JPH0533466U - 気密端子 - Google Patents

気密端子

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JPH0533466U
JPH0533466U JP090604U JP9060491U JPH0533466U JP H0533466 U JPH0533466 U JP H0533466U JP 090604 U JP090604 U JP 090604U JP 9060491 U JP9060491 U JP 9060491U JP H0533466 U JPH0533466 U JP H0533466U
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JP
Japan
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terminal
thermal expansion
substrate
coefficient
insulating material
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Pending
Application number
JP090604U
Other languages
English (en)
Inventor
健一 安藤
Original Assignee
株式会社フジ電科
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Publication date
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Publication of JPH0533466U publication Critical patent/JPH0533466U/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来のガラス封止型気密端子に比較して、耐
熱強度、機械的強度が良好で、信頼性があり、かつ安価
な気密端子を提供する。 【構成】 絶縁材基板1に金属枠2を立設して気密空間
3を形成すると共に、前記絶縁材基板1に金属リード端
子4を前記気密空間と外部とに貫通するように封着した
気密端子において、前記絶縁材基板1は底面11より順
次熱膨張率が小さくなる層を複数積層し、その最上層1
3は前記金属枠の熱膨張率と同一か近似した絶縁材とし
たことを特徴とする。 【効果】 基板として最上層より順次熱膨張率が大きく
なる複数の層を積層して構成してあるため、前記気密端
子の底部となる最下層は高強度、高軟化点のガラスとな
る。したがって、従来のように封着ガラス一種を使用し
た場合に比較して、良好な強度を有するという利点を生
じる。一方、最上面は熱膨張率が金属枠、金属リード端
子と同一又は類似した封着用のガラスであるため、金属
枠と基板との封着強度に影響を生じることはない。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【考案の技術分野】
本考案は気密端子、さらに詳細には強度が良好で、信頼性の優れた気密端子に 関する。
【0002】
【従来技術および問題点】
気密端子は、図5、図6に示すように絶縁材よりなる基板1に金属枠2を立設 し、これによって形成された気密空間3に金属リード端子4を、前記気密空間3 と外部に貫通するように封着した構造になっている。
【0003】 このような気密端子は、前記気密空間3に回路部品などを装着すると共に、前 記金属リード端子4に電気的に接続せしめ、その後金属製の蓋(図示せず)を被 せて、金属枠2と蓋を接着させ、前記回路部品などを気密に封入するようになっ ている。
【0004】 上述のような図5、図6に示す気密端子を構成する絶縁材としては、ガラスが 使用されている。これは、ガラスが金属との封着が容易であり、リード端子およ び金属枠を封着ないし接着させ易いからである。しかしながら、ガラスで封着す る気密端子においては、機械的強度、耐熱強度に問題があり、特に表面実装型の 上述のような気密端子においてはガラス底面に直接外的物理応力が加わることに なるためクラック、しいてはパッケージ破損という自体を生じる恐れがあった。
【0005】
【考案の目的】
本考案は上述の点に鑑みなされたものであり、従来のガラス封止型気密端子に 比較して、耐熱強度、機械的強度が良好で、信頼性があり、かつ安価な気密端子 を提供することを目的とする。
【0006】
【問題点を解決するための手段】 上記目的を達成するため、本考案による気密端子は、絶縁材基板に金属枠を立 設して気密空間を形成すると共に、前記絶縁材基板に金属リード端子を前記気密 空間と外部とに貫通するように封着した気密端子において、前記絶縁材基板は底 面より順次熱膨張率が小さくなる層を複数積層し、その最上層は前記金属枠の熱 膨張率と同一か近似した絶縁材としたことを特徴とする。
【0007】 本考案によれば、基板として最上層より順次熱膨張率が大きくなる複数の層を 積層して構成してあるため、前記気密端子の底部となる最下層は熱膨張率が大き い、高強度、高軟化点のセラミックス粉末などをフィラーとして多く添加された 、いわゆるガラスセラミックスの採用ができる。したがって、従来のように封着 ガラス一種を使用した場合に比較して、良好な強度を有するという利点を生じる 。一方、最上面は熱膨張率が金属枠と類似した封着用のガラスであるため、金属 枠と基板との封着強度に影響を生じることはない。
【0008】
【実施例】
図1は本考案の気密端子の一実施例の断面図であるが、この実施例より明らか なように、本考案による気密端子は、基板1上に金属枠2を立設すると共に、金 属リード端子4を気密空間3の内外に貫通するように封着している。前記金属リ ード端子4は図5、図6に示すものと同様に断面クランク状となっており、気密 端子底面(基板底面)を伸長し、気密空間3に垂直に突出するように封着されて いる。
【0009】 本考案においては、図1より明らかなように、最下層11より最上層13にか けて熱膨張率が順次小さくなるように、ガラスを積層している。この実施例にお いては中間層12は一層示しているが、これが複数層であってもよく、省略して もよい。
【0010】 最上層13は金属枠2を封着する必要があることから、この金属枠2の材料と 同一の熱膨張率か類似した熱膨張率である必要がある。
【0011】 この実施例においては、前記金属リード端子4は最上層13によって封着され た構造になっている。すなわち前記基板1を製造するに際し、図2aに示すよう に、最下層11より中間層12、最上層13を積層するにあたり、ガラスブロッ クのそれぞれのリード端子を封着する部分に穴部14を設けると共に、前記穴部 14を最下層11より最上層13にかけて順次小さくなるように構成する。次い で、最上層13方向よりポンチ5などによりこのリード端子封着穴14を押し込 むと、図2bに示すような表面が最上層13で覆われたリード端子封着穴15が 形成される。
【0012】 上述のような金属枠2及び金属リード端子4としては、一般にこの種の気密端 子に使用する材料を有効に使用することができる。たとえば、コバール、42ア ローイなどを使用することができる。
【0013】 上述のようなコバール金属(熱膨張率45×10-7/℃)を使用するとき、最 上層13としてはコバール封止用ガラスのSiO2−B23系ガラスに対しフィ ラーとしてAl23、ZrO2等の一種以上を0〜30重量%添加したガラスを 使用することができる。前記フィラーを添加しない場合、熱膨張率は45×10 -7 /℃とコバールと同様であり、一方フィラーを添加するにつれて熱膨張率は大 きくなる傾向がある。30重量%を越えると金属枠、リード端子と接着性あるい は熱膨張率差に問題を生じる。
【0014】 上記最上層13より最下層11にかけて順次前記フィラーの添加量を増加する ことによって、熱膨張率が徐々に大きくなる。この場合、相互に隣接する層の熱 膨張率の差は好ましくは小さいほうがよいのは明らかである。差の上限としては 好ましくは、2×10-7/℃以下であるのがよい。このため、相互に隣接する層 のフィラーの添加量の差としては10重量%以下であるのがよい。
【0015】 SiO2−B23系ガラスを使用したときのフィラーの添加量の例を以下に示 す。
【0016】 組成例1 フィラー量(重量%) 熱膨張係数(×10-7/℃) 最上層 0 45 中間層 10 47 最下層 20 49
【0017】 組成例2 フィラー量(重量%) 熱膨張係数(×10-7/℃) 最上層 10 47 中間層 20 49 最下層 30 51
【0018】 組成例3 フィラー量(重量%) 熱膨張係数(×10-7/℃) 最上層 20 49 中間層 30 51 最下層 40 53
【0019】 上記は三層構造の基板について示したが、例えば五層構造に形成する場合、最 上層より、添加量0、5、10、15、20重量%の5重量%間隔で層を構成す ることもできる。
【0020】 上述のようなSiO2−B23系ガラスのフィラー(Al23)添加量とガラ ス荷重試験の結果を図3に、落下衝撃テストの結果を図4に示す。
【0021】 ガラス荷重試験(抗折試験)は島津オートグラフを使用し、サンプルがおれた 荷重で評価した。
【0022】 落下衝撃試験は0.9gの鋼球を所定高さよりサンプル上に落下させてサンプ ルが破壊した高さで測定した。
【0023】 上記の図3及び図4より明らかなように抗折強度及び落下衝撃強度はフィラー の添加量が多くなるにしたがって向上する傾向があることがわかる。したがって 、本考案のように基板を構成することによって、電気的特性および環境的特性を 損なうことなく、機械的特性に優れたガラス封着気密端子を提供できる。
【0024】
【考案の効果】
本考案によれば、基板として最上層より順次熱膨張率が大きくなる複数の層を 積層して構成してあるため、前記気密端子の底部となる最下層は高強度、高軟化 点のガラスとなる。したがって、従来のように封着ガラス一種を使用した場合に 比較して、良好な強度を有するという利点を生じる。一方、最上面は熱膨張率が 金属枠、金属リード端子と同一又は類似した封着用のガラスであるため、金属枠 と基板との封着強度に影響を生じることはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の気密端子の一実施例の断面図。
【図2a】リード端子封着穴を形成する方法の断面図。
【図2b】リード端子封着穴の構造を示す断面図。
【図3】抗折試験の結果を示す図。
【図4】落下衝撃試験の結果を示す図。
【図5】従来の気密端子の斜視図。
【図6】前記従来の気密端子の断面図。
【符号の説明】
1 基板 2 金属枠 3 気密空間 4 金属リード端子 11 最下層 12 中間層 13 最上層 15 リード端子封着穴

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁材基板に金属枠を立設して気密空間を
    形成すると共に、前記絶縁材基板に金属リード端子を前
    記気密空間と外部とに貫通するように封着した気密端子
    において、前記絶縁材基板は底面より順次熱膨張率が小
    さくなる層を複数積層し、その最上層は前記金属枠の熱
    膨張率と同一か近似した絶縁材としたことを特徴とする
    気密端子。
  2. 【請求項2】前記基板のリード端子封着穴は前記基板の
    最上層が前記封着穴の表面となるように折曲するように
    形成されており、金属リード端子は少なくとも一部が前
    記基板の最上層で封着されていることを特徴とする請求
    項1記載の気密端子。
JP090604U 1991-10-08 1991-10-08 気密端子 Pending JPH0533466U (ja)

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JP090604U JPH0533466U (ja) 1991-10-08 1991-10-08 気密端子

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JP090604U JPH0533466U (ja) 1991-10-08 1991-10-08 気密端子

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JPH0533466U true JPH0533466U (ja) 1993-04-30

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JP090604U Pending JPH0533466U (ja) 1991-10-08 1991-10-08 気密端子

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10454127B2 (en) 2016-09-28 2019-10-22 Toshiba Energy Systems & Solutions Corporation Fuel cell module

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59203779A (ja) * 1983-04-28 1984-11-17 株式会社東芝 熱膨張係数の異なるセラミックス焼結体どうしあるいはセラミックス焼結体と金属部材との接合方法、およびセラミックス接合体
JPH0256360B2 (ja) * 1982-11-06 1990-11-29 Rikagaku Kenkyusho
JPH03157989A (ja) * 1989-11-15 1991-07-05 Murata Mfg Co Ltd セラミック基板と金属板の接合構造

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