JPH0543055Y2 - - Google Patents

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JPH0543055Y2
JPH0543055Y2 JP1985021762U JP2176285U JPH0543055Y2 JP H0543055 Y2 JPH0543055 Y2 JP H0543055Y2 JP 1985021762 U JP1985021762 U JP 1985021762U JP 2176285 U JP2176285 U JP 2176285U JP H0543055 Y2 JPH0543055 Y2 JP H0543055Y2
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JP
Japan
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heat treatment
vacuum heat
treatment tank
valve
vacuum
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、真空熱処理装置に関し、特に、固体
電解コンデンサ素子の陽極体の真空焼結装置構造
の改良に関する。
〔従来の技術〕
従来、固体電解コンデンサ素子の製造工程の一
過程の真空焼結で使用する真空熱処理装置の構成
は、第2図のブロツク図に示す如く、真空仕切弁
で開口部をそれぞれ閉塞した低真空熱処理槽1
と、高真空熱処理槽2と真空冷却槽(図示省略)
とを順次真空仕切弁を介して連結させて配設し、
それぞれの槽に独立した状態で排気系統を配設し
ている。
この真空熱処理装置の低真空熱処理槽1には、
本引きバルブ4、拡散ポンプ5、補助バルブ6を
順次連結してなる高真空排気系統と、粗引きバル
ブ13、ワツクストラツプ7、補助バルブ6を順
次連結してなるワツクストラツプ系統の二系列を
併設して有し、この二系列の背圧を維持するため
一対の補助バルブ6に、メカニカルポンプ8、油
回転ポンプ9が順次連結されている。
一方、高真空熱処理槽2側には、本引きバルブ
4、拡散ポンプ5、補助バルブ6の高真空排気系
統と背圧を維持するためのメカニカルポンプ8、
油回転ポンプ9が順次連結されている。
まず、大気中より真空仕切弁3aを介して、低
真空熱処理槽1に搬入された弁作用金属粉末の成
形体10はワツクストラツプ系統を動作した低真
空雰囲気で熱処理する。
熱処理が完了すると、低真空熱処理槽1の排気
系統は、ワツクストラツプ系統から高真空排気系
統に切換えて、低真空熱処理槽1の真空雰囲気を
高真空熱処理槽2と同程度の真空度になるまで高
真空排気系統を動作させ排気する。続いて、真空
仕切弁3bを開き、成形体10を真空熱処理槽2
に移送する。
〔考案が解決しようとする問題点〕
上述した従来の真空熱処理装置は、成形体10
が低真空熱処理槽1から高真空熱処理槽2に移送
される際に、これら両槽が同圧になり、低真空熱
処理槽1内で加熱分解させ発生した不純物が高真
空熱処理槽2に持ち込まれることにより、高真空
熱処理槽2の内部にワツクス等の不純物が付着す
る。このため高真空熱処理槽内の真空度の低下を
招く欠点を有していた。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案の目的は、かかる従来欠点を改良した真
空熱処理装置を提供することにある。
本考案によれば、真空仕切弁を介して低真空熱
処理槽と高真空熱処理槽とを連結してなる真空熱
処理装置において、上記高真空熱処理槽に、不活
性ガス導入弁を介して不活性ガス流量調整弁を連
結接続させたことを特徴とする真空熱処理装置が
得られる。
〔実施例〕
以下、本考案の実施例について第1図を参照し
て説明する。
第1図に示すように、開口部を真空仕切弁3a
と3bに閉塞された低真空熱処理槽1側には、粗
引きバルブ13、ワツクストラツプ7、補助バル
ブ6を順次連結してなるワツクストラツク系統
と、このワツクストラツプ系統を排気するため補
助バルブ6の次にメカニカルポンプ8、油回転ポ
ンプ9を順次連結して設ける。また真空仕切弁3
bと3cに閉塞された高真空熱処理槽2側には、
本引きバルブ4、拡散ポンプ5、補助バルブ6を
順次連結した高真空排気系統とそれの背圧を維持
するため補助バルブ6の次にメカニカルポンプ
8、油回転ポンプ9を順次連結して配設する。さ
らに、高真空熱処理槽2に不活性ガス導入弁11
を介して不活性ガス調整弁12を併設して取付け
本考案真空熱処理装置を構成する。
次に、本考案の真空熱処理装置の動作を説明す
る。大気中に放置したタンタルなどの弁作用金属
粉末の成形体10を真空仕切弁3aを開いて低真
空熱処理槽1に搬入し、真空仕切弁3aを閉じ、
熱処理時の真空度100パスカルの真空雰囲気で温
度600℃時間50分熱処理する。この時、低真空熱
処理槽1内の排気は、粗引きバルブ13、ワツク
ストラツプ7、補助バルブ6を連結してなるワツ
クストラツプ系統とこのワツクストラツプ系統と
連結するメカニカルポンプ8、油回転ポンプ9に
より排気する。低真空熱処理槽1において成形体
10の熱処理が終了すると高真空熱処理槽2の本
引きバルブ4を閉じたまま、不活性ガス導入弁1
1を開いて不活性ガス流量調整弁12で調整した
流量1/minのアルゴンの不活性ガスを導入す
る。不活性ガス導入後の高真空熱処理槽2内の真
空度は、100パスカル程度となり、低真空処理槽
1の熱処理終了時の真空度20パスカルより高い圧
力に設定する。続いて、真空仕切弁3bが開とな
り成形体10の移送を開始する。この時、高真空
熱処理槽2に導入された不活性ガスは、低真空熱
処理槽1に連接されている粗引きバルブ13より
排気され、高真空槽側より低真空槽側に不活性ガ
スが流れる状態となる。成形体10が高真空熱処
理槽2側に移送が完了すると、不活性ガス導入弁
11を閉じて、高真空熱処理槽2内を、低真空熱
処理槽1に連接されている粗引きバルブ13によ
り真空度20パスカル以下まで排気した後、真空仕
切弁3bを閉じて高真空熱処理槽2に連接してい
る本引きバルブ4を閉じて、高真空熱処理槽2内
で成形体10の熱処理を行なう。本処理終了後、
続いて真空仕切弁3cを開き真空冷却槽(図示省
略)に移送し、約60分滞留させた後、装置外へ搬
出する。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案は、高真空熱処理槽
に不活性ガスを導入する機構を加えることにより
低真空熱処理槽側に併設して設けた高真空排気系
を削除することができるので、装置が簡略化され
設備費用が軽減できる。
さらに低真空熱処理槽から高真空熱処理槽へ不
純物の侵入拡散を押えることができるので、常に
高真空熱処理槽の清浄化が保持できる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案実施例による真空熱処理装置の
ブロツク図、第2図は従来例による真空熱処理装
置のブロツク図。 1……低真空熱処理槽、2……高真空熱処理
槽、3a,3b,3c……真空仕切弁、4……本
引きバルブ、5……拡散ポンプ、6……補助バル
ブ、7……ワツクストラツプ、8……メカニカル
ポンプ、9……油回転ポンプ、10……成形体、
11……不活性ガス導入弁、12……不活性ガス
流量調整弁、13……粗引きバルブ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空仕切弁を介して低真空熱処理槽と高真空熱
    処理槽とを連結してなる真空熱処理装置におい
    て、前記高真空熱処理槽に不活性ガス導入弁を介
    して不活性ガス流量調整弁を連結接続させたこと
    を特徴とする真空熱処理装置。
JP1985021762U 1985-02-18 1985-02-18 Expired - Lifetime JPH0543055Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1985021762U JPH0543055Y2 (ja) 1985-02-18 1985-02-18

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1985021762U JPH0543055Y2 (ja) 1985-02-18 1985-02-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61137629U JPS61137629U (ja) 1986-08-27
JPH0543055Y2 true JPH0543055Y2 (ja) 1993-10-29

Family

ID=30513452

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JP1985021762U Expired - Lifetime JPH0543055Y2 (ja) 1985-02-18 1985-02-18

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JP (1) JPH0543055Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61137629U (ja) 1986-08-27

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