JPH0539635Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0539635Y2 JPH0539635Y2 JP1986041711U JP4171186U JPH0539635Y2 JP H0539635 Y2 JPH0539635 Y2 JP H0539635Y2 JP 1986041711 U JP1986041711 U JP 1986041711U JP 4171186 U JP4171186 U JP 4171186U JP H0539635 Y2 JPH0539635 Y2 JP H0539635Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- cooling
- heat
- cooling mechanism
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Description
【考案の詳細な説明】
〔概要〕
本考案の半導体素子用冷却装置は、半導体素子
と冷却機構間に介在する伝熱板が、ハンダ付け等
の手段によつて半導体素子と一体化されるととも
に、冷却機構側に付設されたフランジを介して冷
却機構と着脱可能に構成されている。
と冷却機構間に介在する伝熱板が、ハンダ付け等
の手段によつて半導体素子と一体化されるととも
に、冷却機構側に付設されたフランジを介して冷
却機構と着脱可能に構成されている。
このため、半導体素子の冷却効率が著しく向上
して、該半導体素子の高密度実装が可能となる。
して、該半導体素子の高密度実装が可能となる。
本考案は大型電算機等に装備される半導体素子
用冷却装置の改良に関するものである。
用冷却装置の改良に関するものである。
第２図ａ，ｂは従来の半導体素子用冷却装置の
構成例を示す要部側断面図と部分拡大図である。
構成例を示す要部側断面図と部分拡大図である。
第２図ａに示すように、従来の半導体素子用冷
却装置は、伝熱板５およびベローズ等の可撓性弾
性構造体１を具備して成る冷却機構１０と、基板
２０上に実装された半導体素子３と前記伝熱板５
とを結合する熱伝導性弾性体２とによつて構成さ
れ、半導体素子３と熱伝導性弾性体２、そして熱
伝導性弾性体２と伝熱板５は、可撓性弾性構造体
１の矢印方向に押圧力により互いに密接させられ
る構成になつている。そして半導体素子３は、半
導体素子３→熱伝導性弾性体２→伝熱板５→冷却
水８という放熱経路を経て冷却される。
却装置は、伝熱板５およびベローズ等の可撓性弾
性構造体１を具備して成る冷却機構１０と、基板
２０上に実装された半導体素子３と前記伝熱板５
とを結合する熱伝導性弾性体２とによつて構成さ
れ、半導体素子３と熱伝導性弾性体２、そして熱
伝導性弾性体２と伝熱板５は、可撓性弾性構造体
１の矢印方向に押圧力により互いに密接させられ
る構成になつている。そして半導体素子３は、半
導体素子３→熱伝導性弾性体２→伝熱板５→冷却
水８という放熱経路を経て冷却される。
しかしながら、上記従来の半導体素子冷却装置
の場合は、第２図ｂに示すように、半導体素子３
と伝熱板５間の熱伝導が、熱伝導性弾性体２を介
して行われる構成になつているため、熱伝導性弾
性体２の表面の凹凸の影響で半導体素子３と熱伝
導性弾性体２間にエアギヤツプＧが生じる。そし
て該エアギヤツプＧが半導体素子３と伝熱板５間
の熱伝導率を劣化させる一大要因になつている。
の場合は、第２図ｂに示すように、半導体素子３
と伝熱板５間の熱伝導が、熱伝導性弾性体２を介
して行われる構成になつているため、熱伝導性弾
性体２の表面の凹凸の影響で半導体素子３と熱伝
導性弾性体２間にエアギヤツプＧが生じる。そし
て該エアギヤツプＧが半導体素子３と伝熱板５間
の熱伝導率を劣化させる一大要因になつている。
上記現象を防止するために、熱伝導性弾性体２
の表裏両面にシリコングリース等を塗布して、エ
アギヤツプＧを該グリースで埋めるといつた手段
も講じられてはいるが、もともと熱伝導性弾性体
２自体がシリコン系の合成ゴムで構成されている
こともあつて、従来構造で熱伝導性の向上は至難
とされていた。
の表裏両面にシリコングリース等を塗布して、エ
アギヤツプＧを該グリースで埋めるといつた手段
も講じられてはいるが、もともと熱伝導性弾性体
２自体がシリコン系の合成ゴムで構成されている
こともあつて、従来構造で熱伝導性の向上は至難
とされていた。
本考案は第１図の実施例に示すように、伝熱板
５と半導体素子３とを、ハンダ４等の低融点金属
で接合して一体構造にするとともに、該伝熱板５
と冷却機構１０とが、可撓性弾性構造体１の先端
部に付設したフランジ７を介して着脱可能に構成
されている。
５と半導体素子３とを、ハンダ４等の低融点金属
で接合して一体構造にするとともに、該伝熱板５
と冷却機構１０とが、可撓性弾性構造体１の先端
部に付設したフランジ７を介して着脱可能に構成
されている。
このように構成されたものにおいては、半導体
素子３と伝熱板５間のエアギヤツプＧが存在しな
くなると同時に、半導体素子３と冷却機構１０と
の着脱が容易化されるため、半導体素子の冷却効
率と冷却機構の実装作業効率とが大幅に向上す
る。
素子３と伝熱板５間のエアギヤツプＧが存在しな
くなると同時に、半導体素子３と冷却機構１０と
の着脱が容易化されるため、半導体素子の冷却効
率と冷却機構の実装作業効率とが大幅に向上す
る。
以下実施例図に基づいて本考案を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本考案による半導体素子用冷却装置の
一実施例を示す要部側断面図である。
一実施例を示す要部側断面図である。
第１図に示すように、本考案の半導体素子用冷
却装置は、基板２０上に実装された半導体素子３
と熱伝導用の伝熱板５とがハンダ４によつて接合
され、且つ該伝熱板５と冷却機構１０とが、可撓
性弾性構造体１の先端部に付設されたフランジ７
によつて前記伝熱板５と直接接合される構成にな
つている。図中、９はフランジ７と伝熱板５とを
結合するためのネジ、６はフランジ７と伝熱板５
間の気密を保つためのＯリングである。
却装置は、基板２０上に実装された半導体素子３
と熱伝導用の伝熱板５とがハンダ４によつて接合
され、且つ該伝熱板５と冷却機構１０とが、可撓
性弾性構造体１の先端部に付設されたフランジ７
によつて前記伝熱板５と直接接合される構成にな
つている。図中、９はフランジ７と伝熱板５とを
結合するためのネジ、６はフランジ７と伝熱板５
間の気密を保つためのＯリングである。
このように構成された本考案の半導体素子用冷
却装置によれば、半導体素子３で発生した熱が、
半導体素子３→ハンダ４→伝熱板５→冷却水８と
いう経路で放熱される。そして熱伝導の障害とな
るエアギヤツプＧは、前記第２図の従来例に示し
た熱伝導性弾性体２を使用しないため、必然的に
存在しなくなる。
却装置によれば、半導体素子３で発生した熱が、
半導体素子３→ハンダ４→伝熱板５→冷却水８と
いう経路で放熱される。そして熱伝導の障害とな
るエアギヤツプＧは、前記第２図の従来例に示し
た熱伝導性弾性体２を使用しないため、必然的に
存在しなくなる。
なお本半導体素子用冷却装置に使用されるハン
ダ４は、半導体素子３への熱的な影響を配慮し
て、溶融温度が、例えば80℃前後の低融点ハンダ
が用いられる。またＯリング６には、耐熱性の良
好な弾性体材料、例えばシリコン系のゴム等が用
いられる。
ダ４は、半導体素子３への熱的な影響を配慮し
て、溶融温度が、例えば80℃前後の低融点ハンダ
が用いられる。またＯリング６には、耐熱性の良
好な弾性体材料、例えばシリコン系のゴム等が用
いられる。
本考案は以上説明したように、半導体素子と伝
熱板とを熱伝導性の良いハンダで接合するととも
に、伝熱板と冷却機構とがフランジを介して着脱
可能に構成されているため。半導体素子の冷却効
率が向上して高密度実装が可能となる。また冷却
機構着脱時の作業も著しく容易化される。
熱板とを熱伝導性の良いハンダで接合するととも
に、伝熱板と冷却機構とがフランジを介して着脱
可能に構成されているため。半導体素子の冷却効
率が向上して高密度実装が可能となる。また冷却
機構着脱時の作業も著しく容易化される。
第１図は本考案による半導体素子用冷却装置の
一実施例を示す要部側断面図、第２図ａ，ｂは従
来の半導体素子冷却装置の構成例を示す要部側断
面図と部分拡大図である。 図中、１は可撓性弾性構造体、２は熱伝導性弾
性体、３は半導体素子、４はハンダ、５は伝熱
板、６はＯリング、７はフランジ、８は冷却水、
９はネジ、１０は冷却機構、２０は基板、Ｇはエ
アギヤツプ、をそれぞれ示す。
一実施例を示す要部側断面図、第２図ａ，ｂは従
来の半導体素子冷却装置の構成例を示す要部側断
面図と部分拡大図である。 図中、１は可撓性弾性構造体、２は熱伝導性弾
性体、３は半導体素子、４はハンダ、５は伝熱
板、６はＯリング、７はフランジ、８は冷却水、
９はネジ、１０は冷却機構、２０は基板、Ｇはエ
アギヤツプ、をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 可撓性弾性構造体１を有して成る冷却機構１０
と、基板２０に実装された半導体素子３とを、伝
熱板５を介して結合することによつて、該半導体
素子３の冷却を行う半導体素子用冷却装置の構成
において、 前記伝熱板５と半導体素子３とをハンダ４で接
合して一体構造にするとともに、伝熱板５と冷却
機構１０とを可撓性弾性構造体１の先端部に付設
したフランジ７によつて互いに着脱可能に構成し
たことを特徴とする半導体素子用冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986041711U JPH0539635Y2 (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986041711U JPH0539635Y2 (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62152454U JPS62152454U (ja) | 1987-09-28 |
| JPH0539635Y2 true JPH0539635Y2 (ja) | 1993-10-07 |
Family
ID=30856955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986041711U Expired - Lifetime JPH0539635Y2 (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0539635Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP1986041711U patent/JPH0539635Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62152454U (ja) | 1987-09-28 |
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