JPH05343347A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05343347A JPH05343347A JP4145893A JP14589392A JPH05343347A JP H05343347 A JPH05343347 A JP H05343347A JP 4145893 A JP4145893 A JP 4145893A JP 14589392 A JP14589392 A JP 14589392A JP H05343347 A JPH05343347 A JP H05343347A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】コンタクトホールの形成工程を含む半導体装置
の製造方法に関し、コンタクトホール上部のテーパの管
理を容易に行うことを目的とする。 【構成】コンタクトホールを形成する際の横方向のエッ
チング量の管理のための第一の絶縁膜５を形成する工程
と、前記第一の絶縁膜５よりもエッチングレートが小さ
くて配線層の上の層間絶縁膜と同一材料よりなる第二の
絶縁膜６を、前記第一の絶縁膜５の上に形成する工程
と、前記第二の絶縁膜６の表面にフォトレジスト７を塗
布する工程と、前記フォトレジスト７を露光、現像して
窓８を形成する工程と、前記窓８から露出した前記第二
の絶縁膜６と前記第一の絶縁膜５を連続的に等方性エッ
チングすることにより、前記第一の絶縁膜５及び前記第
二の絶縁膜６に開口部１０を形成する工程と、前記第一
の絶縁膜５の横方向のエッチング量を半導体ウェハ１の
上から観察する工程とを含み構成する。
の製造方法に関し、コンタクトホール上部のテーパの管
理を容易に行うことを目的とする。 【構成】コンタクトホールを形成する際の横方向のエッ
チング量の管理のための第一の絶縁膜５を形成する工程
と、前記第一の絶縁膜５よりもエッチングレートが小さ
くて配線層の上の層間絶縁膜と同一材料よりなる第二の
絶縁膜６を、前記第一の絶縁膜５の上に形成する工程
と、前記第二の絶縁膜６の表面にフォトレジスト７を塗
布する工程と、前記フォトレジスト７を露光、現像して
窓８を形成する工程と、前記窓８から露出した前記第二
の絶縁膜６と前記第一の絶縁膜５を連続的に等方性エッ
チングすることにより、前記第一の絶縁膜５及び前記第
二の絶縁膜６に開口部１０を形成する工程と、前記第一
の絶縁膜５の横方向のエッチング量を半導体ウェハ１の
上から観察する工程とを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、より詳しくは、コンタクトホールの形成工程を
含む半導体装置の製造方法に関する。
に関し、より詳しくは、コンタクトホールの形成工程を
含む半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】半導体集積回路などの製造工程において、
現在自動化が進むにつれて検査方法の簡略化を図った
り、検査を無くすような傾向にある。
現在自動化が進むにつれて検査方法の簡略化を図った
り、検査を無くすような傾向にある。
【０００３】
【従来の技術】半導体装置では多層配線構造が採用され
ており、絶縁膜を介して形成された上側と下側の配線層
はコンタクトホールを通して接続するようにしている。
ており、絶縁膜を介して形成された上側と下側の配線層
はコンタクトホールを通して接続するようにしている。
【０００４】ところで、半導体集積回路の高集積化に伴
ってコンタクトホールの径も小さくなり、カバレッジを
改善するために図４に示すような工程を経ている。図４
は、コンタクトホールの形成工程を示す断面図である。
ってコンタクトホールの径も小さくなり、カバレッジを
改善するために図４に示すような工程を経ている。図４
は、コンタクトホールの形成工程を示す断面図である。
【０００５】まず、図４(a) に示すように、絶縁膜４１
上に形成された下側の配線層４２をＰＳＧよりなる層間
絶縁膜４３により覆った後に、その表面にフォトレジス
ト４４を塗布して、これを露光、現像してコンタクトホ
ール形成領域に窓４５を形成する。
上に形成された下側の配線層４２をＰＳＧよりなる層間
絶縁膜４３により覆った後に、その表面にフォトレジス
ト４４を塗布して、これを露光、現像してコンタクトホ
ール形成領域に窓４５を形成する。
【０００６】この後に、窓４５から露出した層間絶縁膜
４３の上部を等方性エッチングにより除去して、図４
(b) に示すように、窓４５よりも広い窪み４６を形成す
る。次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により
層間絶縁膜４３を異方性エッチングして、下側の配線層
４２を露出させるコンタクトホール４７を形成すると、
コンタクトホール４７の上縁には窪み４６によりテーパ
４８が形成される。
４３の上部を等方性エッチングにより除去して、図４
(b) に示すように、窓４５よりも広い窪み４６を形成す
る。次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により
層間絶縁膜４３を異方性エッチングして、下側の配線層
４２を露出させるコンタクトホール４７を形成すると、
コンタクトホール４７の上縁には窪み４６によりテーパ
４８が形成される。
【０００７】そして、フォトレジスト４４を除去して層
間絶縁膜４３の上に上側の配線層（不図示）を形成すれ
ば、コンタクトホール４７のテーパ４８のためにカバレ
ッジが改善される。
間絶縁膜４３の上に上側の配線層（不図示）を形成すれ
ば、コンタクトホール４７のテーパ４８のためにカバレ
ッジが改善される。
【０００８】ところで、テーパ４８となる窪み４６を形
成する際の層間絶縁膜４３の等方性エッチングを管理す
る方法として、定期的にコンタクトホール４７を含む断
面写真を撮ってそのエッチング量を調べるようにしてい
る。
成する際の層間絶縁膜４３の等方性エッチングを管理す
る方法として、定期的にコンタクトホール４７を含む断
面写真を撮ってそのエッチング量を調べるようにしてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、断面写真によ
る方法は、日常管理としては時間がかかり過ぎて適当で
はない。
る方法は、日常管理としては時間がかかり過ぎて適当で
はない。
【００１０】また、日常管理としては、層間絶縁膜４３
の厚さ方向のエッチングレートを調べることが行われて
いるが、これにより横方向のエッチング量の不具合を発
見することはできていない。
の厚さ方向のエッチングレートを調べることが行われて
いるが、これにより横方向のエッチング量の不具合を発
見することはできていない。
【００１１】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、コンタクトホール上部のテーパの管理を
容易に行える半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
ものであって、コンタクトホール上部のテーパの管理を
容易に行える半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、コンタクトホールを形成する際の横方
向のエッチング量の管理のための第一の絶縁膜５を形成
する工程と、前記第一の絶縁膜５よりもエッチングレー
トが小さくて配線層の上の層間絶縁膜と同一材料よりな
る第二の絶縁膜６を、前記第一の絶縁膜５の上に形成す
る工程と、前記第二の絶縁膜６の表面にフォトレジスト
７を塗布する工程と、前記フォトレジスト７を露光、現
像して窓８を形成する工程と、前記窓８から露出した前
記第二の絶縁膜６と前記第一の絶縁膜５を連続的に等方
性エッチングすることにより、前記第一の絶縁膜５及び
前記第二の絶縁膜６に開口部１０を形成する工程と、前
記第一の絶縁膜５の横方向のエッチング量を半導体ウェ
ハ１の上から観察する工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法により達成する。
例示するように、コンタクトホールを形成する際の横方
向のエッチング量の管理のための第一の絶縁膜５を形成
する工程と、前記第一の絶縁膜５よりもエッチングレー
トが小さくて配線層の上の層間絶縁膜と同一材料よりな
る第二の絶縁膜６を、前記第一の絶縁膜５の上に形成す
る工程と、前記第二の絶縁膜６の表面にフォトレジスト
７を塗布する工程と、前記フォトレジスト７を露光、現
像して窓８を形成する工程と、前記窓８から露出した前
記第二の絶縁膜６と前記第一の絶縁膜５を連続的に等方
性エッチングすることにより、前記第一の絶縁膜５及び
前記第二の絶縁膜６に開口部１０を形成する工程と、前
記第一の絶縁膜５の横方向のエッチング量を半導体ウェ
ハ１の上から観察する工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法により達成する。
【００１３】または、前記第一の絶縁膜５の下には、前
記第二の絶縁膜６と同一材料よりなる第三の絶縁膜４が
形成され、かつ、該第三の絶縁膜４は、前記等方性エッ
チングの後に前記フォトレジスト７をマスクにして異方
性エッチングされることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法により達成する。
記第二の絶縁膜６と同一材料よりなる第三の絶縁膜４が
形成され、かつ、該第三の絶縁膜４は、前記等方性エッ
チングの後に前記フォトレジスト７をマスクにして異方
性エッチングされることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法により達成する。
【００１４】または、前記第一の絶縁膜５はＳＯＧによ
り形成され、前記第二の絶縁膜６はＰＳＧにより形成さ
れていることを特徴とする半導体装置の製造方法によっ
て達成する。
り形成され、前記第二の絶縁膜６はＰＳＧにより形成さ
れていることを特徴とする半導体装置の製造方法によっ
て達成する。
【００１５】
【作 用】本発明によれば、コンタクトホールを形成す
る際の横方向のエッチング量の管理のための第一の絶縁
膜５を形成し、その上に、第一の絶縁膜５よりもエッチ
ング速度が小さくて層間絶縁膜と同一材料の第二の絶縁
膜６を形成し、ついで、マスクを使用してそれらの絶縁
膜５，６を異方性エッチングするようにしている。
る際の横方向のエッチング量の管理のための第一の絶縁
膜５を形成し、その上に、第一の絶縁膜５よりもエッチ
ング速度が小さくて層間絶縁膜と同一材料の第二の絶縁
膜６を形成し、ついで、マスクを使用してそれらの絶縁
膜５，６を異方性エッチングするようにしている。
【００１６】このため、等方性エッチングによる第一の
絶縁膜５のエッチング部分の横方向の広がりは第二の絶
縁膜６のそれよりも大きく、しかもその広がりは金属顕
微鏡等によって容易に観察できる。
絶縁膜５のエッチング部分の横方向の広がりは第二の絶
縁膜６のそれよりも大きく、しかもその広がりは金属顕
微鏡等によって容易に観察できる。
【００１７】そして、そのエッチング量の測定により第
二の絶縁膜６の横方向のエッチングの程度が容易に推測
でき、これによりコンタクトホールのテーパの管理が簡
単になる。
二の絶縁膜６の横方向のエッチングの程度が容易に推測
でき、これによりコンタクトホールのテーパの管理が簡
単になる。
【００１８】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。 （ａ）本発明の第１実施例の説明 図１は、本発明の第１実施例を示す断面図、図２は、そ
の平面図である。
いて説明する。 （ａ）本発明の第１実施例の説明 図１は、本発明の第１実施例を示す断面図、図２は、そ
の平面図である。
【００１９】図において符号１は、半導体集積回路など
を形成するための半導体ウェハで、SiO2、Si3N4 等の絶
縁膜２の上にはアルミニウムよりなる配線層３が形成さ
れている。
を形成するための半導体ウェハで、SiO2、Si3N4 等の絶
縁膜２の上にはアルミニウムよりなる配線層３が形成さ
れている。
【００２０】まず、図１(a) に示すように、配線層３の
上に、ＣＶＤ法により下側のＰＳＧ(phospho-silicate
glass)膜４を８０００Åの厚さに成長し、この上にＳＯ
Ｇ(spin on glass) 膜５を５０００Åの膜厚に積層し、
さらに、膜厚５０００ÅのＰＳＧ膜６を形成する。
上に、ＣＶＤ法により下側のＰＳＧ(phospho-silicate
glass)膜４を８０００Åの厚さに成長し、この上にＳＯ
Ｇ(spin on glass) 膜５を５０００Åの膜厚に積層し、
さらに、膜厚５０００ÅのＰＳＧ膜６を形成する。
【００２１】そして、上側のＰＳＧ膜６の上にフォトレ
ジスト７を塗布し、これを露光、現像してコンタクト領
域の上に窓８を形成する。次に、ダウンフロー型マイク
ロ波プラズマエッチング装置（不図示）の反応室に半導
体ウェハ１を入れ、図１(b) に示すように、フォトレジ
スト７の窓８から露出した上側のＰＳＧ膜６とその下の
ＳＯＧ膜５までを等方性エッチングし、ＰＳＧ膜６にテ
ーパ９を有するコンタクトホール１０を形成するととも
に、ＳＯＧ膜５を横方向にサイドエッチングして溝Ｍを
形成する。
ジスト７を塗布し、これを露光、現像してコンタクト領
域の上に窓８を形成する。次に、ダウンフロー型マイク
ロ波プラズマエッチング装置（不図示）の反応室に半導
体ウェハ１を入れ、図１(b) に示すように、フォトレジ
スト７の窓８から露出した上側のＰＳＧ膜６とその下の
ＳＯＧ膜５までを等方性エッチングし、ＰＳＧ膜６にテ
ーパ９を有するコンタクトホール１０を形成するととも
に、ＳＯＧ膜５を横方向にサイドエッチングして溝Ｍを
形成する。
【００２２】この場合のエッチング条件の一例を示す
と、反応室内には、CF4 を５００〜１０００cc/min、Ｏ
2 を５０〜１５０cc/min、Arを１０〜１５０cc/minの流
量でそれぞれ導入する。また、エッチング室内の内部圧
力を１〜２Torr、半導体ウェハ１の上下に配置される電
極に印加する電圧の周波数を2.45GHz する。この条件に
よれば数百秒の時間でＳＯＧ膜５までをエッチングする
ことができる。
と、反応室内には、CF4 を５００〜１０００cc/min、Ｏ
2 を５０〜１５０cc/min、Arを１０〜１５０cc/minの流
量でそれぞれ導入する。また、エッチング室内の内部圧
力を１〜２Torr、半導体ウェハ１の上下に配置される電
極に印加する電圧の周波数を2.45GHz する。この条件に
よれば数百秒の時間でＳＯＧ膜５までをエッチングする
ことができる。
【００２３】次に、図１(c) に示すように、窓８から露
出した下側のＰＳＧ膜６をＲＩＥ法により異方性エッチ
ングしてコンタクトホール１０を垂直方向に深くする。
この場合の、異方性エッチングの条件としては、反応室
にCF4 を５０〜１００cc/min、 CHF3 を５０〜１００cc
/minで導入し、内部圧力を0.２〜0.７Torr、電極の電源
周波数を13.56MHzとする。
出した下側のＰＳＧ膜６をＲＩＥ法により異方性エッチ
ングしてコンタクトホール１０を垂直方向に深くする。
この場合の、異方性エッチングの条件としては、反応室
にCF4 を５０〜１００cc/min、 CHF3 を５０〜１００cc
/minで導入し、内部圧力を0.２〜0.７Torr、電極の電源
周波数を13.56MHzとする。
【００２４】以上のような工程によれば、図１(b) に示
すように、上側のＰＳＧ膜６では横方向に２０００〜３
０００Å程度エッチングされてコンタクトホール１０に
テーパ９がついただけだったが、エッチング速度の大き
なＳＯＧ膜５では、その２〜３倍、例えば７０００〜８
０００Åのサイドエッチングが生じ、これによる溝Ｍの
広がりＸはテーパ９の横の広がりＹよりも大きくなる。
また、下側のＰＳＧ膜４ではほぼ垂直にエッチングが行
われていることが判明した。
すように、上側のＰＳＧ膜６では横方向に２０００〜３
０００Å程度エッチングされてコンタクトホール１０に
テーパ９がついただけだったが、エッチング速度の大き
なＳＯＧ膜５では、その２〜３倍、例えば７０００〜８
０００Åのサイドエッチングが生じ、これによる溝Ｍの
広がりＸはテーパ９の横の広がりＹよりも大きくなる。
また、下側のＰＳＧ膜４ではほぼ垂直にエッチングが行
われていることが判明した。
【００２５】この場合のＳＯＧ膜５のサイドエッチング
の量は、上側のＰＳＧ膜６のテーパ９を広げるほど大き
くなる傾向にある。そして、ＳＯＧ膜５の等方性エッチ
ングにより形成される溝Ｍを、半導体ウェハ１の上から
金属顕微鏡を用いた目視により観察したところ、図２
(a) に示すコンタクトホール１０に対し、同図(b) に示
すように外方に向けて突起状の溝Ｍが複数発生している
ことが確かめられた。この場合、テーパ９の広がりを観
察することはできない。
の量は、上側のＰＳＧ膜６のテーパ９を広げるほど大き
くなる傾向にある。そして、ＳＯＧ膜５の等方性エッチ
ングにより形成される溝Ｍを、半導体ウェハ１の上から
金属顕微鏡を用いた目視により観察したところ、図２
(a) に示すコンタクトホール１０に対し、同図(b) に示
すように外方に向けて突起状の溝Ｍが複数発生している
ことが確かめられた。この場合、テーパ９の広がりを観
察することはできない。
【００２６】従って、コンタクトホール１０の上縁にテ
ーパ９を形成する場合に、金属顕微鏡により上側のＰＳ
Ｇ膜６のテーパ９を観察することはできないが、ＳＯＧ
膜５のサイドエッチングの広がりＸがわかるために、テ
ーパ９を形成する際の横方向のエッチング量は容易に推
測でき、横方向の等方性エッチング量の管理が簡単に行
えることになる。
ーパ９を形成する場合に、金属顕微鏡により上側のＰＳ
Ｇ膜６のテーパ９を観察することはできないが、ＳＯＧ
膜５のサイドエッチングの広がりＸがわかるために、テ
ーパ９を形成する際の横方向のエッチング量は容易に推
測でき、横方向の等方性エッチング量の管理が簡単に行
えることになる。
【００２７】即ち、溝Ｍの広がりＸが大きい場合には、
テーパ９の傾斜が緩やかになっているために、サイドエ
ッチング量が大きいと判断し、逆の場合にはテーパ９の
傾斜が急になると判断する。
テーパ９の傾斜が緩やかになっているために、サイドエ
ッチング量が大きいと判断し、逆の場合にはテーパ９の
傾斜が急になると判断する。
【００２８】なお、上記した工程はエッチング管理のた
めの工程として独立させる必要はなく、半導体装置の製
造工程中に同時に行ってもよい。また、上記したＰＳＧ
膜４，６やＳＯＧ膜５は、半導体集積回路形成領域の中
に形成する必要はなく、半導体集積回路が形成されない
半導体ウェハ１の余白等に形成してもよい。
めの工程として独立させる必要はなく、半導体装置の製
造工程中に同時に行ってもよい。また、上記したＰＳＧ
膜４，６やＳＯＧ膜５は、半導体集積回路形成領域の中
に形成する必要はなく、半導体集積回路が形成されない
半導体ウェハ１の余白等に形成してもよい。
【００２９】（ｂ）本発明の第２の実施例の説明 図３(a) は、本発明の第２実施例を示す断面図、同図
(b),(c) はその部分拡大断面図である。
(b),(c) はその部分拡大断面図である。
【００３０】図３において符号１１は、シリコンウェハ
１２に形成された素子分離用のＵ溝で、このＵ溝１１は
素子を形成しない領域で２つ接近して形成されている。
そして、Ｕ溝１１の底部と内周面には熱酸化法によりSi
O2膜１３が形成され、また、その中には多結晶シリコン
１４が充填され、さらに、その上部は、多結晶シリコン
１４を熱酸化して形成されたSiO2キャップ層１５により
覆われている。
１２に形成された素子分離用のＵ溝で、このＵ溝１１は
素子を形成しない領域で２つ接近して形成されている。
そして、Ｕ溝１１の底部と内周面には熱酸化法によりSi
O2膜１３が形成され、また、その中には多結晶シリコン
１４が充填され、さらに、その上部は、多結晶シリコン
１４を熱酸化して形成されたSiO2キャップ層１５により
覆われている。
【００３１】また、シリコンウェハ１２の表面のうち、
Ｕ溝１１に挟まれた領域を含む周辺にはSiO2膜１６が形
成されている。この状態で、まず、ＳＯＧ膜１７を塗布
してこれをエッチングし、Ｕ溝１１のキャップ層１５に
挟まれた領域に選択的にそのＳＯＧ膜１７を残存させ
る。
Ｕ溝１１に挟まれた領域を含む周辺にはSiO2膜１６が形
成されている。この状態で、まず、ＳＯＧ膜１７を塗布
してこれをエッチングし、Ｕ溝１１のキャップ層１５に
挟まれた領域に選択的にそのＳＯＧ膜１７を残存させ
る。
【００３２】この後に、図３(b) に示すように、ＣＶＤ
法によりＰＳＧ膜１８を形成し、さらに、フォトレジス
ト１９を塗布して、Ｕ溝１１に挟まれた領域に窓２０を
形成する。
法によりＰＳＧ膜１８を形成し、さらに、フォトレジス
ト１９を塗布して、Ｕ溝１１に挟まれた領域に窓２０を
形成する。
【００３３】ついで、窓２０から露出したＰＳＧ膜１８
とＳＯＧ膜１７を第１実施例と同様にして異方性エッチ
ングを行い、開口部２１を形成すると、ＳＯＧ膜１７は
図３(c) に示すような断面となる。この場合の平面形状
は、図２(b) と同じような平面形状となり、ＳＯＧ膜１
７のエッチング部分はＰＳＧ膜１８の開口部２１よりも
広がって形成されることになる。
とＳＯＧ膜１７を第１実施例と同様にして異方性エッチ
ングを行い、開口部２１を形成すると、ＳＯＧ膜１７は
図３(c) に示すような断面となる。この場合の平面形状
は、図２(b) と同じような平面形状となり、ＳＯＧ膜１
７のエッチング部分はＰＳＧ膜１８の開口部２１よりも
広がって形成されることになる。
【００３４】そして、第１実施例と同様に、ＰＳＧ膜１
８の開口部２１のテーパの広がりよりもＳＯＧ膜１７の
横方向のサイドエッチングの広がりの方が大きくなるの
で、その大きさを金属顕微鏡により上から観察すれば、
開口部２１周辺のテーパーの広がりが推測でき、これに
よりテーパの管理が容易になる。
８の開口部２１のテーパの広がりよりもＳＯＧ膜１７の
横方向のサイドエッチングの広がりの方が大きくなるの
で、その大きさを金属顕微鏡により上から観察すれば、
開口部２１周辺のテーパーの広がりが推測でき、これに
よりテーパの管理が容易になる。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、コン
タクトホールを形成する際の横方向のエッチング量の管
理のための第一の絶縁膜を形成し、その上に、第一の絶
縁膜よりもエッチング速度が小さくて層間絶縁膜と同一
材料の第二の絶縁膜を形成し、ついで、マスクを使用し
てそれらの絶縁膜を異方性エッチングするようにしてい
る。
タクトホールを形成する際の横方向のエッチング量の管
理のための第一の絶縁膜を形成し、その上に、第一の絶
縁膜よりもエッチング速度が小さくて層間絶縁膜と同一
材料の第二の絶縁膜を形成し、ついで、マスクを使用し
てそれらの絶縁膜を異方性エッチングするようにしてい
る。
【００３６】このため、等方性エッチングによる第一の
絶縁膜のエッチング部分の横方向の広がりは第二の絶縁
膜のそれよりも大きく、しかもその広がりは金属顕微鏡
等によって容易に観察できるために、そのエッチング量
の測定により第二の絶縁膜の横方向のエッチングの状態
が容易に推測でき、これによりコンタクトホールのテー
パの管理を簡単にすることができる。
絶縁膜のエッチング部分の横方向の広がりは第二の絶縁
膜のそれよりも大きく、しかもその広がりは金属顕微鏡
等によって容易に観察できるために、そのエッチング量
の測定により第二の絶縁膜の横方向のエッチングの状態
が容易に推測でき、これによりコンタクトホールのテー
パの管理を簡単にすることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す平面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図４】従来の一例を示す断面図である。
１ 半導体ウェハ ２ 絶縁膜 ３ 配線層 ４ ＰＳＧ膜 ５ ＳＯＧ膜 ６ ＰＳＧ膜 ７ フォトレジスト ８ 窓 ９ テーパ １０ コンタクトホール（開口部） Ｍ 溝 １１ Ｕ溝 １６ SiO2膜 １７ ＳＯＧ膜 １８ ＰＳＧ膜 １９ フォトレジスト ２０ 窓 ２１ 開口部
Claims (3)
- 【請求項１】コンタクトホールを形成する際の横方向の
エッチング量の管理のための第一の絶縁膜（５）を形成
する工程と、 前記第一の絶縁膜（５）よりもエッチングレートが小さ
くて配線層の上の層間絶縁膜と同一材料よりなる第二の
絶縁膜（６）を、前記第一の絶縁膜（５）の上に形成す
る工程と、 前記第二の絶縁膜（６）の表面にフォトレジスト（７）
を塗布する工程と、 前記フォトレジスト（７）を露光、現像して窓（８）を
形成する工程と、 前記窓（８）から露出した前記第二の絶縁膜（６）と前
記第一の絶縁膜（５）を連続的に等方性エッチングする
ことにより、前記第一の絶縁膜（５）及び前記第二の絶
縁膜（６）に開口部（１０）を形成する工程と、 前記第一の絶縁膜（５）の横方向のエッチング量を半導
体ウェハ（１）の上から観察する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記第一の絶縁膜（５）の下には、前記第
二の絶縁膜（６）と同一材料よりなる第三の絶縁膜
（４）が形成され、かつ、該第三の絶縁膜（４）は、前
記等方性エッチングの後に前記フォトレジスト（７）を
マスクにして異方性エッチングされることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記第一の絶縁膜（５）はＳＯＧにより形
成され、前記第二の絶縁膜（６）はＰＳＧにより形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145893A JPH05343347A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145893A JPH05343347A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343347A true JPH05343347A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15395492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4145893A Withdrawn JPH05343347A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343347A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460805B1 (ko) * | 1997-09-10 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 전압스트래스에의한수율저하를방지하기위한반도체장치의제조방법 |
| US7998876B2 (en) | 2009-03-31 | 2011-08-16 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method of producing semiconductor element |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP4145893A patent/JPH05343347A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460805B1 (ko) * | 1997-09-10 | 2005-05-27 | 삼성전자주식회사 | 전압스트래스에의한수율저하를방지하기위한반도체장치의제조방법 |
| US7998876B2 (en) | 2009-03-31 | 2011-08-16 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method of producing semiconductor element |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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