JPH0542102B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0542102B2 JPH0542102B2 JP58160089A JP16008983A JPH0542102B2 JP H0542102 B2 JPH0542102 B2 JP H0542102B2 JP 58160089 A JP58160089 A JP 58160089A JP 16008983 A JP16008983 A JP 16008983A JP H0542102 B2 JPH0542102 B2 JP H0542102B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- electron
- scanning
- objective lens
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はビームロツキング機能を備えた走査電
子顕微鏡に関する。
子顕微鏡に関する。
［従来技術］
近時、走査電子顕微鏡を用いて電子チヤンネリ
ングパターンを観察することにより、バルク状試
料の表面の結晶解析が広く行なわれている。電子
チヤンネリングパターンは平行度の良い電子線を
用いて、試料上における電子線の照射位置を一点
に固定したまま、電子線の入射角θ及び方位角φ
を走査して所謂ビームロツキングすると共に、こ
の走査に伴なつて得られた反射電子、二次電子等
の検出信号をこの走査に同期走査される陰極線管
等の表示手段に供給することによつて得られる。
ングパターンを観察することにより、バルク状試
料の表面の結晶解析が広く行なわれている。電子
チヤンネリングパターンは平行度の良い電子線を
用いて、試料上における電子線の照射位置を一点
に固定したまま、電子線の入射角θ及び方位角φ
を走査して所謂ビームロツキングすると共に、こ
の走査に伴なつて得られた反射電子、二次電子等
の検出信号をこの走査に同期走査される陰極線管
等の表示手段に供給することによつて得られる。
第１図ａ及びｂは各々走査電子顕微鏡におい
て、通常の走査像と電子チヤンネリングパターン
を得る場合の光線図を示すためのもので、両図に
おいて１は電子銃であり、２は集束レンズ、３は
対物レンズ、４は試料である。６はＸ方向及びＹ
方向用の一対の偏向コイルより成る第１段の偏向
器であり、同様に７は一対の偏向コイルより成る
第２段の偏向器であり、EBは電子線を示してい
る。これらの図から明らかなように、走査像観察
モードの場合には集束レンズ２により電子銃１の
クロスオーバー像５が形成され、この像５を対物
レンズ３により試料面Ｓ上に投影すると共に、偏
向器６及び７によりこの投影点を試料面Ｓ上にお
いて走査する。一方電子チヤンネリングパターン
観察モードにおいては、集束レンズ２を電子銃の
クロスオーバー像が対物レンズ３の前方焦点面８
に形成されるように励磁し、平行な電子線が試料
４に照射されるようにする。そこで、第１段の偏
向器６により電子線EBを偏向すると、クロスオ
ーバー像５′は対物レンズ３の前記焦点面８を移
動するため、試料４に入射する電子線EBは試料
４への入射点を光軸Ｃ上の一点に固定した状態で
入射角θ及び方位角φを変化させることができ
る。しかしながら、このような従来装置において
は、対物レンズの球面収差の影響及び対物レンズ
の物面が偏向器６の偏向主面と一致しないため、
電子線をロツキングすると、電子線の試料面上に
おける照射位置が実際には数10μｍ移動してしま
い、そのため試料の微小部分の解析をすることが
できなかつた。このような欠点を解決するため、
例えば、対物レンズに電子線の偏向角に応じた補
正電流を流すことが考えられるが、インダクタン
スの大きい対物レンズに直接補正電流を流すやり
方では対物レンズが高速の角度走査に応答しきれ
ず、このため球面収差の補正を充分に行えない。
また、別のやり方として、対物レンズの近傍に小
インダクタンスの補助レンズを配置し、この補助
レンズの励磁強度を電子線の偏向角に応じて変化
させ、電子線の試料への入射点が固定されるよう
にすることも考えられるが、補助レンズと対物レ
ンズの軸ずれの補正が繁雑であるばかりでなく、
補助レンズを設置することにより装置の製作費用
も高くなる。
て、通常の走査像と電子チヤンネリングパターン
を得る場合の光線図を示すためのもので、両図に
おいて１は電子銃であり、２は集束レンズ、３は
対物レンズ、４は試料である。６はＸ方向及びＹ
方向用の一対の偏向コイルより成る第１段の偏向
器であり、同様に７は一対の偏向コイルより成る
第２段の偏向器であり、EBは電子線を示してい
る。これらの図から明らかなように、走査像観察
モードの場合には集束レンズ２により電子銃１の
クロスオーバー像５が形成され、この像５を対物
レンズ３により試料面Ｓ上に投影すると共に、偏
向器６及び７によりこの投影点を試料面Ｓ上にお
いて走査する。一方電子チヤンネリングパターン
観察モードにおいては、集束レンズ２を電子銃の
クロスオーバー像が対物レンズ３の前方焦点面８
に形成されるように励磁し、平行な電子線が試料
４に照射されるようにする。そこで、第１段の偏
向器６により電子線EBを偏向すると、クロスオ
ーバー像５′は対物レンズ３の前記焦点面８を移
動するため、試料４に入射する電子線EBは試料
４への入射点を光軸Ｃ上の一点に固定した状態で
入射角θ及び方位角φを変化させることができ
る。しかしながら、このような従来装置において
は、対物レンズの球面収差の影響及び対物レンズ
の物面が偏向器６の偏向主面と一致しないため、
電子線をロツキングすると、電子線の試料面上に
おける照射位置が実際には数10μｍ移動してしま
い、そのため試料の微小部分の解析をすることが
できなかつた。このような欠点を解決するため、
例えば、対物レンズに電子線の偏向角に応じた補
正電流を流すことが考えられるが、インダクタン
スの大きい対物レンズに直接補正電流を流すやり
方では対物レンズが高速の角度走査に応答しきれ
ず、このため球面収差の補正を充分に行えない。
また、別のやり方として、対物レンズの近傍に小
インダクタンスの補助レンズを配置し、この補助
レンズの励磁強度を電子線の偏向角に応じて変化
させ、電子線の試料への入射点が固定されるよう
にすることも考えられるが、補助レンズと対物レ
ンズの軸ずれの補正が繁雑であるばかりでなく、
補助レンズを設置することにより装置の製作費用
も高くなる。
［発明の目的］
本発明はこのような従来の欠点を解決すべくな
されたもので、ビームロツキングに伴なう電子線
の照射位置の変動を防ぐことのできる操作性が良
く比較的構造簡単で製作コストの低廉な装置を提
供することを目的としている。
されたもので、ビームロツキングに伴なう電子線
の照射位置の変動を防ぐことのできる操作性が良
く比較的構造簡単で製作コストの低廉な装置を提
供することを目的としている。
［発明の構成］
本発明は、偏向器を制御して走査像と電子線ロ
ツキングによる電子チヤンネリングパターンを切
換えて観察できるようにした走査電子顕微鏡であ
つて、前記電子線ロツキングにおいては電子線の
試料に対する入射角θと方位角φを走査するよう
にした走査電子顕微鏡において、その電子線ロツ
キング状態における前記入射角θの最大値αを表
わす信号に基づいて、電子チヤンネリングパター
ン観察モードにおいて電子線を最大に傾斜させた
際に形成された最小錯乱円の位置を試料面の位置
に一致させる手段を具備したことを特徴としてい
る。
ツキングによる電子チヤンネリングパターンを切
換えて観察できるようにした走査電子顕微鏡であ
つて、前記電子線ロツキングにおいては電子線の
試料に対する入射角θと方位角φを走査するよう
にした走査電子顕微鏡において、その電子線ロツ
キング状態における前記入射角θの最大値αを表
わす信号に基づいて、電子チヤンネリングパター
ン観察モードにおいて電子線を最大に傾斜させた
際に形成された最小錯乱円の位置を試料面の位置
に一致させる手段を具備したことを特徴としてい
る。
［発明の作用］
以下、本発明において基本となつている考えを
第１図と同一の構成要素に対しては同一番号が付
された第２図及び第３図に基づいて説明する。
第１図と同一の構成要素に対しては同一番号が付
された第２図及び第３図に基づいて説明する。
第２図に示すように、走査像観察モードにおい
ては、対物レンズ３は光路Ｌ１で示すように前記
クロスオーバー像５の像を試料面Ｓ上に結像する
ように励磁されている。従つて、電子チヤンネリ
ングパターン観察モードに移行した際に対物レン
ズ３の励磁がそのままであるとすれば、第１の偏
向器６の偏向主面９はクロスオーバー像５より下
に配置されているから、第１の偏向器６によりロ
ツキングを行なうと、電子線は光路Ｌ２に示すよ
うに試料面ＳによりΔf下側の点１０を中心とし
てロツキングするはずであり、そのため、試料面
Ｓ上では電子線の入射点が変動する。更に、第２
図においては対物レンズ３の球面収差を考慮しな
かつたが、実際には球面収差があるため、ロツキ
ングに伴なう入射点の変動はより大きなものとな
る。即ち第３図に示すように、第１の偏向器６の
偏向主面９と光軸Ｃとの交点から発した近軸光線
Ｌ２、Ｌ２′は試料面Ｓより下の前記点１０に集
束するが、高次軌道Ｌ３，Ｌ３′の光線は対物レ
ンズ３の球面収差のため試料面Ｓより上方の点
Cmに集束し、この点Cmにロツキングの際に照
射位置の動きの最も少ない点（最小錯乱円）がで
きる。従つて、試料面Ｓの位置をこの点Cmに合
せることができれば、電子線照射位置のロツキン
グに伴なう変動を最小にすることができる。
ては、対物レンズ３は光路Ｌ１で示すように前記
クロスオーバー像５の像を試料面Ｓ上に結像する
ように励磁されている。従つて、電子チヤンネリ
ングパターン観察モードに移行した際に対物レン
ズ３の励磁がそのままであるとすれば、第１の偏
向器６の偏向主面９はクロスオーバー像５より下
に配置されているから、第１の偏向器６によりロ
ツキングを行なうと、電子線は光路Ｌ２に示すよ
うに試料面ＳによりΔf下側の点１０を中心とし
てロツキングするはずであり、そのため、試料面
Ｓ上では電子線の入射点が変動する。更に、第２
図においては対物レンズ３の球面収差を考慮しな
かつたが、実際には球面収差があるため、ロツキ
ングに伴なう入射点の変動はより大きなものとな
る。即ち第３図に示すように、第１の偏向器６の
偏向主面９と光軸Ｃとの交点から発した近軸光線
Ｌ２、Ｌ２′は試料面Ｓより下の前記点１０に集
束するが、高次軌道Ｌ３，Ｌ３′の光線は対物レ
ンズ３の球面収差のため試料面Ｓより上方の点
Cmに集束し、この点Cmにロツキングの際に照
射位置の動きの最も少ない点（最小錯乱円）がで
きる。従つて、試料面Ｓの位置をこの点Cmに合
せることができれば、電子線照射位置のロツキン
グに伴なう変動を最小にすることができる。
いま、試料面Ｓと最小撹乱円が形成される点
Cmとの距離をΔF、Csを対物レンズ３の球面収
差係数、αを前記θの最大値であるロツキング角
度、Z0、Z0′をクロスオーバー像５と対物レンズ
３及び第１の偏向器６と対物レンズ３との距離、
Zi、Zi′を各々対物レンズ３と試料面Ｓとの距離
及び対物レンズ３と前記偏向主面９の像１０との
距離、ｄを最小錯乱円の直径とすれば、 １／Z0＋1Zi＝１／Z0′＋１／Zi′ Zi′−Zi＝Δf 一方 ΔF＋Δf＝3/4・Cs・α2 ｄ＝1/2・Cs・α3 であるから、 ΔF＝３／４Csα2−Zi2（Z0−Z0′）／Z0Z0′＋Z
0′Zi−Z0Zi……(1) となる。電子線プローブ電流を一定として時、(1)
式の第２項は定数となり、又対物レンズ３の励磁
強度を変化させた際の球面収差係数Csの変化も
無視できる程小さいため、ΔFは実用上ロツキン
グ角αのみに依存すると見なし得る。そこで、観
察モードを走査像モードから電子チヤンネリング
パターンモードに切換えるのに伴なつて対物レン
ズ３の焦点と試料面Ｓとの距離を前記(1)式で与え
られるΔFに相当する分だけ変化させるようにす
れば、ロツキングに伴なう電子線照射点の移動を
最小に抑えて微小領域の解析をすることができ
る。
Cmとの距離をΔF、Csを対物レンズ３の球面収
差係数、αを前記θの最大値であるロツキング角
度、Z0、Z0′をクロスオーバー像５と対物レンズ
３及び第１の偏向器６と対物レンズ３との距離、
Zi、Zi′を各々対物レンズ３と試料面Ｓとの距離
及び対物レンズ３と前記偏向主面９の像１０との
距離、ｄを最小錯乱円の直径とすれば、 １／Z0＋1Zi＝１／Z0′＋１／Zi′ Zi′−Zi＝Δf 一方 ΔF＋Δf＝3/4・Cs・α2 ｄ＝1/2・Cs・α3 であるから、 ΔF＝３／４Csα2−Zi2（Z0−Z0′）／Z0Z0′＋Z
0′Zi−Z0Zi……(1) となる。電子線プローブ電流を一定として時、(1)
式の第２項は定数となり、又対物レンズ３の励磁
強度を変化させた際の球面収差係数Csの変化も
無視できる程小さいため、ΔFは実用上ロツキン
グ角αのみに依存すると見なし得る。そこで、観
察モードを走査像モードから電子チヤンネリング
パターンモードに切換えるのに伴なつて対物レン
ズ３の焦点と試料面Ｓとの距離を前記(1)式で与え
られるΔFに相当する分だけ変化させるようにす
れば、ロツキングに伴なう電子線照射点の移動を
最小に抑えて微小領域の解析をすることができ
る。
［実施例］
本発明は上述した考えに基づきもので、以下、
図面に基づき本発明の実施例を詳述する。
図面に基づき本発明の実施例を詳述する。
第４図は本発明の一実施例を示すためのもの
で、第４図においては第１図と同一の構成要素に
対しては同一番号が付されている。
で、第４図においては第１図と同一の構成要素に
対しては同一番号が付されている。
図中１１は走査信号発生回路であり、この回路
１１よりの走査信号は各々増幅率可変増幅器１２
及び１３を介して第１及び第２の偏向器６，７に
供給できるようになつていると共に、陰極線管１
４に偏向コイルＤに供給されている。１５は観察
モードを走査像観察モードと電子チヤンネリング
パターン観察モードとの間で切換えるに伴なつ
て、走査信号の第２の偏向器７への供給を制御す
るためのスイツチ回路である。１６は電子チヤン
ネリングパターンを観察する際に、電子線のロツ
キング角度を指定するための信号を発生するロツ
キング角度指定信号発生回路であり、この回路１
６よりの信号は増幅率可変増幅器１２に供給され
ている。１７及び１８は各々集束及び対物レンズ
２，３の励磁電源である。対物レンズ励磁電源１
８は励磁制御回路１９よりの制御信号に基づいて
制御される。励磁制御回路１９は走査像観察用の
励磁指定信号を発生する第１の回路１９ａと電子
チヤンネリングパターン観察用の励磁指定信号を
発生する第２の回路１９ｂと、回路１９よりの出
力信号をこれら２つの回路１９ａ，１９ｂの出力
信号間で切換えるためのスイツチ回路１９ｃとよ
り成つている。回路１９ｂには前記ロツキング角
度指定信号発生回路１６によりのロツキング角度
αを表わす信号が供給されており、この回路１９
ｂはこの回路１６よりの指定信号に基づいて、回
路１９ａが指定する位置より第(1)式のΔFだけ遠
い位置に最小錯乱円Cmを形成するように対物レ
ンズ３を励磁するための信号を発生する。又、前
記スイツチ回路１５とスイツチ１９ｃとは連動す
るようになつている。２０は電子線EBの試料４
への照射によつて、試料４より発生した反射電子
等を検出するための検出器であり、この検出器２
０よりの出力信号は増幅器２１を介して前記陰極
線管１４に輝度信号として供給されている。
１１よりの走査信号は各々増幅率可変増幅器１２
及び１３を介して第１及び第２の偏向器６，７に
供給できるようになつていると共に、陰極線管１
４に偏向コイルＤに供給されている。１５は観察
モードを走査像観察モードと電子チヤンネリング
パターン観察モードとの間で切換えるに伴なつ
て、走査信号の第２の偏向器７への供給を制御す
るためのスイツチ回路である。１６は電子チヤン
ネリングパターンを観察する際に、電子線のロツ
キング角度を指定するための信号を発生するロツ
キング角度指定信号発生回路であり、この回路１
６よりの信号は増幅率可変増幅器１２に供給され
ている。１７及び１８は各々集束及び対物レンズ
２，３の励磁電源である。対物レンズ励磁電源１
８は励磁制御回路１９よりの制御信号に基づいて
制御される。励磁制御回路１９は走査像観察用の
励磁指定信号を発生する第１の回路１９ａと電子
チヤンネリングパターン観察用の励磁指定信号を
発生する第２の回路１９ｂと、回路１９よりの出
力信号をこれら２つの回路１９ａ，１９ｂの出力
信号間で切換えるためのスイツチ回路１９ｃとよ
り成つている。回路１９ｂには前記ロツキング角
度指定信号発生回路１６によりのロツキング角度
αを表わす信号が供給されており、この回路１９
ｂはこの回路１６よりの指定信号に基づいて、回
路１９ａが指定する位置より第(1)式のΔFだけ遠
い位置に最小錯乱円Cmを形成するように対物レ
ンズ３を励磁するための信号を発生する。又、前
記スイツチ回路１５とスイツチ１９ｃとは連動す
るようになつている。２０は電子線EBの試料４
への照射によつて、試料４より発生した反射電子
等を検出するための検出器であり、この検出器２
０よりの出力信号は増幅器２１を介して前記陰極
線管１４に輝度信号として供給されている。
このような構成において、まず走査線を観察し
ようとする際には、スイツチ回路１５及び１９ｃ
を第４図の点線のように接続すると共に、励磁電
源１７を切換えて集束レンズ２により電子銃１の
像が第１図ａの点５に形成されるようにする。そ
のため、対物レンズ３はクロスオーバー像５の像
を試料面Ｓ上に結像するように励磁される。又、
増幅器可変増幅器１２，１３の増幅率を図示外の
制御手段により走査像観察用の所定の値に切換え
る。そこで、走査信号発生回路１１より鋸歯状の
走査信号を発生すれば、電子線は試料面上を二次
元的に走査し、この走査に伴なつて検出器２０よ
り得られた検出信号は陰極線管１４に供給される
ため、陰極線管１４には通常の走査像が表示され
る。次に電子チヤンネリングパターンを観察しよ
うとする際には、スイツチ回路１９ｃを第４図に
おいて実線で示すように接続すると共に、スイツ
チ回路１５を非導通状態に切換える。更に、集束
レンズ２を第１図ｂに示すように、電子銃１のク
ロスオーバー像が対物レンズの前方焦点面８に形
成するように励磁する。又、対物レンズの励磁電
源１８は第２の励磁指定信号発生回路１９よりの
励磁指定信号に基づいて励磁されるため、対物レ
ンズ３は最小錯乱円Cmが第１図に示す場合より
前記ΔFだけ遠い位置に来るように励磁される。
そこで、走査信号発生回路１より走査信号を供給
すれば、この走査信号は第１の偏向器６に供給さ
れ、その結果、電子銃１のクロスオーバー像５′
が対物レンズの前方焦点面８を走査するため、電
子線に試料４への入射点を固定した状態で入射角
θ及び方位角φが走査される。そこで、検出器２
０より出力信号に基づいて陰極線管１４には電子
チヤンネリングパターンが表示されるが、対物レ
ンズ３の焦点距離は、走査像観察モードの場合よ
りも前記ΔFに相当する分だけ長くされているた
め、前記最小錯乱円が形成される点CmもΔFだけ
移動して、丁度試料面Ｓの位置と一致することに
なる。従つて、試料面Ｓにおける電子線入射点の
移動の最小に抑えることができる。
ようとする際には、スイツチ回路１５及び１９ｃ
を第４図の点線のように接続すると共に、励磁電
源１７を切換えて集束レンズ２により電子銃１の
像が第１図ａの点５に形成されるようにする。そ
のため、対物レンズ３はクロスオーバー像５の像
を試料面Ｓ上に結像するように励磁される。又、
増幅器可変増幅器１２，１３の増幅率を図示外の
制御手段により走査像観察用の所定の値に切換え
る。そこで、走査信号発生回路１１より鋸歯状の
走査信号を発生すれば、電子線は試料面上を二次
元的に走査し、この走査に伴なつて検出器２０よ
り得られた検出信号は陰極線管１４に供給される
ため、陰極線管１４には通常の走査像が表示され
る。次に電子チヤンネリングパターンを観察しよ
うとする際には、スイツチ回路１９ｃを第４図に
おいて実線で示すように接続すると共に、スイツ
チ回路１５を非導通状態に切換える。更に、集束
レンズ２を第１図ｂに示すように、電子銃１のク
ロスオーバー像が対物レンズの前方焦点面８に形
成するように励磁する。又、対物レンズの励磁電
源１８は第２の励磁指定信号発生回路１９よりの
励磁指定信号に基づいて励磁されるため、対物レ
ンズ３は最小錯乱円Cmが第１図に示す場合より
前記ΔFだけ遠い位置に来るように励磁される。
そこで、走査信号発生回路１より走査信号を供給
すれば、この走査信号は第１の偏向器６に供給さ
れ、その結果、電子銃１のクロスオーバー像５′
が対物レンズの前方焦点面８を走査するため、電
子線に試料４への入射点を固定した状態で入射角
θ及び方位角φが走査される。そこで、検出器２
０より出力信号に基づいて陰極線管１４には電子
チヤンネリングパターンが表示されるが、対物レ
ンズ３の焦点距離は、走査像観察モードの場合よ
りも前記ΔFに相当する分だけ長くされているた
め、前記最小錯乱円が形成される点CmもΔFだけ
移動して、丁度試料面Ｓの位置と一致することに
なる。従つて、試料面Ｓにおける電子線入射点の
移動の最小に抑えることができる。
尚、上述した実施例は、本発明の一実施例に過
ぎず、幾多の他の態様で実施しても良い。
ぎず、幾多の他の態様で実施しても良い。
例えば、上述した実施例においては、対物レン
ズの焦点距離を変化させるようにしたが、観察モ
ードを切換えるに際して、逆に試料の方を光軸方
向にΔFだけ自動的に移動させるように構成して
も良い。
ズの焦点距離を変化させるようにしたが、観察モ
ードを切換えるに際して、逆に試料の方を光軸方
向にΔFだけ自動的に移動させるように構成して
も良い。
［効果］
本発明の走査電子顕微鏡は、電子線ロツキング
状態における前記入射角θの最大値αを表わす信
号に基づいて、電子チヤンネリングパターン観察
モードにおいて電子線を最大に傾斜させた際に形
成された最小錯乱円の位置を試料面の位置に一致
させる手段を具備しているので、電子線の入射点
をほとんど移動させることなく電子線をロツキン
グして、微小領域の電子チヤンネリングパターン
を観察することができ、補助レンズを設置しない
ので、補助レンズと対物レンズの軸合わせを行う
必要がなくなり、操作性が向上する。また、補助
レンズを設置しないので、比較的構造が簡単で製
作コストの低い装置を提供することができる。
状態における前記入射角θの最大値αを表わす信
号に基づいて、電子チヤンネリングパターン観察
モードにおいて電子線を最大に傾斜させた際に形
成された最小錯乱円の位置を試料面の位置に一致
させる手段を具備しているので、電子線の入射点
をほとんど移動させることなく電子線をロツキン
グして、微小領域の電子チヤンネリングパターン
を観察することができ、補助レンズを設置しない
ので、補助レンズと対物レンズの軸合わせを行う
必要がなくなり、操作性が向上する。また、補助
レンズを設置しないので、比較的構造が簡単で製
作コストの低い装置を提供することができる。
第１図ａ及びｂは従来装置における各々、走査
像観察モード及び電子チヤンネリングパターン観
察モードの光線図、第２図及び第３図は本発明の
基本的考えを説明するための図、第４図は本発明
の一実施例を示すための図である。 １：電子銃、２：集束レンズ、３：対物レン
ズ、４：試料、５：走査像観察モードにおける電
子銃のクロスオーバー像、５′：電子チヤンネリ
ングパターン観察モードにおける電子銃のクロス
オーバー像、６，７：偏向器、１１：走査信号発
生回路、１２，１３：増幅率可変増幅器、１４：
陰極線管、１５，１９ｃ：スイツチ回路、１６：
ロツキング角度指定信号発生回路、１７，１８：
励磁電源、１９：励磁制御回路、１９ａ，１９
ｂ：励磁指定信号発生回路、２０：検出器、Ｃ：
光軸、Cm：最小錯乱円が存在する点、Ｓ：試料
面。
像観察モード及び電子チヤンネリングパターン観
察モードの光線図、第２図及び第３図は本発明の
基本的考えを説明するための図、第４図は本発明
の一実施例を示すための図である。 １：電子銃、２：集束レンズ、３：対物レン
ズ、４：試料、５：走査像観察モードにおける電
子銃のクロスオーバー像、５′：電子チヤンネリ
ングパターン観察モードにおける電子銃のクロス
オーバー像、６，７：偏向器、１１：走査信号発
生回路、１２，１３：増幅率可変増幅器、１４：
陰極線管、１５，１９ｃ：スイツチ回路、１６：
ロツキング角度指定信号発生回路、１７，１８：
励磁電源、１９：励磁制御回路、１９ａ，１９
ｂ：励磁指定信号発生回路、２０：検出器、Ｃ：
光軸、Cm：最小錯乱円が存在する点、Ｓ：試料
面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 偏向器を制御して走査像と電子線ロツキング
による電子チヤンネリングパターンを切換えて観
察できるようにした走査電子顕微鏡であつて、前
記電子線ロツキングにおいては電子線の試料に対
する入射角θと方位角φを走査するようにした走
査電子顕微鏡において、その電子線ロツキング状
態における前記入射角θの最大値αを表わす信号
に基づいて、電子チヤンネリングパターン観察モ
ードにおいて電子線を最大に傾斜させた際に形成
される最小錯乱円の位置を試料面の位置に一致さ
せる手段を具備したことを特徴とする走査電子顕
微鏡。 ２ 前記電子線ロツキング状態における前記入射
角θの最大値αを表わす信号に基づいて、電子チ
ヤンネリングパターン観察モードにおいて電子線
を最大に傾斜させた際に形成される最小錯乱円の
位置を試料面の位置に一致させる手段は、対物レ
ンズの焦点距離を変化させる手段から成る特許請
求の範囲第１項記載の走査電子顕微鏡。 ３ 前記電子線ロツキング状態における前記入射
角θの最大値αを表わす信号に基づいて、電子チ
ヤンネリングパターン観察モードにおいて電子線
を最大に傾斜させた際に形成される最小錯乱円の
位置を試料面の位置に一致させる手段は、試料を
光軸に沿つて機械的に移動させる手段から成る特
許請求の範囲第１項記載の走査電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160089A JPS6050850A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160089A JPS6050850A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050850A JPS6050850A (ja) | 1985-03-20 |
| JPH0542102B2 true JPH0542102B2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=15707617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58160089A Granted JPS6050850A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050850A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5945173B2 (ja) * | 1979-10-05 | 1984-11-05 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
| JPS5765656A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-21 | Hitachi Ltd | Limited view diffraction image device |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58160089A patent/JPS6050850A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6050850A (ja) | 1985-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0641011B1 (en) | An electron beam apparatus | |
| US7385197B2 (en) | Electron beam apparatus and a device manufacturing method using the same apparatus | |
| US4044254A (en) | Scanning corpuscular-beam transmission type microscope including a beam energy analyzer | |
| JP2002033068A (ja) | 荷電粒子ビーム欠陥検査装置及び方法 | |
| JPS614144A (ja) | 電子顕微鏡による回折パタ−ン表示方法 | |
| JP2964873B2 (ja) | 電子線光軸合わせ装置 | |
| JP3351647B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP3429988B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH0234139B2 (ja) | ||
| JPH0542102B2 (ja) | ||
| JP2002245960A (ja) | 荷電粒子ビーム装置及びそのような装置を用いたデバイス製造方法 | |
| JP4192290B2 (ja) | 荷電粒子線写像投影光学系及びその調整方法 | |
| JPS6261253A (ja) | 電子線装置 | |
| JP3202857B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置における焦点合わせ方法および装置 | |
| JP3112541B2 (ja) | 電子ビーム装置における非点補正方法 | |
| JPH0448627Y2 (ja) | ||
| JPS6364255A (ja) | 粒子線照射装置 | |
| JPH06290726A (ja) | 荷電粒子ビーム用集束装置 | |
| JPS62184750A (ja) | 電子線装置 | |
| JP2001076659A (ja) | 荷電粒子ビーム顕微鏡、欠陥検査装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS586267B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH035022B2 (ja) | ||
| JPH04522Y2 (ja) | ||
| JP2000048749A (ja) | 走査電子顕微鏡および電子ビームの軸合わせ方法 | |
| JPH0320942A (ja) | 走査電子顕微鏡 |