JPH0536751A - 半導体組立構造 - Google Patents
半導体組立構造Info
- Publication number
- JPH0536751A JPH0536751A JP3186710A JP18671091A JPH0536751A JP H0536751 A JPH0536751 A JP H0536751A JP 3186710 A JP3186710 A JP 3186710A JP 18671091 A JP18671091 A JP 18671091A JP H0536751 A JPH0536751 A JP H0536751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- reduced
- assembly structure
- semiconductor chip
- bonding pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】金属基板上に取り付けられた半導体チップのボ
ンディングパッドと、非金属きょう体上に形成された金
属電極とを接続する半導体組立構造において、ボンディ
ングパッド上に金属バンプを形成し、前記金属基板に非
金属きょう体をかぶせて密着させた後に加熱圧着封止す
ると同時に前記金属バンプと金属電極とを接続させてい
る。 【効果】半導体チップと外部電極との接続を金属バンプ
を用いて封止と同時に行なうことにより、接続のための
工程数、工事時間を削減することがでる。また接続媒体
によるインダクタンスを低減でき、かつ小形化が可能と
なるので、高周波特性の改善と組立完成後の大きさを小
さくできる。
ンディングパッドと、非金属きょう体上に形成された金
属電極とを接続する半導体組立構造において、ボンディ
ングパッド上に金属バンプを形成し、前記金属基板に非
金属きょう体をかぶせて密着させた後に加熱圧着封止す
ると同時に前記金属バンプと金属電極とを接続させてい
る。 【効果】半導体チップと外部電極との接続を金属バンプ
を用いて封止と同時に行なうことにより、接続のための
工程数、工事時間を削減することがでる。また接続媒体
によるインダクタンスを低減でき、かつ小形化が可能と
なるので、高周波特性の改善と組立完成後の大きさを小
さくできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波高電力用の半導体
素子をきょう体に封止する組立構造に関し、特に高周波
特性を改善した半導体組立構造に関する。
素子をきょう体に封止する組立構造に関し、特に高周波
特性を改善した半導体組立構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体組立構造は図２に
示す様に、半導体チップ１上に形成されたボンディング
ワイヤー９で接続する。この後でシールキャップ１０で
封止する組立構造となっていた。なお、大電力半導体の
場合には半導体チップ１はベースメタル２、ヒートシン
ク３の上に取り付けられている。
示す様に、半導体チップ１上に形成されたボンディング
ワイヤー９で接続する。この後でシールキャップ１０で
封止する組立構造となっていた。なお、大電力半導体の
場合には半導体チップ１はベースメタル２、ヒートシン
ク３の上に取り付けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
組立構造は、ワイヤボンディング工法による接続なの
で、ワイヤ接続点数が増加する程工程時間が増加し、か
つシールキャップによりきょう体を封止する工程も必要
である。また、中空に張られた金属細線であるボンディ
ングワイヤのインダクタンスによる特性劣化が生ずる欠
点がある。さらに、ワイヤボンディング接続の余地を確
保する必要があるためにきょう体が大きくなる欠点もあ
る。
組立構造は、ワイヤボンディング工法による接続なの
で、ワイヤ接続点数が増加する程工程時間が増加し、か
つシールキャップによりきょう体を封止する工程も必要
である。また、中空に張られた金属細線であるボンディ
ングワイヤのインダクタンスによる特性劣化が生ずる欠
点がある。さらに、ワイヤボンディング接続の余地を確
保する必要があるためにきょう体が大きくなる欠点もあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体の組立構
造は、は金属基板上に取り付けられた半導体チップのボ
ンディグパッドと、非金属きょう体上に形成された金属
電極とを接続する半導体組立構造において、前記ボンデ
ィングパッド上に金属バンプを形成し、前記金属基板に
前記非金属きょう体をかぶせて密着させた後に加熱圧着
封止すると同時に前記金属バンプと前記金属電極とを接
続させている。
造は、は金属基板上に取り付けられた半導体チップのボ
ンディグパッドと、非金属きょう体上に形成された金属
電極とを接続する半導体組立構造において、前記ボンデ
ィングパッド上に金属バンプを形成し、前記金属基板に
前記非金属きょう体をかぶせて密着させた後に加熱圧着
封止すると同時に前記金属バンプと前記金属電極とを接
続させている。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の断面図である。図１にお
いて、図２の従来例と同一の符号は同一の構成部品であ
る。半導体チップ１はベースメタル上にハードソルダ等
によりロウ付けされている。ハウジング４上に形成され
たメタライズ層６と半導体チップ１のボンディングパッ
ド１上に形成された金属バンプ８により接続される。す
なわち従来例のようなボンディングワイヤがないのでイ
ンダクタンス分が存在せず、ボンディングのスペースも
不要である。ベースメタル２とハウジング４との機能
は、ハウジング４の接触面をメタライズし、ハードソル
ダ等によりロウ付けされる。なお低融点ガラスによるグ
レイジング融着封止も金属バンプ８とメタライズ層６の
加熱圧着可能な温度範囲内において採用し得る工法であ
る。高電力の場合には、半導体チップ１とヒートシンク
３の間の熱抵抗を小さくし半導体チップの温度上昇を抑
える必要があるがベースメタイル２にヒートシンク３を
密着させる点については従来工法と何ら変わる所なく容
易に実施でき、極めて放熱効果は高い。また、金属バン
プ８による接続工数はその接続点数に左右されずに封止
工程と同時に短時間で完了する。
る。図１は本発明の一実施例の断面図である。図１にお
いて、図２の従来例と同一の符号は同一の構成部品であ
る。半導体チップ１はベースメタル上にハードソルダ等
によりロウ付けされている。ハウジング４上に形成され
たメタライズ層６と半導体チップ１のボンディングパッ
ド１上に形成された金属バンプ８により接続される。す
なわち従来例のようなボンディングワイヤがないのでイ
ンダクタンス分が存在せず、ボンディングのスペースも
不要である。ベースメタル２とハウジング４との機能
は、ハウジング４の接触面をメタライズし、ハードソル
ダ等によりロウ付けされる。なお低融点ガラスによるグ
レイジング融着封止も金属バンプ８とメタライズ層６の
加熱圧着可能な温度範囲内において採用し得る工法であ
る。高電力の場合には、半導体チップ１とヒートシンク
３の間の熱抵抗を小さくし半導体チップの温度上昇を抑
える必要があるがベースメタイル２にヒートシンク３を
密着させる点については従来工法と何ら変わる所なく容
易に実施でき、極めて放熱効果は高い。また、金属バン
プ８による接続工数はその接続点数に左右されずに封止
工程と同時に短時間で完了する。
【０００６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップと外部電極との接続を金属バンプを用いて封止と同
時に行うことにより、接続のための工程数、工事時間を
削減することができる。また接続媒体によるインダクタ
ンスを低減でき、かつ小形化が可能となるので、高周波
特性の改善と組立完成後の大きさを小さくできる効果が
ある。
ップと外部電極との接続を金属バンプを用いて封止と同
時に行うことにより、接続のための工程数、工事時間を
削減することができる。また接続媒体によるインダクタ
ンスを低減でき、かつ小形化が可能となるので、高周波
特性の改善と組立完成後の大きさを小さくできる効果が
ある。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】従来の半導体組立構造の断面図である。
１ 半導体チップ ２ ベースメタル ３ ヒートシンク ４ ハウジング ５ リードフレーム ６ メタライズ層 ７ ボンディングパッド ８ 金属バンプ ９ ボンディングワイヤ １０ シールキャップ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 金属基板上に取り付けられた半導体チッ
プのボンディグパッドと、非金属きょう体上に形成され
た金属電極とを接続する半導体組立構造において、前記
ボンディングパッド上に金属バンプを形成し、前記金属
基板に前記非金属きょう体をかぶせて密着させた後に加
熱圧着封止すると同時に前記金属バンプと前記金属電極
とを接続させていることを特徴とする半導体組立構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186710A JPH0536751A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体組立構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186710A JPH0536751A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体組立構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536751A true JPH0536751A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16193287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3186710A Pending JPH0536751A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体組立構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536751A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258932A (ja) * | 1985-04-24 | 1985-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその回路装置 |
| JPH02192743A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3186710A patent/JPH0536751A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258932A (ja) * | 1985-04-24 | 1985-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその回路装置 |
| JPH02192743A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3009788B2 (ja) | 集積回路用パッケージ | |
| JPH03225854A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| JP3336982B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2956786B2 (ja) | 合成ハイブリッド半導体ストラクチャ | |
| JP2792377B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0536751A (ja) | 半導体組立構造 | |
| JP2646989B2 (ja) | チップキャリア | |
| US6291893B1 (en) | Power semiconductor device for “flip-chip” connections | |
| TWI296839B (en) | A package structure with enhancing layer and manufaturing the same | |
| JPH0638458B2 (ja) | チツプキヤリアとその製造方法 | |
| JPH05315467A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH11135532A (ja) | 半導体チップ及び半導体装置 | |
| JP2770664B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4920214B2 (ja) | 電子部品用パッケージとその製造方法 | |
| JPS59111350A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2669310B2 (ja) | 半導体集積回路装置およびその実装方法 | |
| JP3051225B2 (ja) | 集積回路用パッケージ | |
| JPH0287655A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2531125B2 (ja) | Ｉｃチップキャリアモジュ―ル | |
| JPS61198656A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3049410B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2975783B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
| JPH0797616B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001308254A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS61134031A (ja) | 半導体素子用熱圧着装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961203 |