JPH0536865U - 薄膜基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄膜基板に使用する絶縁基材の表面に形成す
る感光性樹脂薄膜の厚さを一様なものとする基材構造を
得る。 【構成】 基材１の表面の全外周部にテーパー８を設け
たもので、この面に樹脂溶液を用いてスピンコートする
と膜厚の均一な樹脂薄膜２が得られる、薄膜基板はこの
樹脂薄膜２を基体としてこの上に導体薄膜パターンを形
成している。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は薄膜基板に関し、特に電子部品を搭載するために使用する薄膜基板に 関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

図４及び図５は従来の薄膜基板の一連の製造工程を示す要部模式断面図である 。図４は工程順に工程Ａ〜Ｅを示し、図５は図４に続く工程Ｆ〜Ｉを示す。なお 、工程Ｉに示す断面図が従来の薄膜基板の基準構成を示すものである。

【０００３】 図４，図５において、シリコン、セラミック等からなる板状絶縁性の基材１（ 工程Ａ）上に、後述のスピンコート法により感光性の樹脂薄膜２を形成し、（工 程Ｂ）、その上に、ガラス板にＣｒなどの金属薄膜により数μ〜数１０μの導体 パターンのネガあるいはポジパターンを形成してなるマスク７を密着あるいはマ スクパターン投影し（工程Ｃ）、紫外線あるいは電子線等を照射することにより 感光性の樹脂薄膜２中にマスク７のネガあるいはポジ潜像２ａを形成する（工程 Ｃ）。

【０００４】 ついで、感光性の樹脂薄膜２とその中に形成されたネガあるいはポジ潜像２ａ の感光性樹脂の現像液に対する溶解度の差を利用して数μ〜数１０μの微細な樹 脂パターン２ｂを現像した（工程Ｄ）。さらに、スパッタあるいは蒸着により全 面に数１００Ａ（オングストローム）のＣｕ等の金属導体薄膜３を形成してメッ キ電極とした後、このメッキ電極上にメッキレジスト薄膜４を形成した（工程Ｅ ）。メッキレジスト薄膜４上に前述と同様にしてマスク７ａを密着あるいはマス クパターン投影し、紫外線あるいは電子線を照射して、メッキレジスト薄膜４中 にマスク７ａのネガあるいはポジ潜像４ａを形成し、メッキレジスト薄膜４とネ ガあるいはポジ潜像４ａのメッキレジスト現像液の溶解度の差を利用して数μ〜 数１０μの微細なメッキレジストパターン４ｂを形成する（工程Ｇ）。

【０００５】 ついで、導体薄膜３のメッキレジストパターン４ｂの覆われていない領域に電 解メッキによりＣｕ等の厚付金属メッキ層５を形成した後、メッキレジストパタ ーン４ｂをメッキレジストの溶剤により除去し（工程Ｈ）、さらに、金属導体薄 膜３と厚付金属メッキ層５を一括してエッチングを行い、金属導体薄膜３と厚付 金属メッキ層５との厚さの差を利用して露出している金属導体薄膜３のみの部分 を除去し、金属導体薄膜３と厚付金属メッキ層５のみにより形成された数μ〜数 １０μの導体パターン６を形成した（工程Ｉ）。

【０００６】 以上のような工程Ａ〜Ｉにより基材１上に一層の導体パターン６を有する薄膜 基板の基準構成の形成が終了するが、実用される薄膜基板は工程Ｉから工程Ｂに 戻す工程を所定回繰り返すことにより電子デバイスを搭載するための多層薄膜か らなる薄膜基板の形成を完了する。

【０００７】 ここで、前述のスピンコート法について、図６のスピンコート法による感光性 樹脂の塗布状態の模式説明図を用いて、説明する。すなわち、上記のような製造 工程において、感光性樹脂及びレジスト等の均一な樹脂薄膜を形成する方法とし て、図６に示すように、基材１上に樹脂溶液２ｄを滴下し、所定時間、所定回転 数で基材１を回転させ、樹脂溶液２ｄの粘性と回転による遠心力により滴下した 樹脂溶液２ｄを基材全面に拡げ、さらに遠心力により過剰の樹脂溶液を振り切る 事により均一な例えば感光性樹脂薄膜２を得るスピンコート法が用いられている 。

【０００８】 なお、上述のスピンコート法では、遠心力により基材１上に滴下した樹脂溶融 ２ｄを基材全面に拡げ、さらに遠心力により余分な樹脂溶液２ｄを振り切ること で均一な樹脂薄膜２が形成されるが、遠心力と樹脂溶液の粘度との関係から、図 ６に示すように、基材１の外周部Ｂの樹脂薄膜２の膜厚が厚くなる。この樹脂薄 膜２に微細パターンを描くためにはあらかじめフォトマスク７を密着させ、紫外 線あるいは電子線を照射し、樹脂薄膜にフォトマスクパターンのネガあるいはポ ジ潜像２ａをつくるが、基材１の中央部Ａと基材１の外周部Ｂとの樹脂２の膜厚 が異なる為、基材１の中央部Ａにおいてフォトマスク７と樹脂薄膜２との間にギ ャップ１１が生じ、紫外線あるいは電子線を照射した際に紫外線あるいは電子線 の回り込みが発生し、樹脂薄膜２に形成される潜像２ａの解像度が低下する。従 来技術では基材１上に滴下した樹脂溶液２ｄを遠心力により基材１上に拡げた後 、一時的に基材１の回転数を上げ、遠心力により基材１の外周部Ｂに残った樹脂 を振り切る事により均一な樹脂薄膜２を得ていた。

【０００９】

【考案が解決しようとする課題】

上記のような基本構造からなる従来の薄膜基板では、前項でその製造方法を詳 しく説明したことから明らかなように、以下に示すような解決すべき問題点があ る。

【００１０】 （イ）一時的に基材１の回転数を上げ、基材１の外周部Ｂに残った樹脂を振り切 り、均一な樹脂薄膜２を得ようとした場合、遠心力だけでは基材１の外周部に残 った樹脂が完全には振り切れず、基材１の中央部Ａにおけるフォトマスク７と樹 脂薄膜２間のギャップ１１は完全になくならず、紫外線あるいは電子線を照射し た際に紫外線あるいは電子線の回り込みが発生し、樹脂薄膜２に形成される潜像 ２ａの解像度が低下する。

【００１１】 （ロ）一時的に基材１の回転数を上げ、基材１の外周部Ｂに残った樹脂を振り切 り、均一な樹脂薄膜２を得ようとした場合基材１の中心部Ａの樹脂薄膜２の膜厚 が遠心力により振り切られ、樹脂薄膜２と導体パターン６とを積層した場合、樹 脂薄膜２の膜厚が薄くなりすぎるため積層する導体パターン６の間の電気的絶縁 性が低下する。

【００１２】 本考案は、上記のような問題点すなわち（イ）基材の中央部Ａにおけるマスク と樹脂薄膜との密着性不足によるパターンの解像度低下、（ロ）基材の外周部Ｂ に残った樹脂薄膜を一時的に回転数を上げて振り切る場合の基材１の中心部Ａの 樹脂薄膜２の膜厚の減少による電気的絶縁性の低下という問題を解決するために なされたもので、基材の簡単な加工により上記の解像度及び絶縁性の低下を防止 した薄膜基板を提供することを目的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】

本考案に係る薄膜基板は、板状の絶縁性基材の表面に導体薄膜のパターンを形 成してなる電子部品搭載用の薄膜基板の基材表面に加工形状を有するものであっ て、第１の考案では基材表面側の全外周部にテーパーを設けたものであり、第２ の考案は上記のテーパーの代りに段差を設けたものであり、第３の考案は上記の テーパーの代りに溝を設けたものである。

【００１４】

【作用】

本考案においては、その第１、第２、第３の考案で、薄膜基板の板状基材全外 周部にあらかじめそれぞれテーパー、段差、溝を設けたものを使用するから、ス ピンコート法によって基材表面に樹脂薄膜を形成する際に、中央から外周部へス ピン拡散した樹脂（溶液）が極めて自然にテーパー部、段差部、溝部へ溜り込む ようになり、基材表面の主要部全面に膜厚の均一の樹脂薄膜が得られる。このた め、後工程におけるマスク面との密着性が向上するから、パターンの解像度は低 下しない。

【００１５】

【実施例】

図１は本考案による第１の実施例基材を説明する模式断面図、図２は同じく第 ２の実施例基材を説明する断面図、図３は同じく第３の実施例基材を説明する断 面図である。

【００１６】 図１〜３はいずれも基材１の上に感光性の樹脂薄膜２を前述のスピンコート法 により形成した場合に、この樹脂薄膜２とマスク７を密着させた有様を示してい る。

【００１７】 まず、図１は基材１の表面側全外周部に外周部へ向うにつれて板厚が薄くなる テーパー８を設けた場合を示したものである。また、図２は基材１の全外周部に 段差９を設けた場合を示した。さらに、図３は基材１の全外周部に極めて近い場 所に溝１０を設けた場合を示した。

【００１８】 以上のように、本考案による薄膜基板の基材の外周部Ｂに、テーパー８、段差 ９又は溝１０を設けることにより、樹脂溶液２ｄ（図６参照）がスピンコート法 により拡散した場合、外周部Ｂ上の樹脂溶液はスムーズにそれぞれテーパー部、 段差部、溝部へ溜り込むことになるので膜厚の均一な樹脂薄膜２が形成される。 このようにして基材１の外周部Ｂにおける樹脂の残りがなくなり、基材１の中央 部Ａにおけるフォトマスク７と樹脂薄膜２の密着が完全に行なわれることにより 樹脂薄膜２に形成されるフォトマスク７のネガあるいはポジ潜像２ａの解像度が 向上する。また、一時的に基材１の回転数を上げ、基材１の外周部Ｂに残った樹 脂を振り切る操作が省略できる為、基材１の中央部Ａの樹脂薄膜２の膜厚が確保 でき、樹脂薄膜２と導体パターン６を積層させた場合の導体パターン６間の電気 的絶縁性が確保できる。このため、本考案による基材１上に形成されたパターン の解像度及び導体パターン間の絶縁性低下という問題のない優れた薄膜基板が得 られる。

【００１９】

【考案の効果】

以上のように本考案によれば、基材の表面全外周部にテーパー、段差又は溝を 形成し、その上に導体薄膜のパターンを形成した均一厚さの薄膜基板を提供する ことができるから、マスクのネガ又はポジ潜像の解像度が低下しない高解像度で 、かつ、形成された多層の導体パターン間に絶縁不良のない優れた薄膜基板を得 ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案による第１の実施例基材を説明する模式
断面図である。

【図２】本考案による第２の実施例基材を示す模式断面
図である。

【図３】本考案による第３の実施例基材を示す模式断面
図である。

【図４】従来の薄膜基板の製造工程を示す工程Ａ〜Ｅの
断面図である。

【図５】図４につづく工程Ｆ〜Ｉの断面図である。

【図６】スピンコート法による樹脂薄膜形成説明図であ
る。

【符号の説明】

１ 基材 ２ 樹脂薄膜 ２ａ ポジ潜像 ２ｂ 樹脂パターン ３ 金属導体薄膜 ４ メッキレジスト薄膜 ４ａ ポジ潜像 ４ｂ メッキレジストパターン ５ 厚付金属メッキ層 ６ 導体パターン ７ マスク ８ テーパー ９ 段差 １０ 溝 １１ ギャップ

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 板状の絶縁性基材の表面に導体薄膜のパ
   ターンを有してなる電子部品搭載用の薄膜基板であっ
   て、 上記基材の表面側の全外周部にテーパーを設けたことを
   特徴とする薄膜基板。
2. 【請求項２】 テーパーの代りに段差を設けたことを特
   徴とする請求項１記載の薄膜基板。
3. 【請求項３】 テーパーの代りに溝を設けたことを特徴
   とする請求項１記載の薄膜基板。