JPH05335600A - ダイオード素子 - Google Patents
ダイオード素子Info
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- JPH05335600A JPH05335600A JP16177392A JP16177392A JPH05335600A JP H05335600 A JPH05335600 A JP H05335600A JP 16177392 A JP16177392 A JP 16177392A JP 16177392 A JP16177392 A JP 16177392A JP H05335600 A JPH05335600 A JP H05335600A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイオード素子の表，裏面に形成されるメタ
ルメッキ層の剥がれを回避して、信頼性を改善する。 【構成】 Ｎ型半導体基板１の一方の面にはＢＣｌ3 の
不純物層（Ｐ+ 層３）を形成し、他方の面にはＰＯＣｌ
3 の不純物層（Ｎ+ 層４）を有し、かつこのＮ+層４の
上にＮ型の半導体成長層５を形成し、この上にメタルシ
リサイド層６，メタルメッキ層７，８を形成する。この
半導体成長層５はＡｓが高濃度にドープされたエピタキ
シャル成長層或いはポリシリコン層で構成し、この半導
体成長層５によってＮ+ 層４とメタルメッキ層７との反
応が抑制され、黒化現象を防止してメタル剥がれを防止
する。
ルメッキ層の剥がれを回避して、信頼性を改善する。 【構成】 Ｎ型半導体基板１の一方の面にはＢＣｌ3 の
不純物層（Ｐ+ 層３）を形成し、他方の面にはＰＯＣｌ
3 の不純物層（Ｎ+ 層４）を有し、かつこのＮ+層４の
上にＮ型の半導体成長層５を形成し、この上にメタルシ
リサイド層６，メタルメッキ層７，８を形成する。この
半導体成長層５はＡｓが高濃度にドープされたエピタキ
シャル成長層或いはポリシリコン層で構成し、この半導
体成長層５によってＮ+ 層４とメタルメッキ層７との反
応が抑制され、黒化現象を防止してメタル剥がれを防止
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダイオード素子に関し、
特に表裏面に形成される電極としてのメタルメッキ層の
剥がれを防止して信頼性を改善したダイオード素子に関
する。
特に表裏面に形成される電極としてのメタルメッキ層の
剥がれを防止して信頼性を改善したダイオード素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のダイオードは、図３にそ
の製造工程の断面図を示すように、先ず図３（ａ）のよ
うに、Ｎ- 型基板１の表裏面に熱酸化法により１μｍ程
度酸化膜を成長した後、裏面の酸化膜２のみを残し表面
を除去する。続いて、表面より1250℃程度で50Hr程度の
ＢＣｌ3 を拡散し、厚さ40μｍ〜50μｍのＰ+ 層３を形
成する。更に、図３（ｂ）のように、再び熱酸化膜を形
成し、表面の酸化膜２のみを残して裏面全面を除去し、
その上で裏面に1250℃程度で５Hr程度のＰＯＣｌ3 を拡
散し、厚さ20μｍ〜25μｍ程度のＮ+ 層４を形成する。
の製造工程の断面図を示すように、先ず図３（ａ）のよ
うに、Ｎ- 型基板１の表裏面に熱酸化法により１μｍ程
度酸化膜を成長した後、裏面の酸化膜２のみを残し表面
を除去する。続いて、表面より1250℃程度で50Hr程度の
ＢＣｌ3 を拡散し、厚さ40μｍ〜50μｍのＰ+ 層３を形
成する。更に、図３（ｂ）のように、再び熱酸化膜を形
成し、表面の酸化膜２のみを残して裏面全面を除去し、
その上で裏面に1250℃程度で５Hr程度のＰＯＣｌ3 を拡
散し、厚さ20μｍ〜25μｍ程度のＮ+ 層４を形成する。
【０００３】次に、図３（ｃ）のように、酸化膜を全面
除去し、無電解メッキ法によりニッケルメッキを表，裏
面全体に同時に着け、その後にシンタリングを行ってニ
ッケルシリサイド層６を形成する。その後、余分なニッ
ケル層をエッチングにより除去した後、再び表，裏全面
にニッケルメッキ層７を着け、さらに電解メッキ法によ
り金メッキ層８を形成する。しかる後、ワイヤソウによ
り所望の大きさの個片に切断し、弗酸，硝酸の混合液に
より切断、側面をエッチングし、所定のパッケージに搭
載する。
除去し、無電解メッキ法によりニッケルメッキを表，裏
面全体に同時に着け、その後にシンタリングを行ってニ
ッケルシリサイド層６を形成する。その後、余分なニッ
ケル層をエッチングにより除去した後、再び表，裏全面
にニッケルメッキ層７を着け、さらに電解メッキ法によ
り金メッキ層８を形成する。しかる後、ワイヤソウによ
り所望の大きさの個片に切断し、弗酸，硝酸の混合液に
より切断、側面をエッチングし、所定のパッケージに搭
載する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のダイオ
ード素子では、裏面Ｎ+ 層４を構成するＰＯＣｌ3 の高
濃度層と、ニッケルメッキ層７が化学反応し、一般的に
黒化現象と呼ばれる物理的な変化を起こす。この変化は
時間の経過とともに一層激しくなり、シリコン表面とニ
ッケル面からメタル剥がれを発生させ、電気的特性の劣
化を生じるという問題がある。本発明の目的は、ダイオ
ード素子のメタル剥がれを回避して、信頼性を高めたダ
イオード素子を提供することにある。
ード素子では、裏面Ｎ+ 層４を構成するＰＯＣｌ3 の高
濃度層と、ニッケルメッキ層７が化学反応し、一般的に
黒化現象と呼ばれる物理的な変化を起こす。この変化は
時間の経過とともに一層激しくなり、シリコン表面とニ
ッケル面からメタル剥がれを発生させ、電気的特性の劣
化を生じるという問題がある。本発明の目的は、ダイオ
ード素子のメタル剥がれを回避して、信頼性を高めたダ
イオード素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のダイオード素子
は、半導体基板の一方の面に拡散形成された一導電型の
不純物層と、他方の面に拡散形成された逆導電型の不純
物層と、この他方の面に形成された逆導電型の半導体成
長層とで構成される。例えば、Ｎ型半導体基板の一方の
面にはＢＣｌ3 の不純物層を形成し、他方の面にはＰＯ
Ｃｌ3 の不純物層を有し、半導体成長層はＡｓが高濃度
にドープされたエピタキシャル成長層或いはポリシリコ
ン層で構成する。
は、半導体基板の一方の面に拡散形成された一導電型の
不純物層と、他方の面に拡散形成された逆導電型の不純
物層と、この他方の面に形成された逆導電型の半導体成
長層とで構成される。例えば、Ｎ型半導体基板の一方の
面にはＢＣｌ3 の不純物層を形成し、他方の面にはＰＯ
Ｃｌ3 の不純物層を有し、半導体成長層はＡｓが高濃度
にドープされたエピタキシャル成長層或いはポリシリコ
ン層で構成する。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１実施例を製造工程順に示す断面
図である。先ず、図１（ａ）のように、Ｎ型基板半導体
基板１を1000℃程度の温度で加熱し、１μｍ程度の熱酸
化膜２を表，裏全面に形成する。そして裏面の酸化膜２
を残して表面の熱酸化膜を全面除去し、この表面から12
50℃程度で50HrぐらいのＢＣｌ3 拡散を行い厚さ40μｍ
〜50μｍぐらいのＰ+ 層３を形成する。次いで、図１
（ｂ）のように、再び熱酸化法により表，裏全面に酸化
膜２を形成し、裏面の酸化膜を全面除去した後1250℃程
度で５Hr程度のＰＯＣｌ3 拡散を行い、厚さ20μｍ〜25
μｍの高濃度のＮ+ 層４を形成する。
る。図１は本発明の第１実施例を製造工程順に示す断面
図である。先ず、図１（ａ）のように、Ｎ型基板半導体
基板１を1000℃程度の温度で加熱し、１μｍ程度の熱酸
化膜２を表，裏全面に形成する。そして裏面の酸化膜２
を残して表面の熱酸化膜を全面除去し、この表面から12
50℃程度で50HrぐらいのＢＣｌ3 拡散を行い厚さ40μｍ
〜50μｍぐらいのＰ+ 層３を形成する。次いで、図１
（ｂ）のように、再び熱酸化法により表，裏全面に酸化
膜２を形成し、裏面の酸化膜を全面除去した後1250℃程
度で５Hr程度のＰＯＣｌ3 拡散を行い、厚さ20μｍ〜25
μｍの高濃度のＮ+ 層４を形成する。
【０００７】更に、図１（ｃ）のように、このＮ+ 層４
上にＡｓのドープされた１×1019cm／□以上の濃度のエ
ピタキシャル層５を１μｍ〜２μｍ程度の厚さで成長す
る。その後、図１（ｄ）のように、酸化膜を全面除去
し、無電解メッキ法によりニッケルメッキ層を表，裏全
面に形成し、かつシンタリングを行いニッケルシリサイ
ド層６を形成する。シリサイド層形成後は余分なニッケ
ルをエッチングにより除去し再び表・裏全面に１μｍ〜
２μｍ程度のニッケル層７を形成する。ニッケル層７の
形成後は電解メッキ法により２μｍ〜５μｍ程度の金メ
ッキ層８を形成する。
上にＡｓのドープされた１×1019cm／□以上の濃度のエ
ピタキシャル層５を１μｍ〜２μｍ程度の厚さで成長す
る。その後、図１（ｄ）のように、酸化膜を全面除去
し、無電解メッキ法によりニッケルメッキ層を表，裏全
面に形成し、かつシンタリングを行いニッケルシリサイ
ド層６を形成する。シリサイド層形成後は余分なニッケ
ルをエッチングにより除去し再び表・裏全面に１μｍ〜
２μｍ程度のニッケル層７を形成する。ニッケル層７の
形成後は電解メッキ法により２μｍ〜５μｍ程度の金メ
ッキ層８を形成する。
【０００８】しかる後、ワイヤソウにより所望の大きさ
の個片に切断した後に、弗酸，硝酸の混合液にて10秒〜
15秒間エッチングし、流水中で洗浄した後アルコール置
換を行う。このようにして形成されたダイオード素子
は、裏面に設けたＰＯＣｌ3 拡散のＮ+ 層４上に、高濃
度にドープされたＡｓによるエピタキシャル層５を有し
ていることにより、従来のような黒化現象の発生もな
く、黒化現象部からのメタル剥がれも防止され、良好な
電気的特性と、安定した歩留が維持されるという利点が
ある。
の個片に切断した後に、弗酸，硝酸の混合液にて10秒〜
15秒間エッチングし、流水中で洗浄した後アルコール置
換を行う。このようにして形成されたダイオード素子
は、裏面に設けたＰＯＣｌ3 拡散のＮ+ 層４上に、高濃
度にドープされたＡｓによるエピタキシャル層５を有し
ていることにより、従来のような黒化現象の発生もな
く、黒化現象部からのメタル剥がれも防止され、良好な
電気的特性と、安定した歩留が維持されるという利点が
ある。
【０００９】次に本発明による第２の実施例を図２の製
造工程断面図を用いて説明する。本実施例では図２
（ａ）及び（ｂ）に示すように、裏面にＰＯＣｌ3 拡散
のＮ+ 層４を形成する迄は第１実施例と同様に行うが、
その後に図２（ｃ）のように、裏面にＡｓをドープした
ガラス層を被着させた上で、1000℃程度の温度で２μｍ
〜３μｍになる迄、Ａｓ押込を行いＡｓ拡散層９を形成
する。以後、第１の実施例と同様に行ない、図２（ｄ）
のダイオード素子を得る。この実施例においても、第１
実施例と同様の効果を得ることができるが、更に作業工
程が短縮でき、製造原価が低コストでできるという利点
がある。尚、第１実施例のエピタキシャル層、第２実施
例のＡｓ押込層はポリシリコンの薄膜層で形成してもよ
い。
造工程断面図を用いて説明する。本実施例では図２
（ａ）及び（ｂ）に示すように、裏面にＰＯＣｌ3 拡散
のＮ+ 層４を形成する迄は第１実施例と同様に行うが、
その後に図２（ｃ）のように、裏面にＡｓをドープした
ガラス層を被着させた上で、1000℃程度の温度で２μｍ
〜３μｍになる迄、Ａｓ押込を行いＡｓ拡散層９を形成
する。以後、第１の実施例と同様に行ない、図２（ｄ）
のダイオード素子を得る。この実施例においても、第１
実施例と同様の効果を得ることができるが、更に作業工
程が短縮でき、製造原価が低コストでできるという利点
がある。尚、第１実施例のエピタキシャル層、第２実施
例のＡｓ押込層はポリシリコンの薄膜層で形成してもよ
い。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ダイオー
ド素子の裏面にＰＯＣｌ3 を拡散して形成したＮ+ 層上
に、高濃度にドープされたＡｓのエピタキシャル成長層
を設けているので、Ｎ+ 層をメッキ層が直接反応して生
じる従来のような黒化現象の発生もなく、黒化現象部か
らのメタル剥がれも防止され、良好な電気的特性と、安
定した歩留が維持されるという利点がある。又、エピタ
キシャル層に代えてＡｓ拡散層を形成することで、作業
工程が短縮され、製造原価が低コストでできるという利
点がある。
ド素子の裏面にＰＯＣｌ3 を拡散して形成したＮ+ 層上
に、高濃度にドープされたＡｓのエピタキシャル成長層
を設けているので、Ｎ+ 層をメッキ層が直接反応して生
じる従来のような黒化現象の発生もなく、黒化現象部か
らのメタル剥がれも防止され、良好な電気的特性と、安
定した歩留が維持されるという利点がある。又、エピタ
キシャル層に代えてＡｓ拡散層を形成することで、作業
工程が短縮され、製造原価が低コストでできるという利
点がある。
【図１】本発明のダイオード素子の第１実施例を製造工
程順に示す断面図である。
程順に示す断面図である。
【図２】本発明のダイオード素子の第２実施例の製造工
程順に示す断面図である。
程順に示す断面図である。
【図３】従来のダイオード素子を製造工程順に示す断面
図である。
図である。
１ Ｎ型半導体基板 ３ Ｐ+ 層 ４ Ｎ+ 層 ５ Ａｓ高濃度エピタキシャル層 ６ ニッケルシリサイド層 ７ ニッケルメッキ層 ８ 金メッキ層 ９ Ａｓ拡散層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の一方の面に拡散形成された
一導電型の不純物層と、他方の面に拡散形成された逆導
電型の不純物層と、この他方の面に形成された逆導電型
の半導体成長層とを備えるダイオード素子。 - 【請求項２】 半導体基板の一方の面にはＢＣｌ3 の不
純物層を形成し、他方の面にはＰＯＣｌ3 の不純物層を
有し、半導体成長層はＡｓが高濃度にドープされたエピ
タキシャル成長層或いはポリシリコン層である請求項１
のダイオード素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16177392A JPH05335600A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | ダイオード素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16177392A JPH05335600A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | ダイオード素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335600A true JPH05335600A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15741633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16177392A Pending JPH05335600A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | ダイオード素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335600A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1070288A (ja) * | 1996-07-23 | 1998-03-10 | Zowie Technol Corp | 全開放形ｐ−ｎ接合部をガラスによりパッシベーションを施されたシリコン半導体ダイオードチップとその製造方法 |
| US7368380B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-05-06 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US7800204B2 (en) | 2008-07-31 | 2010-09-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9035434B2 (en) | 2009-06-04 | 2015-05-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device having first and second portions with opposite conductivity type which contact an electrode |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP16177392A patent/JPH05335600A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1070288A (ja) * | 1996-07-23 | 1998-03-10 | Zowie Technol Corp | 全開放形ｐ−ｎ接合部をガラスによりパッシベーションを施されたシリコン半導体ダイオードチップとその製造方法 |
| US7368380B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-05-06 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US7800204B2 (en) | 2008-07-31 | 2010-09-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US8420496B2 (en) | 2008-07-31 | 2013-04-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9035434B2 (en) | 2009-06-04 | 2015-05-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device having first and second portions with opposite conductivity type which contact an electrode |
| US9786796B2 (en) | 2009-06-04 | 2017-10-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device having first and second layers with opposite conductivity types |
| US10749043B2 (en) | 2009-06-04 | 2020-08-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device including a trench structure |
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