410A (en) 1983-09-05 1984-08-27 Piperidine derivatives, their production and stabilized polymer compositions containing same
DE8484306002T DE3476393D1 (en) 1983-09-05 1984-08-31 Piperidine derivatives, their production, and polymers photostabilized thereby
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JPS5379934A (en) * 1976-12-24 1978-07-14 Adeka Argus Chem Co Ltd Synthetic resin composition having improved light-resistance

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