JPH0543556U - 混成集積回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 金属基板を介して半導体部品相互が熱干渉す
るのを防止し、放熱板からの確実な放熱を可能とする。 【構成】 半導体部品２ａ、２ｂは、他の電子部品４、
４…と共に絶縁層１を介し金属基板９ａ、９ｂ上に搭載
され、絶縁層１の表面に形成された回路配線５に接続さ
れている。金属基板９ａ、９ｂは分割部分６を境に互い
に分離されており、２つの半導体部品２ａ、２ｂが各々
別の金属基板９ａ、９ｂの上に搭載されている。このた
め、一方の半導体部品２ａから発生した熱が金属基板９
ａ、９ｂを介して他方の半導体部品２ｂに及ばない。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、パワートランジスタやＦＥＴ等の半導体部品を用いた回路装置にお いて、前記半導体部品を冷却するため基板を放熱性がある金属基板を用いた混成 集積回路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来、放熱量の多い半導体部品を搭載した混成集積回路基板は、発熱によって 回路機能に支障を来さないように、前記半導体部品を搭載する回路基板として放 熱性の良好な金属基板を用い、この金属基板を介して半導体部品からの放熱を図 っている。例えば、パワ−トランジスタ等発熱量の多い半導体部品は、その半導 体部品の外装体が前記金属基板に直接または間接的に接合される。

【０００３】 これらの発熱し易い半導体部品を搭載した混成集積回路基板は、例えば従来例 を示す図３と図４に示すようなものが知られている。すなわち、図３と図４で示 された混成集積回路基板には、発熱量の多いパワ−トランジスタ等の半導体部品 ２、２が２個用いられている。金属基板９の上に絶縁層１が形成され、前記半導 体部品２、２と他の電子部品４、４…とがこの絶縁層１の上に搭載されている。 絶縁層１の一方の辺には、導電ランド８、８…が形成され、各々の電極ランド８ 、８…にリード端子７、７の一端が半田付けされ、絶縁層１の側方に導出されて いる。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

このような金属基板９を用いた高周波電力増幅器は、最近の携帯電話等の小型 化に対応するため、より小型化の要求が高まり、図３及び図４に示されたように 、半導体部品２、２が近接して搭載されることが多くなっている。

【０００５】 ところが、このようにして半導体部品２、２が近接して搭載されると、熱伝導 良好な前記金属基板９を介して一方の半導体部品２から発する熱が他方の半導体 部品２に及んだり、或は双方の半導体部品２、２から発する熱がその間に集中し 、金属基板９から円滑に放熱されないという事態が起こることがある。このよう にして、半導体部品２、２から発せられる熱が、金属基板９を介して相互に他方 の半導体２、２に及び、いわば熱干渉が起こるため、金属基板９に局部的な不測 の温度上昇等が起こり、放熱が当初の設計通りに確実になされないという課題が あった。 本考案の目的は、前記従来技術の課題を解消し、半導体部品相互の熱干渉を防 止し、金属基板からの確実な放熱を可能とすることが出来る混成集積回路基板を 提供する事にある。

【０００６】

【課題を解消する為の手段】

すなわち本考案では、前記目的を達成するため、金属基板９ａ、９ｂと、該金 属基板９ａ、９ｂの上に形成され、表面に回路配線５が形成された絶縁層１と、 該絶縁層１を介して金属基板９ａ、９ｂ上に搭載され、前記回路配線５に接続さ れた複数の半導体部品２ａ、２ｂとを有する混成集積回路基板において、該金属 基板９ａ、９ｂが各半導体部品２ａ、２ｂ毎に分割され、各半導体部品２ａ、２ ｂが前記絶縁層１を介して各々別の該金属基板９ａ、９ｂの上に搭載されている ことを特徴とする混成集積回路基板を提供する。

【０００７】

【作 用】

本考案による混成集積回路基板では、各半導体部品２ａ、２ｂ毎に金属基板９ ａ、９ｂが分割され、各々の金属基板９ａ、９ｂの上に絶縁層１を介して各々１ つずつの半導体部品２ａ、２ｂが搭載されていることから、一方の半導体部品２ ａから発生した熱が金属基板９ａ、９ｂを介して他方の半導体部品２ｂに及ばな い。このため、半導体部品２ａ、２ｂ相互の熱干渉が起こらず、個々の半導体部 品２ａ、２ｂから発生した熱が各々の金属基板９ａ、９ｂから放熱される。従っ て、不測の熱伝導が起こらず、設計上当初予想された放熱がほぼ確実になされる 。

【０００８】

【実 施 例】

次に、図面を参照しながら、本考案の実施例について具体的に説明する。 図１と図２に示された混成集積回路基板は、既に説明した図３と図４で示され た混成集積回路基板と基本的にはほぼ共通する構成を有している。すなわち、金 属基板９ａ、９ｂ上に絶縁層１が形成され、２個用の半導体部品２ａ、２ｂと共 に他の電子部品４、４…が前記絶縁層１を介して金属基板９ａ、９ｂの上に搭載 されている。半導体部品２ａ、２ｂが搭載される側と同じ側の絶縁層１の表面に は導電体パターン、抵抗パターン、絶縁パターン等からなる回路配線５が形成さ れている。

【０００９】 金属基板９ａ、９ｂは、図２において左右両側に分割されており、２つの金属 基板９ａ、９ｂが互いに別体となっている。これら金属基板９ａ、９ｂは分割部 分６を境に図２において作用に分離するように、前記絶縁層１の部品搭載側と反 対側の主面で接着剤等により接合されている。

【００１０】 絶縁層１の一方の辺には、導電ランド８、８…が形成され、各々の電極ランド ８、８…にリ−ド端子７、７…の一端が半田付けされ、絶縁層１の側方に導出さ れている。 なお、以上の実施例では、絶縁層１に搭載される半導体部品２ａ、２ｂが２個 である場合を示したが、半導体部品２ａ、２ｂが３個以上の場合でも本考案を適 用できることは明かである。この場合、金属基板９ａ、９ｂは、各半導体部品２ ａ、２ｂ毎に３個以上に分割することは、前記実施例と基本的に同様である。

【００１１】

【考案の効果】

以上説明した通り、本考案によれば、絶縁層１に搭載された複数の半導体部品 ２ａ、２ｂが金属基板９ａ、９ｂを介して相互に熱干渉することが防止され、局 部的な不測の温度上昇等が起こらず、設計上当初予想された放熱が可能となると いう効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例を示す混成集積回路基板の斜視
図である。

【図２】同混成集積回路基板の側面図である。

【図３】従来例を示す混成集積回路基板の斜視図であ
る。

【図４】同混成集積回路基板の側面図である。

【符号の説明】

１ 絶縁基板 ２ａ 発熱性の半導体部品 ２ｂ 発熱性の半導体部品 ４ 一般の電子部品 ５ 回路配線 ９ａ 放熱板 ９ｂ 放熱板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/14 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｍ

Claims (1)

【整理番号】 ００３０２１４−０１ 【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属基板９ａ、９ｂと、該金属基板９
   ａ、９ｂの上に形成され、表面に回路配線５が形成され
   た絶縁層１と、該絶縁層１を介して金属基板９ａ、９ｂ
   上に搭載され、前記回路配線５に接続された複数の半導
   体部品２ａ、２ｂとを有する混成集積回路基板におい
   て、該金属基板９ａ、９ｂが各半導体部品２ａ、２ｂ毎
   に分割され、各半導体部品２ａ、２ｂが前記絶縁層１を
   介して各々別の該金属基板９ａ、９ｂの上に搭載されて
   いることを特徴とする混成集積回路基板。