JPH0534100Y2 - - Google Patents
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- JPH0534100Y2 JPH0534100Y2 JP10175188U JP10175188U JPH0534100Y2 JP H0534100 Y2 JPH0534100 Y2 JP H0534100Y2 JP 10175188 U JP10175188 U JP 10175188U JP 10175188 U JP10175188 U JP 10175188U JP H0534100 Y2 JPH0534100 Y2 JP H0534100Y2
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- Japan
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- feedthrough capacitor
- ceramic body
- shaped
- hole
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 46
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本考案は、円筒状の貫通コンデンサに係り、更
に詳しく言えば、貫通コンデンサの電極構造の改
良に関する。
に詳しく言えば、貫通コンデンサの電極構造の改
良に関する。
[従来の技術]
この種の貫通コンデンサの従来例を第4図に示
す。図において、中心に貫通孔を有する円筒状の
セラミツク素体1の内周面及び外周面に、それぞ
れ電極2及び電極3が設けられている。そして、
前記セラミツク素体1の貫通孔には鍔を有するリ
ード線4が挿入あるいは貫通され、その鍔部は内
周側の電極2に導電固着されている。
す。図において、中心に貫通孔を有する円筒状の
セラミツク素体1の内周面及び外周面に、それぞ
れ電極2及び電極3が設けられている。そして、
前記セラミツク素体1の貫通孔には鍔を有するリ
ード線4が挿入あるいは貫通され、その鍔部は内
周側の電極2に導電固着されている。
又、セラミツク素体1の外周に金属性のリング
6が嵌め込まれ、これが外周側の電極3に導電固
着されフランジ5が形成している。7は電極固着
用半田である。
6が嵌め込まれ、これが外周側の電極3に導電固
着されフランジ5が形成している。7は電極固着
用半田である。
次に、前記従来の貫通コンデンサを、回路基板
に搭載した状態を、第5図により説明する。8は
回路基板で、通孔10が穿孔されており、この通
孔10に貫通コンデンサを嵌合することにより該
回路基板8に搭載される。この時、フランジ5が
回路基板8の通孔10の口端9に当たり、口端9
は回路基板8の電極を形成しているので、貫通コ
ンデンサのフランジ5と、回路基板8の電極9
は、半田付けにより導電固着されるものである。
に搭載した状態を、第5図により説明する。8は
回路基板で、通孔10が穿孔されており、この通
孔10に貫通コンデンサを嵌合することにより該
回路基板8に搭載される。この時、フランジ5が
回路基板8の通孔10の口端9に当たり、口端9
は回路基板8の電極を形成しているので、貫通コ
ンデンサのフランジ5と、回路基板8の電極9
は、半田付けにより導電固着されるものである。
[考案が解決しようとする問題点]
前述の従来の貫通コンデンサにおいては、リー
ド線が円筒状セラミツク素体の中心孔に貫通若し
くは挿入されており、半田付けにより固着されて
いた。従つて、貫通コンデンサを回路基板あるい
はシヤーシに取り付け、リード線を曲げて端末部
を他の基板あるいはシヤーシに半田付けをする場
合等に、半田鏝の熱がリード線を伝わつて貫通コ
ンデンサ内の半田を溶解させ、リード線を貫通コ
ンデンサ素体から浮かしてしまうことがある。こ
のためリード線が動き、回路基板のスルーホール
にリード線を挿入し半田付けする場合等、位置ず
れを生じるので、半田付け毎にリード線を押さえ
て作業しなければならないと言つた問題点があつ
た。
ド線が円筒状セラミツク素体の中心孔に貫通若し
くは挿入されており、半田付けにより固着されて
いた。従つて、貫通コンデンサを回路基板あるい
はシヤーシに取り付け、リード線を曲げて端末部
を他の基板あるいはシヤーシに半田付けをする場
合等に、半田鏝の熱がリード線を伝わつて貫通コ
ンデンサ内の半田を溶解させ、リード線を貫通コ
ンデンサ素体から浮かしてしまうことがある。こ
のためリード線が動き、回路基板のスルーホール
にリード線を挿入し半田付けする場合等、位置ず
れを生じるので、半田付け毎にリード線を押さえ
て作業しなければならないと言つた問題点があつ
た。
又、近年、各種電子機器の小形化、高周波化の
技術的動向に伴い、それらの電子機器に使用する
電子部品類についても、小形化の要求が高まつて
いる。貫通コンデンサもその一貫とし小形化が推
進されている。しかし、貫通コンデンサの小形化
を図る場合には、セラミツク素体を薄くすること
が必要である。セラミツク素体を薄くすると、貫
通コンデンサの外部電極を、回路基板等に接続固
定し、貫通コンデンサの内部電極リード線を、軸
方向に対してほぼ直角に曲げて、その端末部を回
路基板の電極に接続する場合、セラミツク素体の
軸方向に対して直角な力が加わつてクラツクが入
ると言つた問題が生じる。セラミツク素体を薄く
する程、曲り強度は当然低下し、上記のクラツク
による不良が増加する。
技術的動向に伴い、それらの電子機器に使用する
電子部品類についても、小形化の要求が高まつて
いる。貫通コンデンサもその一貫とし小形化が推
進されている。しかし、貫通コンデンサの小形化
を図る場合には、セラミツク素体を薄くすること
が必要である。セラミツク素体を薄くすると、貫
通コンデンサの外部電極を、回路基板等に接続固
定し、貫通コンデンサの内部電極リード線を、軸
方向に対してほぼ直角に曲げて、その端末部を回
路基板の電極に接続する場合、セラミツク素体の
軸方向に対して直角な力が加わつてクラツクが入
ると言つた問題が生じる。セラミツク素体を薄く
する程、曲り強度は当然低下し、上記のクラツク
による不良が増加する。
ここにおいて、本考案の目的は、前述の従来技
術の問題点に鑑み、このような問題点を解決でき
る貫通コンデンサを提供することにある。
術の問題点に鑑み、このような問題点を解決でき
る貫通コンデンサを提供することにある。
[問題を解決するための手段]
すなわち、前記本考案の目的は、軸方向に貫通
孔を有する円筒状のセラミツク素体の貫通孔の内
周面、両側端及びその両側端に続く外周面の側端
に導体膜を有し、前記セラミツク素体の外周面中
央部に帯状の導体膜を有する貫通コンデンサ素子
と、この貫通コンデンサ素子の外周側に嵌め込ま
れ、前記帯状導体膜に導電固着されたリング状の
中間端子と、前記貫通コンデンサ素子の両端部に
嵌め込まれ、同両端部の導体膜に導電固着された
キヤツプ状の両端々子と、これら両端々子の端面
から互いの延長線上に導出されたリード線からな
ることを特徴とする貫通コンデンサによつて構成
される。
孔を有する円筒状のセラミツク素体の貫通孔の内
周面、両側端及びその両側端に続く外周面の側端
に導体膜を有し、前記セラミツク素体の外周面中
央部に帯状の導体膜を有する貫通コンデンサ素子
と、この貫通コンデンサ素子の外周側に嵌め込ま
れ、前記帯状導体膜に導電固着されたリング状の
中間端子と、前記貫通コンデンサ素子の両端部に
嵌め込まれ、同両端部の導体膜に導電固着された
キヤツプ状の両端々子と、これら両端々子の端面
から互いの延長線上に導出されたリード線からな
ることを特徴とする貫通コンデンサによつて構成
される。
[作用]
上記のように構成された貫通コンデンサは、貫
通コンデンサ素子の両端部に嵌入したキヤツプ状
端子に、リード線を溶接して導出しているので、
リード線折り曲げ時、その力をセラミツク素体は
キヤツプ状端子を介して受けることになり、クラ
ツクが発生し難くなる。又、リード線は溶接され
ているため、半田付けにより加熱されても、動い
たり外れたりすることがない。
通コンデンサ素子の両端部に嵌入したキヤツプ状
端子に、リード線を溶接して導出しているので、
リード線折り曲げ時、その力をセラミツク素体は
キヤツプ状端子を介して受けることになり、クラ
ツクが発生し難くなる。又、リード線は溶接され
ているため、半田付けにより加熱されても、動い
たり外れたりすることがない。
[実施例]
以下、本考案の貫通コンデンサの好ましい実施
例を、添付の第1図を用いて説明する。セラミツ
ク素体1は円筒形で、軸方向に貫通孔を有してい
る。その貫通孔の内周面、内周面に続く両側端及
びその両側端に続く外周面の側端に導電ペースト
を塗布し、焼き付け等の手段で導電膜11を形成
する。又、セラミツク素体1の外周面中央部に、
導電ペーストを帯状に塗布し、同じようにして導
電膜12を形成する。
例を、添付の第1図を用いて説明する。セラミツ
ク素体1は円筒形で、軸方向に貫通孔を有してい
る。その貫通孔の内周面、内周面に続く両側端及
びその両側端に続く外周面の側端に導電ペースト
を塗布し、焼き付け等の手段で導電膜11を形成
する。又、セラミツク素体1の外周面中央部に、
導電ペーストを帯状に塗布し、同じようにして導
電膜12を形成する。
そして、セラミツク素体1に導電膜11及び導
電膜12を形成した貫通コンデンサ素子の外周側
に、リング状で鍔を有する中間端子13を、貫通
コンデンサ素子の端部から挿入し、前記帯状の導
電膜12上に導電固着させる。
電膜12を形成した貫通コンデンサ素子の外周側
に、リング状で鍔を有する中間端子13を、貫通
コンデンサ素子の端部から挿入し、前記帯状の導
電膜12上に導電固着させる。
次に、上記貫通コンデンサ素子の両端に、キヤ
ツプ状の両端々子14をそれぞれ嵌め込んで、導
電膜11と導電固着させる。同キヤツプ状の両
端々子14の端面には、配線用のリード線4を溶
接固定し、互いの延長線上に導出されるようにし
ておく。同キヤツプ状の両端々子14は、貫通コ
ンデンサ素子の両端に圧入し、リフロー炉によつ
て半田付け固着するのが好適である。
ツプ状の両端々子14をそれぞれ嵌め込んで、導
電膜11と導電固着させる。同キヤツプ状の両
端々子14の端面には、配線用のリード線4を溶
接固定し、互いの延長線上に導出されるようにし
ておく。同キヤツプ状の両端々子14は、貫通コ
ンデンサ素子の両端に圧入し、リフロー炉によつ
て半田付け固着するのが好適である。
ここで、前述のように構成された貫通コンデン
サの使用態様を第2図により説明する。本考案の
貫通コンデンサを、回路基板8に搭載した例であ
る。回路基板8の通孔10に貫通コンデンサの中
間端子13部分を嵌合し、そのハトメ部分と通孔
10の口端の電極9を導電固着させる。そして、
貫通コンデンサの両端々子14に溶接されている
リード線4の何れか一方を、この例では上方のリ
ード線4を、セラミツク素体1の軸方向に対して
90度折り曲げて第1の曲りを与え、更にそれを90
度折り曲げ、回路基板8のスルーホール15に先
端部を差し込んで導電固着した使用態様である。
貫通コンデンサはこのように回路基板8に搭載さ
れ、回路を形成して使用される。前述のように、
リード線4を直角折り曲げて使用しても、本考案
の貫通コンデンサは、セラミツク素体にクラツク
が入り難い。
サの使用態様を第2図により説明する。本考案の
貫通コンデンサを、回路基板8に搭載した例であ
る。回路基板8の通孔10に貫通コンデンサの中
間端子13部分を嵌合し、そのハトメ部分と通孔
10の口端の電極9を導電固着させる。そして、
貫通コンデンサの両端々子14に溶接されている
リード線4の何れか一方を、この例では上方のリ
ード線4を、セラミツク素体1の軸方向に対して
90度折り曲げて第1の曲りを与え、更にそれを90
度折り曲げ、回路基板8のスルーホール15に先
端部を差し込んで導電固着した使用態様である。
貫通コンデンサはこのように回路基板8に搭載さ
れ、回路を形成して使用される。前述のように、
リード線4を直角折り曲げて使用しても、本考案
の貫通コンデンサは、セラミツク素体にクラツク
が入り難い。
因に、第3図は、本件考案者が本考案の貫通コ
ンデンサを、回路基板8に搭載し、リード線4を
軸方向に対して90度折り曲げ、第1の曲りを与
え、図に示した矢印の方向に引張荷重を加えセラ
ミツク素体1のクラツク発生分布を調らべ、従来
の貫通コンデンサのそれと対比した結果を示すも
のである。セラミツク素体は、外径1.5mm、内径
0.9mm、長さ4.2mmの同じ物を使用した。リード線
は本考案のものは0.6mmの半田引き軟銅線を使用
し、従来例では、セラミツク素体に貫通させてい
るので若干異なるが、同程度のものを使用した。
図において、横軸はセラミツク素体にクラツクが
発生した時の引張荷重、縦軸はクラツクを発生し
た貫通コンデンサの数である。試験数は、比較の
ため同数の40個ずつとし、数百個の試料の中から
ランダムに抽出して試験を行つたものである。従
来の貫通コンデンサでは最も弱いものは0.6Kgの
引張荷重でクラツクを発生し、最も強いものが
0.95Kgの引張荷重でクラツクを発生した。クラツ
ク発生の荷重平均値は0.745Kgであつた。本考案
の貫通コンデンサでは、最も弱いものが1.15Kg、
最も強いものが1.75Kgの引張荷重でクラツクを発
生している。クラツク発生の荷重平均値は1.395
Kgであつた。リード線の曲げ強度は従来例のおよ
そ2倍である。クラツク発生の分布状態を比較し
ても、最小値を比較しても、本考案が著しく優れ
たものであることが分かる。この事は、従来はセ
ラミツク素体の中心孔にリード線を貫通して直接
固着していたのが、本考案では、セラミツク素体
の両端にキヤツプ状端子を設け、それにリード線
を溶接しているために、リード線の曲げ荷重が直
接セラミツク素体に印加されず、キヤツプ状端子
で拡散印加されるからである。このため、セラミ
ツク素体をある程度薄くしても、従来の貫通コン
デンサと同程度の曲げ強度を確保するのは容易で
ある。又、リード線はキヤツプ状端子に溶接され
ているので、回路基板やシヤーシ等に搭載し、半
田付けする際、リード線が浮動することがなく、
予めリード線を曲げておけば、抑さえて作業を行
う必要が無くなり、作業が容易になる。
ンデンサを、回路基板8に搭載し、リード線4を
軸方向に対して90度折り曲げ、第1の曲りを与
え、図に示した矢印の方向に引張荷重を加えセラ
ミツク素体1のクラツク発生分布を調らべ、従来
の貫通コンデンサのそれと対比した結果を示すも
のである。セラミツク素体は、外径1.5mm、内径
0.9mm、長さ4.2mmの同じ物を使用した。リード線
は本考案のものは0.6mmの半田引き軟銅線を使用
し、従来例では、セラミツク素体に貫通させてい
るので若干異なるが、同程度のものを使用した。
図において、横軸はセラミツク素体にクラツクが
発生した時の引張荷重、縦軸はクラツクを発生し
た貫通コンデンサの数である。試験数は、比較の
ため同数の40個ずつとし、数百個の試料の中から
ランダムに抽出して試験を行つたものである。従
来の貫通コンデンサでは最も弱いものは0.6Kgの
引張荷重でクラツクを発生し、最も強いものが
0.95Kgの引張荷重でクラツクを発生した。クラツ
ク発生の荷重平均値は0.745Kgであつた。本考案
の貫通コンデンサでは、最も弱いものが1.15Kg、
最も強いものが1.75Kgの引張荷重でクラツクを発
生している。クラツク発生の荷重平均値は1.395
Kgであつた。リード線の曲げ強度は従来例のおよ
そ2倍である。クラツク発生の分布状態を比較し
ても、最小値を比較しても、本考案が著しく優れ
たものであることが分かる。この事は、従来はセ
ラミツク素体の中心孔にリード線を貫通して直接
固着していたのが、本考案では、セラミツク素体
の両端にキヤツプ状端子を設け、それにリード線
を溶接しているために、リード線の曲げ荷重が直
接セラミツク素体に印加されず、キヤツプ状端子
で拡散印加されるからである。このため、セラミ
ツク素体をある程度薄くしても、従来の貫通コン
デンサと同程度の曲げ強度を確保するのは容易で
ある。又、リード線はキヤツプ状端子に溶接され
ているので、回路基板やシヤーシ等に搭載し、半
田付けする際、リード線が浮動することがなく、
予めリード線を曲げておけば、抑さえて作業を行
う必要が無くなり、作業が容易になる。
[考案の効果]
前記説明から分るように、本考案によれば、リ
ード線をセラミツク素体に貫通させることなく、
キヤツプ状端子から導出させることができ、リー
ド線の曲げ作業によるクラツクの入り難い貫通コ
ンデンサを提供することができる。又、リード線
の基端は溶接固定されているので、半田付けの際
浮動することがなく、作業を容易にするうえで効
果がある。
ード線をセラミツク素体に貫通させることなく、
キヤツプ状端子から導出させることができ、リー
ド線の曲げ作業によるクラツクの入り難い貫通コ
ンデンサを提供することができる。又、リード線
の基端は溶接固定されているので、半田付けの際
浮動することがなく、作業を容易にするうえで効
果がある。
第1図は、本考案の実施例を示す貫通コンデン
サの一部破断側面図、第2図は、第1図の貫通コ
ンデンサの使用例を示す説明図、第3図は本考案
の貫通コンデンサの特性を従来のものと対比して
示す図、第4図は、従来の貫通コンデンサの縦断
側面図、第5図は、第4図に示す従来の貫通コン
デンサの使用例を示す説明図である。 1……セラミツク素体、4……リード線、8…
…回路基板、11,12……導電膜、13……中
間端子、14……両端々子。
サの一部破断側面図、第2図は、第1図の貫通コ
ンデンサの使用例を示す説明図、第3図は本考案
の貫通コンデンサの特性を従来のものと対比して
示す図、第4図は、従来の貫通コンデンサの縦断
側面図、第5図は、第4図に示す従来の貫通コン
デンサの使用例を示す説明図である。 1……セラミツク素体、4……リード線、8…
…回路基板、11,12……導電膜、13……中
間端子、14……両端々子。
Claims (1)
- 軸方向に貫通孔を有する円筒状のセラミツク素
体1の該貫通孔の内周面、両側端及びその両側端
に続く外周面の側端に導体膜11を有し、前記セ
ラミツク素体1の外周面中央部に帯状の導体膜1
2を有する貫通コンデンサ素子と、この貫通コン
デンサ素子の外周側に嵌め込まれ、前記帯状の導
体膜12に導電固着されたリング状の中間端子1
3と、前記貫通コンデンサ素子の両端部に嵌め込
まれ、同両端部の導体膜11に導電固着されたキ
ヤツプ状の両端々子14と、これら両端々子14
の端面から互いの延長線上に導出されたリード線
4とからなることを特徴とする貫通コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10175188U JPH0534100Y2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10175188U JPH0534100Y2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0224530U JPH0224530U (ja) | 1990-02-19 |
| JPH0534100Y2 true JPH0534100Y2 (ja) | 1993-08-30 |
Family
ID=31331035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10175188U Expired - Lifetime JPH0534100Y2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0534100Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-07-30 JP JP10175188U patent/JPH0534100Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224530U (ja) | 1990-02-19 |
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