JPH05341499A - 縮小投影露光装置用レチクル - Google Patents
縮小投影露光装置用レチクルInfo
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- JPH05341499A JPH05341499A JP14717892A JP14717892A JPH05341499A JP H05341499 A JPH05341499 A JP H05341499A JP 14717892 A JP14717892 A JP 14717892A JP 14717892 A JP14717892 A JP 14717892A JP H05341499 A JPH05341499 A JP H05341499A
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アライメントマークをずれを生じさせたり、
つぶしたりすることなくウェハーに露光し、合わせ精度
を高める。 【構成】 縮小投影露光装置用レチクルの、本体チップ
領域１周辺のスクライブライン領域３に配置するアライ
メントマーク４に、保護パターン１０，１１を配置する
ことによって本体チップ領域１周辺のスクライブライン
領域３にアライメントマーク４を配置可能にしたこと
と、保護パターン１０，１１を設けたことによって露光
時にアライメントマークのつぶれがなくなり、縮小投影
露光装置用レチクルの設計のスループットの向上、合わ
せ精度の向上になり良品収量の向上を実現できた。
つぶしたりすることなくウェハーに露光し、合わせ精度
を高める。 【構成】 縮小投影露光装置用レチクルの、本体チップ
領域１周辺のスクライブライン領域３に配置するアライ
メントマーク４に、保護パターン１０，１１を配置する
ことによって本体チップ領域１周辺のスクライブライン
領域３にアライメントマーク４を配置可能にしたこと
と、保護パターン１０，１１を設けたことによって露光
時にアライメントマークのつぶれがなくなり、縮小投影
露光装置用レチクルの設計のスループットの向上、合わ
せ精度の向上になり良品収量の向上を実現できた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハーにレジスト等
を用いてＬＳＩパターンを形成する工程において、露光
時の縮小投影露光装置用レチクルに関するものである。
を用いてＬＳＩパターンを形成する工程において、露光
時の縮小投影露光装置用レチクルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の集積度は飛躍的に高ま
り、ウェハー上に微細パターン形成にはステッパーと呼
ばれる縮小投影露光装置を用いてパターンを形成するこ
とが主流となっている。
り、ウェハー上に微細パターン形成にはステッパーと呼
ばれる縮小投影露光装置を用いてパターンを形成するこ
とが主流となっている。
【０００３】特に最近チップ自体の面積が増大し、レチ
クル上のチップ総数が減少の傾向にある為にスクライブ
ライン部分の面積も減少の傾向にある。その上でアライ
メントマークは、アライメントマークの配置規則を守り
つつ、隣接チップで露光の影響がない場所に配置する必
要がある。このアライメントマークの配置場所によって
良品収量の関係が強く、深刻な問題となっている。
クル上のチップ総数が減少の傾向にある為にスクライブ
ライン部分の面積も減少の傾向にある。その上でアライ
メントマークは、アライメントマークの配置規則を守り
つつ、隣接チップで露光の影響がない場所に配置する必
要がある。このアライメントマークの配置場所によって
良品収量の関係が強く、深刻な問題となっている。
【０００４】以下、従来の縮小投影露光装置用レチクル
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【０００５】図４および図５は従来の縮小投影露光装置
用レチクルの構成を示す平面図である。図４に示す従来
の縮小投影露光装置用レチクルは、９チップ構成の例で
あり、図５に示す縮小投影露光装置用レチクルは、４チ
ップ構成の例である。従来の縮小投影露光装置用レチク
ルは、本体チップ領域１、ＰＣＭ領域２、スクライブラ
イン領域３およびアライメントマーク４とにより構成さ
れている。なおＰＣＭ領域２のＰＣＭとはProcess Cont
rol Monitorの略語である。
用レチクルの構成を示す平面図である。図４に示す従来
の縮小投影露光装置用レチクルは、９チップ構成の例で
あり、図５に示す縮小投影露光装置用レチクルは、４チ
ップ構成の例である。従来の縮小投影露光装置用レチク
ルは、本体チップ領域１、ＰＣＭ領域２、スクライブラ
イン領域３およびアライメントマーク４とにより構成さ
れている。なおＰＣＭ領域２のＰＣＭとはProcess Cont
rol Monitorの略語である。
【０００６】以上のように構成された従来の縮小投影露
光装置用レチクルを用いて、ステッパー等により露光し
てパターンを形成していた。
光装置用レチクルを用いて、ステッパー等により露光し
てパターンを形成していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では以下のような課題を有していた。上記図４
に示すようにチップ数が９つの場合はスクライブライン
領域３も多く存在するため、アライメントマーク４の配
置規則および隣接チップでの露光の影響を考慮にいれて
も容易にアライメントマーク４の配置が行なえる。しか
し近年は本体チップサイズの増大や各種アライメントマ
ークの配置数の増加によってアライメントマークの配置
場所が減少してきており、特に本体チップ領域内の本体
チップが小数、例えば４つの場合には課題があった。
来の構成では以下のような課題を有していた。上記図４
に示すようにチップ数が９つの場合はスクライブライン
領域３も多く存在するため、アライメントマーク４の配
置規則および隣接チップでの露光の影響を考慮にいれて
も容易にアライメントマーク４の配置が行なえる。しか
し近年は本体チップサイズの増大や各種アライメントマ
ークの配置数の増加によってアライメントマークの配置
場所が減少してきており、特に本体チップ領域内の本体
チップが小数、例えば４つの場合には課題があった。
【０００８】以下、図面を参照しながら説明する。図６
は図５に示す従来の縮小投影露光装置用レチクルを用い
て露光した時のウェハー上のパターン状態を示す平面図
である。ウェハー５上には１ショット分の露光領域６と
ＰＣＭ領域７が形成されている。
は図５に示す従来の縮小投影露光装置用レチクルを用い
て露光した時のウェハー上のパターン状態を示す平面図
である。ウェハー５上には１ショット分の露光領域６と
ＰＣＭ領域７が形成されている。
【０００９】図７は図６に示すウェハー上のアライメン
トマーク部分を拡大した平面図である。
トマーク部分を拡大した平面図である。
【００１０】図５に示す縮小投影露光装置用レチクルの
ようにレチクル上に本体チップ領域１が小数、４つの場
合はレチクル上でアライメントマーク４を本体チップ領
域１周辺のスクライブライン領域３上に配置し、図６に
示すようにウェハー５に露光した場合、図７に示すアラ
イメントマーク部分の拡大図のようにウェハー５上のス
クライブライン８上に形成されたアライメントマーク９
がズレてつぶれてしまう。また隣接するショットによる
アライメントマーク９のつぶれによる合わせ不能や、シ
フトショットによるアライメントマーク９のつぶれによ
る合わせ不能により良品収量に影響するという課題を有
していた。
ようにレチクル上に本体チップ領域１が小数、４つの場
合はレチクル上でアライメントマーク４を本体チップ領
域１周辺のスクライブライン領域３上に配置し、図６に
示すようにウェハー５に露光した場合、図７に示すアラ
イメントマーク部分の拡大図のようにウェハー５上のス
クライブライン８上に形成されたアライメントマーク９
がズレてつぶれてしまう。また隣接するショットによる
アライメントマーク９のつぶれによる合わせ不能や、シ
フトショットによるアライメントマーク９のつぶれによ
る合わせ不能により良品収量に影響するという課題を有
していた。
【００１１】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、縮小投影露光装置用レチクルの本体チップ領域周辺
のスクライブライン上にもアライメントマークの配置を
可能にするとともに、縮小投影露光装置用レチクルの設
計のスループットの向上、良品収量の向上を目的として
いる。
で、縮小投影露光装置用レチクルの本体チップ領域周辺
のスクライブライン上にもアライメントマークの配置を
可能にするとともに、縮小投影露光装置用レチクルの設
計のスループットの向上、良品収量の向上を目的として
いる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の縮小投影露光装置用レチクルは、以下のよう
な構成を有している。すなわち、レチクル内に少なくと
も１つの本体チップ領域と、ＰＣＭ領域と、前記本体チ
ップ領域間にスクライブライン領域とを備え、前記スク
ライブライン領域にアライメントマークと、前記アライ
メントマークに対してＹ軸に対称の位置に配置した第１
の保護パターンと、前記ＰＣＭ領域によるシフトショッ
ト分移動した位置に配置した第２の保護パターンとより
なることを特徴とする。
に本発明の縮小投影露光装置用レチクルは、以下のよう
な構成を有している。すなわち、レチクル内に少なくと
も１つの本体チップ領域と、ＰＣＭ領域と、前記本体チ
ップ領域間にスクライブライン領域とを備え、前記スク
ライブライン領域にアライメントマークと、前記アライ
メントマークに対してＹ軸に対称の位置に配置した第１
の保護パターンと、前記ＰＣＭ領域によるシフトショッ
ト分移動した位置に配置した第２の保護パターンとより
なることを特徴とする。
【００１３】
【作用】上記構成により、保護パターンを本体チップ領
域周辺のスクライブライン上に配置されているアライメ
ントマークに対して、Ｘ軸及びＹ軸に対称の位置に配置
する。また、アライメントマーク配置位置からＹ軸にＰ
ＣＭによるシフトショット分の位置に配置することによ
って、縮小投影露光装置用レチクルの本体チップ領域に
周辺上にアライメントマークを配置することが可能とな
り、合わせが可能になり、パターンがズレてつぶれるこ
とがなくなる。
域周辺のスクライブライン上に配置されているアライメ
ントマークに対して、Ｘ軸及びＹ軸に対称の位置に配置
する。また、アライメントマーク配置位置からＹ軸にＰ
ＣＭによるシフトショット分の位置に配置することによ
って、縮小投影露光装置用レチクルの本体チップ領域に
周辺上にアライメントマークを配置することが可能とな
り、合わせが可能になり、パターンがズレてつぶれるこ
とがなくなる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１５】図１は、本発明の一実施例における縮小投
影露光装置用レチクルを示す平面図である。
影露光装置用レチクルを示す平面図である。
【００１６】図１に示す縮小投影露光装置用レチクル
は、レチクル上に配置している本体チップ領域１（４チ
ップ）と、ＰＣＭ領域２、スクライブライン領域３と、
アライメントマーク４と、前記アライメントマーク４に
対してＹ軸に対称の第１の保護パターン１０およびＰＣ
Ｍによるシフトショット分移動した第２の保護パターン
１１により構成されている。
は、レチクル上に配置している本体チップ領域１（４チ
ップ）と、ＰＣＭ領域２、スクライブライン領域３と、
アライメントマーク４と、前記アライメントマーク４に
対してＹ軸に対称の第１の保護パターン１０およびＰＣ
Ｍによるシフトショット分移動した第２の保護パターン
１１により構成されている。
【００１７】まず、アライメントマーク４の配置場所を
配置規則に従って配置する。配置された位置が本体チッ
プ領域の周辺上であれば、Ｘ軸、Ｙ軸にそれぞれの対称
位置に第１の保護パターン１０（アライメントマークと
保護パターンを重ねて露光して一つのアライメントマー
クになるパターン）を配置する。
配置規則に従って配置する。配置された位置が本体チッ
プ領域の周辺上であれば、Ｘ軸、Ｙ軸にそれぞれの対称
位置に第１の保護パターン１０（アライメントマークと
保護パターンを重ねて露光して一つのアライメントマー
クになるパターン）を配置する。
【００１８】次に、ＰＣＭ領域２をショット（１露光）
することによって本体チップ領域１のシフトが本体チッ
プ領域１のショットサイズと異なる場合には、アライメ
ントマーク４からシフトショット分移動した場所へ第２
の保護パターン１１を配置をする。
することによって本体チップ領域１のシフトが本体チッ
プ領域１のショットサイズと異なる場合には、アライメ
ントマーク４からシフトショット分移動した場所へ第２
の保護パターン１１を配置をする。
【００１９】以上のようにアライメントマーク４と保護
パターン１０，１１を配置した縮小投影露光装置用レチ
クルを用いて露光した場合について説明する。
パターン１０，１１を配置した縮小投影露光装置用レチ
クルを用いて露光した場合について説明する。
【００２０】図２は図１に示す縮小投影露光装置用レチ
クルを用いて露光したときのウェハーの状態を示す平面
図である。ウェハー５上には１ショット分の露光領域６
とＰＣＭ領域７が形成されている。図３は図２に示すウ
ェハー上のアライメントマーク部分を拡大した平面図で
ある。
クルを用いて露光したときのウェハーの状態を示す平面
図である。ウェハー５上には１ショット分の露光領域６
とＰＣＭ領域７が形成されている。図３は図２に示すウ
ェハー上のアライメントマーク部分を拡大した平面図で
ある。
【００２１】図１に示すようなレチクルを用いてウェハ
ー５上に露光すると、図３に示すように、ウェハー５上
のスクライブライン８上にアライメントマーク１２をつ
ぶさず露光して形成することができる。
ー５上に露光すると、図３に示すように、ウェハー５上
のスクライブライン８上にアライメントマーク１２をつ
ぶさず露光して形成することができる。
【００２２】以上のように本実施例によれば、アライメ
ントマーク４の保護パターンとして第１の保護パターン
１０および第２の保護パターン１１を配置することによ
り、本体チップ領域１周辺のスクライブライン領域３上
にもアライメントマーク４を配置でき、なおかつウェハ
ー５上にアライメントマークを形成した場合、アライメ
ントマーク１２がつぶれることがなくなる。
ントマーク４の保護パターンとして第１の保護パターン
１０および第２の保護パターン１１を配置することによ
り、本体チップ領域１周辺のスクライブライン領域３上
にもアライメントマーク４を配置でき、なおかつウェハ
ー５上にアライメントマークを形成した場合、アライメ
ントマーク１２がつぶれることがなくなる。
【００２３】以上のように本体チップ領域周辺上のスク
ライブライン上もアライメントマークの配置が可能とな
り、縮小投影露光装置用レチクルの設計のスループット
の向上および合わせ精度の向上になり良品収量の向上に
なる。
ライブライン上もアライメントマークの配置が可能とな
り、縮小投影露光装置用レチクルの設計のスループット
の向上および合わせ精度の向上になり良品収量の向上に
なる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明はアライメントマー
クの保護パターンを配置することによって本体チップ領
域の周辺スクライブライン上にもアライメントマークを
レチクル上に配置することが可能になり、縮小投影露光
装置用レチクルの設計のスループットの向上、合わせ精
度の向上になり良品収量の向上が可能な優れた縮小投影
露光装置用レチクルを実現できるものである。
クの保護パターンを配置することによって本体チップ領
域の周辺スクライブライン上にもアライメントマークを
レチクル上に配置することが可能になり、縮小投影露光
装置用レチクルの設計のスループットの向上、合わせ精
度の向上になり良品収量の向上が可能な優れた縮小投影
露光装置用レチクルを実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例に係る縮小投影露光装置用レ
チクルの構成を示す平面図
チクルの構成を示す平面図
【図２】本発明の一実施例に係る縮小投影露光装置用レ
チクルを用いて露光した時のウェハー平面図
チクルを用いて露光した時のウェハー平面図
【図３】本発明の一実施例に係る縮小投影露光装置用レ
チクルを用いて露光した時のウェハー上のアライメント
マーク部分を拡大した平面図
チクルを用いて露光した時のウェハー上のアライメント
マーク部分を拡大した平面図
【図４】従来の縮小投影露光装置用レチクルの構成（９
チップ構成）を示す平面図
チップ構成）を示す平面図
【図５】従来の縮小投影露光装置用レチクルの構成（４
チップ構成）を示す平面図
チップ構成）を示す平面図
【図６】従来の縮小投影露光装置用レチクルを用いて露
光した時のウェハー平面図
光した時のウェハー平面図
【図７】従来の縮小投影露光装置用レチクルを用いて露
光した時のウェハー上のアライメントマーク部分を拡大
した平面図
光した時のウェハー上のアライメントマーク部分を拡大
した平面図
１ 本体チップ領域 ２ ＰＣＭ領域 ３ スクライブライン領域 ４ アライメントマーク ５ ウェハー ６ １ショット分の露光領域 ７ ウェハー上のＰＣＭ領域 ８ ウェハー上のスクライブライン ９ アライメントマーク １０ 第１の保護パターン １１ 第２の保護パターン １２ アライメントマーク
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】レチクル内に少なくとも１つの本体チップ
領域と、ＰＣＭ領域と、前記本体チップ領域間にスクラ
イブライン領域とを備え、前記スクライブライン領域に
アライメントマークと、前記アライメントマークに対し
てＹ軸に対称の位置に配置した第１の保護パターンと、
前記ＰＣＭ領域によるシフトショット分移動した位置に
配置した第２の保護パターンとよりなることを特徴とす
る縮小投影露光装置用レチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14717892A JPH05341499A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 縮小投影露光装置用レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14717892A JPH05341499A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 縮小投影露光装置用レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05341499A true JPH05341499A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15424349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14717892A Pending JPH05341499A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 縮小投影露光装置用レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05341499A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970028813A (ko) * | 1995-11-28 | 1997-06-24 | 김광호 | 반도체장치 제조용 레티클 |
| JP2007065665A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法、マスクおよびデバイス |
| JP2008102360A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Fujitsu Ltd | 露光用マスク、電子装置の製造方法、及び露光用マスクの検査方法 |
| JP2009053716A (ja) * | 2008-11-07 | 2009-03-12 | Renesas Technology Corp | レチクル、露光方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2009258420A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
| US20190179229A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
-
1992
- 1992-06-08 JP JP14717892A patent/JPH05341499A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970028813A (ko) * | 1995-11-28 | 1997-06-24 | 김광호 | 반도체장치 제조용 레티클 |
| JP2007065665A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法、マスクおよびデバイス |
| JP2008102360A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Fujitsu Ltd | 露光用マスク、電子装置の製造方法、及び露光用マスクの検査方法 |
| US7855035B2 (en) | 2006-10-19 | 2010-12-21 | Fujitsu Semiconductor Limited | Exposure mask, manufacturing method of electronic device, and checking method of exposure mask |
| JP2009258420A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2009053716A (ja) * | 2008-11-07 | 2009-03-12 | Renesas Technology Corp | レチクル、露光方法および半導体装置の製造方法 |
| US20190179229A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
| US11086228B2 (en) * | 2017-12-11 | 2021-08-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
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